一种绿光垂直腔面发射半导体激光器
专利汇可以提供一种绿光垂直腔面发射半导体激光器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 属于 半导体 光 电子 技术领域，涉及一种半导体 激光器 。一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构由第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结， 电流 注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆 接触 层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和 窗口层 组成。本发明提出一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，由一次 外延 生长 来实现有源层、高反射率分布布拉格反射镜层和窗口层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高 质量 的外延材料。，下面是一种绿光垂直腔面发射半导体激光器专利的具体信息内容。
1.一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，其特征在于，包括第一底部分布布拉格反射镜层、第一下势垒层、第一有源层、隧道结、电流注入层、第一上势垒层、第一顶部分布布拉格反射镜层、欧姆接触层、第二底部分布布拉格反射镜层、第二下势垒层、第二有源层、第二上势垒层、第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层；
在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底（1），该衬底用于在其上外延生长垂直腔面发射激光器各层材料；缓冲层（2），为GaN材料，该缓冲层制作在衬底上，用于阻止衬底中缺陷的转移；第一底部分布布拉格反射镜层 （3），为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN 分布布拉格反射镜同质结材料；第一下势垒层（4），该层制作在底部分布布拉格反射镜层上；第一有源层（5），为多量子阱，该层制作在第一下势垒层上；隧道结（6），该层制作在多量子阱层上；电流注入层（7），该层制作在隧道结上；第一上势垒层（8），为厚度是100nm的GaN材料，制作在电流注入层上；第一顶部分布布拉格反射镜层（9），为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN 分布布拉格反射镜同质结材料，该分布布拉格反射镜层制作在第一上势垒层上；欧姆接触层（10），为厚度是300nm的n+-GaN材料，该层制作在第一顶部分布布拉格反射镜层上；第二底部分布布拉格反射镜层（11），为外延生长不同掺杂浓度的n型 n-GaN/n+-GaN 分布布拉格反射镜同质结材料，该层制作在欧姆接触层上；第二下势垒层（12），为GaN材料，制作在同质结分布布拉格反射镜层上；第二有源层（13），为多量子阱，该层制作在第二下势垒层上；第二上势垒层（14），为厚度是100nm的GaN材料，该层制作在第二有源层上；第二顶部分布布拉格反射镜层（15），为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN 分布布拉格反射镜同质结材料，该分布布拉格反射镜层制作在第二上势垒层上；窗口层（16），为GaN材料，为厚度是100nm的n+-GaN材料，该层制作在第二顶部分布布拉格反射镜层上。
2.根据权利要求1所述的一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，其特征在于包括两个有源层、两对分布布拉格反射镜，只需要一次材料外延生长即可完成两个不同发光波长有源层和两对分布布拉格反射镜材料制备，从而有利于实现绿光垂直腔面发射半导体激光器光源。
3.根据权利要求1所述的一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，其特征在于只需一次外延生长即可完成包括第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长包括第二分布布拉格反射镜结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。
4.根据权利要求1所述的一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构制备方法，其特征在于具体步骤为：首先绿光垂直腔面发射半导体激光器外延片第一次光刻、ICP刻蚀，然后利用一种脉冲直流电压电化学刻蚀法，制作出绿光垂直腔面发射半导体激光器外延片电流注入孔径；然后进行绿光垂直腔面发射半导体激光器外延片第二次光刻、ICP刻蚀，制作出绿光垂直腔面发射半导体激光器外延片分布布拉格反射镜完整结构。
一种绿光垂直腔面发射半导体激光器
技术领域
背景技术
发明内容
第二下势垒层，为GaN材料，制作在同质结DBR层上；第二有源层，为多量子阱，该层制作在第二下势垒层上；第二上势垒层，为厚度是100nm的GaN材料，该层制作在第二有源层上；第二顶部DBR层，为外延生长不同掺杂浓度的n型 n-GaN/n+-GaN DBR同质结材料，该DBR层制作在第二上势垒层上；窗口层，为GaN材料，为厚度是100nm的n+-GaN材料，该层制作在第二顶部DBR层上。
具体实施方式
70nm，n-GaN掺杂浓度为n=1E18/cm3，n+-GaN掺杂浓度为n=1E19/cm3 ，该层制作在第二上势垒层上；窗口层（16），厚度是100nm的GaN材料，该层制作在第二顶部DBR层上。
2为缓冲层，3为第一底部DBR层，4为第一下势垒层，5为第一有源层，6为隧道结，7为电流注入层，8为第一上势垒层，9为第一顶部DBR层，10为欧姆接触层，11为第二底部DBR层，12为第二下势垒层，13为第二有源层，14为第二上势垒层，15为第二顶部DBR层，16为窗口层。20为第一次光刻、ICP刻蚀沟道。21为第二次光刻、ICP刻蚀沟道。30为第一底部DBR刻蚀区，31为隧道结刻蚀区， 32为电流注入孔径区， 33为第一顶部DBR刻蚀区，34为第二底部DBR刻蚀区，35为第二顶部DBR刻蚀区。
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