有机电致发光器件
阅读：1018发布：2020-08-06
专利汇可以提供有机电致发光器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种有机电致发光器件。具体地，本发明涉及在 发光层 和 阴极 之间包括厚的 电子 传输层的有机电致发光器件。，下面是有机电致发光器件专利的具体信息内容。
1.一种有机电致发光器件，其包括阳极、阴极和至少一个发光层，其特征在于层厚度为至少130nm且不厚于250nm以及在105V/cm场中电子迁移率为至少10-4cm2/Vs的电子传输层布置在所述发光层和所述阴极之间，并且用于所述电子传输层的电子传输材料选自如下结构类别的材料：三嗪衍生物、嘧啶衍生物、噻唑衍生物和三唑衍生物，其中所述发光层是发绿色光层。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子传输层由纯的材料或两种或更多种材料的混合物组成。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子传输层仅具有一层，或其特征在于其是由多个单独的总厚度为至少130nm的电子传输层组成，其中各个单独层在105V/cm场中的电子迁移率为至少10-5cm2/Vs。
4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于在所述电子传输层中仅使用HOMO＜-4eV的材料。
5.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于在所述电子传输层中仅使用LUMO＞-3.5eV的材料。
6.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于在所述电子传输层中将所述电子传输材料与有机碱金属化合物结合使用。
7.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述发光层是荧光或磷光发光层。
8.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述发光化合物，如果是磷光化合物，则是包含铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物；或其特征在于所述发光化合物，如果是荧光化合物，则选自如下类别的化合物：单苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基胺、四苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚、芳基胺或稠合芳族烃。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于所述发光化合物，如果是磷光化合物，则与基质材料结合使用。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料选自酮、氧化膦、亚砜、砜、三芳胺、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、茚并咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物、桥连咔唑衍生物、双极性基质材料、硅烷、氮杂硼杂环戊二烯、硼酸酯、三嗪衍生物、锌络合物、二氮杂或四氮杂硅杂环戊二烯衍生物或二氮杂磷杂环戊二烯衍生物。
11.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于所述发光化合物，如果是荧光化合物，则各自与基质材料结合使用。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于所述基质材料选自低聚亚芳基。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于所述低聚亚芳基是含有稠合芳族基团的低聚亚芳基。
14.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于所述低聚亚芳基是含有蒽、萘、苯并蒽和/或苯并菲的低聚亚芳基。
15.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电致发光器件在所述发光层和所述电子传输层之间包括空穴阻挡层。
16.根据权利要求15所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电致发光器件在使用磷光发光层的情况下在所述发光层和所述电子传输层之间包括空穴阻挡层。
