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高分辨率 有机发光 二极管器件

阅读：1026发布：2020-05-11

专利汇可以提供高分辨率有机发光二极管器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法能够包含：在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层，该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界，使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨印刷。，下面是高分辨率有机发光二极管器件专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
在衬底上提供的限制结构，所述限制结构限定多个井中每个井的边界，所述多个井包括第一多个第一井、第二多个第二井和第三多个第三井；
设置在所述多个井中每个井内的一个或多个电极，其中设置在所述第一多个第一井内的电极数目不同于设置在所述第三多个第三井内的电极数目，并且其中设置在所述第二多个第二井内的电极数目不同于设置在所述第三多个第三井内的电极数目，其中每个电极与相应的子像素相关联；
具有第一发光波长属性的第一有机材料层，所述第一有机材料层被包含在所述多个井的多个第一井中的每一个的边界内并且连续跨越所述多个井的多个第一井中的每一个的边界；
具有第二发光波长属性的第二有机材料层，所述第二有机材料层被包含在所述多个井的多个第二井中的每一个的边界内并且连续跨越所述多个井的多个第二井中的每一个的边界；和
具有第三发光波长属性的第三有机材料层，所述第三有机材料层被包含在所述多个井的多个第三井中的每一个的边界内并且连续跨越所述多个井的多个第三井中的每一个的边界，
其中第一有机材料层、第二有机材料层和第三有机材料层中每一个的背对所述衬底的表面具有非平面形貌。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一发光波长属性与红光发射相关联，所述第二发光波长属性与绿光发射相关联，并且所述第三发光波长属性与蓝光发射相关联。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述显示器的像素由来自所述第一井中的一个、所述第二井中的一个和所述第三井中的一个中的每一个的一组电极和对应的有机材料层限定。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中该组电极包括分别设置在第一、第二和第三井中的每一个中的三个电极。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中至少所述第一井和所述第二井各自包含多个电极，设置在所述第一井内的所述多个电极中的每一个与所述显示器的不同像素相关联，并且设置在所述第二井内的所述多个电极中的每一个与所述显示器的不同像素相关联。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中第一井和第二井中的每一个包含以2x2排列设置的电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中每个第三井包含以1×2排列设置的多个电极。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中设置在所述第一井和第二井中的每一个中的所述电极彼此间隔开大于所述第一多个井和第二多个井中的相邻井之间的距离的距离。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中显示器是顶部发射显示器或有源矩阵显示器。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于40%的填充因子。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于60%的填充因子。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于100ppi的分辨率。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于300ppi的分辨率。
14.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中设置在所述第一井和所述第二井内的一个或多个电极中的每个电极具有具备第一区域的有源区，并且设置在所述第三井内的一个或多个电极中的每个电极具有具备第二区域的有源区，所述第二区域大于所述第一区域。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中每个井与显示器的不同像素相关联。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中：
第一发光波长属性与红光发射相关联，
第二发光波长属性与绿光发射相关联，
第三发光波长属性与蓝光发射相关联，并且
设置在井内的每个电极与对应于红光发射、绿光发射或蓝光发射之一的相应子像素相关联。
17.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述多个井中的各个井排列成交替的第一行和第二行，
第一行具有交替设置的第一井和第二井，并且
第二行具有连续设置的第三井。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中所述第三井相对于所述第一和第二井交错。
19.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中：
每行的井对齐以形成井列，
所述列被排列成交替的第一和第二列，
第一列具有交替设置的第一和第三井，并且
第二列具有交替设置的第二和第三井。
20.根据权利要求19所述的有机发光二极管显示器，其中所述显示器的每个像素由第一井的电极和第一有机材料层的至少一部分、第二井的电极和第二有机材料层的至少一部分、以及第三井的电极和第三有机材料层的至少一部分限定。
21.根据权利要求19所述的有机发光二极管显示器，其中：
设置在每个第三井中的电极数目是设置在第一井和第二井中的每一个中的电极数目的一半。
22.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中：
相同行中的相邻井彼此间隔不同于不同行中的相邻井的量。
23.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中：
相同行中的相邻井彼此隔开第一距离，
不同行中的相邻井彼此隔开第二距离，并且
第一距离小于第二距离。
24.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示器，其中：
第一行中相邻的第一井和第二井彼此隔开第一距离，
第二行中的相邻的第三井彼此隔开第二距离，并且
第二距离大于第一距离。
25.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个井中的各个井排列成行，每行包括串联设置的第一、第二和第三井。
26.根据权利要求25所述的有机发光二极管显示器，其中每行中的井对齐成列，使得每列包含第一井、第二井或第三井中的一个。
27.根据权利要求25所述的有机发光二极管显示器，其中设置在每个第三井中的电极数目是设置在第一井和第二井中的每一个中的电极数目的一半。
28.根据权利要求25所述的有机发光二极管显示器，其中所述显示器的每个像素由第一井的电极和第一有机材料层、第二井的电极和第二有机材料层、以及第三井的电极和第三有机材料层中的每一个的至少一部分限定。
29.根据权利要求28所述的有机发光二极管显示器，其中每个像素具有L形边界。
30.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述多个井中的各个井排列成交替的第一列和第二列，
第一列包括交替设置的第一井和第三井，并且
第二列包括交替设置的第二井和第三井。
31.根据权利要求30所述的有机发光二极管显示器，其中第一列的井和第二列的井相对于彼此交错排列。
32.根据权利要求30所述的有机发光二极管显示器，其中显示器的每个像素由来自第一列和第二列中的每一列的一个井的至少一部分限定。
33.根据权利要求30所述的有机发光二极管显示器，其中所述显示器的每个像素由第一井的电极和第一有机材料层的至少一部分、第二井的电极和第二有机材料层的至少一部分、以及第三井的电极和第三有机材料层的至少一部分限定。
34.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中:
每个第一井具有第一区域，
每个第二井具有第二区域，
每个第三井具有第三区域，并且
第一、第二和第三区域彼此不同。
35.根据权利要求34所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二井和第三井中的每一个中的电极数目是每个第一井中的电极数目的一半。
36.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中彼此分离的多个电极设置在至少所述第一井和第二井中的每一个中。
37.根据权利要求36所述的有机发光二极管显示器，进一步包括表面特征，所述表面特征将至少所述第一井和第二井中的每一个中彼此分离的所述多个电极分开。
38.根据权利要求37所述的有机发光二极管显示器，其中所述表面特征包括驱动电路。
39.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括在每个井内的空穴导电层、相应第一、第二和第三有机材料层覆盖每个井内的空穴导电层。
40.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括设置在所述多个井中的每个井的边缘处的电绝缘限定层，限定每个井的限制结构的第一部分设置在所述限定层的一部分上。
41.一种有机发光二极管显示器，包括：
在衬底上提供的限制结构，所述限制结构限定多个井的相应边界，所述多个井包括第一井、第二井和第三井；
设置在所述第一井中的第一多个电极，其中所述第一井中的每个电极与所述显示器的不同像素相关联；
设置在所述第二井中的第二多个电极，其中所述第二井中的每个电极与所述显示器的不同像素相关联；
至少一个第三电极，设置在第三井内；
具有第一发光波长属性的第一有机材料层，第一有机材料层被包含在第一井的边界内并且连续跨越第一井的边界；
具有第二发光波长属性的第二有机材料层，第二有机材料层被包含在第二井的边界内并且连续跨越第二井的边界；和
具有第三发光波长属性的第三有机材料层，第三有机材料层被包含在第三井的边界内并且连续跨越第三井的边界，
其中第一有机材料层、第二有机材料层和第三有机材料层中每一个的背对所述衬底的表面具有非平面形貌；并且
其中设置在所述第一井和所述第二井中的多个电极与设置在所述第三井中的多个电极不同。
42.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中多个第三电极设置在所述第三井中，并且所述第三井中的每个电极与所述显示器的不同像素相关联。
43.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中布置在第三井中的电极数目是布置在第一井或第二井中的电极数目的一半。
44.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中显示器的像素具有不对称的形状。
45.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于40%的填充因子。
46.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于100ppi的分辨率。
47.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于60%的填充因子。
48.根据权利要求41所述的有机发光二极管显示器，其中显示器具有大于300ppi的分辨率。

说明书全文

高分辨率 有机发光 二极管器件

[0001] 本申请是申请日为2013年9月19日，申请号为201380070779.8（PCT/US2013/060687）并且发明名称为“高分辨率有机发光二极管器件”申请的分案申请。

[0002] 对相关申请的交叉引用

[0003] 该申请要求2013年1月17日提交的美国临时专利申请号61/753,692和2013年9月18日提交的美国非临时申请号14/030,776的优先权，其两者通过引用整体地结合在本文
中。

技术领域

[0004] 本公开内容的方面大体上涉及电子显示器和用于制作电子显示器的方法。更具体而言，本公开内容的方面涉及在衬底上沉积有机发光层以制造高分辨率显示器。

背景技术

[0005] 在本文中使用的段落标题仅为了组织的目的并且不要被理解为以任何方式限制描述的主题内容。

[0006] 电子显示器存在于许多不同种类的电子设备（诸如比如电视屏幕、计算机监视器、手机、智能手机、平板电脑、手持游戏控制台等）中。一种类型的电子显示器依赖于有机发光
二极管（OLED）技术。OLED技术利用夹在设置在衬底上的两个电极之间的有机发光层。电压
能够跨过电极来施加，从而引起电荷载流子被激发和被注入到有机发光层中。光发射能够
当电荷载流子弛豫回到正常能态时通过光致发射来发生。因为每个像素能够单独被寻址以
仅在被寻址的像素内产生光发射，所以OLED技术能够提供带有相对高对比率的显示器。由
于像素的发射性质，OLED显示器也能够提供广的观看角度。OLED显示器的功率效率与其它
显示技术相比能够被改进，因为OLED像素仅当直接被驱动时才消耗功率。额外地，由于该技
术的光生成性质，产生的面板能够比在其它显示技术中薄得多，从而消除对在显示器本身
和薄的器件结构内的光源的需要。由于有源OLED层的柔顺的性质，OLED显示器也能够被制
造成柔性的和可弯曲的。

[0007] 喷墨印刷是能够在OLED制造中被利用的技术，并且可以减少制造成本。喷墨印刷使用从喷嘴以高速度喷出的含有OLED层材料和一个或多个载液的墨的液滴以产生一个或
多个有源OLED层，该一个或多个有源OLED层包含比如空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡
层、有机光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。

[0008] 为了形成子像素并且防止OLED墨免于在限定的子像素之间扩展，在衬底上提供诸如岸（bank）的限制结构以限定限制井。喷墨印刷方法能够要求相当大的精确度。特别地，随
着像素密度增加，限制井的限制面积减少并且在液滴放置中的小误差能够引起液滴被沉积
在预期的井外。另外，液滴体积能够关于限制井太大并且液滴能够非期望地溢出到邻近的
子像素中。此外，由于薄膜干燥非理想性，能够在限制井的边缘处形成不均匀性。随着限制
井面积减少，不均匀性能够侵占像素的有源发射区域，从而创建由不均匀性引起的在来自
像素的光发射中的非期望视觉伪象。此外，由于限制结构，减少每个像素的有源区域与总区
域（有源区域和非有源区域两者）的比率（被称为“填充因子”），这进而能够减少显示器的寿
命，因为每个像素必须使用更多的电流来驱动以实现等同的显示亮度级并且使用更多的电
流来驱动每个像素对减少像素寿命是已知的。

[0009] 尽管传统喷墨方法处理与OLED制造相关联的一些挑战，但是存在对改进的持续的需要。比如，存在对下述的持续的需要：特别地针对具有高分辨率（即高像素密度）的OLED显
示器，减少OLED制造工艺对液滴放置精确度的灵敏度。另外，存在对下述的需要：减少由高
分辨率显示器中的有机发光层的沉积创建的非期望视觉伪象。也存在对下述的需要：通过
改进每个像素的填充因子使得增加与有源元件相关联的面积来改进器件寿命。进一步，存
在对在下述方面的改进的需要：使用和制造高分辨率显示器应用中的OLED显示器，该高分
辨率显示器应用包含但不被限制到比如：高分辨率移动电话和平板计算机，这提出在实现
可接受的分辨率、功率效率、显示器寿命、和制造成本中的挑战。

发明内容

[0010] 本公开内容可以解决以上提及的问题中的一个或多个和/或实现以上提及的期望的特征中的一个或多个。其它特征和/或优点可以从下面的描述变为显而易见的。

[0011] 依据本公开内容的示范性实施例，制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法能够包含：在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，
其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在井中，该
井具有由衬底上的限制结构限定的边界。该方法也能够包含：在带有定位在其中的电极的
井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层，该基本上连续的层跨越井
的边界使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨印
刷。本公开内容也设想依据以上方法制作的有机发光二极管（OLED）显示器。

[0012] 依据本公开内容的额外示范性实施例，有机发光二极管（OLED）显示器能够包含：第一电极，设置在衬底上，其中第一电极与第一子像素相关联；和第二电极，设置在衬底上
并且与第一电极间隔开以提供在第一电极和第二电极之间的间隙，其中第二电极与第二子
像素相关联。显示器能够进一步包含：限制结构，定位在衬底上以限定含有第一电极和第二
电极的井的边界；和基本上连续的有源OLED材料层，该基本上连续的有源OLED材料层跨越
井的边界并且被设置在第一电极和第二电极之上，其中背对衬底的有源OLED材料层的表面
具有非平面形貌。

[0013] 额外的对象和优点将在下面的描述中部分地被阐明，并且从该描述将部分地明显，或可以通过实践本教导被了解。本公开内容的对象和优点中的至少一些可以借助于在
所附权利要求书中特别指出的要素和组合来实现和得到。

[0014] 要理解：前述大体描述和下面详细描述两者仅是示范性和解释性的，并且不是对如要求被保护的发明的约束。应该理解：在该发明的最广的意思上，在不具有这些示范性方
面和实施例的一个或多个特征的情况下能够实践该发明。
附图说明

[0015] 被合并在该说明书中并且构成该说明书的部分的附图连同描述一起图解本公开内容的一些示范性实施例，用来解释特定原理。在附图中，

[0016] 图1是传统像素布置的部分平面视图；

[0017] 图2是依据本公开内容的示范性像素布置的部分平面视图；

[0018] 图3A是依据本公开内容的示范性实施例的沿着图1中的线3A-3A的限制井的横截面视图；

[0019] 图3B是依据本公开内容的示范性实施例的沿着图1中的线3B-3B的多个限制井的横截面视图；

[0020] 图4是类似于图3A的视图的依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截面视图；

[0021] 图5A是类似于图3A的视图的依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截面视图；

[0022] 图5B是类似于图3B的视图的依据本公开内容的限制井的另一个实施例的横截面视图；

[0023] 图6是依据本公开内容的限制井的又一个示范性实施例的横截面视图；

[0024] 图7是依据本公开内容的限制井的又一个示范性实施例的横截面视图；

[0025] 图8-11是依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截面视图和用于创建OLED显示器的示范性步骤；

