专利汇可以提供一种基于WO3的无线无源H2气体传感器及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种基于WO3的无线无源H2气体 传感器 及其制备方法,该 气体传感器 包括:陶瓷基底以及印刷于陶瓷基底上的电感线圈与复合气敏 电阻 ,电感线圈的外端经陶瓷基底通孔内填充的 银 浆与复合气敏电阻一端的连接,内端与复合气敏电阻的另一端相连,构成LR敏感回路;陶瓷基底以 氧 化 铝 生瓷带为材料,采用HTCC工艺制备,电感线圈以Ag为浆料,采用丝网印刷工艺制备,复合气敏电阻采用Pt-WO3 复合材料 ,由 磁控溅射 工艺制备。本发明的气体传感器利用无线非 接触 的测量方法,通过分析随电 阻变 化的Q值,即可准确实现低温条件下待测气体H2的检测,采用成熟的丝网印刷和磁控溅射制备工艺,具有加工简便,成本低廉等优点。,下面是一种基于WO3的无线无源H2气体传感器及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种基于WO3的无线无源H2气体传感器,其特征在于,包括:陶瓷基底以及印刷于陶瓷基底上的电感线圈与复合气敏电阻,电感线圈的外端经陶瓷基底通孔内填充的银浆与复合气敏电阻的一端连接,内端与复合气敏电阻的另一端相连,构成LR敏感回路;所述电感线圈以Ag为浆料,采用丝网印刷工艺制备,所述复合气敏电阻采用Pt-WO3复合材料,由磁控溅射工艺制备。
2.如权利要求1所述的一种基于WO3的无线无源H2气体传感器,其特征在于,所述电感线圈的形状为矩形螺旋状,外端延伸至通孔处。
3.如权利要求1所述的一种基于WO3的无线无源H2气体传感器,其特征在于,所述复合气敏电阻由3个电阻串联组成,其目的是为了提高传感器的灵敏度。
4.如权利要求1所述的一种基于WO3的无线无源H2气体传感器,其特征在于,所述的气体传感器采用无线非接触测试原理,通过分析随电阻变化的Q值,实现待测气体H2的非接触测试。
5.如权利要求1所述的一种基于WO3的无线无源H2气体传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、氧化铝陶瓷基底的制备
S11、利用切割机将氧化铝生瓷带切割成一组尺寸为50*50mm2的生瓷片,共3片;
S12、利用激光打孔技术在3层生瓷片的同一位置,即电感线圈外端与气敏电阻的连接处,打出内径为2mm的通孔;
S13、将3层生瓷片叠片层压成一个致密的整体;
S14、将层压成整体后的生瓷片组放入马弗炉中进行高温烧结,使生瓷变成熟瓷,达到陶瓷片的性能,完成传感器基底的制备;
S2、电感线圈的制备
S21、将印刷网版固定于丝网印刷台上,并将经酒精擦拭干净的陶瓷基底置于印刷网版下方与印刷网版上电感线圈的图案对齐;
S22、取一定量金属银浆料均匀涂抹于网版上,反复缓慢移动橡胶刮板,使电感图形印刷于陶瓷基底上;
S23、印刷完成后,将陶瓷片置于150℃的网带烘干机内,烘干10min;
S24、重复步骤S21-S23,在陶瓷基底的另一面印刷一条电感,该电感外端延伸至通孔处,在通孔处填充银浆以实现电感外端与气敏电阻的连接,形成LR敏感回路;
S25、将印刷后的陶瓷基底放入马弗炉内,以10℃/min的升温速率升温烧结至850℃并保温45min,使浆料中的有机杂质挥发;
S3、复合气敏电阻的制备
S31、利用绝缘胶带遮盖电感线圈,同时,在胶带与电感线圈中间加一层无尘纸,以防撕开胶带时银浆脱落;
S32、将遮挡后的陶瓷基底与溅射靶材钨分别置于溅射室内的样品底座上与靶源安装处,启动电源,先利用机械泵将溅射室真空度抽至30Pa以下,再利用分子泵将溅射室抽真空-4
至真空度低于4*10 Pa,关闭抽真空阀门,打开进气阀门,打开质量流量计电源,调节气体流速,使氩气和氧气分别以30sccm和10sccm的流量同时缓慢通入溅射室,调节分子泵挡板阀使溅射室内工作压强为2Pa时,保持不变,启动溅射电源,设置溅射功率为300W,开始溅射;
当氧化钨薄膜的厚度达到400nm时,关闭溅射电源,将电源调节旋钮调至0处,气体流量调到off,关闭导气阀门,停止溅射,WO3薄膜制备完成;
S33、以Pt为溅射靶材,Ar为溅射气体,在压强为0.5Pa,溅射功率为8W的条件下,采用直流溅射工艺,在WO3薄膜表面上溅射厚度为10nm的Pt薄膜,至此本发明的气体传感器制备完成。
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