ITO薄膜以及透明导电性薄膜
阅读：590发布：2020-05-08
专利汇可以提供ITO薄膜以及透明导电性薄膜专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种ITO 薄膜 以及透明 导电性 薄膜，ITO薄膜在不进行 退火 处理的状态下提高非晶ITO膜的 稳定性 ， 电阻 值随时间没有变化、提高防潮性和 阻气性 ，并克服由弯曲引起的裂纹；透明导电性薄膜具有优异的导电性、透明性以及耐久性。本 发明 的ITO薄膜在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。，下面是ITO薄膜以及透明导电性薄膜专利的具体信息内容。
1.一种ITO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
2.如权利要求1所述的ITO薄膜，其特征在于，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
3.如权利要求1或者2所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜密度为65％以上。
4.如权利要求1～3的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
5.如权利要求1～4的任一项所述的ITO薄膜，其特征在于，所述非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
6.一种透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二ITO膜，其特征在于，
所述第一ITO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶ITO膜；所述第二ITO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
7.如权利要求6所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述薄膜金属层是厚度为10nm～
20nm的Ag层。
8.如权利要求6或者7所述的透明导电性薄膜，其特征在于，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
9.如权利要求6～8的任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第二ITO膜的膜密度为65％以上。
10.如权利要求6～9的任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述非晶第二ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
11.如权利要求6～10的任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第二ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
ITO薄膜以及透明导电性薄膜
技术领域
背景技术
[0002] 透明导电性薄膜被用于触摸面板、太阳能电池、电磁波/静电屏蔽、紫外/红外线屏蔽，特别是在使用太阳能电池、有机EL显示器以及有机EL进行照明中，开始要求总透光率为90％且表面电阻为5～10(Ω/□)的性能。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1：日本专利第6106756号公报
发明内容
[0007] 发明要解决的技术问题
[0008] 专利文献1通过使粒子散布而形成透明导电薄膜层上的透明金属氧化物层,通过减少透明金属氧化物层对透明导电薄膜层的覆盖率,使透明导电薄膜暴露在粒子之间,由此能够不降低透明性而大幅度增加透明导电薄膜层与透明金属氧化物层上的金属电极间的导电性，能够提高折射率匹配性或耐擦伤性。
[0010] 另外，在专利文献1中，为了实现ITO膜的低电阻化，将ITO膜的厚度增加至90nm，同时为了提高ITO膜的稳定性，使SnO2含量为10wt％。
[0011] 本发明的目的是提供一种ITO薄膜，在不进行退火处理的情况下提高非晶ITO膜的稳定性，电阻值随时间没有变化，提高防潮性和阻气性，并克服由弯曲引起的裂纹；还提供一种具有优异的导电性、透明性以及耐久性的透明导电性薄膜。
[0012] 用于解决上述技术问题的方案
[0013] 技术方案1所述的本发明的ITO薄膜，在具有挠性的基材的表面，形成有未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，其特征在于，所述非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
[0014] 技术方案2所述的本发明，其特征在于，在技术方案1所述的ITO薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
[0015] 技术方案3所述的本发明，其特征在于，在技术方案1或者2所述的ITO薄膜中，所述非晶ITO膜的膜密度为65％以上。