[0026] 图12-19是依据本公开内容的各种示范性像素布置的部分平面视图；

[0027] 图20是包含依据本公开内容的电子显示器的示范性设备的前视图；并且

[0028] 图21是包含依据本公开内容的电子显示器的另一个示范性设备的前视图。

具体实施方式

[0029] 现在对本公开内容的各种示范性实施例将进行详细参考，在附图中图解本公开内容的示例。只要有可能，贯穿附图，相同的参考数字将被用来指的是相同或相似的部分。

[0030] 对该说明书和所附权利要求书而言，除非另外指示，在说明书和权利要求书中使用的表达数量、百分比、或比例的所有数字和其它数值要理解为在所有实例中通过术语“大
约”被修改到它们尚未被如此修改的程度。所以，除非相反地指示，在下面说明书和所附权
利要求书中阐明的数字参数是可以取决于设法得到的期望属性而变化的近似。起码并且不
作为限制等同原则到权利要求书范围的应用的企图，每个数字参数至少应该根据报告的有
效数字的数目并且通过应用普通的舍入技术来理解。

[0031] 指出的是，如在该说明书和所附权利要求书中使用的，单数形式“一（a）”、“一个（an）”、和“该（the）”以及任何单词的任何单数使用包含复数指示物，除非明确地和不含糊
地被限制到一个指示物。如在本文中使用的，术语“包含”和它的文法异体意图是非限制的，
使得在列表中的项目的叙述不排除能够代替或被添加到所列项目的其它相似项目。

[0032] 进一步，该说明的术语不意图限制该发明。比如，空间相对的术语诸如“在...下方”、“在...之下”、“下”、“顶部”、“底部”、“在...上方”、“上”、“水平的”、“垂直的”等等可以
被用来描述一个要素或特征与另一个要素或特征的关系，如在附图中图解的。这些空间相
对的术语意图涵盖在使用或操作中的器件的不同定位（即位置）和定向（即旋转放置），除了
在附图中示出的定位和定向之外。比如，如果在附图中的器件被翻转，被描述为“在其它要
素或特征之下”或“在其它要素或特征下方”的要素则将是“在其它要素或特征上方”或“在
其它要素或特征之上”。因而，示范性术语“在...之下”能够取决于器件的整体定向来涵盖
“在...上方”和“在...之下”的定位和定向两者。器件可以以别的方式被定向（被旋转90度
或处于其它定向）并且在本文中使用的空间相对的描述符被相应地解释。

[0033] 如在本文中使用的，“像素”意图表示发光像素阵列的最小的功能完整和重复单元。术语“子像素”意图表示像素的部分，该像素的部分组成像素的分立发光部分，但是不必
要是发光部分中的所有。比如，在全彩显示器中，像素能够包含三基色子像素，诸如红色、绿
色、和蓝色。在单色显示器中，术语子像素和像素是等同的，并且可以可互换地使用。

[0034] 术语“耦合”当被用来指的是电子部件时意图表示两个或更多个电子部件、电路、系统或者（1）至少一个电子部件、（2）至少一个电路、或（3）至少一个系统的任何组合以如下
这样的方式的连接、链接、或联合：使得信号（例如，电流、电压、或光信号）能够彼此传递。两
个或更多个电子部件、电路或系统的连接、链接、或联合能够是直接的；替选地可以存在居
间的连接、链接、或联合，并且因而耦合不必要要求物理连接。

[0035] 本领域一位普通技术人员通常将接受术语“高分辨率”表示大于100像素/英寸（ppi）的分辨率，其中300 ppi有时能够被称为非常高的分辨率。本领域一位普通技术人员
也将意识到像素密度不直接与显示器的尺寸相关。在本文中公开的各种示范性实施例能够
被用来在小的显示器尺寸中和在大的显示器尺寸中实现高分辨率。比如，具有大约3英寸到
大约11英寸的尺寸的显示器能够被实施为高分辨率显示器。另外，具有更大尺寸的显示器，
诸如高到55''和超过55''的电视显示器，也能够与在本文中描述的各种示范性实施例一起
使用以实现高分辨率显示器。

[0036] 如在本文中使用的，在“表面上”的层或结构包含下述情形两者：该层直接邻近该表面和与该表面直接接触，在该表面之上形成该层；以及在表面之上形成的该层或结构之
间存在居间层或结构。

[0037] 各种因素能够影响在OLED显示器制造技术中的有机光发射层的沉积精确度，这样的因素比如包含：显示器分辨率；液滴尺寸；目标液滴面积；液滴放置误差；与OLED层材料
（例如，有源OLED材料）墨相关联的流体属性（例如，表面张力、粘性、沸点），该OLED层材料墨
由OLED层材料和一个或多个载液的组合组成；和速率，液滴以该速率被沉积。随着显示器分
辨率增加，比如大于100 ppi或比如大于300 ppi，在使用用于OLED显示器制造的喷墨印刷
技术中产生各种问题。在传统印刷技术中使用的高精确度喷墨头能够产生范围为大约1皮
升（pL）到大约50皮升（pL）的液滴尺寸，其中对于高精确度喷墨印刷应用而言大约10 pL是
相对常见的尺寸。传统的喷墨印刷系统的液滴放置准确度大约是±10 μm。在各种示范性实
施例中，在衬底上能够提供限制井以对液滴放置误差进行补偿。限制井能够是防止OLED材
料免于迁移超过期望的子像素区域的结构。为了确保液滴准确地落在衬底上的期望位置
处，诸如整体地在限制井内，各种示范性实施例将限制井配置为与液滴直径加上两倍系统
的液滴放置误差一样宽。比如，10 pL液滴的直径大约是25 μm并且因而前述的参数将指示
使用在它的最小尺度中的至少45 μm（25 μm+（2*10 μm））的限制井。甚至对于1 pL的液滴而
言，液滴直径是12 μm，这指示在它的最小尺度中的至少32 μm的限制井。

[0038] 依赖于在它的最小尺度中的至少45 μm的限制井的各种像素布局能够被用在具有高到100 ppi的分辨率的OLED显示器中。然而，比如在大于100 ppi的高分辨率显示器中，10
pL液滴太大并且液滴放置准确度太差而不能可靠地提供液滴到围绕每个子像素的限制井
中的一致加载。此外，如以上指出的，对于高分辨率显示器，以用来限定限制井的结构来覆
盖增加数量的显示区域能够负面地影响每个像素的填充因子，其中填充因子被限定为像素
的发光面积相对于总的像素面积的比率。随着填充因子减小，必须更强力地驱动每个像素
以实现相同的总体显示亮度，由此减小显示器的每个像素的寿命和性能。

[0039] 为了进一步图解与非常高的分辨率显示器一起工作的以上提及的挑战中的一些，图1图解一个传统的像素布局1700。像素1750能够包括以并排配置来布置的子像素1720、
1730、1740，子像素1720与在红色光谱范围中的光发射相关联，子像素1730与在绿色光谱范
围中的光发射相关联，并且子像素1740与在蓝色光谱范围中的光发射相关联。每个子像素
能够被限制结构1704围绕，该限制结构1704形成直接对应于子像素1720、1730、1740的限制
井。一个子像素电极能够与每个限制井相关联，使得电极1726对应于子像素1720，电极1736
对应于子像素1730，并且电极1746对应于子像素1740。子像素1720能够具有宽度D，子像素
1730能够具有宽度C，并且子像素1740能够具有宽度B，其可以彼此相同或不同。如所示出
的，所有的子像素能够具有长度A。此外，尺度E、F、和G能够指示在限制井开口之间的间隔。
在一些实例中分配给尺度E、F、G的值能够非常大，例如特定地在较低分辨率显示器中大于
100 μm。然而，对于更高分辨率显示器，期望的是最小化这些尺度以最大化有源像素面积并
且因而最大化填充因子。如在图1中图解的，由阴影区指示的有源像素区域是在子像素限制
井中的每个内的整个区域。

[0040] 各种因素能够影响尺度E、F、G，诸如比如针对这些尺度的最小值能够受处理方法约束。比如，在本文中描述的各种图解的实施例中，E=F=G=12μm作为最小尺度。比如，在具有
326 ppi分辨率的显示器中，像素节距能够等于78 μm并且E=F=G=12μm。与子像素1720、
1730、1740中的每个相关联的限制井能够具有14 μm×66 μm（即尺度B×A、C×A、和D×A）的
目标液滴面积，其中14 μm显著地小于以上关于使用具有10 pL体积的喷墨液滴讨论的45 μ
m最小尺度。它也小于以上针对1 pL液滴讨论的32 μm尺度。此外，限定为有源像素面积（即
与光发射相关联的面积）和总的像素面积的比率的像素填充因子是46%。换句话说，像素面
积的54%对应于限制结构1704。沿着相同的线，在具有440 ppi分辨率的显示器中，像素节距
P能够等于58 μm并且E=F=G=12μm。与发射子像素1720、1730、1740中的每个相关联的限制井
能够具有比如7 μm×46 μm的目标液滴面积，其中7 μm的尺度显著地小于以上针对10 pL和
1 pL喷墨液滴两者的准确液滴放置来讨论的最小尺度。在这个实例中，用于具有440 ppi的
显示器的填充因子大约是30%。

[0041] 在本文中描述的依据各种示范性实施例的沉积技术能够提供在限制井的加载和用于电子显示器诸如比如高分辨率显示器的有源OLED层的沉积方面的改进的可靠性。有源
OLED层能够比如包含下面层中的一个或多个：空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、有机
光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。以上识别的有源OLED层中的一些的实
施是优选的并且一些有源OLED层的实施对电子显示器是可选的。比如，至少一个空穴导电
层诸如空穴注入层或空穴输运层以及有机光发射层必须存在。所有其它以上识别的层可以
根据需要被包含以变更（例如改进）电子显示器诸如OLED显示器的光发射和功率效率。

[0042] 在本文中描述的限制井配置的各种示范性实施例能够增加限制井的尺寸同时维持高像素分辨率。比如，各种示范性实施例使用跨越多个子像素的相对大的限制井，由此能
够实现使用相对可获得的液滴尺寸和在有源OLED层的沉积中的传统印刷系统准确度，同时
也实现相对高的像素密度。相应地，沉积范围为1 pL到50 pL的液滴体积的喷墨喷嘴能够被
使用，而不要求特殊配置或重新配置的带有更小液滴体积的喷头（printhead）和新的印刷
系统，其可以是或可以不是可获得的。另外，通过使用这样更大的限制井，小的制造误差对
沉积精确度将不具有显著的负面效果，并且沉积的有源OLED层能够保持被含在限制井内。

[0043] 依据各种示范性实施例，喷墨印刷技术能够提供有源OLED层的足够均匀的沉积。比如，典型地在OLED显示器中使用的各种部件产生下述形貌：该形貌在限制井的顶部表面
层上具有变化的高度，比如相差大约100纳米（nm）或更多的高度。比如，诸如电极的部件可
以被沉积在衬底上，使得在相邻电极之间形成间隙以形成分开可寻址的电极，该电极每个
与不同子像素相关联。不管哪些有源OLED层被沉积在设置在显示器的衬底上的电极之上，
在相邻电极之间的区中在显示器的衬底的顶部表面和电极的顶部表面的平面之间的高度
差能够促成随后沉积的OLED层的形貌。依据本公开内容的示范性喷墨印刷技术和产生的显
示器允许有源OLED层被沉积，使得有源OLED层的厚度比如在有源电极区之上是足够均匀
的，其中有源电极区能够是与有源子像素区域相关联的电极的区，光从该有源子像素区域
发射。在示范性实施例中，至少在有源电极区之上的OLED层的厚度能够小于子像素电极的
厚度。在有源电极区域之上的OLED层的足够均匀的厚度能够减少非期望的视觉伪象。比如，
OLED墨配方和印刷工艺能够被实施以在给定沉积区域（甚至当那个区域包含电极和非电极
区两者时）内最小化在沉积的薄膜厚度中的不均匀性。换句话说，不被电极结构覆盖的沉积
区域内的部分能够促成OLED层的形貌，使得OLED层能够与在下面的结构足够一致，在沉积
区域内将OLED层沉积在该结构之上。当特定子像素电极被寻址并且被激活时，最小化在沉
积的薄膜厚度中的不均匀性能够提供基本上均匀的光发射。

[0044] 依据又其它示范性实施例，由本公开内容设想的像素布局配置能够增加有源区面积。比如，限制结构能够限定限制井，该限制井具有跨越多个子像素的邻近区域，使得减少
显示器的非有源部分（例如，与限制结构相关联的衬底区域）。比如，多个单独寻址的子像素
电极能够被限制结构围绕，其中每个子像素电极能够与不同像素相关联，而不是如在各种
传统OLED显示器中限制结构围绕每个子像素电极。通过减少由限制结构占据的面积，能够
最大化填充因子，因为增加每个像素的非有源区对有源区的比率。实现填充因子的这样的
增加能够在更小尺寸显示器中实现高分辨率以及改进显示器的寿命。

[0045] 依据又其它示范性实施例，本公开内容设想包含设置在衬底上的限制结构的有机光发射显示器，其中限制结构限定在阵列配置中的多个井。显示器进一步包含设置在每个
井内并且彼此间隔开的多个电极。显示器进一步能够包含在多个井的至少一个中的第一、
第二、和第三有机发光层，每个层分别具有第一、第二、和第三光发射波长范围。设置在与第
一和第二有机光发射层相关联的井内的电极的数目与设置在与第三有机光发射层相关联
的井内的电极的数目不同。

[0046] 依据又其它示范性实施例，本公开内容设想包含设置在衬底上的限制结构的有机光发射显示器，其中限制结构限定在阵列配置中的多个井（包含第一井、第二井、和第三
井）。显示器进一步能够包含：设置在第一井内并且与不同像素相关联的第一多个电极，设
置在第二井内并且与不同像素相关联的第二多个电极，以及设置在第三井内的至少一个第
三电极，其中设置在第一和第二井中的每个内的电极的数目与设置在第三井内的电极的数
目不同。显示器能够进一步包含：设置在第一井中的具有第一光发射波长范围的第一有机
光发射层，设置在第二井中的具有第二光发射波长范围的第二有机光发射层，以及设置在
第三井中的具有第三光发射波长范围的第三有机光发射层。

