一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用
阅读：957发布：2020-05-08
专利汇可以提供一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种制备 硼 或氮掺杂 半导体 石墨 晶圆 的方法，采用 旋涂 含有硼或氮的 氧 化 石墨烯 乙醇 溶液在含有氧化 硅 的硅晶圆表面后加热还原的方法进行制备半导体石墨晶圆。将硼、氮掺杂的石墨晶圆作为 沟道 利用 光刻 法制备成硼掺杂石墨场效应管进行电学表征，发现硼、氮掺杂的石墨晶圆分别是P、N型半导体材料。本发明制备方法简单、可以制备大面积半导体石墨晶圆、易于规模化连续化生产，是一种具有高的载流子迁移率的半导体石墨晶圆材料，可广泛应用 电子 器件、 传感器 、射频芯片、逻辑芯片等领域。，下面是一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用专利的具体信息内容。
1.一种制备半导体石墨晶圆的方法，其特征在于：将含硼或氮的氧化石墨烯配制成浓度0.05-10mg/ml的乙醇溶液，然后采用匀胶机以300-6000rpm的转速旋涂于含有氧化硅的硅晶圆表面，干燥后置入气氛炉中，于200-500℃的温度下恒温热处理5-60分钟，得到半导体石墨晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含硼的氧化石墨烯的硼含量为0.05-
10％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含氮的氧化石墨烯的氮含量为0.1-
12％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述乙醇溶液中含硼或氮的氧化石墨烯的浓度为0.5-2mg/ml。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述匀胶机的转速在3000-6000rpm之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理的温度为300-450℃。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于：所述热处理的恒温时间为10-30分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述气氛炉的气氛为氢气、氩气、氮气中的一种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含有氧化硅的硅晶圆包括硅衬底和二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层的厚度为30-500nm。
10.权利要求1至9任一项所述的方法制备的半导体石墨晶圆在场效应管的应用。
一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用
技术领域
背景技术
[0002] 随着现代社会的进步和发展，半导体产业一方面顺承智能终端，物联网，5G通信，智 能家居和汽车电子等新兴领域的“全球制造重任”，占据大部分高弹性增量市场；另一方面 超过2700亿美元的年进口产品替代空间，其他电子产品难以比拟。石墨烯材料具有极为优 异的载流子迁移率，高透明，高柔性等特点，有望在半导体领域中起到重要的作用。但是制 备大尺寸石墨烯材料极为困难，例如：采用微机械剥离高定向热解石墨法，化学气相沉积法， 氧化石墨烯法等，均较难得到具有优异性质的大尺寸石墨烯。
发明内容
[0003] 本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种简单、可控地制备半导体石墨晶圆 的方法。
[0004] 本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
[0005] 一种制备半导体石墨晶圆的方法，将含硼或氮的氧化石墨烯配制成浓度0.05-10mg/ml 的乙醇溶液，然后采用匀胶机以300-6000rpm的转速旋涂于含有氧化硅的硅晶圆表面，干 燥后置入气氛炉中，于200-500℃的温度下恒温热处理5-60分钟，得到半导体石墨晶圆。
[0006] 优选的，所述含硼的氧化石墨烯的硼含量为0.05-10％，更优选为0.1-2％。
[0007] 优选的，所述含氮的氧化石墨烯的氮含量为0.1-12％，更优选为0.2-3％。
[0008] 优选的，所述乙醇溶液中含硼或氮的氧化石墨烯的浓度为0.5-2mg/ml。
[0009] 优选的，所述匀胶机的转速在3000-6000rpm之间。
[0010] 优选的，所述热处理的温度为300-450℃。
[0011] 优选的，所述热处理的恒温时间为10-30分钟。
[0012] 优选的，所述气氛炉的气氛为氢气、氩气、氮气中的一种。
[0013] 优选的，所述含有氧化硅的硅晶圆包括硅衬底和二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘 层的厚度为30-500nm。
[0014] 上述方法制备的半导体石墨晶圆在场效应管的应用。
[0015] 本发明的有益效果在于：
[0016] 含有硼或氮的氧化石墨烯乙醇溶液利用旋涂法在不同尺寸的含有二氧化硅绝缘层的硅 晶圆表面涂覆得到含有硼或氮的氧化石墨烯涂层，氧化石墨烯涂层在管式炉内加热除去氧、 氢、硫等原子，得到热还原氧化石墨烯涂层即掺杂硼或氮的石墨涂层，将石墨涂层利用光刻、 磁控溅射等工艺制备成场效应管，得到具有高载流子迁移率的半导体石墨芯片。
[0017] 相比于现有技术，本发明具有如下的特别效果：
[0018] (1)旋涂含硼或氮氧化石墨烯后热还原的方法得到半导体石墨晶圆，是一种优异的半导 体石墨材料，可广泛应用电子原器件，集成电路，工业催化及航空航天等领域；(2)本发明 的制备方法较为简单，容易实现连续制备，具有成本低廉，易于规模化等特点。
具体实施方式
[0019] 下面通过实施例对本发明进行具体描述，但本发明的技术范围并不限于这些实施例。
[0020] 本发明按如下步骤进行：
[0021] A将含硼或氮的氧化石墨烯与乙醇混合制成乙醇溶液，其中含硼或氮的氧化石墨烯的浓 度在0.05-10mg/ml；
[0022] B含硼或氮的氧化石墨烯乙醇溶液在含有氧化硅的硅晶圆表面进行旋涂，旋涂氧化石墨 烯时匀胶机的转速在300-6000rpm之间；
[0023] C旋涂后的晶圆置入气氛炉，加热温度在200-500℃之间，恒温5-60分钟，气氛为氢 气、氩气、氮气等；
[0024] D将晶圆进行光刻制备石墨场效应管，将硅晶圆表面的掺杂硼或氮石墨作为沟道，金为 源漏电极，背栅为重掺杂的P型硅晶圆，绝缘层为SiO2，然后利用半导体参数测试仪(keithley 4200A SCS)进行测试。
[0025] 实施例1
[0026] 将含硼氧化石墨烯(硼含量0.5％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为 1mg/ml，匀胶机的转速为600rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至400℃并恒温60分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为850-1200cm2/V·s。
