专利汇可以提供半导体基板及其表面研磨方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 半导体 基板 及其表面 研磨 方法,其中,所述半导体基板表面研磨方法包括:在半导体基板的 正面 设置一层保护层;将所述半导体基板放置在研磨装置中,并用研磨液和第一研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨;对所述半导体基板进行洁净处理;将所述半导体基板放置在所述研磨装置中,并用研磨液和第二研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨;对所述半导体基板进行洁净处理;去除所述半导体基板上的所述保护层,将所述半导体基板放置在所述研磨装置中,并用研磨液和第三研磨粉对所述半导体基板的正面进行研磨。本发明能够提高半导体基板表面的研磨 精度 。,下面是半导体基板及其表面研磨方法专利的具体信息内容。
1.一种半导体基板表面研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,在半导体基板的正面设置一层保护层;
S2,将所述半导体基板放置在研磨装置中,并用研磨液和第一研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨;
S3,对所述半导体基板进行洁净处理;
S4,将所述半导体基板放置在所述研磨装置中,并用研磨液和第二研磨粉对所述半导体基板的背面进行研磨;
S5,对所述半导体基板进行洁净处理;
S6,去除所述半导体基板上的所述保护层,将所述半导体基板放置在所述研磨装置中,并用研磨液和第三研磨粉对所述半导体基板的正面进行研磨;
其中,所述第一研磨粉的直径大于所述第二研磨粉的直径,所述第二研磨粉的直径大于所述第三研磨粉的直径。
2.根据权利要求1所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,所述第一研磨粉的直径为15-18nm,所述第二研磨粉的直径为10-15nm,所述第三研磨粉的直径为5-10nm。
3.根据权利要求1所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,所述步骤S3和/或所述步骤S5具体为:
在将半导体基板从所述研磨装置中取出后,将所述半导体基板放入去离子水中,并用超声波震荡清洗,之后将所述半导体基板取出烘干。
4.根据权利要求3所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,用超声波振荡清洗的时间为8~12分钟。
5.根据权利要求1所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,在所述步骤S2、所述步骤S4或所述步骤S6中,研磨的时间为4~6分钟。
6.根据权利要求1所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,所述研磨液为碱性研磨液,其PH值为9~11。
7.根据权利要求6所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,所述研磨液包括铵氢氧化物。
8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体基板表面研磨方法,其特征在于,所述半导体基板为晶圆;所述保护层为胶层;所述第一研磨粉,所述第二研磨粉及所述第三研磨粉均为金刚石粉。
9.一种半导体基板,其特征在于,由权利要求1至8任一项所述的半导体基板表面研磨方法研磨而成。
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