[0047] 依据各种其它示范性实施例，像素布局配置能够被布置成延长器件的寿命。比如，子像素电极尺寸能够基于对应的有机光发射层波长范围。比如，与在蓝色波长范围中的光
发射相关联的子像素电极能够分别大于与在红色或绿色波长范围中的光发射相关联的子
像素电极。在OLED器件中的与蓝色光发射相关联的有机层相对于与红色或绿色光发射相关
联的有机层典型地具有缩短的寿命。此外，操作OLED器件以实现减少的亮度级增加器件的
寿命。通过增加蓝色子像素分别相对于红色和绿色子像素的发射面积，除了驱动蓝色子像
素以实现小于红色和绿色子像素的亮度的相对亮度（例如，通过调节当寻址子像素时供应
的电流，如本领域普通技术人员熟悉的）之外，蓝色子像素能够用来更好平衡不同色彩的子
像素的寿命，同时仍提供显示器的合适的总体色彩平衡。寿命的这个改进的平衡能够通过
延长蓝色子像素的寿命来增加显示器的总体寿命。

[0048] 图2图解依据本公开内容的示范性实施例的有机发光二极管（OLED）显示器100的一个示范性像素布置的部分平面视图。图3A图解衬底的一个示范性实施例的沿着在图2中
识别的截面3A-3A的横截面视图，从而描绘用于形成OLED显示器的各种结构。图3B图解衬底
的一个示范性实施例的沿着在图2中识别的截面3B-3B的横截面视图，从而描绘用于形成
OLED显示器的各种结构。

[0049] OLED显示器100大体上包含例如诸如由点线边界150、151、152限定的多个像素，当选择性地驱动该多个像素时，该多个像素发射能够创建要被显示给用户的图像的光。在全
彩显示器中，像素150、151、152能够包含不同色彩的多个子像素。比如，如在图2中图解的，
像素150能够包含红色子像素R、绿色子像素G、以及蓝色子像素B。如能够在图2的示范性实
施例中看到的，子像素不需要是相同尺寸，尽管在示范性实施例中它们能够是相同尺寸。像
素150、151、152能够通过引起光发射的驱动电路来限定，使得不必须额外的结构来限定像
素。替选地，本公开内容的示范性实施例设想能够被包含在显示器100内以描绘多个像素
150、151、152的像素限定结构的各种新布置。本领域普通技术人员对下述是熟悉的：用来在
像素和子像素之间提供更明快描绘的传统像素限定结构的材料和布置。

[0050] 除了图2之外，参考图3A和3B，OLED显示器100能够包含衬底102。衬底102能够是任何刚性或柔性的结构，该任何刚性或柔性的结构能够包含一个或多个材料的一个或多个
层。衬底102能够比如包含玻璃、聚合物、金属、陶瓷、或其组合。虽然为了简明未被图解，衬
底102能够包含本领域普通技术人员熟悉的额外的电子部件、电路、或导电构件。比如，薄膜
晶体管（TFT）（未被示出）能够在沉积以下进一步详细讨论的任何其它结构之前被形成在衬
底上。TFT能够包含比如有源半导体层的薄膜、电介质层、和金属接触中的至少一个，其中本
领域普通技术人员将熟悉在这样的TFT的制造中使用的材料。任何有源OLED层能够被沉积
以与由TFT或形成在衬底102上的其它结构创建的任何形貌一致，如以下讨论的。

[0051] 限制结构104能够被设置在衬底102上，使得限制结构104限定多个限制井。比如，限制结构104能够是岸结构。多个子像素能够与每个限制井相关联并且沉积在每个限制井
内的有机光发射材料允许与限制井相关联的所有子像素具有相同的光发射色彩。比如，在
图2的布置中，限制井120能够接收与发射由R指示的红色光的子像素相关联的OLED墨的液
滴，限制井130能够接收与发射由G指示的绿色光的子像素相关联的OLED墨的液滴，并且限
制井140能够接收与发射由B指示的蓝色光的子像素相关联的OLED墨的液滴。如以下将进一
步解释的，本领域普通技术人员将意识到限制井也能够接收各种其它有源OLED层，该各种
其它有源OLED层包含但不被限制到比如：额外的有机光发射材料和空穴导电层。

[0052] 限制结构104能够限定限制井120、130、140以限制与多个子像素相关联的材料。此外，限制结构104能够防止OLED墨扩展到邻近的井中，和/或能够辅助加载和干燥工艺（通过
合适的几何形状和表面化学），使得沉积的薄膜在由限制结构104定界的区内是连续的。比
如，沉积的薄膜的边缘能够接触围绕限制井120、130、140的限制结构104。限制结构104能够
是单个结构或能够由形成限制结构104的多个分开的结构组成。

[0053] 限制结构104能够由下述各种材料形成：诸如比如光致抗蚀剂材料，诸如光可成像聚合物或光敏硅酮电介质。限制结构104能够包括一个或多个有机成分，该一个或多个有机
成分在处理后对OLED墨的腐蚀作用基本上惰性、具有低的除气作用、在限制井边缘处具有
浅的（例如<25度）侧壁斜率、和/或具有对要被沉积在限制井中的OLED墨中的一个或多个的
高的亲疏性，并且可以基于期望的应用来选择。合适的材料的示例包含但不被限制到：PMMA
（聚甲基丙烯酸甲酯）、PMGI（聚甲基戊二酰亚胺）、DNQ-酚醛树脂（带有不同酚醛树脂的化学
邻叠氮萘醌的组合）、SU-8抗蚀剂（由MicroChem公司制造的一类广泛使用的、专有环氧树脂
基抗蚀剂）、传统光致抗蚀剂的氟化变化、和/或在本文中列出的前述材料中的任何一个、和
有机硅酮抗蚀剂，其中的每个能够进一步与一个或多个添加剂组合或彼此组合以进一步调
整限制结构104的期望的特征。

[0054] 限制结构104能够限定具有任何形状、配置、或布置的限制井。比如，限制井120、130、140能够具有任何形状，诸如长方形、方形、圆形、六边形等。在单个显示器衬底中的限
制井能够具有相同的形状和/或尺寸或不同的形状和/或尺寸。与不同光发射色彩相关联的
限制井能够具有不同或相同的形状和/或尺寸。另外，邻近的限制井能够与交替的光发射色
彩相关联或邻近的限制井能够与相同的光发射色彩相关联。此外，限制井能够以列和/或行
来布置，其中列和/或行能够具有均匀或不均匀的对准。

[0055] 限制井能够使用下述多种制造方法中的任何一个来形成：诸如比如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、喷洒涂布、丝网印刷、真空热蒸发、溅射（或其它物理气相沉积
方法）、化学气相沉积等，并且在沉积技术期间另外未被实现的任何额外的图案化能够通过
使用阴影遮掩、一个或多个光刻步骤（例如，光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模）、湿法刻
蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。

[0056] 如在图2中图解的，依据各种示范性实施例的限制井120、130、140能够由限制结构104限定，使得它们跨越多个像素150、151、152。比如，像素150包含是不同的限制井120、
130、140的每个部分的红色子像素R、绿色子像素G、和蓝色子像素B。每个限制井120、130、
140能够包含多个电极，诸如106、107、108、109、136、137、138、139、142、144，其中在限制井
120、130、140内的电极能够彼此间隔开，使得在限制井内在邻近电极之间形成间隙S。在示
范性实施例中，间隙S能够具有足够尺寸以将电极与任何邻近电极电隔离，并且特定地邻近
电极的有源电极区能够彼此隔离。间隙或空间S能够减少电流泄漏并且改进子像素限定和
总体像素限定。

[0057] 虽然为了清楚和方便图解而省略驱动电路，但是驱动电路能够被设置在衬底102上，并且这样的电路能够被设置在有源像素区域（即发光区）下方或在非有源像素区域（即
非发光区）内。此外，虽然未被图解，电路也能够被设置在限制结构104下。驱动电路能够被
耦合到每个电极，使得每个电极能够独立于在限制井内的其它电极选择性地被寻址。由于
在电极之间的间隙S导致的不均匀形貌的区以下进一步被详细描述。

[0058] 在限制井120、130、140内的每个电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144能够与不同子像素相关联。比如，如在图2中图解的，限制井120能够与红色光发射相关
联。电极106、107、108、109能够被定位在限制井120内，其中每个电极可操作成寻址不同像
素（例如图解的像素151和152）的子像素。至少两个电极能够被定位在每个限制井120、130、
140内。被定位在每个限制井120、130、140内的电极的数目能够与其它限制井相同或不同。
比如，如在图2中图解的，限制井140能够包含与蓝色光发射相关联的两个子像素电极142、
144，并且限制井130能够包含与绿色光发射相关联的四个子像素电极136、137、138、139。

[0059] 在示范性实施例中，限制结构104能够被设置在电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144的部分上。如在图3A和3B中图解的，限制井120能够由限制结构104限定，
其中限制结构104被部分设置在电极106、108的部分之上，并且被部分直接设置在衬底102
之上而不在电极之上。替选地，限制结构104能够被设置在邻近限制井的电极之间的衬底
102之上。比如，限制结构104能够以在与不同子像素发射色彩相关联的电极之间形成的空
间被设置在衬底102上，使得限制结构104直接被设置在衬底102上并且不被设置在电极的
任何部分之上。在这样的配置（未被图解）中，对应于子像素的电极能够以下述方式来设置：
直接邻近限制结构104（与限制结构104邻接），或电极能够与限制结构104间隔开，使得能够
实现子像素限定。

[0060] 当电压选择性地施加到电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144时，光发射能够在像素诸如像素150、151、152的子像素内生成。电极106、107、108、109、136、137、
138、139、142、144能够是透明或反射的，并且能够由下述形成：导电材料诸如金属、混合金
属、合金、金属氧化物、混合氧化物、或其组合。比如，在各种示范性实施例中，电极可以由铟
锡氧化物、镁银、或铝制成。电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144能够具有任
何形状、布置、或配置。比如，参考图3A，电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144
能够具有轮廓，使得顶部表面106a、108a能够基本上是平面的并且与衬底102的表面平行，
而电极的侧边缘106b、108b能够基本上与衬底的表面垂直或能够关于衬底的表面成角和/
或变圆。

[0061] 进一步指出电极的有源部分，即与光发射相关联的部分，是直接设置在沉积的OLED层下方而没有在电极表面和OLED层之间的任何居间绝缘衬底结构的电极的那些部分。
作为示例，再次参考图3A，设置在限制结构104下方的电极106和108的部分从电极区域的有
源部分排除，然而电极106和108的区的剩余部分被包含在电极区域的有源部分中。

[0062] 电极可以以各种方式诸如通过热蒸发、化学气相沉积、或溅射方法来沉积。电极的图案化可以比如使用阴影遮掩或光刻来实现。如以上提及的，电极106、107、108、109、136、
137、138、139、142、144能够具有厚度并且间隔开，使得在衬底102上形成形貌，这在各种横
截面视图中诸如在图3A中最佳示出。在示范性实施例中，电极106、107、108、109、136、137、
138、139、142、144能够具有范围为60 nm到120 nm的厚度，尽管这个范围是非限制的并且更
大或更小的厚度也是可能的。

[0063] 一个或多个有源OLED层能够在每个限制井120、130、140内被提供，诸如在图3A和3B中示出的空穴导电层110和有机光发射层112。有源OLED层能够被沉积使得它们能够与形
貌足够一致，该形貌由下述产生：在限制井120、130、140内的电极106、107、108、109、136、
137、138、139、142、144之间的间隔和在限制井120、130、140内的电极106、107、108、109、
136、137、138、139、142、144的厚度，以及分别的有源OLED层的厚度。比如，有源OLED层能够
在井内是连续的并且具有厚度以足够符合和遵循设置在每个限制井内的在下面的电极结
构的产生的形貌。

[0064] 沉积的OLED层因此可以导致下述表面形貌：该表面形貌不位于与衬底平行且跨过整个限制井的单个平面中。比如，由于与包含设置在衬底102上的电极的任何表面特征相关
联的相对凹陷或凸出，OLED层110、112中的一个或两者能够在显示器的单个平面中是非平
面和不连续的（其中显示器的平面意图为与衬底102平行的平面）。如所示出的，OLED层110、
112能够与在下面的表面特征形貌足够一致，使得OLED层的顶部表面能够具有产生的形貌，
该产生的形貌遵循在下面的表面特征的形貌。换句话说，每个沉积的OLED层与所有在下面
的层和/或设置在衬底102上的表面特征足够一致，使得那些在下面的层在OLED层被沉积后
促成OLED层的产生的非平面顶部表面形貌。这样，在跨过限制井的与显示器的平面平行的
平面中，在层110或112或两者中的不连续性能够当（一个或多个）层相对于平面升高和/或
落下而产生，其中从限制井中的电极、电路、像素限定层等提供现有的表面特征。虽然有源
OLED层110和/或112不需要与在下面的表面形貌完美地一致（比如，如以下解释的，在边缘
区等等周围的厚度中可以存在局部不均匀性），但是在其中不存在显著的材料积累或耗尽
的足够共形的涂层能够促进更平坦、均匀和可重复的涂层。

[0065] 如在图3A中示出的，每个层110、112能够在整个限制井120内基本上是连续的，使得每个层被设置在限制井120内的基本上所有的表面特征（例如，子像素电极、电路、像素限
定层等）之上，其中每个层的边缘接触围绕限制井120的限制结构104。在各种示范性实施例
中，有源OLED层材料能够被沉积以形成整个在限制井内的分立的连续层，以基本上防止在
井内在层中的任何不连续性（换句话说，在井内的没有有源OLED层材料的区）。这样的不连
续性能够引起在子像素的发射区内的非期望的视觉伪象。值得指出的是尽管每个层110、
112在限制井内基本上是连续的，但是由于层的升高和/或落下它能够在单个平面中是非连
续的，如以上指出的，因为它与设置在限制井中的特征的现有形貌（这些层被沉积在其上）
足够一致。比如，在示范性实施例中，如果这样的升高和/或落下是以大于在井内的沉积层
的最薄部分的厚度（例如50 nm）的量（例如100 nm），则OLED材料层在井内在与显示器平行
的平面中将不是连续的。

[0066] 层110、112能够在每个限制井内具有基本上均匀的厚度，这可以提供更均匀的光发射。对本申请而言，基本上均匀的厚度能够指的是在平面表面区之上诸如在有源电极区
之上的OLED层的平均厚度，但是也能够涵盖如以下描述的在厚度中的微小变化或局部不均
匀性。在图3A中的平面表面区例如106a、108a和间隙的底部表面之上，预期的是对于基本上
均匀的OLED涂层而言来自OLED层的平均厚度的厚度变化能够小于±20%，诸如小于±10%或
小于±5%。