[0016] 技术方案4所述的本发明，其特征在于，在技术方案1～3的任一项所述的ITO薄膜中，所述非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
[0017] 技术方案5所述的本发明，其特征在于，在技术方案1～4的任一项所述的ITO薄膜中，所述非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
[0018] 技术方案6所述的本发明的透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面形成有第一ITO膜，在所述第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在所述薄膜金属层的表面形成有第二ITO膜，其特征在于，所述第一ITO膜为未经退火处理状态下的非晶ITO膜；所述第二ITO膜为未进行所述退火处理的状态的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，所述非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
[0019] 技术方案7所述的本发明，其特征在于，在技术方案6所述的透明导电性薄膜中，所述薄膜金属层是厚度为10nm～20nm的Ag层。
[0020] 技术方案8所述的本发明，其特征在于，在技术方案6或者7所述的透明导电性薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为所述基材。
[0021] 技术方案9所述的本发明，其特征在于，在技术方案6～8的任一项所述的透明导电性薄膜中，所述第二ITO膜的膜密度为65％以上。
[0022] 技术方案10所述的本发明，其特征在于，在技术方案6～9的任一项所述的透明导电性薄膜中，所述第二ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。
[0023] 技术方案11所述的本发明，其特征在于，在技术方案6～10的任一项所述的透明导电性薄膜中，所述第二ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。
[0024] 发明效果
[0025] 根据本发明，能够提供一种电阻值随时间没有变化、提高防潮性和阻气性、克服因弯曲引起的裂纹的ITO薄膜。
[0027] 图1是表示使用实施例1与比较例1的霍尔数的测量结果的表。
[0028] 图2是表示使用实施例2与比较例1的直径1.0mm的弯曲试验结果的图。
[0029] 图3是表示使用实施例2与比较例1的无负荷弯曲试验结果的图。
[0030] 图4是表示使用实施例2的80℃保存特性结果的图表。
[0031] 图5是表示使用实施例2的60℃、90％RH保存特性结果的图表。
[0032] 图6是表示使用实施例2在-30℃和80℃下的热循环测试结果的图表。
[0033] 图7是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的耐热性结果的表。
[0034] 图8是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的50℃温水深度试验结果的表。
[0035] 图9是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的60℃～80℃温水深度试验结果的表。
[0036] 图10是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的大气中常温放置试验结果的表。
[0037] 图11是使用实施例3与比较例3的无负荷弯曲试验结果的图。
[0038] 图12是实施例1和比较例1的ITO薄膜表面的显微镜照片。
[0039] 图13是表示在图12中示出的试验片的表面粗糙度的测量结果的图表。
具体实施方式
[0040] 根据本发明的第1实施方式的ITO薄膜，非晶ITO膜的膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。根据本实施方式，通过使非晶ITO膜具有高密度，能够提高稳定性，能够提供一种电阻随时间没有变化、提高防潮性和阻气性、克服因弯曲引起的裂纹的ITO薄膜。
[0041] 本发明的第2实施方式，是在第1实施方式的ITO薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为基材。根据本实施方式，聚对苯二甲酸乙二醇酯具有优异的挠性以及透明性，适合于形成非晶ITO膜。
[0042] 本发明的第3实施方式，是在第1或者第2实施方式的ITO薄膜中，非晶ITO膜的膜密度为65％以上。根据本实施方式，通过使非晶ITO膜的膜密度为65％以上，能够提高稳定性。
[0043] 本发明的第4实施方式，是在第1～第3实施方式的ITO薄膜中，非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。根据本实施方式，通过使非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下，能够将非晶ITO膜的膜密度作成65％以上从而提高稳定性。
