铸造单晶用籽晶的回收方法
阅读：210发布：2020-05-14
专利汇可以提供铸造单晶用籽晶的回收方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 铸造 单晶用籽晶的回收方法，包括如下步骤：将籽晶拼接铺设于 坩埚 底部，形成籽晶层；在所述籽晶层上方设置 硅 料，控制所述坩埚的 温度 ，使所述籽晶不完全 熔化 ，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造 单晶硅 锭；取出所述铸造 单晶硅锭 ，并对所述铸造单晶硅锭进行开方处理，得到多个方锭；在各所述方锭底部的籽晶 位置 处，沿垂直于生长方向对所述方锭进行切割，得到回用籽晶；将所述回用籽晶经过处理后紧密铺设于所述坩埚底部，作为所述籽晶层。这样大大减少了籽晶成本，进而降低了铸造单晶硅锭的生产成本。，下面是铸造单晶用籽晶的回收方法专利的具体信息内容。
1.一种铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，包括如下步骤：
将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层；
在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造单晶硅锭；
取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭进行开方处理，得到多个方锭；
在各所述方锭底部的籽晶位置处，沿垂直于生长方向对所述方锭进行切割，得到回用籽晶；
将所述回用籽晶经过处理后紧密铺设于所述坩埚底部，作为用于生长所述铸造单晶硅锭的所述籽晶层。
2.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述方锭底部的切割层数为1层～5层。
3.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，对所述方锭采用线锯或带锯进行切割。
4.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回用籽晶的厚度为20mm～30mm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回收方法还包括如下步骤：
表面处理，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对所述回用籽晶进行表面处理。
6.根据权利要求5所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述表面处理步骤包括：
机械处理步骤，对所述回用籽晶进行机械抛光，以保证所述回用籽晶的尺寸精度。
7.根据权利要求6所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述表面处理步骤还包括：
腐蚀处理步骤，对所述回用籽晶进行化学抛光，以去除所述回用籽晶表面污损。
8.根据权利要求1至4任一项所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回收方法还包括如下步骤：
检测步骤，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对经过表面处理的所述回用籽晶进行检验。
9.根据权利要求8所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述检测步骤包括：
质量检测步骤，检测所述回用籽晶的表面是否存在缺陷，以及检测所述回用籽晶的表面或者内部是否存在晶花；
若否，则表明所述回用籽晶的质量合格。
10.根据权利要求8所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述检测步骤包括：
尺寸检测步骤，检测所述回用籽晶的实际边宽尺寸以及实际厚度尺寸；