[0067] 如以上指出的，然而设想的是在厚度中的局部不均匀性可能产生在围绕表面形貌和/或表面化学中的改变的层110、112的部分中，并且在这样的区中薄膜厚度能够局部地与
以上指定的±20%、±10%、或±5%参数基本上偏离。比如，由于与设置在衬底102上的表面特
征相关联的形貌和/或在设置在衬底102上（诸如在限制井结构104的边缘处、在像素限定层
（以下被讨论）的边缘处、在电极边缘侧壁上（例如沿着106b、108b）、或在电极交会衬底表面
处）的表面特征之间在表面化学中的改变，连续层的厚度中的局部不均匀性能够发生。局部
不均匀性能够导致在薄膜厚度中的偏离。比如，局部不均匀性能够与层110、112的厚度偏
离，该层110、112被提供在电极106、108的有源电极区之上（例如，沿着106a、108a）。不均匀
性能够在这样的表面特征周围创建在近似5 μm-10 μm的范围内的通常局部化的“边缘效
应”偏离，该表面特征被设置在限制井中在衬底102上，诸如在电极、电路、像素限定层等的
边缘处。对本申请而言，当将OLED薄膜涂层描述为在井内具有“基本上均匀的厚度”时，意图
涵盖这样的“边缘效应”偏离。

[0068] 在示范性实施例中，每个层110、112的厚度能够等于或小于电极的厚度，使得由于因为层横跨在电极的有源区之间的间隙而形成的在薄膜中的下倾（dip），每个层的上表面
不位于与显示器的平面平行的单个平面（即与衬底平行的平面）中。这比如在图3A中图解，
其中提供虚线以图解与衬底102的平面平行的平面P。如所示出，层110、112能够每个具有平
均厚度，该平均厚度在电极106、108的有源电极区之上在层110、112的区内基本上是均匀
的。然而，层110、112也能够在下述区域中包含小的和局部化的不均匀厚度，该区域与由诸
如在那些表面特征的边缘（例如，邻近间隙的电极106、108的边缘）周围的表面特征引起的
形貌改变相关联。

[0069] 层110、112能够使用任何制造方法来沉积。在示范性实施例中，空穴导电层110和有机光发射层112能够使用喷墨印刷技术来沉积。比如，空穴导电层110的材料能够与载液
混合以形成喷墨，该喷墨被配制以提供到限制井中的可靠和均匀的加载。用于沉积空穴导
电层110的墨能够以高速度从喷墨头喷嘴被递送到衬底的每个限制井中。在各种示范性实
施例中，相同的空穴导电材料能够被递送到限制井120、130、140中的所有，以提供在限制井
120、130、140中的所有内沉积相同的空穴导电层110。在材料被加载到限制井中以形成空穴
导电层110之后，显示器100能够被干燥以允许任何载液蒸发，这是能够包含在设定时段之
内将显示器暴露到热、真空、或环境条件的工艺。在干燥后，显示器可以以升高的温度被烘
干，以比如将沉积的薄膜材料处理成诱发对沉积的薄膜的质量或对总体工艺有益的化学反
应或薄膜形态的改变。与每个有机光发射层112相关联的材料能够与载液诸如有机溶剂或
溶剂的混合物来类似地混合以形成喷墨，该喷墨被配制以提供到限制井中的可靠和均匀的
加载。这些墨随后能够使用喷墨工艺被喷墨沉积在与每个发射色彩相关联的合适的限制井
120、130、140内。比如，与红色有机光发射层相关联的墨、与绿色有机光发射层相关联的墨、
和与蓝色有机光发射层相关联的墨被分开沉积在对应的限制井120、130、140中。不同的有
机光发射层112能够被同时或顺序地沉积。在用与有机光发射层相关联的一个或多个墨加
载之后，显示器能够类似被干燥和烘干，如以上对空穴导电层描述的。

[0070] 虽然未被图解，但是材料的额外有源OLED层能够被设置在限制井内。比如，OLED显示器100能够进一步包含空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子输运层、
电子注入层、湿气保护层、封装层等，本领域普通技术人员对其中的所有是熟悉的，而这里
未对此详细讨论。

[0071] 空穴导电层110能够包含促进空穴注入到有机光发射层112中的材料的一层或多层。比如，空穴导电层110能够包含空穴导电材料的单层，诸如比如空穴注入层。替选地，空
穴导电层110能够包含多层，诸如下述中的至少一个：空穴注入层，诸如聚（3，4-亚乙二氧基
噻吩）：聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT：PSS）；和空穴输运层，诸如N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,
1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）。

[0072] 有机光发射层112能够被沉积在空穴导电层110之上，使得有机光发射层112与由电极创建的形貌、在电极之间的空间、和空穴导电层的形貌足够一致。有机光发射层112能
够包含用于促进光发射的材料，诸如有机光致发光材料。

[0073] 在示范性实施例中，OLED堆叠（例如，在限制井内在电极之上沉积的所有有源OLED层）的厚度能够从10 nm变动到250 nm。比如，空穴输运层能够具有范围为10 nm到40 nm的
厚度；空穴注入层能够具有范围为60 nm到150 nm的厚度；有机光发射层能够具有范围为30
nm到150 nm的厚度，并且可选地，空穴阻挡层、电子输运层、和电子注入层具有范围为10 nm
到60 nm的组合的厚度。

[0074] 在示范性实施例中，设想具有大约10 pL或更少的体积的液滴可以被用来产生层110、112中的每个。在各种示范性实施例中，5 pL或更少、3 pL或更少、或2 pL或更少的液滴
体积可以被使用。OLED层110、112能够使用具有以上描述的体积的从1到20液滴来形成。

[0075] 在一个示范性和非限制的实施例中，本公开内容设想限制井被布置成使得针对具有326 ppi（例如，节距=78 um）的分辨率的显示器，与红色、绿色、或蓝色光发射相关联的井
120、130、140的面积能够是66 μm×66 μm，其中在这个实施例中在相邻井之间的宽度能够
是12 μm。与这样的布置的红色或绿色子像素光发射相关联的面积能够是31.5 μm×31.5 μ
m，并且与蓝色子像素光发射相关联的面积能够是66 μm×30 μm，从而导致65%的总体像素
填充因子，如与参考图1描述的针对传统RGB并排布局的46%的填充因子相比较。对于另一个
示范性和非限制的实施例，具有440 ppi（例如，节距=58 μm）的分辨率的显示器，设想的是
布置限制井使得与红色、绿色、或蓝色光发射相关联的井120、130、140的面积能够是46 μm
×46 μm，其中在这个实施例中在相邻井之间的宽度再次是12 μm。与这样的显示器结构的
红色或绿色子像素光发射相关联的面积能够是20.3 μm×20.3 μm，而与蓝色子像素光发射
相关联的面积能够是76 μm×49.1 μm，由此产生近似46%的填充因子，如与参考图1描述的
针对传统RGB并排布局的30%的填充因子相比较。在这些实施例中，在邻近井之间的宽度能
够是12 μm，但是如以上讨论的，这个宽度能够取不同的值，并且同时更小的值可以是期望
的（以提供分配到有源电极区域的衬底面积的更大比例），从而处理对井结构的形成的约束
并且电路布局约束可以有效地对这个尺度设定更低的界限。12 μm的值被选择为这些示例
的代表，但是本领域普通技术人员将意识到可以使用其它尺度，比如更大的尺度像20 μm，
或更小的尺度像8 μm、6 μm、或甚至1 μm，而没有脱离本公开内容和权利要求的范围。本领
域普通技术人员能够进一步意识到尽管在以上示例中红色、绿色、和蓝色限制井每个具有
等同的尺度，但是其它布置是可能的。比如，与不同发射色彩相关联的两个限制井能够具有
相同的尺度并且与又一个不同发射色彩相关联的一个限制井能够具有不同的尺度或与每
个发射色彩相关联的限制井能够具有不同的尺度。

[0076] 依据本公开内容的这些示范性、非限制的布置甚至对440 ppi的非常高的分辨率情形提供具有大于45 μm的最小井尺度的限制井，并且因此能够允许使用比如大约10 pL的
液滴体积，由此通过允许使用从现有喷墨印刷可获得的液滴体积来简化制造。此外，如与传
统RGB并排布局相比较，以上示范性、非限制的布置分别对326 ppi和440 ppi情形以大约
43%和84%增加像素填充因子。更一般地，依据本公开内容的各种示范性实施例提供使用喷
墨来制造的高分辨率显示器的填充因子的提升，诸如非常高的分辨率显示器，对其40%或更
多的提升是可能的。

[0077] 如本领域普通技术人员熟悉的，公共电极（未被示出）能够被设置在沉积之后的有机光发射层112之上。在沉积公共电极后，公共电极的产生的形貌能够与有机光发射层112
的形貌足够一致。公共电极能够使用任何制造技术比如通过真空热蒸发、溅射、化学气相沉
积、喷洒涂布、喷墨印刷、或其它技术来沉积。公共电极能够是透明的或反射的，并且能够由
下述形成：导电材料诸如金属、混合金属、合金、金属氧化物、混合氧化物、或其组合。比如，
铟锡氧化物或镁银的薄层。公共电极的厚度能够范围为近似30 nm到500 nm。

[0078] 此外，公共电极能够具有任何形状、布置、或配置。比如，公共电极能够被设置为与单个子像素或单个像素相关联的分立层。替选地，公共电极能够被设置在多个子像素或像
素之上，比如在显示器100的整个像素布置之上。比如，公共电极能够被地毯式沉积在限制
井120、130、140内以及在限制结构104之上。额外的有源OLED层（为了简化未被示出）能够在
沉积公共电极前被沉积到有机光发射层112上，诸如电子输运层、电子注入层、和/或空穴阻
挡层。这样的额外OLED层能够通过喷墨印刷、通过真空热蒸发、或通过另一种方法来沉积。

[0079] 依据示范性实施例，OLED器件100能够具有顶部发射配置或底部发射配置。比如，如在图3A中图解的，在顶部发射配置中，电极106、108能够是反射电极并且设置在有机光发
射层之上的公共电极能够是透明电极。替选地，在底部发射配置中，电极106、108能够是透
明的并且公共电极能够是反射的。

[0080] 在另一个示范性实施例中，OLED显示器100能够是有源矩阵OLED（AMOLED）。如与无源矩阵OLED（PMOLED）显示器相比较，AMOLED显示器能够提升显示性能，但是依赖于在衬底
上的包含薄膜晶体管（TFT）的有源驱动电路并且这样的电路不是透明的。尽管PMOLED显示
器具有一些元件，诸如不透明的导电总线线路，但是AMOLED显示器具有基本上更多不透明
的元件。结果，对于底部发射AMOLED显示器，与PMOLED相比较，填充因子可能减少，因为光仅
能够在不透明的电路元件之间经过衬底的底部来发射。出于这个原因，可以期望对AMOLED
显示器使用顶部发射配置，由于使用这样的配置可以允许在这样的不透明有源电路元件的
顶部上构建OLED器件。因而，光能够发射穿过OLED器件的顶部，而不关心在下面的元件的不
透明性。一般地，使用顶部发射结构能够增加显示器100的每个像素150的填充因子，因为光
发射不被沉积在衬底102上的额外的不透明元件（例如，驱动电路部件的TFT等）阻挡。

[0081] 此外，每个像素的非有源区域能够被限制到在衬底102上形成的限制结构、表面特征、和/或像素限定层（其示例以下进一步被详细描述）。导电栅格也能够被设置在衬底102
上以防止跨过显示器100的非期望的电压降，这能够产生，因为在顶部发射OLED结构中使用
的透明顶部电极典型地具有低导电率。当公共电极被地毯式沉积在限制井120、130、140内
以及在限制结构104之上时，导电栅格能够被设置在衬底102的非有源部分上并且通过在选
择的限制结构104中形成的通孔被耦合到公共电极。然而，本公开内容不被限制到顶部发射
有源矩阵OLED配置。在本文中讨论的技术和布置能够与下述一起使用：任何其它类型的显
示器，诸如底部发射和/或无源显示器，以及本领域普通技术人员将理解如何使用合适的修
改来制作的那些显示器。

[0082] 在示范性实施例中，如在图3A中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素区，该多个有源子像素区分别跨越W1和W2、被间隙S分开、并且被限制在具有宽度CW的井内。尺
度W1、W2、和CW主要与像素节距有关，该像素节距与显示器的分辨率（例如，326 ppi、440
ppi）相关。间隙S的尺度与约束和布局有关，该约束与制造技术和工艺相关联。一般地，可以
期望最小化与间隙S相关联的尺度。比如3 μm可以是最小尺度；然而本领域普通技术人员将
意识到从与1μm一样小到大于10 μm的尺度是可能的。限制结构104的高度H也与处理约束而
不是特定的显示器布局或分辨率有关。尽管限制结构104的高度H的示范性值可以是1.5 μ
m，但是在各种示范性实施例中高度H能够范围为0.5 μm到5 μm。参考图3B，BW是在邻近井
（例如，在图3B中的井120和130）之间的限制结构104的宽度。如以上描述的，可以期望最小
化这个尺度并且示范性值是12 μm。然而，本领域普通技术人员将理解：在一些实例中，取决
于可以对BW允许这样小的值的制造技术和工艺，这个值能够任意大（比如，几百微米）并且
也能够与1 μm一样小。

[0083] 现在参考图4，图解显示器200的限制井220的示范性实施例的横截面视图。图4的布置类似于以上参考图3A描述的布置，其中相似的数字被用来表示相似的元件，除了使用
与100系列相对的200系列之外。然而如图解的，OLED显示器200也包含在电极206、208之间
在间隙S中设置的额外表面特征216。

[0084] 表面特征216能够是任何结构，该任何结构不直接提供到设置在它之上的OLED薄膜中的电流，由此包括在与电极206、208相关联的有源区之间的像素区域的非有源区。比
如，表面特征216能够进一步包括不透明材料。如在图4中描绘的，空穴导电层210和有机光
发射层212能够被沉积在这样的电路元件的部分之上，如由表面特征216形貌上表示的。在
表面特征216含有电元件的情形中，这样的元件可以用电绝缘材料进一步涂布以将那些元
件与沉积到表面特征216上的OLED薄膜电隔离。

[0085] 在示范性实施例中，表面特征216能够包含驱动电路，该驱动电路包含但不被限制到比如互连、总线线路、晶体管、和本领域普通技术人员熟悉的其它电路。在一些显示器中，
驱动电路被设置成接近被这样的电路驱动的像素的有源区以最小化复杂的互连并且减少
电压降。在一些情形中，限制井将围绕单独子像素并且这样的电路能够在限制井区外，使得
电路将不用有源OLED层来涂布。然而，在图4的示范性实施例以及在本文中描述的其它中，
因为限制井220能够含有与不同像素相关联的多个子像素，所以这样的驱动电路元件能够
被提供在限制井内，这可以优化驱动电子设备的电性能、优化驱动电子设备布局、和/或优
化填充因子。