[0044] 本发明的第5实施方式，是在第1～第4实施方式的ITO薄膜中，使非晶ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。根据本实施方式，通过使SnO2在2wt％～7wt％的范围内，能够提高透明性。
[0045] 本发明的第6实施方式的透明导电性薄膜，第一ITO膜为未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，第二ITO膜为未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。根据本实施方式，能够提供导电性、透明性以及耐久性优异的透明导电性薄膜。
[0046] 本发明的第7实施方式，是在第6实施方式的透明导电性薄膜中，薄膜金属层是厚度为10nm～20nm的Ag层。根据本实施方式，能够通过第二ITO膜保护耐久性差的Ag以提高耐久性，并且通过第二ITO膜可以将50％左右的Ag的总透光率提高至90％左右。
[0047] 本发明的第8实施方式，是在第6或者第7实施方式的透明导电性薄膜中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯作为基材。根据本实施方式，聚对苯二甲酸乙二醇酯具有优异的挠性以及透明性，适合于形成非晶ITO膜。
[0048] 本发明的第9实施方式，是在第6～第8实施方式的透明导电性薄膜中，第二ITO膜的膜密度为65％以上。根据本实施方式，通过使非晶ITO膜的膜密度为65％以上，能够提高稳定性。
[0049] 本发明的第10实施方式，是在第6～第9实施方式的透明导电性薄膜中，第二ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下。根据本实施方式，通过使非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下，能够将非晶ITO膜的膜密度作成65％以上从而提高稳定性。
[0050] 本发明的第11实施方式，是在第6～第10实施方式的透明导电性薄膜中，使第二ITO膜所含有的SnO2在2wt％～7wt％的范围内。根据本实施方式，通过使SnO2在2wt％～7wt％的范围内，能够提高透明性。
[0051] (实施例1)
[0052] 对厚度为125μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)的两个表面进行硬涂层处理以形成基材，使用含有5wt％SnO2的ITO靶，在含有约1％氧气气体的氩气气氛中，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在该基材的一个表面上形成了表面电阻R＝75～83(Ω/□)的ITO膜(厚度约为d＝35nm)。
[0053] 实施例1的ITO(含有氧化锡的氧化铟)薄膜的总透光率为84％。另外，使用须贺试验机株式会社的HGM-2DP来测量总透光率。
[0054] (实施例2)
[0055] 利用与实施例1相同的方法,形成了表面电阻R＝100～105(Ω/□)的ITO膜(厚度约为d＝30nm)。
[0056] 像这样地，实施例1以及实施例2是在具有挠性的基材的表面形成了未进行退火处理的状态的非晶ITO膜的ITO薄膜。
[0057] 具有透明性的各种塑料薄膜(片材)可用于具有挠性的基材。对塑料薄膜，例如，作为树脂成分，能够使用包含聚酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚芳酯或者聚苯硫醚的塑料薄膜。在这些之中，特别优选聚酯，在聚酯中，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚对苯二甲酸乙二醇酯具有优异的挠性以及透明性，适合于形成非晶ITO膜。经过双面硬涂层处理的PET薄膜基材的总透光率为约91％。另外，溅射镀敷时的薄膜基材温度是常温。此外，在此处的溅射方法，使用通常的磁控管电极法。
[0058] (比较例1)
[0059] 对厚度为125μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)的两个表面进行硬涂层处理以形成基材，使用含有5wt％SnO2的ITO靶，在含有约1％氧气气体的氩气气氛中，在0.1至0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在该基材的一个表面上形成了表面电阻R＝170(Ω/□)的ITO膜(厚度约为d＝25nm)。然后，在大气中，在约150℃的加热气氛下加热约50分钟从而形成了表面电阻R＝142(Ω/□)的薄膜晶体化ITO薄膜。另外，为了防止退火时向PET薄膜基材的雾度增加，使用双面硬涂层PET薄膜基材。
[0060] (评价方法1)
[0061] 图1是表示使用实施例1与比较例1的霍尔数的测量结果的表。
[0062] 测量使用了东洋特克尼卡株式会社制造的ResiTest 8330。
[0063] 从图1所示的结果可以看出，实施例1是高密度膜，因为具有与比较例1相比更高的迁移率。
[0064] (评价方法2)
[0065] 图2是表示使用实施例2和比较例1的直径1.0mm的弯曲试验结果的图。
[0066] 图2a是试验的概念图，图2b是表示试验后的膜表面的照片，图2c是表示测定结果的表。
[0067] 如图2b以及图2c所示，相对于在比较例1中发生裂纹，在实施例2中未发生裂纹。