若所述实际边宽尺寸位于预设边宽尺寸的范围内，所述实际厚度尺寸位于预设厚度尺寸范围内，则表明所述回用籽晶的尺寸合格。
铸造单晶用籽晶的回收方法
技术领域
背景技术
[0002] 在当前的太阳能材料市场中，晶体硅占据着绝对优势，晶体硅太阳能产品主要包括单晶硅及多晶硅，其中单晶硅电池中杂质与缺陷的含量低，转换效率高；但制备工艺复
杂，对原料的纯度要求高，生产成本较高；多晶硅电池内部存在大量的晶界、高密度的位错和杂质，其转换效率比单晶电池效率低1.5％左右，生产成本较低，性价比更高。
杂，对原料的纯度要求高，生产成本较高；多晶硅电池内部存在大量的晶界、高密度的位错和杂质，其转换效率比单晶电池效率低1.5％左右，生产成本较低，性价比更高。
[0003] 而铸造单晶硅是一种同时具有单晶硅转换效率高及多晶硅高性价比的新产品。铸造单晶硅具有一定晶体取向，晶界少、位错密度低，其电池采用碱制绒，转换效率比多晶硅电池明显提高，甚至接近单晶硅电池，其生产成本明显低于单晶硅，具有重要的商业价值。
[0004] 目前，铸造单晶硅生产过程中，需要铺设一定量的单晶籽晶位于坩埚底部，通过加热、熔化控制籽晶不完全熔化，控制温度梯度，使得硅料晶体在不完全熔化的籽晶上生长。但是，铸造单晶硅锭需要使用大量的籽晶，这些籽晶需要靠直拉技术来拉制，因此籽晶成本高，增加了铸造单晶硅锭的制造成本。
发明内容
[0005] 基于此，有必要针对目前因籽晶成本高而使铸造单晶硅锭制造成本较高的问题，提供一种降低成本的铸造单晶用籽晶的回收方法。
[0006] 上述目的通过下述技术方案实现：
[0007] 一种铸造单晶用籽晶的回收方法，包括如下步骤：
[0008] 将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层；
[0009] 在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造单晶硅锭；
[0010] 取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭进行开方处理，得到多个方锭；
[0011] 在各所述方锭底部的籽晶位置处，沿垂直于生长方向对所述方锭进行切割，得到回用籽晶；
[0012] 将所述回用籽晶经过处理后紧密铺设于所述坩埚底部，作为用于生长所述铸造单晶硅锭的所述籽晶层。
[0013] 在其中一个实施例中，所述方锭底部的切割层数为1层～5层。
[0014] 在其中一个实施例中，对所述方锭采用线锯或带锯进行切割。
[0015] 在其中一个实施例中，所述回用籽晶的厚度为20mm～30mm。
[0016] 在其中一个实施例中，所述回收方法还包括如下步骤：
[0018] 在其中一个实施例中，所述表面处理步骤包括：
[0020] 在其中一个实施例中，所述表面处理步骤还包括：
[0021] 腐蚀处理步骤，对所述回用籽晶进行化学抛光，以去除所述回用籽晶表面污损。
[0022] 在其中一个实施例中，所述回收方法还包括如下步骤：
[0023] 检测步骤，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对经过表面处理的所述回用籽晶进行检验。
[0024] 在其中一个实施例中，所述检测步骤包括：
[0025] 质量检测步骤，检测所述回用籽晶的表面是否存在缺陷，以及检测所述回用籽晶的表面或者内部是否存在晶花；
[0026] 若否，则表明所述回用籽晶的质量合格。
[0027] 在其中一个实施例中，所述检测步骤包括：
[0028] 尺寸检测步骤，检测所述回用籽晶的实际边宽尺寸以及实际厚度尺寸；
[0029] 若所述实际边宽尺寸位于预设边宽尺寸的范围内，所述实际厚度尺寸位于预设厚度尺寸范围内，则表明所述回用籽晶的尺寸合格。
[0030] 在其中一个实施例中，所述检测步骤还包括：
[0031] 角度检测步骤，采用晶向角度检测设备检测所述回用籽晶中的晶向偏转角度。
[0032] 采用上述技术方案后，本发明至少具有如下技术效果：
