一种发光元件及发光元件的高能粒子辐射方法、抛光方法
专利汇可以提供一种发光元件及发光元件的高能粒子辐射方法、抛光方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 的发光元件的 抛光 方法利用高能离子对所述发光元件进行 能量 梯度递增的 辐射 ，使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤，直到所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度大致相同，随后将辐射后的发光元件抛光到该深度得到平坦的表面。可以避免不同相之间由于硬度和 研磨 速率不同而造成微米级的凹凸起伏的表面，使得在其表面粘贴的反射层等更加牢固，不容易脱落。，下面是一种发光元件及发光元件的高能粒子辐射方法、抛光方法专利的具体信息内容。
1.一种发光元件，其特征在于，所述发光元件由A相原料和Y相原料至少两种原料烧结而成，形成包括A相和Y相至少两个相的复相结构，所述A相的莫氏硬度大于所述Y相的莫氏硬度，所述A相的DPA值大于所述Y相的DPA值，受到离子辐射造成损伤后A相的莫氏硬度降低到与Y相大致相同。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件为Y3Al5O12:Ce3+荧光粉和Al2O3颗粒经烧结而成的片状波长转换层，所述A相为Al2O3相，所述Y相为Y3Al5O12:Ce3+相。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述波长转换层的厚度为350μm-450μm。
4.一种发光元件的高能离子辐射方法，其特征在于，所述发光元件采用如权利要求1-3任意一项所述的发光元件，利用高能离子对所述发光元件进行能量梯度递增的辐射，使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤，使所述发光元件的A相在所述发光元件的表面以下的预定深度范围内产生均一的损伤，直到所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度大致相同。
5.根据权利要求4所述的发光元件的高能离子辐射方法，其特征在于，所述高能离子为能量70MeV-80MeV的C离子或N离子。
6.根据权利要求4所述的发光元件的高能离子辐射方法，其特征在于，所述A相的莫氏硬度与所述Y相的莫氏硬度的差值不超过0.5。
7.根据权利要求5所述的发光元件的高能离子辐射方法，其特征在于，所述C离子辐射的剂量为1×1015ions/cm2，辐射速率为1×1013ions/cm2·s，辐射能量为70MeV。
8.根据权利要求7所述的发光元件的高能离子辐射方法，其特征在于，经过第一次辐射后，每一次辐射的辐射能量以1MeV为公差递增。
9.一种发光元件的抛光方法，其包含如权利要求4～8任意一项所述的高能离子辐射方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：提供具有复相结构的发光元件，将发光元件粘到离子注入机的样品台上，抛光面曝露；
步骤S2：对所述发光元件的抛光面进行高能离子辐射，每一个能量辐射完成后不取出样品，修改辐射参数进行下一次辐射，反复多次直到在预定深度范围内产生均一的损伤；
步骤S3：抛光至所述预定深度范围内得到平坦的表面。
10.根据权利要求9所述的发光元件的抛光方法，其特征在于，所述步骤S1为通过导电胶带或胶粘剂实现发光元件的粘接，粘接面积小于所述发光元件的表面积。
11.根据权利要求9所述的发光元件的抛光方法，其特征在于，在步骤S2后或步骤S3后还包括步骤S4：取出所述发光元件，用丙酮去除导电胶带或粘接剂。
12.根据权利要求9所述的发光元件的抛光方法，其特征在于，步骤S2中的所述预定深度范围为100μm-145μm。
一种发光元件及发光元件的高能粒子辐射方法、抛光方法
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
示的经过11次辐射的Y3Al5O12:Ce 相损伤程度图，以及如图3所示的经过11次辐射的Al2O3相损伤程度图，X轴表示发光陶瓷表面以下的深度，Y轴表示采用C离子辐射造成的损伤程度。
其中，图2和图3各图从左至右的11支单个峰形图分别是单次损伤图形。本发明采用多个能量组合多次辐射的原因在于，单一能量辐射，只能产生高斯分布的损伤，如图2和图3中的单次损伤图形，每一次能量辐射产生的损伤分布都是在各自深度范围内具有单个峰值的高斯分布，而无法在预定深度内产生均一的损伤。而本发明采用的多次不同能量的辐射方法可以在预定深度区间，产生均一的损伤分布，参见图2和图3所示的总的损伤。图2示出在发光元件表面以下125μm～165μm的深度范围内Y3Al5O12:Ce3+相形成较为均一的损伤，图3示出在发光元件表面以下105μm～145μm的深度范围内Al2O3相形成较为均一的损伤。
损速率不同，前者磨损速率低于后者，具体在本实施方式中，Y相为Y3Al5O12:Ce 相，A相为Al2O3相，抛光后形成的表面如图1所示，Y3Al5O12:Ce3+相的表面低于Al2O3相的表面，其表面粗糙度在20μm。再根据上述步骤S2方法对该抛光的发光元件进行高能离子辐射将表面粗糙度的凹凸情况考虑到之后，如图5所示，以A相的表面作为发光元件的表面，Y3Al5O12:Ce3+相的均一损伤发生在表面以下145μm-185μm的深度范围,Al2O3相的均一损伤依然发生在表面下105μm-145μm。因此，应当理解的是，无论发光元件是直接进行多次高能离子辐射，还是先经过一道抛光工艺再进行多次高能离子辐射，具有较高莫氏硬度的A相的都是在较为稳定的深度范围内发生均一损伤，该深度范围即为本发明所述的预定深度范围。以上，经过步骤S2的多次辐射后在预定深度范围内使得A相产生均一的损伤，只需确保该损伤可以导致A相的莫氏硬度降低到与Y相的莫氏硬度大致相同即可，以便有助于后续抛光。
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