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OLED微型显示器IC片及其制备方法

阅读：1022发布：2020-05-31

专利汇可以提供OLED微型显示器IC片及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种OLED微型显示器IC片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；S3、在所述SOI基片上制作IC 电路，制得IC片。本发明实现在SOI基片上制备IC片，适用于OLED微型显示器，解决了IC片随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题，利于提高显示器像素密度。，下面是OLED微型显示器IC片及其制备方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种OLED微型显示器IC片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；
S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；
S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧离子的注入剂量为1×
1015/cm2 1×1021/cm2，注入深度为100 20000Å。
~ ~
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度为500 1200μm。
~
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述硅片为单面抛光硅片；
所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内；所述大束流氧离子注入机的注入能量为50 200KV，束流5~ ~
25mA，注入温度22 500℃。
~
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，退火温度为800 2000℃；退~
火时间0.2 20小时。
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8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S1之前，清洗硅片，去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。
10.一种OLED微型显示器IC片，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。

说明书全文

OLED微型显示器IC片及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及OLED微型显示器制造技术领域，尤其涉及一种OLED微型显示器IC片及其制备方法。

背景技术

[0002] SOI是Silicon-on-Insulator的缩写，指的是绝缘衬底上的硅，简称绝缘硅。随着芯片特征尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。为了克服这些问题，SOI技术应运而生，业界提出先在硅晶圆上嵌埋一层SiO2绝缘层，然后以此绝缘层作为基底，在表面硅层制作晶体管，这就是SOI技术。SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路，不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。

[0003] OLED微型显示器属于一种硅基显示芯片。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸，可以实现显示芯片的高度集成化。随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢，功耗升高，集成密度难以提升。

发明内容

[0004] 本发明要解决的技术问题在于，提供一种实现在SOI基片上制备IC片的OLED微型显示器IC片的制备方法及制得的IC片。

[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种OLED微型显示器IC片的制备方法，包括以下步骤：

[0006] S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；

[0007] S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；

[0008] S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。

[0009] 优选地，步骤S1中，氧离子的注入剂量为1×1015/cm2～1×1021/cm2，注入深度为[0010] 优选地，所述硅片的厚度为500～1200μm。

[0011] 优选地，步骤S1中，所述硅片为单面抛光硅片；所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。

[0012] 优选地，步骤S1中，采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内；所述大束流氧离子注入机的注入能量为50～200KV，束流5～25mA，注入温度22～500℃。

[0013] 优选地，步骤S2中，所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。

[0014] 优选地，步骤S2中，退火温度为800～2000℃；退火时间0.2～20小时。

[0015] 优选地，步骤S5中，在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。

[0016] 优选地，步骤S1之前，清洗硅片，去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。

[0017] 本发明还提供一种OLED微型显示器IC片，采用以上任一项所述的制备方法制得。

[0018] 本发明的有益效果：实现在SOI基片上制备IC片，适用于OLED微型显示器，解决了IC片随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题，利于提高显示器像素密度。附图说明

[0019] 下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

[0020] 图1是本发明的IC片的制备过程示意图。

具体实施方式

[0021] 为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。

[0022] 参考图1，本发明的OLED微型显示器IC片的制备方法，可包括以下步骤：

[0023] S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片10内，形成注氧基片。

[0024] 在注氧之前，清洗硅片10，去除硅片10表面污渍和自然氧化层。

[0025] 其中，氧离子的注入剂量为1×1015/cm2～1×1021/cm2；氧离子的注入深度为(埃米)，即注入的氧离子在硅片10中距离硅片表面根据氧离子的注入深度，硅片10的厚度可为500～1200μm。

[0026] 优选地，硅片10采用单面抛光硅片；氧离子从硅片10的抛光面注入其中。

[0027] 进一步地，该步骤S1中，优选采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到硅片10内。大束流氧离子注入机的注入能量为50～200KV，束流5～25mA，注入温度22～500℃。

[0028] S2、在惰性气体保护下，对注氧基片进行退火，以在注氧基片内形成SiO2埋层20，制得SOI基片。

[0029] 该制得的SOI基片作为IC片的衬底。

[0030] 其中，惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。

[0031] SiO2埋层为氧化绝缘层，由氧气和周围的硅片部分在退火过程中形成。

[0032] 作为选择，退火温度为800-2000℃；退火时间0.2-20小时。

[0033] S3、在SOI基片上制作IC电路30，制得IC片衬底。

[0034] IC电路30的制作可通过现有技术实现。对于单面抛光硅片，IC电路30位于硅片10的抛光面上。

[0035] 本发明的制备方法制得的IC片，如图1所示，包括硅片10、设置在硅片10内的SiO2埋层20、以及设置在硅片10上的IC电路30。IC电路30位于硅片10的一个表面(抛光面)上。

[0036] 本发明中，IC片以SOI基片作为衬底制得，适用于OLED微型显示器，在减小了多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等效应前提下，可以进一步提高显示器像素密度。

[0037] 以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

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