[0033] 本发明的铸造单晶用籽晶的回收方法，将铸造单晶硅锭开方后形成多个方锭，在各个方锭的籽晶位置处切割得到回用籽晶，然后，将回用籽晶紧密铺设于坩埚底部作为籽
晶层，并在籽晶层上设置硅料来制备下一个铸造单晶硅锭，如此往复实现铸造用籽晶的重
复利用。有效地解决目前因籽晶成本而使铸造单晶硅锭制造成本较高的问题，大大减少了
籽晶成本，进而降低了铸造单晶硅锭的生产成本。
附图说明
晶层，并在籽晶层上设置硅料来制备下一个铸造单晶硅锭，如此往复实现铸造用籽晶的重
复利用。有效地解决目前因籽晶成本而使铸造单晶硅锭制造成本较高的问题，大大减少了
籽晶成本，进而降低了铸造单晶硅锭的生产成本。
附图说明
[0034] 图1为本发明的铸造单晶用籽晶的回收方法的流程图；
[0035] 图2为回用籽晶表面处理步骤的流程图；
[0036] 图3为回用籽晶检测步骤的流程图；
[0037] 图4为本发明一实施例的铸造单晶用籽晶的回收示意图。
具体实施方式
[0038] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本发明的铸造单晶用籽晶的回收方法进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0039] 本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解
为对本发明的限制。
为对本发明的限制。
[0040] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0041] 本发明提供了一种铸造单晶用籽晶的回收方法。该回收方法用于回收铸造单晶硅锭的籽晶，实现籽晶的重复利用。制备铸造单晶硅锭时，可以使用回收的籽晶进行制备，大大降低了籽晶成本，进而降低了铸造单晶硅锭的生产成本。
[0042] 参见图1，在本发明中，铸造单晶用籽晶的回收方法包括如下步骤：
[0043] S110：将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层。
[0044] 在该步骤中，籽晶的铺设方式根据坩埚的尺寸进行设置，例如，可以按照4×4阵列、5×5阵列或6×6阵列等方式拼接铺设于坩埚底部。进一步地，将单晶硅籽晶的拼接面相
互紧密配合并铺设于坩埚底部，且籽晶的拼接缝相互对齐，保证相邻的籽晶之间的缝隙尽
可能的小，并保证各个缝隙的尺寸均匀一致。这样，可以保证铸造单晶硅锭制备过程中拼接处生长良好，避免产生晶体分裂，保证铸造单晶硅锭的质量。
互紧密配合并铺设于坩埚底部，且籽晶的拼接缝相互对齐，保证相邻的籽晶之间的缝隙尽
可能的小，并保证各个缝隙的尺寸均匀一致。这样，可以保证铸造单晶硅锭制备过程中拼接处生长良好，避免产生晶体分裂，保证铸造单晶硅锭的质量。
[0045] 可选地，籽晶来源于单晶棒，当然，在本发明的其他实施方式中，籽晶还可来源于单晶碎片等等。
[0046] S120：在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造
单晶硅锭。
单晶硅锭。
[0047] 在该步骤中，籽晶层上层的硅料会在坩埚温度的控制下，沿着籽晶的晶向结构进行生长，进而得到铸造单晶硅锭。可选地，籽晶层上方设置硅料的方式原则上不受限制，可以为固体的硅料，也可以为熔融状态的硅料。示例性地，在籽晶层上方设置固体的硅料，对坩埚加热使固体的硅料熔融，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层上方。示例性地，在另一坩埚处加热固体的硅料，制备熔融状态的硅料，将该熔融状态的硅料浇筑于籽晶层上方，此时，熔融状态的硅料设置于籽晶层上方。
[0048] 而且，使籽晶层不完全熔化是指籽晶层中部分籽晶熔化，部分籽晶不熔化。并且，控制坩埚的温度的步骤包括：控制坩埚内的温度沿垂直于坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在单晶硅籽晶层上沿着单晶硅籽晶的晶向结构继续向上