17.一种制备根据权利要求1至16中任一项所述的有机电致发光器件的方法，其特征在于借助于升华方法施加一个或多个层，或其特征在于借助于OVPD(有机气相沉积)方法施加一个或多个层，或其特征在于从溶液中或借助于印刷方法施加一个或多个层，所述印刷方法选自丝网印刷、柔性版印刷、平版印刷、光引发热成像、喷墨印刷或喷嘴印刷。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于通过旋涂施加一个或多个层。
有机电致发光器件
技术领域
[0002] 本发明涉及一种有机电致发光器件。具体地，本发明涉及包括厚的电子传输层的有机电致发光器件。
背景技术
[0003] 例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中描述了其中有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。在有机电致发光器件领域中的一项开发是磷光OLED。与荧光OLED相比，由于磷光OLED能实现更高的效率而具有明显的优势。
[0004] 然而，在荧光和磷光OLED情况下均仍需要改进。除器件的效率和寿命之外，这同样特别适用于彩色坐标和发射光谱以及成品率。
[0005] 特别是在发绿色光的情况下，为实现良好的色纯度，利用复合技术，例如顶部发光，其中半透明的阴极和反射阳极形成微腔。这使得发射光谱变窄，因此改进了色纯度。然而，顶部发光型OLED需要操作起来困难的生产工艺，例如必须非常准确地设置不同层的厚度。
[0006] 然而，如上所述，由于更加复杂的结构，工业上获得顶部发光型OLED更加复杂，底部发光型OLED存在难以实现良好彩色坐标的问题。这特别是涉及发绿色光层的彩色坐标，而且涉及发红色或蓝色光层的彩色坐标。
[0007] 为改进所述彩色坐标，原则上可以使用滤色器，但这存在导致效率降低的缺点。
[0008] 此外能够通过使用具有较窄的发射光谱的材料实现改进的彩色坐标。然而，在该类型材料的情况下，仍需要相当大的改进。特别是，目前在工业上没有实现令人满意的具有窄发射光谱的磷光材料。因此，例如，在底部发光型OLED中使用Ir(ppy)3(三(苯基吡啶)铱)导致约0.62的CIE y坐标，但希望导致显著更高的CIE y坐标，特别是约0.71的CIE y坐标。
[0009] 此外，仍旧需要大规模生产OLED中成品率的提高。以简单的方式生产透明的OLED同样是不可能的，因为施加时必需的TCO(透明导电氧化物)由于溅射会部分破坏OLED的置于下面的有机层。此外，仍希望改进寿命、效率和工作电压。
发明内容
[0010] 因此，本发明所基于的技术目的在于提供具有改进的彩色坐标而同时所述电致发光器件的其它性能未受损的有机电致发光器件。这特别是适用于有机电致发光器件的寿命、效率和工作电压。另外的目的在于提供具有改进效率的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件能够在相对高成品率下制造，而且同样适合于生产透明的电致发光器件。
[0011] 根据现有技术，层厚度范围为约10至50nm的电子传输层通常用于有机电致发光器件中。在厚电子传输层的情况下，电压明显增加，因此获得显著更低的功率效率。
[0012] 令人惊讶地，现在已经发现能够通过如下方式实现明显的改进并实现上述提到的技术目的：提供包括层厚度为至少80nm的电子传输层的有机电致发光器件，其中在所述电子传输层中使用的材料的电子迁移率在105V/cm的场中为至少10-5cm2/Vs。
[0013] 因此，本发明涉及包括阳极、阴极和至少一个发光层的有机电致发光器件，其特征在于层厚度为至少80nm且在105V/cm场中电子迁移率为至少10-5cm2/Vs的电子传输层布置在所述发光层和所述阴极之间。
[0014] 本发明的有机电致发光器件包括上面描述的层。所述有机电致发光器件不必仅包括由有机的或有机金属材料构成的层。因此，对于阳极、阴极和/或一个或多个层也可以包括无机材料或也可以完全从无机材料构造。
[0015] 如在以下实施例部分以一般的术语描述的，确定所述电子传输层的电子迁移率和层厚度。
[0016] 在本发明的优选实施方式中，所述电子传输层的层厚度为至少100nm、特别优选为至少120nm、非常特别优选为至少130nm。此处注明的120nm和130nm的界限对于发绿色光和发红色光的器件是特别优选的，而对于层厚度在80至120nm之间的发蓝色光器件，已经实现了非常好的结果。
[0017] 在本发明另外优选的实施方式中，所述电子传输层的层厚度，对于发红色光的OLED不厚于500nm、特别优选不厚于350nm、特别是不厚于280nm，对于发绿色光的OLED不厚于250nm。
[0018] 在本发明另外优选的实施方式中，所述电子传输层的电子迁移率在105V/cm的场中为至少5×10-5cm2/Vs，特别优选在105V/cm的场中为至少10-4cm2/Vs。
[0019] 此处的电子传输层能够由纯的材料组成或能够由两种或多种材料的混合物组成。
[0020] 此外，所述电子传输层可以仅具有一个层，或其可以由多个单独的总厚度为至少80nm的电子传输层组成，其中各个单独的层的电子迁移率在105V/cm场中为至少10-5cm2/Vs。
