专利汇可以提供由聚晶矽進料製備融熔矽熔化物之方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本發明係揭示一種自多晶矽製備烷融態矽熔融體之方法,以供使用在藉由卓克拉斯基(Czochralski)方法製造單晶矽上。首先將多晶矽裝填至卓克拉斯基坩堝中,並熔解而形成部份熔解之進料,其包含熔融態矽與未熔解之多晶矽。此熔融態矽具有上方表面,該未熔解之多晶矽係部份曝露於其上方。將粒狀多晶矽餵至該曝露之未熔解多晶矽上,其方式係足以使得該粒狀多晶矽在該未熔解之多晶矽之表面上時,及在變成浸入該熔融態矽中之前脫氫化。然後,使該粒狀多晶矽與未熔解之多晶矽完全烷解,而形成熔融態矽熔融體。此方法會在單昌矽鑄錠製造期間造成經改良之零 缺陷 產率、通過料量及平均熱循環時間。,下面是由聚晶矽進料製備融熔矽熔化物之方法专利的具体信息内容。
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