生长，得到铸造单晶硅锭。
生长，得到铸造单晶硅锭。
[0049] S130：取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭进行开方处理，得到多个方锭。
[0050] 将制备好的铸造单晶硅锭从坩埚中取出，然后通过硅锭开方机对铸造单晶硅锭进行开方处理。可以理解的，这里的在一实施例中，为目前对硅锭进行开方处理的设备，属于现有技术，在此不一一赘述。铸造单晶硅锭开方的尺寸与根据客户实际需要的尺寸进行设
置。铸造单晶硅锭开方后形成多个方锭，方锭的底部为籽晶层，可以回收重复使用，方锭的顶部可以制备铸造单晶硅片，可应用于制备太阳能电池。
置。铸造单晶硅锭开方后形成多个方锭，方锭的底部为籽晶层，可以回收重复使用，方锭的顶部可以制备铸造单晶硅片，可应用于制备太阳能电池。
[0051] 值得说明的，在开方过程中，还需要对去除铸造单晶硅锭的边皮，一般边皮为20mm-30mm，目的是去除铸造单晶硅锭与坩埚接触部分，以保证铸造单晶硅锭的质量。
[0052] S140：在各所述方锭底部的籽晶位置处，沿垂直于生长方向对所述方锭进行切割，得到回用籽晶。
[0053] 可以理解的，硅料沿竖直方向进行生长，则沿水平方向将方锭底部的籽晶切割下来作为回用籽晶。回用籽晶可以重复使用，用于作为制备铸造单晶硅锭的籽晶。切割后的回用籽晶的形状与方锭的截面形状基本一致，这样，在切割过程中籽晶不易出现崩边缺角等
损伤现象，保证回用籽晶的质量。
损伤现象，保证回用籽晶的质量。
[0054] S150：将所述回用籽晶经过处理后紧密铺设于所述坩埚底部，作为用于生长所述铸造单晶硅锭的所述籽晶层。
[0055] 将回用籽晶紧密的铺设于坩埚的底部，再次作为籽晶层。可选地，回用籽晶铺设至少一层。本实施例中，回用籽晶铺设一层，当然，在本发明的其他实施方式中，回用籽晶可以铺设两层甚至更多层。回用籽晶的数量根据坩埚的尺寸进行选择，例如，可以按照4×4阵列、5×5阵列或6×6阵列等方式紧密的铺设于坩埚底部。
[0056] 籽晶层铺设完成后，重复执行上述步骤S110与S120，得到下一铸造单晶硅锭。然后，将铸造单晶硅锭按照步骤S130进行开方得到方锭，并按照步骤S140对方锭进行切割得
到回用籽晶，实现籽晶的再次重复使用。随后，将回用籽晶再次铺设到坩埚的底部。如此往复，实现籽晶的重复利用，以制得铸造单晶硅锭，降低籽晶的成本，进而降低铸造单晶硅锭的生产成本。
到回用籽晶，实现籽晶的再次重复使用。随后，将回用籽晶再次铺设到坩埚的底部。如此往复，实现籽晶的重复利用，以制得铸造单晶硅锭，降低籽晶的成本，进而降低铸造单晶硅锭的生产成本。
[0057] 采用上述实施例的铸造单晶用籽晶的回收方法，将铸造单晶硅锭开方后形成多个方锭，在各个方锭的籽晶位置处切割得到回用籽晶，然后，将回用籽晶紧密铺设于坩埚底部作为籽晶层，并在籽晶层上设置硅料来制备下一个铸造单晶硅锭，如此往复实现铸造用籽
晶的重复利用。有效地解决目前因籽晶成本高而使单晶硅锭制造成本较高的问题，大大降
低了籽晶成本，进而减少了铸造单晶硅锭的生产成本。并且，采用回用籽晶制备的铸造单晶硅锭的质量与单晶硅籽晶首次使用得到的铸造单晶硅锭质量相当。
晶的重复利用。有效地解决目前因籽晶成本高而使单晶硅锭制造成本较高的问题，大大降
低了籽晶成本，进而减少了铸造单晶硅锭的生产成本。并且，采用回用籽晶制备的铸造单晶硅锭的质量与单晶硅籽晶首次使用得到的铸造单晶硅锭质量相当。
[0058] 在一实施例中，所述方锭底部的切割层数为1层～5层。由于不同位置处的籽晶的生长状况不同，比如，坩埚中部区域的籽晶的生长状况优于坩埚边缘位置的籽晶的生长状
况。也就是说，方锭底部的籽晶厚度不一致，所以不同位置处回用籽晶的切割层数不一致，在保证回用籽晶的质量的同时，回收尽可能多的籽晶，以降低成本。可以理解的，各个方锭的底部在籽晶处进行切割可得到至少一层的回用籽晶。
况。也就是说，方锭底部的籽晶厚度不一致，所以不同位置处回用籽晶的切割层数不一致，在保证回用籽晶的质量的同时，回收尽可能多的籽晶，以降低成本。可以理解的，各个方锭的底部在籽晶处进行切割可得到至少一层的回用籽晶。