[0086] 空穴导电层210和有机光发射层212能够被沉积（如之前比如参考图3A和3B讨论的）到由限制井结构204限定的区中以及在表面特征216之上，使得层210、212与在下面的表
面特征形貌足够一致并且在限制井中具有基本上均匀的厚度，从而导致层210和212具有非
平面顶部表面。在其中表面特征216以大于层210和212中的一个或两者的厚度的距离在电
极的顶部表面的平面上方延伸的配置中，则那些层中的一个或两者在井220内在与显示器
的平面平行的平面中也将是不连续的。因而，由于与表面特征216相关联的凸出，一个或两
者层210、212在与显示器的平面平行的平面中将是非平面的并且不连续的。如以上，这比如
通过图解平面P的虚线来图解，该平面P与设置在电极206、208之上的212的表面共面。如所
示出，层212跨过整个限制井不是平面的并且替代地与在下面的形貌足够一致，使得由于间
隙区S和凸出216，层212具有总体非平面顶部表面。换句话说，层210、212中的一个或两者跨
过限制井将升高和落下，以与在层210、212的沉积之前的井的现有形貌足够一致。

[0087] 尽管在图4中将表面特征216图解为具有大于电极的厚度，但是表面特征216能够替选地具有小于或等于电极的厚度。另外，尽管在图4中表面特征216被图解为设置在衬底
202上，但是表面特征216能够被进一步设置在电极206、208中的一个或两者之上。表面特征
216能够针对在阵列中的每个限制井而不同并且不是所有的限制井必须包含表面特征。表
面特征216能够进一步起像素限定层的作用，其中表面特征216的不透明属性能够被用来限
定总体像素布置或子像素的部分。

[0088] 现在参考图5A和5B，图解依据本公开内容的显示器限制井的另一个示范性实施例的部分横截面视图。图5A和5B的布置类似于以上参考图3A和3B描述的布置，其中相似的数
字被用来表示相似的元件，除了使用与100系列相对的300系列之外。然而如在图5A和5B中
图解的，OLED显示器300也包含限定层314。限定层314能够被沉积在衬底302上，其中限制结
构304能够被设置在限定层314之上。此外，限定层314能够被设置在电极306、308的非有源
部分之上。限定层314能够是具有被用来限定OLED显示器300的部分的电绝缘属性的任何物
理结构。在实施例中，限定层314能够是像素限定层，该像素限定层能够是被用来在像素阵
列内描绘像素的任何物理结构。限定层314也能够描绘子像素。

[0089] 如图解的，在示范性实施例中，限定层314能够延伸超过限制结构304到电极306、308的部分之上。限定层314能够由电阻性材料制成，使得限定层314防止电流流动并且因而
能够通过基本上防止穿过子像素的边缘的光发射来减少不想要的视觉伪象。限定层314也
能够被提供以具有用来减轻或防止形成不均匀性的结构和化学性质，其中OLED薄膜涂布在
限定层的边缘之上。这样，限定层314能够辅助遮掩在表面特征周围形成的薄膜不均匀性，
该薄膜不均匀性另外将被包含在像素区域的有源区中并且随后促成像素不均匀性；这样的
不均匀性能够比如发生在其中OLED薄膜接触限制井的每个子像素的外部边缘处，或在其中
OLED薄膜接触衬底表面的每个子像素的内部边缘处。

[0090] 空穴导电层310和有机光发射层312能够每个被沉积在由限制结构304限定的区内以及在像素限定层之上，以形成在限制井320内的连续层。如以上关于图3A和3B描述的，层
310、312能够与限制井的总体形貌足够一致，并且因而可以具有非平面表面和/或在显示器
的平面中是不连续的，如比如由在图5A中的平面P图解的。如以上参考图3A的示范性实施例
解释的，空穴导电层310和有机光发射层312的厚度能够基本上均匀，如以上描述的。

[0091] 在示范性实施例中，如在图5A中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的W1和W2并且被含在具有宽度CW的限制井内，其中
W1、W2、和CW主要与像素节距有关，如以上参考图3A讨论的。类似地，间隙S的尺度与制造和
处理技术以及布局有关，其中在示范性实施例中S可以范围为1 μm到大于10 μm，其中3 μm
是针对S的示范性尺度。限制结构304的高度H可以如以上参考图3A描述的。参考图5B，如以
上描述的，BW是在邻近井之间的限制结构304的宽度，并且能够如以上参考图3B描述的那样
来选择。

[0092] 基于制造技术和处理条件以及使用的限定层材料的类型，与限定层的厚度相关联的尺度T能够是可变的。在各种示范性实施例中，与限定层的厚度相关联的尺度T能够范围
为25 nm到2.5 μm，但是从100 nm到500 nm能够被认为最典型的范围。能够如期望选择在图
5A中标示为B1、B2并且在图5B中标示为B1、B1’的尺度，该尺度与在限制井内的超过限制结
构104边缘的限定层的延伸相关联。然而，更大尺度可以通过减少可获得的有源像素电极区
域的量来促成填充因子的减少。因此，可以期望选择将服务期望功能的最小尺度，这通常从
有源电极区域排除边缘不均匀性。在各种示范性实施例中，这个尺度能够范围为1 μm到20
μm，并且可以比如范围为2 μm到5 μm。

[0093] 现在参考图6，图解显示器400的限制井420的示范性实施例的横截面视图。图6的布置类似于以上参考图5A和5B描述的布置，其中相似的数字被用来表示相似的元件，除了
使用与300系列相对的400系列之外。然而如所示出，OLED显示器400也包含在电极406、408
之间在间隙S中设置的额外限定层416。如在图6中示出，限定层416能够是具有与图4的表面
特征有点不同的结构的表面特征，因为额外限定层416的部分贯穿在衬底402上的间隙S以
及在邻近间隙的电极406、408的部分之上延伸。额外限定层416能够具有任何形貌，其中在
图6中图解的一个仅是示范性的。如在图6中图解的，槽口417能够在背对衬底102的额外限
定层416的表面中存在。槽口417能够使用各种方法来形成。比如，槽口417可以由制造工艺
产生，使得在额外限定层416的沉积期间层416能够一般地与在限制井内存在的任何形貌诸
如电极406、408一致，其中槽口417通过在电极406、408之上的基本上均匀的厚度和与电极
406、407的顶部表面不相关联的表面的基本上不均匀的厚度之间的不同厚度来形成。替选
地，槽口417能够被省略并且额外限定层416的顶部表面能够具有基本上平面的形貌，比如
在如下情形中：额外限定层416使用非共形沉积方法来沉积，使得平滑在下面的表面形貌。

[0094] 在任一配置中，空穴导电层410和/或有机光发射层412能够被沉积（如之前讨论的，比如参考图3A和3B），使得层410、412与额外限定层416的形貌足够一致并且具有基本上
均匀的厚度，如以上已被描述的。

[0095] 在额外限定层416的顶部表面（即背对衬底的表面）和衬底402之间的距离能够大于或小于在电极406、408的顶部表面和衬底402之间的距离。替选地，在额外限定层416的顶
部表面和衬底402之间的距离能够基本上等于在电极406、408的顶部表面和衬底402之间的
距离。换句话说，额外限定层416的厚度能够使得它范围为被定位在衬底的顶部表面和周围
的限制结构404的顶部表面之间，或使得它基本上位于与限制结构404的顶部表面相同的平
面中。替选地，额外限定层416能够与电极406、408基本上相同的高度，使得额外限定层416
不交叠电极406、408的部分，而是在它们之间在间隙S中填充。

[0096] 空穴导电层410和有机光发射层412能够被设置在延伸超过限制结构404以及到井420中的限定层414的部分之上，并且层410、412能够在由限制结构404限定的限制井420内
在额外限定层416之上延伸。额外限定层416能够由电阻性材料制成，使得额外限定层416能
够防止电流流动并且因而可以通过防止穿过子像素的边缘的光发射来减少不想要的视觉
伪象。限定层414和额外限定层416可以由相同或不同材料制成。

[0097] 在示范性实施例中，如在图6中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的W1和W2并且被含在具有宽度CW的限制井内，其中
W1、W2、CW和S主要与像素节距有关，如以上讨论的。如以上，3 μm可以是针对S的最小尺度，
但是本领域普通技术人员将意识到从与1 μm一样小到甚至大于10 μm的尺度是可能的。限
制结构404的高度H能够被选择并且比如具有如以上参考图3A和3B描述的范围。

[0098] 基于制造技术、处理条件和使用的限定层材料的类型，与限定层的厚度相关联的尺度T1和与额外限定层的厚度相关联的尺度T2能够是可变的。结果，与限定层的厚度相关
联的尺度T1和与额外限定层的厚度相关联的尺度T2能够范围为50 nm到2.5 μm，比如从100
nm到500 nm。与在限制井的边缘内部的限定层的延伸相关联的尺度SB1、SB2、和B2能够如期
望地来选择。然而，更大尺度可以将通过减少可获得的有源像素电极区域的量来促成填充
因子的减少。因此，可以期望选择将服务期望功能的最小尺度，这通常从有源电极区域排除
边缘不均匀性。在各种示范性实施例中，这个尺度能够范围为1 μm到20 μm，并且可以比如
范围为2 μm到5 μm。

[0099] 如基于本公开内容本领域技术人员将意识到的，任何公开的限定层配置能够以不同方式的任何组合来使用以实现期望的像素限定配置。比如，限定层414和/或额外限定层
416能够被配置成限定任何像素和/或子像素区或任何部分像素和/或子像素区，其中限定
层414能够与沉积在任何限定结构404下的限定层相关联并且额外限定层416能够与在电极
之间的限制井内诸如在限制井420中沉积的任何限定层相关联。本领域普通技术人员将意
识到，在本公开内容内示出的横截面仅是图解的横截面并且因此本公开内容不被限制到图
解的特定横截面。比如，尽管图3A和3B分别沿着线3A-3A和3B-3B来图解，但是沿着不同线来
取的比如包含在与3A-3A和3B-3B正交的方向中的不同横截面视图可以反映不同限定层配
置。在示范性实施例中，限定层能够以组合来使用以描画像素诸如在图2中图解的像素150、
151、152的轮廓。替选地，限定层能够被配置成限定子像素，使得限定层完全或部分地围绕
限制井内的子像素电极。

[0100] 现在参考图7，图解又一个示范性实施例的横截面视图。OLED显示器500能够包含表面特征516和限定层514。图7的布置类似于以上参考图4描述的布置，其中相似的数字被
用来表示相似的元件，除了使用与200系列相对的500系列之外。然而如在图7中图解的，
OLED显示器500进一步包含限定层514，该限定层514被设置在限制结构504下。限定层514能
够是被用来限定OLED显示器500的部分的任何物理结构。在实施例中，限定层514能够是像
素限定层，该像素限定层能够是被用来在像素阵列和/或带有像素的子像素内描绘像素的
任何物理结构。如图解的，在示范性实施例中，限定层514能够超过限制结构504以及在电极
506、508的部分之上延伸。限定层514能够由电阻性材料制成，使得限定层514防止电流流动
并且因而能够通过防止光发射穿过子像素的边缘来减少不想要的视觉伪象。这样，限定层
514能够辅助遮掩薄膜层不均匀性，该不均匀性在每个子像素的边缘处形成，该不均匀性由
于边缘干燥效应可以发生。空穴导电层510和有机光发射层512能够被沉积（如之前比如参
考图3A和3B讨论的），使得层510、512与在下面的表面特征形貌足够一致并且具有基本上均
匀的厚度，如以上已被描述的。

[0101] 本领域普通技术人员将意识到各种布置和结构例如表面特征、限定层等仅是示范性的，并且各种其它组合和布置可以被预见且落在本公开内容的范围内。

[0102] 现在参考图8-11，图解在制造OLED显示器600的示范性方法期间展示各种示范性步骤的衬底的部分横截面视图。尽管以下参考显示器600将讨论制造的方法，但是任何描述
的步骤和/或描述的步骤中的所有能够被用在制造其它OLED显示器比如以上描述的OLED显
示器100、200、300、400、和500中。如在图8中图解的，电极606、608和表面特征616能够被提
供在衬底602之上。电极606、608和表面特征616能够使用任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴
印刷、狭缝涂布、旋转涂布、真空热蒸发、溅射（或其它物理气相沉积方法）、化学气相沉积等
来形成，并且在沉积技术中另外未被包含的任何额外的图案化能够通过使用阴影遮掩、光
刻（光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模）、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。电极606、
608能够与表面特征616同时形成或与首先形成的电极或表面特征顺序地形成。

[0103] 限定层614和额外限定层618随后能够被沉积在表面特征616和电极606、608之上，如在图9中图解的。层614和618能够使用任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、
旋转涂布、真空热蒸发、溅射（或其它物理气相沉积方法）、化学气相沉积等来形成，并且在
沉积技术中另外未被包含的任何需要的额外图案化能够通过使用阴影遮掩、光刻（光致抗
蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模）、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。限定层614能够与额外
限定层618同时形成或层614、618能够与首先形成的层614或618顺序地形成。

[0104] 限制结构604被提供在限定层614之上。限制结构604能够被形成以限定限制井620，该限制井620围绕多个子像素电极606、608同时跨越多个像素。限制结构604能够使用
任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、真空热蒸发、溅射（或其它物
理气相沉积方法）、化学气相沉积等来形成，并且在沉积技术中另外未被包含的任何额外的
图案化能够通过使用阴影遮掩、光刻（光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模）、湿法刻蚀、干
法刻蚀、剥离等来实现。在一个示范性技术中，如在图10中图解的，限制结构材料能够以连
续层604’被沉积在衬底602之上，并且该层随后能够使用掩膜607被图案化，使得层604’的
部分605能够被去除以暴露子像素电极606、608。限制结构604通过在去除部分605后剩余的
层604’的材料来形成。替选地，限制结构604能够通过如下来形成：活性地沉积材料以仅形
成限制结构，使得沉积的限制结构604能够限定边界并且限制井被形成在沉积的限制结构
604的边界内。

[0105] 在示范性实施例中，如在图10中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的W1和W2。如以上，尺度W1、W2、和CW主要与像素节距
有关。并且间隙S的尺度与约束和布局有关，该约束与制造技术和处理相关联，并且间隙S的
尺度可以范围为1μm到甚至大于10 μm，其中3 μm是示范性的最小尺度。与在限制井的边缘
内部的限定层的延伸相关联的尺度SB1和SB2能够如期望的那样来选择。然而，更大尺度将
通过减少可获得的有源像素电极区域的量来促成填充因子的减少。因此，可以期望选择将
服务期望功能的最小尺度，这通常从有源电极区域排除边缘不均匀性。在各种示范性实施
例中，这个尺度能够范围为1 μm到20 μm，并且可以比如范围为2 μm到5 μm。