[0027] 将含氮氧化石墨烯(氮含量1％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为 1mg/ml，匀胶机的转速为600rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至400℃并恒温60分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所 制
2
得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为1900-2300cm/V·s。
2
得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为1900-2300cm/V·s。
[0028] 实施例2
[0029] 将含硼氧化石墨烯(硼含量0.1％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.05 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为30nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至200℃并恒温5min，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂层作 为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应管的 测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制得的 石墨场效应晶体管的载流子迁移率为120-230cm2/V·s。
[0030] 将含氮氧化石墨烯(氮含量0.2％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.05 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为30nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至200℃并恒温5min，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂层作 为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应管的 测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所制得 的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为560-670cm2/V·s。
[0031] 实施例3
[0032] 将含硼氧化石墨烯(硼含量2％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.5 mg/ml，匀胶机的转速为2000rpm，二氧化硅的厚度为300nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至450℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为2800-3100cm2/V·s。
[0033] 将含氮氧化石墨烯(氮含量3％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.5 mg/ml，匀胶机的转速为2000rpm，二氧化硅的厚度为300nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至450℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所 制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为3500-4100cm2/V·s。
[0034] 实施例4
[0035] 将含硼氧化石墨烯(硼含量1.5％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为5 mg/ml，匀胶机的转速为6000rpm，二氧化硅的厚度为300nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至400℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为1620-1850cm2/V·s。
[0036] 将含氮氧化石墨烯(氮含量2％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为5 mg/ml，匀胶机的转速为6000rpm，二氧化硅的厚度为300nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至400℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所 制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为2510-2620cm2/V·s。
[0037] 实施例5
[0038] 将含硼氧化石墨烯(硼含量1％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为10 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为500nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至500℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨。含硼石墨晶圆涂层作为沟道材 料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应管的测试，该 方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制得的石墨场效 应晶体管的载流子迁移率为1230-1450cm2/V·s。
[0039] 将含氮氧化石墨烯(氮含量1.5％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为10 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为500nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至500℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨。含氮石墨晶圆涂层作为沟道 材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应管的测试， 该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所制得的石墨 场效应晶体管的载流子迁移率为3550-3920cm2/V·s。
[0040] 实施例6
[0041] 将含硼氧化石墨烯(硼含量0.3％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为1 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为300nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至300℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为1630-1970cm2/V·s。