[0059] 在一实施例中，对所述方锭采用线锯或带锯进行切割。可选地，方锭可以采用金刚石线锯或金刚石带锯进行切割，以保证回用籽晶的切割质量。
[0060] 在一实施例中，所述回用籽晶的厚度为20mm～30mm。采用回用籽晶铺设于坩埚的底部形成籽晶层，若回用籽晶的厚度过薄，则影响其铸造单晶硅锭的生长，若回用籽晶的厚度过厚，由于单晶硅的生产成本较高，进而会增加铸造单晶硅锭的生产成本。因此，回用籽晶的厚度在20mm～30mm范围内较为适宜。
[0061] 在一实施例中，所述回收方法还包括如下步骤：
[0062] S160：表面处理，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对所述回用籽晶进行表面处理。
[0063] 经线锯或带锯切割后的回用籽晶的表面会存在一定的粗糙度以及尺寸偏差，对回用籽晶进行表面处理后，可以使得各个回用籽晶的尺寸一致，并保证一定的尺寸精度。这
样，回用籽晶铺设于坩埚底部后，可以保证回用籽晶之间紧密排布，相邻回用籽晶的拼接面相互紧密配合排列，且拼接缝相互对齐，并保证缝隙尽可能小，且各个缝隙尺寸一致，以保证铸造单晶硅锭的质量。
样，回用籽晶铺设于坩埚底部后，可以保证回用籽晶之间紧密排布，相邻回用籽晶的拼接面相互紧密配合排列，且拼接缝相互对齐，并保证缝隙尽可能小，且各个缝隙尺寸一致，以保证铸造单晶硅锭的质量。
[0064] 在步骤S140切割完回用籽晶后，将回用籽晶进行表面处理，使得回用籽晶保持一定的尺寸精度，然后，将表面处理后的回用籽晶铺设于坩埚的底部，以形成籽晶层，用于制备铸造单晶硅锭。
[0065] 参见图1和图2，在一实施例中，所述表面处理步骤包括：
[0066] S161：机械处理步骤，对所述回用籽晶进行机械抛光，以保证所述回用籽晶的尺寸精度。
[0067] 采用磨面机对回用籽晶进行机械抛光，修正回用籽晶的尺寸，使得各个回用籽晶的尺寸一致，同时保证回用籽晶的尺寸精度。这样，回用籽晶铺设于坩埚底部时，可以保证相邻的回用籽晶之间紧密连接。在步骤S140切割完回用籽晶后，对回用籽晶进行机械抛光，修正回用籽晶的尺寸，并保证回用籽晶的尺寸精度。
[0068] 在一实施例中，所述表面处理步骤还包括：
[0069] S162：腐蚀处理步骤，对所述回用籽晶进行化学抛光，以去除所述回用籽晶表面污损。
[0070] 采用化学抛光方法对回用籽晶的表面进行腐蚀处理，去除回用籽晶表面的沾污和损失层，保证回用籽晶表面的平整度，然后，再将回用籽晶紧密地铺设于坩埚的底部。在步骤S140切割完回用籽晶后，先对回用籽晶进行机械抛光，修正回用籽晶的尺寸，并保证回用籽晶的尺寸精度，然后对抛光后的回用籽晶进行化学抛光，最后再将回用籽晶铺设于坩埚
底部。
底部。
[0071] 可选地，可以采用化学溶液对回用籽晶进行腐蚀，示例性地，化学溶液为硝酸/氢氟酸溶液或者氢氧化钾/氢氧化钠溶液，当然，在本发明的其他实施方式中，化学溶液还可为其他可以进行腐蚀抛光的溶液。化学溶液去除回用籽晶表面的厚度为10μm～100μm。
[0072] 参见图1和图3，在一实施例中，所述回收方法还包括如下步骤：
[0073] S170：检测步骤，将所述回用籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对经过表面处理的所述回用籽晶进行检验。
[0074] 经过S160步骤处理后的回用籽晶需要进行检测才能铺设到坩埚的底部，检测步骤用于检验回用籽晶，主要是判断回用籽晶的质量是否合格，检测回用籽晶的尺寸是否合格，以及判断回用籽晶的径向偏转角度。检测完成后，判断回用籽晶是否满足制备铸造单晶硅
锭的要求，如可以制备，则将回用籽晶紧密地铺设于坩埚的底部。这样，可以保证铸造单晶硅锭的质量，同时可以制备满足生长要求的铸造单晶硅锭。
锭的要求，如可以制备，则将回用籽晶紧密地铺设于坩埚的底部。这样，可以保证铸造单晶硅锭的质量，同时可以制备满足生长要求的铸造单晶硅锭。