[0106] 如在图11中图解的，空穴导电层610随后能够使用喷墨印刷被沉积在限制井620内。比如，喷墨喷嘴650能够在目标区域内引导空穴导电材料的（一个或多个）液滴651，该目
标区域被限定在限制井620内。空穴导电层610可以进一步包括两个分立层，比如空穴注入
层和空穴输运层，并且这些层能够通过如在本文中描述的喷墨方法顺序地被沉积。此外，有
机光发射层612能够使用喷墨印刷在空穴导电层610之上在限制井620内被沉积。喷墨喷嘴
650能够在空穴导电层610之上在目标区域内引导有机光发射材料的（一个或多个）液滴
651。本领域普通技术人员将意识到尽管参考图11讨论单个喷嘴，但是多个喷嘴能够被实施
以在多个限制井内提供含有空穴导电材料或有机光发射材料的液滴。如本领域普通技术人
员熟悉的，在一些实施例中，能够从多个喷墨喷嘴头同时沉积相同或不同色彩的有机光发
射材料。此外，在目标衬底表面上的液滴喷出和放置能够使用本领域普通技术人员所知的
技术来执行。

[0107] 在示范性实施例中，单个有机光发射层612能够被沉积在限制井620内，诸如红色、绿色、或蓝色层。在替选的示范性实施例中，多个有机光发射层能够在限制井620内在彼此
之上被沉积。这样的布置比如当光发射层具有不同光发射波长范围时能够起作用，使得当
一个光发射层被激活以发光时，另一个光发射层不发光或干扰第一个有机光发射层的光发
射。比如，红色有机光发射层或绿色有机光发射层能够被沉积在限制井620内并且随后蓝色
有机光发射层能够被沉积在红色或绿色有机光发射层之上。这样，尽管限制井能够包含两
个不同的光发射层，但是仅一个光发射层被配置成在限制井内发光。

[0108] 层610和612能够被沉积以与限定层614、表面结构616、额外限定层618、和电极606、608的形貌足够一致，如以上已被描述的，并且能够具有基本上均匀的厚度，如以上描
述的。

[0109] 以上参考图3A-11描述的各种方面能够被用于依据本公开内容的多种像素和子像素布局，其中图2是一个示范性和非限制的这样的布局。由本公开内容设想的各种额外示范
性布局被描绘在图12-18中。各种示范性布局图解存在用来实施在本文中描述的示范性实
施例的许多方式；在许多情形中，任何特定布局的选择被下述各种因素驱动，诸如比如电路
的在下面的布局、期望的像素形状（其在图解的实施例中被描绘为长方形和六边形，但是也
能够是其它形状，诸如人字形、圆形、六边形、三角形等等），以及与显示器的视觉外观有关
的因素（诸如能够对显示内容诸如文本、图形、或动态视频的不同类型和对不同配置观察到
的视觉伪象）。本领域普通技术人员将意识到多个其它布局落在本公开内容的范围内，并且
能够通过修改且基于在本文中描述的原理来得到。进一步，本领域普通技术人员将理解尽
管为了简化以下在图12-18的描述中仅描述限定限制井的限制结构，但是包含以上参考图
3A-11描述的表面特征、电路、像素限定层、和其它层的任何特征能够结合在本文中的任何
像素布局来使用。

[0110] 图12描绘用于OLED显示器700的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面视图，并且类似于图2的布局，其中以下描述布局的进一步方面。限制结构704，比如如以上讨
论的岸结构，能够被提供在衬底上以限定在被排列的配置中的多个限制井720、730、740。每
个限制井720、730、740能够包含OLED材料的基本上连续的层（由阴影区指示），使得有机层
延伸穿过限制井720、730、740到围绕限制井的限制结构704，比如在每个井720、730、740中
的OLED材料的层的边缘可以接触限制结构704。OLED层能够包含比如下述中的一个或多个：
空穴注入材料、空穴输运材料、电子输运材料、电子注入材料、空穴阻挡材料、和提供发射不
同光发射波长范围的有机光发射材料。比如，限制井720能够包含与在红色波长范围内的光
发射相关联的有机光发射层并且由R指示，限制井730能够包含与在由G指示的绿色波长范
围内的光发射相关联的有机光发射层，并且限制井740能够包含与在由B指示的蓝色波长范
围内的光发射相关联的有机光发射层。井720、730、740能够具有多种布置和配置，关于彼此
包含（例如布局）。比如，如在图12中图解的，分别含有红色有机光发射层R和绿色有机光发
射层G的限制井720和限制井730以交替的布置被设置在行R1、R3中。与行R1和R3交替的是含
有蓝色有机光发射层B的限制井740的行R2和R4。限制井720、730也能够被替选地布置在行
R1、R3内。

[0111] 多个电极706、707、708、709；736、737、738、739；和742、744能够分别被设置在每个限制井720、730、740内，其中每个电极能够与子像素相关联，该子像素与特定光发射色彩诸
如红色、绿色、或蓝色光发射相关联。在图12中由虚线识别的像素750、751、752、753能够被
限定成包含具有红色光发射的一个子像素、具有绿色光发射的一个子像素、和具有蓝色光
发射的一个子像素。比如，每个限制井720、730、740能够分别包含多个电极706、707、708、
709；736、737、738、739；和742、744，该多个电极被配置成使得它们的相关联电极有源区对
应于在图12中示出的电极轮廓，被彼此间隔开。限制井720、730、740能够在限制井内具有电
极的不同数目和/或布置。替选地，额外的布置是可能的，诸如带有除了红色、绿色、和蓝色
以外的其它色彩集合的、包含涉及多于三个子像素色彩的色彩组合的布置。其它布置也是
可能的，在其中单个色彩的多于一个子像素与特定像素相关联，比如每个像素能够具有与
它相关联的一个红色、一个绿色、和两个蓝色子像素、或特定色彩和色彩的其它组合的子像
素的数目的其它组合。另外，如果不同的光发射材料的多层被定位在彼此之上，则设想不同
色彩子像素可以彼此交叠。如在图12中图解的，子像素电极能够与限定限制井的结构间隔
开。在替选的实施例中，子像素电极能够被沉积，使得它们直接邻近限制井结构，使得在电
极和限制结构之间不发生间隙。此外，限制井结构能够被设置在子像素电极的部分之上。

[0112] 此外，邻近限制井能够具有不同的子像素布置。比如，如在图12中图解的，限制井720和730包含2×2有源电极区布置，并且限制井740包含1×2有源电极区布置，其中在2×2
布置中的有源电极区是相同尺寸的方形，并且在1×2布置中的有源电极区是相同尺寸的长
方形。如以上指出的，在不同限制井内的电极能够具有有源区的不同表面积。

[0113] 在一个示范性布置中，与用来寻址在蓝色波长范围B内的光发射的子像素的电极相关联的有源区能够比与用来寻址在红色和/或绿色波长范围R、G内的光发射的电极相关
联的有源区具有更大的表面积。可以期望的是与具有在蓝色波长范围B中的光发射的子像
素相关联的电极的有源区具有比与关联于红色或绿色光发射的子像素电极相关联的有源
区更大的表面积，因为当操作在相同面积亮度级时，与蓝色光发射相关联的子像素经常比
与具有红色或绿色光发射相关联的子像素具有基本上更短的寿命。增加与蓝色光发射相关
联的子像素的相对有源面积能够实现操作在相对更低的面积亮度级同时仍维持相同总体
显示亮度，由此增加与蓝色光发射相关联的子像素的寿命和显示器的总体寿命。指出可以
关于与蓝色光发射相关联的子像素相应地减少与红色和绿色光发射相关联的子像素。这能
够导致关于与蓝色光发射相关联的子像素以更高亮度级来驱动与红色和绿色光发射相关
联的子像素，这能够减少红色和绿色OLED器件寿命。然而，与红色和绿色光发射相关联的子
像素的寿命能够比与关联于蓝色子像素的子像素相关联的寿命显著地更长，与蓝色光发射
相关联的子像素关于总体显示器寿命保持为限制性子像素。尽管在限制井740内的电极的
有源区被图解为以它们的在图12中水平延伸的延长方向来布置，但是电极能够替选地被布
置成使得它们的延长方向在图12中垂直地延伸。

[0114] 在邻近限制井之间的空隙能够贯穿像素布局相等或能够变化。比如，参考图12，在限制井720、730之间的空隙b’能够大于或等于在限制井720或730和740之间的空隙f’。换句
话说，在图12的定向中，在行中在邻近限制井之间的水平空隙可以与在邻近行中在邻近限
制井之间的垂直空隙不同。另外，在行R1、R3中的水平空隙b’可以等于在行R2、R4中的水平空
隙a’，或与在行R2、R4中的水平空隙a’不同。

[0115] 在不同的限制井720、730、740中的每个内在电极的有源区之间的间隔（间隙）也能够相同或不同并且可以取决于间隔的方向（例如水平或垂直）来变化。在一个示范性实施例
中，在限制井720、730内在电极的有源区之间的间隙d和e能够相同并且能够与在限制井740
内在电极的有源区之间的间隙不同。进一步，在各种示范性实施例中，在相同或不同行中，
在限制井内在邻近有源电极区之间的间隙小于在相邻限制井中在邻近有源电极区之间的
间隙。比如，在图12中c、d、和e可以每个小于a、b、或f。

[0116] 在图12中在每个限制井例如720的内部边缘和在那个限制井内相关联的有源电极区例如706、707、708、709中的每个的外部边缘之间存在示出的间隙。然而，如在图2中图解
的，依据各种示范性实施例，这样的间隙可以不存在并且有源电极区中的每个的外部边缘
可以与限制井的内部边缘相同。这个配置能够比如使用像在图3A中图解的一个结构的结构
来实现，其中在图12中示出的配置（在其中存在这样的间隙）能够比如使用像在图5A中图解
的一个结构的结构来实现。然而，其它结构也可以能够实现在图2和12中图解的相同配置。

[0117] 像素750、751、752、753能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素750、751、752、753的总体间隔、或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，
节距越小。此外，邻近像素能够具有不同的子像素布置。比如，如在图12中图解的，像素750
包含在顶部左部分中的红色子像素R、在顶部右部分中的绿色子像素G、和在跨越像素的底
部部分的大部分中的蓝色子像素B。像素751的子像素布局类似于像素750的子像素布局，除
了绿色子像素G和红色子像素R的相对定位被交换（其中绿色子像素G在顶部左部分中，红色
子像素R在顶部右部分中）之外。分别邻近像素751、750并且在像素751、750下方的像素752
和753分别是像素751和750的镜像。因而，像素752包含在顶部部分中的蓝色子像素B、在底
部左部分中的绿色子像素G、和在底部右部分中的红色子像素R。并且像素753包含在顶部部
分中的蓝色子像素、在底部左部分中的绿色子像素、和在底部右部分中的红色子像素。

[0118] 在针对依据图12的并且具有326像素/英寸（ppi）的高分辨率显示器的示范性实施例中，包含红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的像素能够具有近似78 μm×78 μm的总
体尺度，从而对应于为实现326 ppi所需要的显示器的总体节距。针对这个实施例假定a’=
b’=f’=12 μm，如之前讨论的，反映在限制区之间的现有技术水平的最小间隔，进一步假定a
=b=f=12 μm+6 μm =18 μm，反映在其中利用在限制井边缘内部延伸3 μm的限定层的情形，
并且最后假定c=d=e=3 μm作为在限制井内在电极有源区之间的典型间隙，与红色和绿色子
像素中的每个相关联的面积能够是28.5 μm×28.5 μm并且与蓝色子像素相关联的面积能
够是60 μm×27 μm。蓝色子像素的表面积能够大于红色和绿色子像素中的每个以增加总体
显示器寿命，如以上描述的。这样的布局能够具有与具有66 μm×66 μm的尺度的2×2红色
和绿色子像素的群组相关联的限制井，和与具有66 μm×66 μm的尺度的1×2蓝色子像素的
群组相关联的限制井。这样的尺度提供用传统喷墨印刷头和印刷系统对有源OLED材料的直
接加载，同时也提供带有大于50%诸如53%的高填充因子的高分辨率显示器。这样的尺度也
提供在具有限定层的结构中的这样的特征，该限定层能够通过阻挡穿过紧接邻近限制井壁
的薄膜区的电流流动而在有源电极区内提供提升的薄膜均匀性。

[0119] 在针对具有440像素/英寸（ppi）的高分辨率显示器的对应的示范性实施例中，包含红色子像素、绿色子像素、和蓝色子像素的像素能够具有近似58 μm×58 μm的总体尺度，
其中假定针对尺度a、b、c、d、e、f、a’、b’、和f’的值与在紧接之前示例中相同，与红色和绿色
子像素中的每个相关联的面积能够是18.5 μm×18.5 μm并且与蓝色子像素相关联的面积
能够是40 μm×17 μm。蓝色子像素的表面积能够大于红色和绿色子像素中的每个以增加总
体显示器寿命，如以上描述的。这样的布局能够具有与具有46 μm×46 μm的尺度的2×2红
色和绿色子像素的群组相关联的限制井，和与具有46 μm×46 μm的尺度的1×2蓝色子像素
的群组相关联的限制井。这样的尺度提供用传统喷墨印刷头和印刷系统对有源OLED材料的
相对直接的加载，同时也提供带有40%的高填充因子的高分辨率显示器。

[0120] 在每个以上示范性实施例中，能够实施针对尺度a、b、c、d、e、f、a’、b’、和f’的各种值。然而，本领域普通技术人员将意识到这些尺度变化。比如在限制壁（a’、b’、f’）之间的间
隔能够变化，如之前讨论的，对大ppi而言从与1 μm一样小到与几百微米一样大。在限制井
（c、d、e）内在有源电极区之间的间隙能够变化，如以上讨论的，从与1 μm一样小到与几十微
米一样大。在有源电极区和限制壁的边缘之间的间隙（有效地分别是在a’和a、b’和b、以及
f’和f之间的差的一半）也能够变化，如以上讨论的，从与1 μm一样小到与10 μm一样大。此
外，因为这些尺度是变化的，所以它们连同ppi（确定显示器的总体节距）一起施加约束，该
约束限制对限制井尺度和含在其中的有源电极区所允许的值的范围。在以上示范性实施例
中，为了简化，相同尺度的方形限制井被用于所有的三个色彩。然而，限制井不需要是方形，
并且不需要所有都是相同尺寸。此外，在图12中提供的尺度指示各种常见尺度，比如，在红
色限制井和绿色限制井内在有源电极区之间的间隙，但是在一些示范性实施例中那些间隙
不是常见尺度而是彼此不同。