[0021] 在优选实施方式中，所述电子传输层仅包括有机的或有机金属材料，其中在本申请意义上有机金属化合物被认为是指包含至少一种金属原子或金属离子和至少一种有机配体的化合物。因此，在本发明的优选实施方式中，所述电子传输层不包含纯金属，即，例如，未用金属例如锂掺杂。
[0022] 在本发明另外优选的实施方式中，所述电子传输层不是n-掺杂层，其中n-掺杂被认为是指用n-掺杂剂掺杂因此被还原的电子传输材料。尽管该类型n-掺杂导致高电导率，然而，它具有某些显然的缺点。因此，所述n-掺杂剂是强的还原剂，因此，它对氧化高度敏感，必须要特别小心并在保护气体下进行处理。在工业应用中，这种材料难以处理。此外，在具有n-掺杂层的电致发光器件中，更加难以控制电荷平衡，因为所述电子传输层具有过量的电子。另外，n-掺杂层通常导致所述电致发光器件寿命的减损。
[0023] 在本发明另外优选的实施方式中，在所述电子传输层中仅使用那些HOMO(最高占有分子轨道)<-4eV(即，数字值大于4eV)、特别优选<-4.5eV、非常特别优选<-5eV的材料。这排除了为n-掺杂剂的材料，即，那些通过氧化还原反应将电子释放给其它电子传输材料的材料。
[0024] 在本发明又一另外优选实施方式中，在所述电子传输层中仅使用那些LUMO(最低未占分子轨道)>-3.5eV(即，数字值小于3.5eV)、特别优选>-3eV的材料。
[0025] 能用作电子传输层的材料没有其它限制。通常，在所述电子传输层中所有的满足上述提到的电子迁移率条件的那些电子传输材料都是适当的。
[0026] 适当的类别的电子传输材料的例子选自如下结构类别：三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、哒嗪衍生物、 唑衍生物、 二唑衍生物、菲咯啉衍生物、噻唑衍生物、三唑衍生物或者铝、锂或锆络合物。在各个这些结构中，取决于层确切的结构和组成，应该确定在电子传输层中这些材料是否具有根据本发明的电子迁移率。不可以预测电子迁移率，而是必须凭经验确定各种材料在分别的层中的电子迁移率。电子迁移率不仅取决于层的确切的组成而且取决于制备。因此，例如，在通过升华的制备期间不同的气相沉积速度导致不同的电子迁移率。如果从溶液中制备层，则又获得了不同的电子迁移率。
[0027] 通过本申请中试验性的例子展现适宜的电子传输材料的例子。
[0028] 在电子传输层中所述电子传输材料也可以与有机碱金属化合物组合使用，而在这种情况下，所述混合层必须满足上述提及的电子迁移率条件。此处“与有机碱金属化合物结合”是指三嗪衍生物和碱金属化合物为在一个层中的混合物形式，或分别存在于两个连续层中。
[0029] 在本发明意义上的有机碱金属化合物旨在被认为是指包含至少一种碱金属，即，锂、钠、钾、钕或铯以及还包含至少一种有机配体的化合物。
[0030] 适当的有机碱金属化合物例如是公开在WO 2007/050301、WO 2007/050334和EP 1144543中的化合物。这些以参考方式引入本申请。
[0031] 优选的有机碱金属化合物是如下通式(1)的化合物：
[0032]
[0033] 其中R1具有如下所述对于通式(5)至(8)的相同的含义，曲线代表两个或三个原子，和与M构成5-或6-元环必要的键，其中这些原子也可以被一个或多个基团R1取代，并且M代表选自锂、钠、钾、钕或铯的碱金属。
[0034] 此处对于通式(1)的络合物可以是如以上描述的单体的形式，或可以是聚集体的形式，例如包括两个碱金属离子和两个配体、四个碱金属离子和四个配体、六个碱金属离子和六个配体的聚集体或其它聚集体。
[0035] 优选的通式(1)化合物是如下通式(2)和(3)的化合物：
[0036]
[0037] 其中使用的符号具有如下所述对于通式(5)-(8)和如上对于通式(1)的相同的含义，m在每次出现时相同或不同地代表0、1、2或3，并且o在每次出现时相同或不同地代表0、1、2、3或4。
[0038] 另外优选的有机碱金属化合物是如下通式(4)的化合物：
[0039]
[0040] 其中使用的符号具有如下所述对于通式(5)至(8)和如上对于通式(1)的相同含义。
[0041] 所述碱金属优选选自锂、钠和钾，特别优选锂和钠，非常特别优选锂。
[0042] 特别优选通式(2)的化合物，特别是其中M＝锂。此外，标记m非常特别优选＝0。因此所述化合物非常特别优选未取代的8-羟基喹啉锂。
[0043] 适当的有机碱金属化合物的例子是显示于以下表中的结构(1)至(45)。
[0044]
[0045]
[0046]
[0047] 在本发明的优选实施方式中，在本发明的电子传输层中仅使用一种材料而非材料的混合物。因此，它优选是纯的层。