[0075] 在一实施例中，所述检测步骤包括：
[0076] S171：质量检测步骤，检测所述回用籽晶的表面是否存在缺陷，以及检测所述回用籽晶的表面或者内部是否存在晶花；
[0077] 若否，则表明所述回用籽晶的质量合格。
[0078] 可以理解的，质量检测步骤主要是通过目测方式进行。先通过目测查看回用籽晶的外观表面是否完好，表面是否存在晶花、是否存在崩边等缺陷；若完好，则通过强光照射回用籽晶，查看回用籽晶内部是否存在晶花等缺陷，以判断回用籽晶是否可以回收使用。可选地，本实施例中，可以通过手电筒照射回用籽晶，当然，在本发明的其他实施方式中，也可通过专门的检测设备及检测灯对回用籽晶的质量进行检测。
[0079] 按照步骤S171对回用籽晶的质量进行检测，以判断回用籽晶的质量是否合格。若合格，则回用籽晶可以铺设于坩埚的底部，用于制备铸造单晶硅锭；若不合格，则回用籽晶不能用于制备铸造单晶硅锭。
[0080] 在一实施例中，所述检测步骤包括：
[0081] S172：尺寸检测步骤，检测所述回用籽晶的实际边宽尺寸以及实际厚度尺寸；
[0082] 若所述实际边宽尺寸位于预设边宽尺寸的范围内，实际厚度尺寸位于预设厚度尺寸范围内，则表明所述回用籽晶的尺寸合格。
[0083] 可以采用尺寸检测设备对回用籽晶的尺寸进行检测。可以理解的，预设边宽尺寸是指客户所需的铸造单晶硅片的边宽尺寸。预设边宽尺寸的范围是预设边宽尺寸±0.5mm，
即预设边宽尺寸的范围内则是指客户所需的铸造单晶硅片的边宽尺寸的±0.5mm的范围。
若回用籽晶的尺寸过大，制备铸造单晶硅锭后，还需要对铸造单晶硅锭的边缘进行处理，以保证铸造单晶硅片的边宽尺寸，若回用籽晶的尺寸过小，则无法制备客户所需尺寸的铸造
单晶硅片。所以，通过尺寸检测步骤对回用籽晶的边宽尺寸进行检测，以便于制备合适尺寸的铸造单晶硅锭。
即预设边宽尺寸的范围内则是指客户所需的铸造单晶硅片的边宽尺寸的±0.5mm的范围。
若回用籽晶的尺寸过大，制备铸造单晶硅锭后，还需要对铸造单晶硅锭的边缘进行处理，以保证铸造单晶硅片的边宽尺寸，若回用籽晶的尺寸过小，则无法制备客户所需尺寸的铸造
单晶硅片。所以，通过尺寸检测步骤对回用籽晶的边宽尺寸进行检测，以便于制备合适尺寸的铸造单晶硅锭。
[0084] 预设厚度尺寸则是指籽晶层的厚度，预设厚度尺寸的范围是预设厚度尺寸±2mm，即预设厚度尺寸的范围内则是指籽晶层的厚度±2mm的范围。
[0085] 也就是说，采用步骤S172对回用籽晶的尺寸进行检测时，检测回用籽晶的边宽尺寸偏差是否在±0.5mm的范围内，厚度尺寸偏差是否在±2mm的范围内。
[0086] 在一实施例中，所述检测步骤还包括：
[0087] S173：角度检测步骤，采用晶向角度检测设备检测所述回用籽晶中的晶向偏转角度。
[0088] 角度检测步骤S173用于检测回用籽晶中的晶向偏转角度，这样，可以根据回用籽晶的晶向偏转角度来铺设坩埚底部的籽晶层，以满足所需铸造单晶硅锭的制备要求，保证
铸造单晶硅锭的质量。
铸造单晶硅锭的质量。
[0089] 如图4所示，图4中的(a)为铸造单晶硅锭，先将铸造单晶硅锭布线以便于后续切割，即为图4中的(b)；再对布线的铸造单晶硅锭去边皮处理后，进行开方处理，得到多个方锭，即为图4中的(c)；图4中的(d)则显示对方锭的底部布线进行切割，得到图4的(e)中的回用籽晶，将回用籽晶铺设于坩埚底部，得到图4中的(f)。此时，可以在籽晶层上设置熔融状态的硅料，以制备铸造单晶硅锭。
[0090] 本发明的铸造单晶用籽晶的回收方法，利用铸造单晶硅锭开方呈多个方锭，将方锭底部均匀切割成多个回用籽晶作为籽晶重复利用，从而大大降低籽晶成本，从而降低铸
造单晶硅锭的成本。
造单晶硅锭的成本。
[0091] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存
在矛盾，都应当认为是本说明书的记载范围。
在矛盾，都应当认为是本说明书的记载范围。
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