[0042] 将含氮氧化石墨烯(氮含量2％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为1 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为300nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至300℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所 制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为3120-3510cm2/V·s。
[0043] 实施例7
[0044] 将含硼氧化石墨烯(硼含量2％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层的 硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为 1mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的 硅晶圆在气氛管式炉中加热至450℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆 涂层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效 应管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所 制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为4850-5200cm2/V·s。
[0045] 将含氮氧化石墨烯(氮含量3％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层的 硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为 1mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的 硅晶圆在气氛管式炉中加热至450℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆 涂层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效 应管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆 所制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为8920-9520cm2/V·s之间。
[0046] 实施例8
[0047] 将含硼氧化石墨烯(硼含量1％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.5 mg/ml，匀胶机的转速为300rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至350℃并恒温20分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为1360-1720cm2/V·s之间。
[0048] 将含氮氧化石墨烯(氮含量2％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.5 mg/ml，匀胶机的转速为300rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至350℃并恒温20分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所 制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为3120-3570cm2/V·s之间。
[0049] 实施例9
[0050] 将含硼氧化石墨烯(硼含量1.5％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.5 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至400℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含硼石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的硼掺杂石墨材料为P型半导体石墨晶圆。P型半导体石墨2
晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为2730-2970cm/V·s。
晶圆所制 得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为2730-2970cm/V·s。
[0051] 将含氮氧化石墨烯(氮含量2.5％)制成乙醇溶液后利用匀胶机在含有二氧化硅绝缘层 的硅晶圆表面涂覆氧化石墨烯，匀胶机旋转至乙醇挥发完全，其中氧化石墨烯的浓度为0.5 mg/ml，匀胶机的转速为3000rpm，二氧化硅的厚度为200nm。将含有氧化石墨烯涂层的硅 晶圆在气氛管式炉中加热至400℃并恒温30分钟，得到半导体石墨晶圆。含氮石墨晶圆涂 层作为沟道材料进行光刻制备半导体石墨场效应管，利用半导体参数测试仪进行石墨场效应 管的测试，该方法得到的氮掺杂石墨材料为N型半导体石墨晶圆。N型半导体石墨晶圆所 制得的石墨场效应晶体管的载流子迁移率为5380-5720cm2/V·s之间。
[0052] 上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用，但本 发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等 同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 可调整焦距的透镜结构及屏下指纹传感器结构 | 2020-05-08 | 776 |
| 一种平屋顶透水运动场地及其施工方法 | 2020-05-08 | 302 |
| 一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法 | 2020-05-08 | 534 |
| 用于砂岩铀矿的表面活性剂联合酸法地浸的采铀方法 | 2020-05-08 | 57 |
| 紫外光固化喷墨中性墨水及其制备方法和应用 | 2020-05-08 | 679 |
| 一种多路分时共同电沉积装置 | 2020-05-11 | 941 |
| 具有宽能隙三五族汲极的金属氧化物硅半导体场效晶体管及其制造方法 | 2020-05-11 | 74 |
| 单片集成式半桥功率器件模块 | 2020-05-08 | 166 |
| 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 | 2020-05-11 | 313 |
| 一种高集成度的车用级功率模块 | 2020-05-08 | 277 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