[0068] (评价方法3)
[0069] 图3是使用实施例2与比较例1的无负荷弯曲试验结果的图
[0070] 图3a是试验的概念图，图3b是表示测定结果的表。
[0071] 从无负荷弯曲试验结果可以看出，相对于比较例1，实施例2还能经受住反复弯曲。
[0072] 本发明的透明导电性薄膜，是第一ITO膜为未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，第二ITO膜为未进行退火处理的状态的非晶ITO膜，膜厚在30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻在9～105(Ω/□)的范围内。
[0073] (评价方法4)
[0074] 图4是表示使用实施例2的80℃保存特性结果的图表。
[0075] 如图4所示，即使经过1000小时后，电阻值也不会随时间发生变化。
[0076] (评价方法5)
[0077] 图5是表示使用实施例2的60℃、90％RH保存特性结果的图表。
[0078] 如图5所示，即使经过1000小时后，电阻值也不会随时间发生变化。
[0079] (评价方法6)
[0080] 图6是表示使用实施例2在-30℃和80℃下的热循环测试结果的图表。
[0081] 如图6所示，即使经过1000小时后，电阻值也不会随时间发生变化。
[0082] (实施例3)
[0083] 使用Ag靶，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在实施例1的ITO薄膜的表面上形成了膜厚为约10nm～20nm的Ag层。进而，使用含有5wt％SnO2的ITO靶，在含有约1％氧气气体的氩气气氛中，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在Ag层的表面形成了表面电阻R＝55～75(Ω/□)的ITO膜(厚度约为50nm)。
[0084] 像这样地，实施例3是透明导电性薄膜，在具有挠性的基材的表面上形成有第一ITO膜，在第一ITO膜的表面形成有薄膜金属层，进而在薄膜金属层的表面形成了第二ITO膜。
[0085] 实施例3的透明导电性薄膜的表面电阻R＝5.0(Ω/□)，总透光率为89％。另外，膜厚约为10nm～20nm的Ag层的总透光率为50％。
[0086] (比较例2)
[0087] 对厚度为125μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)的两个表面进行硬涂层处理以形成基材，使用含有5wt％SnO2的ITO靶，在含有约1％氧气气体的氩气气氛中，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在该基材的一个表面上形成了表面电阻R＝170(Ω/□)的ITO膜(厚度约为25nm)。然后，使用Ag靶，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在该ITO膜的表面形成了膜厚约为10nm～20nm的Ag层。进而，使用ITO靶，在含有约1％氧气气体的氩气气氛中，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在Ag层的表面形成了厚度约为50nm的ITO膜。在刚刚镀敷之后，表面电阻为R＝5.5(Ω/□)，总透光率为85％。然后，在大气中，在约150℃的加热气氛下，加热约50分钟，使得2个ITO膜(厚度分别为约25nm与约50nm)晶体化。在晶体化之后，表面电阻为R＝5.0(Ω/□)，总透光率为89％。
[0088] (比较例3)
[0089] 对厚度为125μm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)的两个表面进行硬涂层处理以形成基材，使用Ag靶，在0.1～0.9Pa(约0.6Pa)的真空度下，通过溅射镀敷而在该基材的一个表面上形成了膜厚约为10nm～20nm的Ag层。形成了Ag层后，表面电阻为R＝5.0(Ω/□)，总透光率为50％。
[0090] (评价方法7)
[0091] 图7是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的耐热性结果的表。
[0092] 耐热性试验是放置在150℃的气氛下进行的。
[0093] 如图7所示，即使是经过了22小时实施例3也能得到良好的结果，但是比较例2在经过22小时后耐热性随时间发生变化。比较例3在经过2小时的时间点已经失去了耐热性功能。
[0094] (评价方法8)
[0095] 图8是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的50℃温度深度试验结果的表。
[0096] 如图8所示，即使是经过了60分钟后实施例3也能得到良好的结果，但是比较例2在经过20分钟后开始受到影响。比较例3在经过5分钟的时间点Ag层劣化变色并剥落。
[0097] (评价方法9)
[0098] 图9是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的60℃～80℃热水深度试验结果的表。
[0099] 如图9所示，即使是经过了60分钟后实施例3也能得到良好的结果，但是比较例2在经过40分钟后开始受到影响。比较例3在经过5分钟之前Ag层劣化变色并剥落。