[0048] 除上面已经描述的本发明的阴极、阳极、发光层和电子传输层之外，所述有机电致发光器件也可以包括其它层。这些例如在每种情况下选自一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、激子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。另外，在器件中可以存在控制例如电荷平衡的夹层。特别是，这样的夹层可以适当地作为两个发光层之间的夹层，特别是作为荧光层和磷光层之间的夹层。此外，所述层，特别是电荷传输层，也可以被掺杂。然而，应该指出如上提及的这些层没有必要各个都必须存在，层的选择总是取决于使用的化合物。使用该类型的层对于本领域普通技术人员而言是已知的，而且在不需要创造性劳动的情况下，本领域普通技术人员能够使用所有的对于用于该目的该类型层在现有技术中已知的材料。
[0049] 此外，可以使用多于一个发光层，例如优选发不同发光颜色光的两个或三个发光层。本发明的特别优选实施方式涉及发白色光的有机电致发光器件。其特征在于它发出具有在0.28/0.29至0.45/0.41范围内的CIE彩色坐标的光。该类型的发白色光电致发光器件的一般结构例如公开在WO 2005/011013中。
[0050] 根据本发明的有机电致发光器件可以是顶部发光型OLED或底部发光型OLED。在本发明的优选实施方式中，是底部发光型OLED，因为此处改进的彩色坐标的根据本发明的效果变得特别清楚。在顶部发光型OLED中，根据本发明的器件结构对彩色坐标的影响不太显著，但在顶部发光型OLED中也能实现本发明器件结构提及的其它优势。
[0051] 本发明的电致发光器件的阴极优选包括具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，其包含多种金属，例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。在多层结构的情况下，除所述金属之外，也可以使用具有相对高逸出功的其它金属例如Ag，在这种情况下，通常使用金属的组合，例如Ca/Ag、Mg/Ag或者Ba/Ag。同样优选金属合金，特别是包括碱金属或碱土金属和银的合金，特别优选Mg和Ag的合金。也可以优选在金属阴极和有机半导体之间，特别是在金属阴极和本发明的电子传输层之间，引入作为电子注入层的具有高介电常数的材料的薄中间层。适合于该目的例如是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li2O、CsF、Cs2CO3、BaF2、MgO、NaF等)。同样适合于该目的是碱金属或碱土金属络合物，例如，Liq(8-羟基喹啉锂)或如上提及的其它化合物。该类型电子注入层的层厚度优选为0.5至5nm。对于来自阴极的光的耦合输出(顶部发光)，所述阴极优选在500nm波长处具有>20％的透射率。优选的顶部发光的阴极材料是镁和银的合金。
[0052] 本发明的电致发光器件的阳极优选包括具有高逸出功的材料。优选所述阳极具有相对于真空大于4.5电子伏特的逸出功。适于该目的的一方面是具有高氧化还原电势的金属，例如Ag、Pt或者Au。另一方面，也可以优选金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)。用于顶部发光型OLED的阳极材料优选是与ITO结合的反射层，例如银+ITO。此处至少一个电极必须是透明或半透明的以利于光的耦合输出。优选的结构使用透明阳极(底部发光)。此处优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。此外优选导电的掺杂有机材料，特别是导电的掺杂聚合物。
[0054] 通常，所有的用于有机电致发光器件中的其它的现有技术材料也可以与本发明的电子传输层组合使用。
[0055] 所述一个发光层(或所述多个发光层，如果存在多个发光层)能够是荧光或磷光的，能够具有任何希望的发光颜色。在本发明的优选实施方式中，所述一个发光层(或多个发光层)是发红色、绿色、蓝色或白色光的层。
[0056] 发红色光的层被认为是指光致发光最大值在570至750nm范围内的层。发绿色光的层被认为是指光致发光最大值在490至570nm范围内的层。发蓝色光的层被认为是指光致发光最大值在440至490nm范围内的层。此处通过测量层厚度为50nm的层的光致发光光谱确定所述光致发光最大值。
[0057] 在本发明的优选实施方式中，所述发光层是发绿色光的层。该优选应归于如下的事实：此处观察到所述电子传输层对彩色坐标的强烈影响，而且特别是对于绿色发光特别难以通过变化器件结构优化彩色坐标。目前同样工业上几乎不可能通过选择绿色发光体实现希望的彩色坐标，特别是如果它是磷光发光体的话。
[0058] 在本发明的优选实施方式中，在所述发光层中的发光化合物是磷光化合物。
[0059] 在本发明意义上的磷光化合物是在室温下显示从相对高自旋多重度即自旋态＞1的受激态发光、特别是从受激的三重态发光的化合物。为了本发明的目的，所有发光的含有第二和第三过渡金属元素系列的过渡金属的过渡金属络合物，特别是所有发光的铱、铂和铜化合物，被认为是磷光化合物。
[0060] 在本发明的优选实施方式中，所述磷光化合物是红色磷光化合物或绿色磷光化合物，特别是绿色磷光化合物。