[0121] 图13描绘OLED显示器800的另一个示范性像素/子像素布局的部分平面视图。与之前讨论的示范性实施例共同的特征不被描述。为了简化，将讨论不同。

[0122] 与比如在图12中图解的显示器700的子像素电极相比，显示器800能够具有在限制井内的与子像素电极相关联的有源区之间的更大的分开。在分别限制井820、830、840内在
与电极806、807、808、809；836、837、838、839；和842、844相关联的邻近有源区之间的间隔能
够大于在邻近限制井中在邻近有源电极区之间的空隙。比如，与电极836相关联的有源区能
够以预确定距离g彼此间隔开，并且类似地对与电极838相关联的有源区而言。在相邻限制
井820、830中在邻近有源电极区之间的空隙k能够小于在与电极836、838相关联的有源区之
间的空隙g，并且在与电极842（并且类似地对电极844）相关联的有源区之间的空隙m能够大
于在相邻限制井840和限制井820、830中在邻近有源电极区之间的空隙n。这样的间隔能够
在设置在限制井内并且与相同光发射色彩相关联的子像素电极之间提供更大间隔同时提
供与单个限定像素相关联的子像素电极的更紧密的布置。这个间隔能够减少不期望的视觉
伪象，使得显示器看似是紧密布置的RGB三元组的阵列而不是紧密布置的RRRR四元组、GGGG
四元组、和BB对的阵列。

[0123] 在图14中描绘依据本公开内容的用于显示器的另一个示范性像素/子像素布局。限制结构904能够被提供在衬底上以限定在被排列的配置中的多个限制井920、930、940。每
个限制井920、930、940能够包含OLED材料的基本上连续的层（由阴影区指示），使得有机层
的边缘延伸贯穿限制井920、930、940到围绕限制井的限制结构904，比如在每个井920、930、
940中的OLED材料层的边缘可以接触限制结构904。有源OLED层比如能够包含而没有限制下
述中的一个或多个：空穴注入材料、空穴输运材料、电子输运材料、电子注入材料、空穴阻挡
材料、和提供发射不同光发射波长范围的有机光发射材料。比如，限制井920能够包含与在
红色波长范围R内的光发射相关联的有机光发射层，限制井930能够包含与在绿色波长范围
G内的光发射相关联的有机光发射层，并且限制井940能够包含与在蓝色波长范围B内的光
发射相关联的有机光发射层。有机光发射层能够以任何布置和/或配置被设置在井内。比
如，设置在限制井920、930、940中的有机光发射层被布置成在每行内具有交替布置。邻近行
能够具有相同布置或不同布置。此外，尽管限制井920、930、940的邻近行被图解为具有均匀
对准，但是限制井920、930、940的邻近行能够替选地具有不均匀对准，诸如偏移布置。另外，
限制井920和930能够以替选图案被颠倒。

[0124] 每个井920、930、940的配置能够具有长方形形状，使得每个井在垂直方向中被延长。井920、930、940在延长的垂直方向中能够具有近似相同的尺度。此外，井920、930、940能
够具有近似相同的宽度。然而，与蓝色有机光发射层相关联的整个井940能够与单个子像素
并且因而与像素相关，而与红色和绿色有机光发射层相关联的井920、930能够与多个子像
素并且因而与多个像素相关。比如，限制井920、930能够包含多个电极，使得每个电极与不
同像素的不同子像素相关联。如在图14中图解的，井920包含两个电极926、928并且与两个
不同像素950、951相关联。

[0125] 不同数目的电极926、928、936、938、946能够被设置在不同限制井内。比如，一些限制井920、930能够包含多个电极926、928；和936、938以选择性地寻址设置在相同限制井中
的电极但是针对在不同像素中的不同子像素产生光发射，而其它限制井940仅包含一个电
极946以寻址设置在与一个像素相关联的一个限制井中的电极。替选地，设置在限制井940
中的电极的数目能够是设置在其它限制井920、930中的电极的数目的一半。此外，在不同限
制井内的电极能够具有不同表面积。比如，与在蓝色波长范围内的光发射相关联的电极能
够比与在红色和/或绿色波长范围内的光发射相关联的电极具有更大的表面积以改进显示
器900的寿命并且减少功耗。

[0126] 像素950、951能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素950、951的总体间隔或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，节距越小。此外，邻近像
素能够具有不同的子像素布置。比如，如在图14中图解的，像素950能够包含在左的绿色子
像素G、在中间的蓝色子像素B、和在右的红色子像素R。像素951能够包含在左的红色子像素
R、在中间的蓝色子像素B、和在右的绿色子像素G。

[0127] 图15描绘用于OLED显示器1000的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面视图。与以上讨论的实施例共同的特征不被描述（尽管类似标示能够在图15中以1000系列
被找到）。为了简化，将讨论不同。限制结构1004能够被配置成限定多个井1020、1030、1040。
井1020、1030、1040能够被布置，使得井1020、1030、1040在均匀的行中被对准，其中与红色
光发射和绿色光发射相关联的井（比如，1020、1030）在单个行内交替并且与蓝色光发射相
关联的井（比如，1040）在单个行内。此外，井1020、1030、1040能够被配置，使得井1020、
1030、1040在均匀的列内被对准，从而使得井1020、1040的列与井1030、1040的列交替。限制
井1020和1030能够被替选地布置，使得限制井1030开始交替图案。

[0128] 每个限制井1020、1030、1040能够是近似相同的尺寸。然而，与每个井1020、1030、1040相关联的电极的数目能够不同。比如，如在图15中图解的，与红色光发射相关联的井
1020能够包含电极1026、1027、1028、1029，与绿色光发射相关联的井1030能够包含电极
1036、1037、1038、1039，并且与蓝色光发射相关联的井1040能够包含电极1046、1048。尽管
在限制井1040内的电极被图解为水平间隔来布置，但是电极能够替选地被布置以垂直被间
隔。

[0129] 尽管电极1026、1027、1028、1029、1036、1037、1038、1039在图15中被图解为具有方形形状并且电极1046、1048被图解为具有长方形形状，但是具有任何形状的电极被设想为
在本公开内容的范围内，诸如比如圆形的、人字形、六边形的、不对称的、不规则弯曲等。多
个不同形状电极能够被实施在单个限制井内。此外，不同限制井能够具有不同形状的电极。
电极的尺寸和形状能够影响在电极之间的距离并且因而影响显示器的总体布局。比如，当
形状是互补的时，电极能够一起被间隔得更紧密同时仍维持在邻近电极之间的电隔离。此
外，电极的形状和间隔能够影响创建的视觉伪象的程度。电极形状能够被选择成减少不期
望的视觉伪象并且提升图像合成以产生连续图像。

[0130] 以虚线示出的像素1050、1051能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素1050、1051的总体间隔或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，节
距越小。此外，像素能够被限定为具有不对称的形状。比如，如在图15中图解的，像素1050、
1051能够具有“L”形状。

[0131] 图16描绘用于OLED显示器1100的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面视图。与以上讨论的示范性实施例共同的特征将不被描述（尽管带有1100系列的类似标示
能够在图16中被找到）。限制结构1104能够被配置为限定在多个列C1、C2、C3、C4中的多个限
制井1120、1130、1140。列C1、C2、C3、C4能够被布置成产生错列的布置。比如，在列C1和C3中的
限制井能够与列C2和C4偏移，从而产生错列的行布置同时维持均匀的列布置。像素1150、
1151能够基于限制井布置的节距被限定。限制井布置的节距能够基于显示器的分辨率。比
如，节距越小，显示器分辨率越高。此外，像素能够被限定为具有不对称的形状。比如，如在
图16中由虚线图解的，像素1150、1151能够具有不均匀形状。

[0132] 图17描绘用于OLED显示器1200的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面视图。与以上讨论的实施例共同的特征不被描述（尽管带有1200系列的类似标示能够在图
17中被找到）。如在图17中图解的，限制结构1204能够被配置为限定多个限制井1220、1230、
1240。每个限制井1220、1230、1240能够具有不同的面积。比如，与红色光发射R相关联的井
1220能够具有比与绿色光发射G相关联的井1230更大的面积。此外，限制井1220、1230、1240
能够与不同数目的像素相关联。比如，限制井1220能够与像素1251、1252、1254、1256相关联
并且限制井1230、1240能够与像素1251、1252相关联。井1220、1230、1240能够以均匀的行
R1、R2、R3、R4、R5被配置。行R2、R3和R5能够与蓝色光发射井1240相关联，并且行R1和R4能够与
交替的红色光发射井1220和绿色光发射井1230相关联。限制结构1204能够具有多种尺度
D1、D2、D3、D4。比如，D1能够大于D2、D3、或D4，D2能够小于D1、D3、或D4，并且D3能够近似等于D4。

[0133] 图18描绘用于OLED显示器1300的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面视图。与以上比如图17讨论的实施例共同的特征不被描述（尽管带有1300系列的类似标示
能够在图18中被找到）。限制结构1304能够被配置为限定多个限制井1320、1330、1340。井
1320、1330、1340能够被布置使得与红色光发射1320和绿色光发射1330相关联的井能够在
行内和与蓝色光发射1340相关联的井交替。

[0134] 尽管以上描述各种像素和子像素布局，但是示范性实施例绝不限制如所描述的跨越多个像素的限制井的形状、布置、和/或配置。替代地，与本公开内容相关联的限制井与喷
墨印刷制造方法结合允许选择灵活的像素布局布置。

[0135] 设想能够使用喷墨印刷来实现高分辨率OLED显示器的各种像素布局。比如，如在图19中图解的，限制结构1404能够创建六边形图案，使得像素1450能够包括与红色发射R相
关联的限制井1420、与绿色发射G相关联的限制井1430、和与蓝色发射B相关联的限制井
1440。由于节距，限制井的形状、和将限制井更紧密包在一起的能力，具有高分辨率的OLED
显示器能够使用喷墨印刷来创建。

[0136] 在本文中公开的实施例能够被用来在任何OLED显示器中实现高分辨率。所以，它能够被应用到各种电子显示器设备。这样的电子显示器设备的一些非限制性示例包含：电
视显示器、视频相机、数字相机、头戴式显示器、汽车导航系统、包含显示器的音频系统、膝
上型个人计算机、数字游戏机设备、便携式信息终端（诸如平板电脑、移动计算机、移动电
话、移动游戏机设备或电子书）、配备有记录媒介的图像回放装置。在图20和21中图解电子
显示器设备的两个类型的示范性实施例。

[0137] 图20图解结合依据本公开内容的任何OLED显示器的电视监视器和/或台式个人计算机的监视器。监视器1500能够包含框架1502、支撑物1504、和显示器部分1506。在本文中
公开的OLED显示器实施例能够被用作显示器部分1506。监视器1500能够是任何尺寸的显示
器，比如高到55''和超过55''。

[0138] 图21图解结合依据本公开内容的任何OLED显示器的移动装置1600（诸如蜂窝电话、平板电脑、个人数据助理等）的示范性实施例。移动装置1600能够包含主体1062、显示器
部分1604、和操作开关1606。在本文中公开的OLED显示器实施例能够被用作显示器部分
1604。

[0139] 使用依据本公开内容的示范性实施例的各种方面，一些示范性尺度和参数能够在获得具有增加的填充因子的高分辨率OLED显示器中是有用的。表1-3包含与具有326 ppi的
分辨率的OLED显示器相关联的传统的尺度和参数以及依据本公开内容的示范性实施例的
预言的、非限制性的示例，其中表1描述与红色光发射相关联的子像素，表2描述与绿色光发
射相关联的子像素，并且表3描述与蓝色光发射相关联的子像素。表4-6包含与具有440 ppi
的分辨率的显示器相关联的传统的尺度和参数以及依据本公开内容的示范性实施例的预
言的、非限制性的示例，其中表4描述与红色光发射相关联的子像素，表5描述与绿色光发射
相关联的子像素，并且表6描述与蓝色光发射相关联的子像素。

[0140] 表1

[0141] 针对在具有326 ppi的分辨率的显示器中的与红色发射相关联的子像素子像素的长度（μm）子像素的宽度（μm）限制井的面积（μm2）传统的子像素 65.9 10.5 690.7与如在图3A、3B中图解的限制结构相关联的子像素 31.5 31.5 989.5
带有像素限定层的传统的子像素 59.9 9.0 537.9
与如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构相关联的子像素 28.5 28.5 809.8

[0142] 表2

[0143] 针对在具有326 ppi的分辨率的显示器中的与绿色发射相关联的子像素子像素的长度（μm）子像素的宽度（μm）限制井的面积（μm2）传统的子像素 65.9 10.5 690.7与如在图3A、3B中图解的限制结构相关联的子像素 31.5 31.5 989.5
带有像素限定层的传统的子像素 59.9 9.0 537.9
与如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构相关联的子像素 28.5 28.5 809.8

[0144] 表3

[0145] 针对具有326 ppi的分辨率的显示器的与蓝色发射相关联的子像素子像素的长度（μm）子像素的宽度（μm）限制井的面积（μm2）传统的子像素 65.9 21.0 1381.4与如在图3A、3B中图解的限制结构相关联的子像素 30.0 65.9 1979.1
带有像素限定层的传统的子像素 59.9 18.0 1075.9
与如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构相关联的子像素 27.0 59.9 1619.6

[0146] 表4

[0147] 针对具有440 ppi的分辨率的显示器的与红色发射相关联的子像素子像素的长度（μm）子像素的宽度（μm）限制井的面积（μm2）传统的子像素 45.7 5.4 248.4与如在图3A、3B中图解的限制结构相关联的子像素 21.4 21.4 456.4
带有像素限定层的传统的子像素 39.7 3.9 159.2
与如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构相关联的子像素 18.4 18.4 337.2

[0148] 表5

[0149] 针对具有440 ppi的分辨率的显示器的与绿色发射相关联的子像素子像素的长度（μm）子像素的宽度（μm）限制井的面积（μm2）传统的子像素 45.7 5.4 248.4与如在图3A、3B中图解的限制结构相关联的子像素 21.4 21.4 456.4
带有像素限定层的传统的子像素 39.7 3.9 156.2
与如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构相关联的子像素 18.4 18.4 337.2

[0150] 表6

[0151] 针对具有440 ppi的分辨率的显示器的与蓝色发射相关联的子像素子像素的长度（μm）子像素的宽度（μm）限制井的面积（μm2）传统的子像素 45.7 10.9 496.8与如在图3A、3B中图解的限制结构相关联的子像素 20.0 45.7 912.8
带有像素限定层的传统的子像素 39.7 7.9 312.4
与如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构相关联的子像素 17.0 39.7 674.4

[0152] 表7包含与在具有326 ppi的分辨率的显示器内的像素相关联的传统的尺度和参数以及依据本公开内容的示范性实施例的预言的、非限制性的示例，其中像素包含红色子
像素、绿色子像素、和绿色子像素。

[0153] 表7

[0154] 针对具有326 ppi的分辨率的显示器像素的有源面积（μm2）像素的总面积（μm）填充因子*传统的限制结构 2762.7 6070.6 46%
如在图3A、3B中图解的限制结构 3958.2 6070.6 65%
带有像素限定层的传统的限制结构 2151.8 6070.6 35%
如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构 3239.2 6070.6 53%