[0100] (评价方法10)
[0101] 图10是表示使用实施例3、比较例2、比较例3的大气中的常温放置试验结果的表。
[0102] 如图10所示，实施例3即使是经过了9个月后也能得到良好的结果，但是比较例2在经过3个月后开始受到影响，经过9个月Ag层的一部分变色。比较例3在经过2个月之前，Ag层劣化变色并剥落。
[0103] (评价方法11)
[0104] 图11是使用实施例3与比较例3的无负荷弯曲试验结果的图。试验方法与评价方法3同样。
[0105] 实施例3以及比较例3，在5000次弯曲试验后，电阻变化率以及总透光率均得到了良好的结果。
[0106] 图12是实施例1和比较例1的ITO薄膜表面的显微镜照片。
[0107] 图12a为实施例1的ITO薄膜，图12b为比较例1的ITO薄膜，试验片的大小均为10μm×2.5μm。
[0108] 图13是表示在图12中表示的试验片的表面粗糙度的测量结果的图表。
[0109] 图13a是实施例1的ITO薄膜，图13b是比较例1的ITO薄膜。对表面粗糙度的测量，使用了株式会社小坂研究所制造的ET200型微细形状测定机。此外，对表面凹陷的显微镜照片以及测量，使用由布鲁克公司制造的扫描型探针显微镜(Dimension Icon SPM)。
[0110] 实施例1的ITO薄膜的表面平均粗糙度Ra(nm)＝4.1，比较例1的ITO薄膜的表面平均粗糙度Ra(nm)＝9.5。此外，在实施例1中使用的双面硬涂层薄膜基材的表面平均粗糙度Ra(nm)＝5。
[0111] 在使用ITO膜且需要较低的表面电阻值的情况下，通常存在增加ITO膜层厚度的方法。
[0112] (实施例4)
[0113] 利用与实施例1相同的方法，将非晶ITO膜的膜厚形成为约320nm。
[0114] 此时的ITO薄膜的总透光率约为82％，表面电阻R约为9(Ω/□)。
[0115] 此外，还确认了该ITO膜的平均空穴直径以及空穴率是与实施例1中相同的非晶高密度膜，电阻值随时间没有变化。
[0116] (比较例4)
[0117] 比较例4利用与比较例1相同的方法，通过溅射镀敷而形成了表面电阻R＝15(Ω/□)的ITO膜(厚度约为300nm)。
[0118] 为了防止电阻值随时间变化，在大气中，在约150℃的加热气氛下，加热约50分钟，形成薄膜晶体化ITO膜。
[0119] 其结果是，在透明导电性薄膜上，产生以ITO薄膜面作为上表面的卷曲，在ITO膜的一部分出现裂缝(裂纹)，表面电阻值变为R＝10～∞(裂缝部分)(Ω/□)，不能得到稳定的电阻值。
[0120] 以下，对膜密度进行说明。
[0121] 膜密度来自每单位面积的空穴率。空穴率定义为测量的凹部的空穴直径的总长度相对于测量长度的比值。然后，将深度22nm以上的凹部视为空穴，并将在该凹部深度1/2的位置处的直径作为空穴的大小(空穴直径)。
[0122] 测量的结果是，在实施例1的ITO薄膜中，平均空穴直径为0.32μm，空穴率为9.5％，在比较例1的ITO薄膜在中，平均空穴直径为0.46μm，空穴率为36.5％。
[0123] 在实施例1的ITO薄膜中，空穴率为9.5％，因此膜密度为90.5％，在比较例1的ITO薄膜中，空穴率为36.5％，因此膜密度为63.5％。
[0124] 像这样地，本发明的ITO薄膜，通过使非晶ITO膜的膜厚为30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻为9～105(Ω/□)的范围内，使得非晶ITO膜为高密度膜，能够提高稳定性，能够提供电阻值不随时间变化、提高了防潮性和阻气性、克服因弯曲引起的裂纹的ITO薄膜。
[0125] 非晶ITO膜的表面平均粗糙度优选为9nm以下，更优选为4.1nm以下，通过使非晶ITO膜的表面平均粗糙度为9nm以下，能够使非晶ITO膜的膜密度为65％以上从而提高稳定性。
[0126] 非晶ITO膜的膜密度优选为65％以上，更优选为90％以上，通过使非晶ITO膜的膜密度为65％以上能够提高稳定性。
[0127] 非晶ITO膜中所含有的SnO2优选在2wt％～7wt％的范围内，进而如实施例1以及实施例2中所示，更优选为5wt％。通过将SnO2设定在2wt％～7wt％的范围内，能够增强透明性。
[0128] 另外，如实施例3所示，不仅是第二ITO膜，对第一ITO膜也优选膜厚为30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻为9～105(Ω/□)的范围内的非晶ITO膜。通过将第一ITO膜或第二ITO膜变成这样的ITO薄膜，能够提供导电性、透明性以及耐久性优异的透明导电性薄膜。
[0129] 此外，将第二ITO膜设为如下非晶ITO膜：膜厚为30nm～320nm的范围内，非晶ITO膜的表面电阻为9～105(Ω/□)的范围内，薄膜金属层为10nm～20nm的厚度的Ag层，由此能够通过第二ITO膜保护耐久性差的Ag以提高耐久性，并且通过第二ITO膜可以将50％左右的Ag的总透光率提高至90％左右。
[0130] 在实施例3中，使用Ag作为薄膜金属层，但是并没有特别限定于Ag，也能够单独使用Cu、Al、Au、Ni、Ni/Cr、Cr、Ti、Sn等或者使用由它们中的两种以上组成的合金。
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