技术领域
[0001] 本
发明属于
基板玻璃加工技术领域，尤其涉及一种磁控溅射靶罩。
背景技术
[0002] 图1为磁控溅射
镀膜工艺示意图，请参图1，磁控溅射是通过在靶11
阴极表面引入
磁场和
电场，利用磁场和电场对带电粒子的约束来提高等离子
密度来增加溅射率。
电子在电场的作用下，在飞向固定于镀膜小车13上的基片15的过程中与氩
原子发生碰撞，使其电离产生Ar+和新的电子：新电子飞向基片15，Ar+在电场作用下
加速飞向阴极靶11，并以高
能量轰击靶11表面，使靶材发生溅射。在溅射过程中，一部分带电粒子与器壁发生碰撞，发生复合，这部分与器壁发生复合的粒子，对磁控室腔体的污染严重。
现有技术通过设置一个靶罩12，来屏蔽掉这部分溅射粒子。
[0003] 在溅射过程中，还有一部分电子和负离子飞向
阳极17并沉积于基片15表面，这部分电子和负离子会对靶材在基片15表面沉积成膜的效果产生一定影响，其中能量较低的电子和负离子会使靶材沉积成膜的效果变差。图2为现有技术提供的靶罩12的结构示意图，请参图2，靶罩12包括罩面12a和多个侧面12b，罩面12a上设置有溅射窗口12c，溅射窗口12c是Ar+、电子、负离子以及溅射出的靶材运动的通道。能量较低的电子可以直接从溅射窗口12c飞出沉积在基片15表面，从而使靶材在基片15表面沉积成膜的效果变差。
发明内容
[0004] 针对现有技术的问题，本发明提供一种磁控溅射靶罩，可有效提升靶材在基片表面沉积成膜的效果。
[0005] 为达到上述目的，本发明采用如下的技术方案：
[0006] 一种磁控溅射靶罩，包括罩面和侧边，侧边设置于罩面外边缘，侧边与罩面的交界线围合成一个封闭的图形，罩面上设置有溅射窗口，还包括至少一金属丝，金属丝两端固定于侧边，金属丝在罩面上的投影部分位于溅射窗口。
[0007] 进一步地，金属丝为钼丝。
[0008] 进一步地，金属丝的数量为3。
[0009] 进一步地，其中一根金属丝垂直于另两根金属丝，且穿过另外两根金属丝的中点。
[0010] 进一步地，3根金属丝一体成型。
[0011] 进一步地，金属丝的直径为4-6mm。
[0012] 进一步地，金属丝与罩面的距离等于侧边在垂直于靶罩方向上的长度的三分之一。
[0014] 本发明
实施例提供的磁控溅射靶，通过设置金属丝，可以捕捉能量较低的电子和负离子，避免其沉积于基片表面，提高了靶材在基片表面沉积成膜的
质量。
附图说明
[0015] 下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
[0016] 图1为磁控溅射镀膜工艺示意图。
[0017] 图2为现有技术提供的靶罩的结构示意图。
[0018] 图3为本发明实施例提供的磁控溅射靶罩在某一视
角的立体结构示意图。
[0019] 图4为图3中磁控溅射靶罩在另一视角的立体结构示意图。
具体实施方式
[0020] 为说明本发明实施例提供的磁控溅射靶罩，以下结合
说明书附图及文字说明进行详细阐述。
[0021] 图3为本发明实施例提供的磁控溅射靶罩在某一视角的立体结构示意图，图4为图3中磁控溅射靶罩在另一视角的立体结构示意图，请参图3和图4，本发明实施例提供的磁控溅射靶罩30包括罩面30a、侧边30b和至少一金属丝50。
[0022] 罩面30a呈平板状，至少包括一第一表面31a，优选地，罩面30a的外边缘形成为矩形。第一表面31a的中央区域形成有溅射窗口30c，优选地，溅射窗口30c的边缘形成为特定的形状。
[0023] 侧边30b设置于罩面30a的外边缘处，侧边30b与罩面30a垂直设置，优选地，侧边30b与罩面30a一体成型。本实施例中，侧边30b的数量为四个，四个侧边30b分别设置于罩面
30a四个边缘处，四个侧边30b首尾相连围合成一个封闭的“口”字形。
[0024] 金属丝50的两端分别固定在侧边30b上，金属丝50在第一表面31a上的投影部分位于溅射窗口30c，优选地，每一金属丝50焊接固定在相对设置的两个侧边30b上。优选地，金属丝50与罩面30a间的距离为侧边30b在垂直于罩面30a方向上的长度的三分之一。
[0025] 金属丝50的数量优选为三根，其中一根金属丝50穿过另外两根金属丝50的中点并垂直于另外两根金属丝50，优选地，三根金属丝50一体成型。
[0026] 金属丝50的直径优选为四至六毫米。金属丝50在罩面30a上的投影位于溅射窗口30c内。
[0027] 罩面30a与侧边30b的制作材质为紫
铜，金属丝50的制作材质优选为钼。
[0028] 靶材通过磁控溅射在基片表面沉积成膜的过程中，电子在电场的作用下，与氩原子发生碰撞，使其电离产生Ar+，Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶，穿过溅射窗口30c后以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
[0029] 在溅射过程中，侧边30b以及靶面上溅射窗口30c以外区域阻挡了溅射出的靶材的运动，溅射出的靶材只能通过溅射窗口30c运动到基片表面。溅射窗口30c的外边缘呈特定的形状，该特定形状根据靶材在基片表面的沉积规律而设计，溅射出的靶材通过溅射窗口30c后，在基片表面均匀沉积成膜。
[0030] 在溅射过程中，还有一部分电子和负离子从靶阴极溅射出，飞向阳极并沉积于基片表面。该部分电子和负离子中，能量较低的电子和负离子被金属丝50捕捉，从而无法溅射出溅射窗口30c。
[0031] 可以理解，本发明实施例提供的磁控溅射靶，设置有金属丝50，可以捕捉能量较低的电子和负离子，避免其沉积于基片表面，提高了靶材在基片表面沉积成膜的质量。
[0032] 进一步地，该金属丝50的制作材质为钼。通过大量实验证明，以钼作为该金属丝50的制作材质，捕捉低能量的电子和负离子的效果最佳。
[0033] 进一步地，金属丝50与罩面30a间的距离为侧边30b在垂直于罩面30a方向上的长度的三分之一。通过大量实验证明，金属丝50与罩面30a间的距离为侧边30b在垂直于罩面30a方向上的长度的三分之一，金属丝50捕捉低能量的电子和负离子的效果最佳。
[0034] 进一步地，金属丝50的数量为三根，其中一根金属丝50穿过另外两根金属丝50的中点并垂直于另外两根金属丝50，三根金属丝50一体成型。通过大量实验证明，该种设计，金属丝50捕捉低能量的电子和负离子的效果最佳。
[0035] 进一步地，金属丝50的直径为四至六毫米。通过大量实验证明，金属丝50的直径为四至六毫米，捕捉低能量的电子和负离子的效果最佳。
[0036] 以上为本发明提供的磁控溅射靶罩，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的改进或替换都应在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以
权利要求为准。
[0037] 在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。