[0155] *（有源面积/总面积）上舍入到最近百分点。

[0156] 如以上在表7中图解的，设想依据本公开内容的各种示范性实施例能够与传统限制结构相比实现填充因子改进。比如，针对设想在图3A和3B中图解的限制结构的显示器的
填充因子能够与传统结构相比以大约43%增加填充因子，由此实现65%的总填充因子。在另
一个实施例中，针对设想在图5A和5B中图解的限制结构的显示器的填充因子能够与传统结
构相比以大约51%改进填充因子，由此实现53%的总填充因子。

[0157] 表8包含与在具有440 ppi的分辨率的显示器内的像素相关联的传统的尺度和参数以及依据本公开内容的示范性实施例的预言的、非限制性的示例，其中像素包含红色子
像素、绿色子像素、和绿色子像素。

[0158] 表8

[0159] 针对具有440 ppi的分辨率的显示器像素的有源面积（μm2）像素的总面积（μm）填充因子*传统的限制结构 993.5 3332.4 30%
如在图3A、3B中图解的限制结构 1825.6 3332.4 55%
带有像素限定层的传统的限制结构 624.8 3332.4 19%
如在图5A、5B中图解的带有限定层的限制结构 1348.9 3332.4 40%

[0160] *（有源面积/总面积）上舍入到最近百分点。

[0161] 如以上在表8中图解的，设想依据本公开内容的各种示范性实施例能够与传统限制结构相比实现填充因子改进。比如，针对设想在图3A和3B中图解的限制结构的显示器的
填充因子能够与传统结构相比以大约84%改进填充因子，由此实现55%的总填充因子。在另
一个实施例中，针对设想在图5A和5B中图解的限制结构的显示器的填充因子能够与传统结
构相比以大约116%改进填充因子，由此实现40%的总填充因子。

[0162] 依据本公开内容，以上描述的并且依照本公开内容的各种示范性实施例能够通过增加OLED材料液滴被加载到其中的限制井的尺寸而允许具有相对高的像素密度和增加的
填充因子的OLED显示器的喷墨印刷，并且由此能够实现使用可得到的液滴尺寸和可得到的
喷墨系统液滴放置准确度。由于更大的限制井面积，高分辨率OLED显示器能够使用足够大
喷墨液滴体积和可得到的液滴放置准确度来制造，而不需要利用太小的液滴体积或过分高
的液滴放置准确度，这能够在喷墨设备设计和印刷技术中造成抑制的挑战。在不实施依据
本公开内容的跨越多个子像素的限制井的情况下，液滴尺寸和系统液滴放置误差能够显著
地增加在使用现有喷墨头制造的任何高分辨率显示器中的问题，因为液滴将具有太大的体
积并且将溢出每个子像素井并且传统液滴放置准确度将导致将液滴整体或部分误放在目
标限制井外部，其两者将导致在薄膜沉积中的非期望误差和在最终显示器外观中的对应的
视觉缺陷。以现有液滴体积和液滴放置准确度来实现高像素密度的能力能够使在本文中描
述的技术被用于制造针对许多应用的相对高分辨率的显示器，从小尺寸显示器诸如比如在
智能电话和/或平板电脑中找到，以及大尺寸显示器诸如比如超高分辨率电视。另外，依据
示范性实施例，实现与在下面形貌基本上一致的基本上均匀的厚度的OLED材料层（一个或
多个）能够提升总体OLED显示器性能和质量，并且特别地能够允许在高分辨率OLED显示器
中实现期望的性能和质量。以上描述的实施例中的一个或多个能够实现减少的填充因子。
在传统的像素布置中，针对具有在300-440 ppi的范围中的分辨率的显示器的填充因子具
有小于40%并且经常小于30%的填充因子。相反，针对具有在300-440 ppi的范围中的分辨率
的显示器，本公开内容的示范性实施例可以实现大于40%并且在一些实例中与60%一样高的
填充因子。示范性实施例能够被用于任何像素尺寸和布置，包含在高分辨率显示器内的像
素布置。

[0163] 示范性实施例能够与任何尺寸显示器一起使用并且更具体而言与具有高分辨率的小显示器一起使用。比如，本公开内容的示范性实施例能够与具有在3-70英寸范围中的
对角线尺寸并且具有大于100 ppi比如大于300 ppi的分辨率的显示器一起使用。

[0164] 尽管描述的各种示范性实施例设想利用喷墨印刷技术，但是在本文中描述的各种像素和子像素布局和产生用于OLED显示器的那些布局的方式也能够使用其它制造技术诸
如热蒸发、有机气相沉积、有机蒸汽喷印来制造。在示范性实施例中，也能够执行替选的有
机层图案化。比如，图案化方法能够包含阴影遮掩（连同热蒸发一起）和有机蒸汽喷印。特别
地，尽管在本文中描述的像素布局（在其中相同色彩的多个子像素被群组在一起并且在其
中沉积的OLED薄膜层跨越在被群组的子像素区内的实体形貌）针对喷墨印刷应用已被构
思，但是这样的布局也能够对用于OLED薄膜层沉积的真空热蒸发技术（在其中图案化步骤
使用阴影遮掩来实现）具有有益的替选应用。如在本文中描述的这样的布局提供更大的阴
影掩模孔和在这样的孔之间的增加的距离，由此潜在地改进这样的阴影掩模的一般实用性
和总体机械稳定性。尽管带有阴影掩模的真空热蒸发技术可能不与喷墨技术一样低成本，
但是使用依据本公开内容的像素布局和使用跨越在被群组的与相同色彩相关联的子像素
区内的实体形貌的OLED薄膜层涂层也表示在本文中描述的本公开内容的潜在重要的应用。

[0165] 尽管以上已详细描述仅一些示范性实施例，但是本领域技术人员将容易意识到在示例实施例中许多修改是可能的，而没有本质上脱离该公开内容。所以，所有这样的修改意
图被包含在如在所附权利要求中限定的该公开内容的范围内。

[0166] 在下面部分公开进一步方面。

[0167] 第一方面涉及有机发光二极管（OLED）显示器。第一方面能够包含设置在衬底上的第一电极。第一电极能够与第一子像素相关联。第一方面能够进一步包含第二电极，该第二
电极被设置在衬底上并且与第一电极间隔开以提供在第一和第二电极之间的间隙。第二电
极能够与第二子像素相关联。限制结构能够被定位在衬底上以限定含有第一电极和第二电
极的井的边界。OLED显示器也能够包含基本上连续的有源OLED材料层，该基本上连续的有
源OLED材料层跨越井的边界并且被设置在第一电极和第二电极之上。背对衬底的有源OLED
材料层的表面能够具有非平面形貌。

[0168] 依据第一方面的第二方面，OLED显示器能够进一步包含具有基本上均匀厚度的有源OLED材料的层。

[0169] 依据前述方面中的任何一个的第三方面，OLED显示器能够进一步包含有源OLED材料的层，该有源OLED材料的层包含厚度中的局部不均匀性。

[0170] 依据前述方面中的任何一个的第四方面，OLED显示器能够进一步包含在井中的表面特征的边缘的5 μm-10 μm内的厚度中的局部不均匀性。

[0171] 依据前述方面中的任何一个的第五方面，OLED显示器能够进一步包含具有小于第一电极和第二电极的厚度的厚度的有源OLED材料的层。

[0172] 依据前述方面中的任何一个的第六方面，OLED显示器能够进一步包含有源OLED材料，该有源OLED材料包括光发射材料和/或空穴导电材料。

[0173] 依据前述方面中的任何一个的第七方面，OLED显示器能够进一步包含空穴导电材料，该空穴导电材料包括空穴注入材料和/或空穴输运材料。

[0174] 依据前述方面中的任何一个的第八方面，OLED显示器能够进一步包含在第一电极和第二电极之间的间隙内在衬底上提供结构和/或在该结构上沉积第一限定层。

[0175] 依据前述方面中的任何一个的第九方面，OLED显示器能够进一步包含在第一电极和第二电极的部分以及衬底上沉积第二限定层并且随后在第二限定层之上沉积限制结构。

[0176] 依据前述方面中的任何一个的第十方面，OLED显示器能够进一步包含第一限定层和/或第二限定层，该第一限定层和/或第二限定层包括电阻性材料。

[0177] 依据前述方面中的任何一个的第十一方面，OLED显示器能够进一步包含具有大于40%比如大于60%的填充因子的显示器。

[0178] 依据前述方面中的任何一个的第十二方面，OLED显示器能够进一步包含具有至少100 ppi比如至少300 ppi的分辨率的显示器。

[0179] 依据前述方面中的任何一个的第十三方面，OLED显示器能够进一步包含显示器，该显示器是顶部发射显示器。

[0180] 第十四方面涉及制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法。第十四方面能够包含在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其中在
第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底上
的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积有
源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层，该有源OLED材料的基本上连续的层跨
越井的边界，使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷
墨印刷。

[0181] 第十五方面能够进一步包含使用依据方面十四的方法形成的设备。

[0182] 第十六方面涉及有机发光二极管（OLED）显示器。第十六方面能够包含在衬底上提供的限制结构。限制结构能够限定在阵列配置中的多个井。OLED显示器也能够包含设置在
每个井内的多个电极，其中多个电极能够彼此间隔开。具有第一光发射波长范围的第一有
机光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中。具有第二光发射波长范围的第二有机光
发射层能够被设置在多个井中的至少一个中，并且具有第三光发射波长范围的第三有机光
发射层能够被设置在多个井中的至少一个中。设置在与第一和第二有机光发射层相关联的
井内的电极的数目能够与设置在与第三有机光发射层相关联的井内的电极的数目不同。

[0183] 依据第十六方面的第十七方面，OLED显示器能够进一步包含与红色光发射相关联的第一光发射波长范围、与绿色光发射相关联的第二光发射波长范围、和与蓝色光发射相
关联的第三光发射波长范围。

[0184] 依据第十六方面和第十七方面的第十八方面，OLED显示器能够进一步包含能够与限定的像素边界不同的每个井的边界。

[0185] 依据第十六方面到第十八方面的第十九方面，OLED显示器能够进一步包含设置在分别井内的多个电极中的每个能够与不同像素相关联。

[0186] 依据第十六方面到第十九方面的第二十方面，OLED显示器能够进一步包含与第一有机光发射层和/或第二光发射层相关联的井能够具有2×2电极布置。

[0187] 依据第十六方面到第二十方面的第二十一方面，OLED显示器能够进一步包含具有1×2电极布置的与第三有机光发射层相关联的井。

[0188] 依据第十六方面到第二十一方面的第二十二方面，OLED显示器能够进一步包含在与第一有机光发射层和第二有机光发射层相关联的井之间的空隙大于或等于在与第一有
机光发射层和第三有机光发射层相关联的井之间的空隙。

[0189] 依据第十六方面到第二十二方面的第二十三方面，OLED显示器能够进一步包含在与第一有机光发射层和第二有机光发射层相关联的井之间的空隙大于或等于在与第三光
发射层相关联的两个邻近井之间的空隙。

[0190] 依据第十六方面到第二十三方面的第二十四方面，OLED显示器能够进一步包含设置在以大于在邻近井之间的距离的空隙彼此间隔开的井中的至少一个中的多个电极。

[0191] 依据第十六方面到第二十四方面的第二十五方面，OLED显示器能够进一步是顶部发射显示器和/或有源矩阵显示器。

[0192] 依据第十六方面到第二十五方面的第二十六方面，OLED显示器能够进一步具有大于40%比如大于60%的填充因子。

[0193] 依据第十六方面到第二十六方面的第二十七方面，OLED显示器能够具有大于100 ppi比如大于300 ppi的分辨率。

[0194] 第二十八方面涉及有机发光二极管（OLED）显示器。第二十八方面能够包含在衬底上提供的限制结构。限制结构能够限定在阵列配置中的多个井。多个井能够包含第一井、第
二井、和第三井。第一多个电极能够被设置在第一井内，其中在第一井中的每个电极能够与
不同像素相关联。第二多个电极能够被设置在第二井内，其中在第二井中的每个电极与不
同像素相关联。至少一个第三电极能够被设置在第三井内。具有第一光发射波长范围的第
一有机光发射层能够被设置在第一井中。具有第二光发射波长范围的第二有机光发射层能
够被设置在第二井中。具有第三光发射波长范围的第三有机光发射层能够被设置在第三井
中。设置在第一和第二井中的每个内的电极的数目能够与设置在第三井内的电极的数目不
同。

[0195] 依据第二十八方面的第二十九方面，OLED显示器能够进一步包含设置在第三井内的多个电极并且在第三井内的每个电极能够与显示器的不同像素相关联。

[0196] 依据第二十八方面和第二十九方面的第三十方面，OLED显示器能够进一步包含设置在第三井中的电极的数目能够是设置在第一井中的电极的数目的一半。

[0197] 依据第二十八方面到第三十方面的第三十一方面，OLED显示器能够进一步包含显示器的像素，该显示器的像素包含与第一井相关联的子像素、与第二井相关联的子像素、和
与第三井相关联的子像素。

[0198] 依据第二十八方面到第三十一方面的第三十二方面，OLED显示器能够进一步包含与包含具有第一表面积的有源电极区的第一和第二井中的每个相关联的子像素以及与包
含具有第二表面积的有源电极区的第三井相关联的子像素，其中第二表面积能够大于第一
表面积。

[0199] 依据第二十八方面到第三十二方面的第三十三方面，OLED显示器能够进一步包含具有不对称形状的显示器的像素。

[0200] 依据第二十八方面到第三十三方面的第三十四方面，OLED显示器能够进一步是顶部发射显示器和/或有源矩阵器件。

[0201] 依据第二十八方面到第三十四方面的第三十五方面，OLED显示器能够进一步具有大于40%比如大于60%的填充因子。

[0202] 依据第二十八方面到第三十五方面的第三十六方面，OLED显示器能够进一步具有大于100 ppi比如大于300 ppi的分辨率。

[0203] 要理解在本文中示出和描述的各种实施例要取作示范性的。元件和材料以及那些元件和材料的布置可以代替在本文中图解和描述的那些，并且可以颠倒部分，所有这些在
具有在本文中描述的益处后对本领域技术人员将是显而易见的。可以在本文中描述的元件
中做出改变而没有脱离本公开内容和所附权利要求（包含它们的等价物）的精神和范围。

[0204] 本领域普通技术人员将意识到可以对在本文中描述的示范性实施例的配置和方法论做出各种修改而没有脱离本教导的范围。

[0205] 本领域普通技术人员也将意识到关于在本文中的一个示范性实施例公开的各种特征可以与带有合适修改的其它示范性实施例组合使用，即使这样的组合在本文中未被明
确公开。

[0206] 将对本领域普通技术人员显而易见的是，能够对本公开内容的器件、方法、和系统做出各种修改和变化，而没有脱离本公开内容和所附的权利要求的范围。本公开内容的其
它实施例通过考虑在本文中公开的公开内容的实践和说明书对本领域技术人员将是显而
易见的。意图说明书和示例被认为仅是示范性的。

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