[0061] 适当的磷光化合物特别是经适当的激发时发光，优选在可见区发光的化合物，且其另外包含至少一种原子序数大于20、优选大于38但小于84、特别优选大于56但小于80的原子。使用的磷光发光体优选是包含铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，特别是包含铱、铂或铜的化合物。
[0062] 特别优选的有机电致发光器件包含作为磷光化合物的至少一种通式(5)至(8)的化合物：
[0063]
[0064] 其中如下适用于使用的符号：
[0065] DCy在每次出现时相同或不同地是包含至少一个配位原子的环状基团，所述配位原子优选为氮、碳烯形式的碳或磷，所述环状基团经由所述配位原子键合至金属上，所述环状基团又可以带有一个或多个取代基R1；基团DCy和CCy经由共价键彼此键合；
[0066] CCy在每次出现时相同或不同地是包含碳原子的环状基团，所述环状基团经由所述碳原子键合至金属上，而所述环状基团又可以带有一个或多个取代基R1；
[0067] A在每次出现时相同或不同地是单阴离子、二齿的螯合配体，优选二酮配体；
[0068] R1在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)Ar1，P(＝O)(Ar1)2，S(＝O)Ar1，S(＝O)2Ar1，CR2＝CR2Ar1，CN，NO2，Si(R2)3，B(OR2)2，B(R2)2，B(N(R2)2)2，OSO2R2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基，具有2至40个C原子的直链烯基或炔基或者具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或者硫代烷氧基，它们各自可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基，它们可被一个或多个基团R2取代，或这些体系的组合；此处两个或多个相邻的取代基R1也可以彼此形成单或多环的脂族或芳族环系；
[0069] Ar1在每次出现时相同或者不同地是具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个基团R2取代；
[0070] R2在每次出现时相同或者不同地是H，D，CN，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被F原子代替；此处两个或多个相邻的取代基R2也可以彼此形成单或多环的脂族或芳族环系。
[0071] 由于在多个基团R1之间形成环系，也可以在基团DCy和CCy之间存在桥连基。此外，1
由于在多个基团R 之间形成环系，也可以在两个或三个配体CCy-DCy之间或在一个或两个配体CCy-Dcy和配体A之间存在桥连基，给出多齿或多足的配体体系。
由于在多个基团R 之间形成环系，也可以在两个或三个配体CCy-DCy之间或在一个或两个配体CCy-Dcy和配体A之间存在桥连基，给出多齿或多足的配体体系。
[0072] 上面描述的发光体的例子被如下的申请公开：WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2004/081017、WO
2005/033244、WO 2005/042550、WO 2005/113563、WO 2006/008069、WO 2006/061182、WO
2006/081973、WO 2009/118087、WO 2009/146770和未公开的申请DE 102009007038.9。一般说来，如在有机电致发光领域中的本领域普通技术人员已知的，如现有技术中用于磷光OLED的所有磷光络合物都是适当的，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下能够使用其它的磷光化合物。特别是，本领域普通技术人员知道哪种磷光络合物发出具有哪种发光颜色的光。
2005/033244、WO 2005/042550、WO 2005/113563、WO 2006/008069、WO 2006/061182、WO
2006/081973、WO 2009/118087、WO 2009/146770和未公开的申请DE 102009007038.9。一般说来，如在有机电致发光领域中的本领域普通技术人员已知的，如现有技术中用于磷光OLED的所有磷光络合物都是适当的，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下能够使用其它的磷光化合物。特别是，本领域普通技术人员知道哪种磷光络合物发出具有哪种发光颜色的光。
[0073] 用于本发明化合物的适当的基质材料是酮，氧化膦，亚砜和砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680中描述的，三芳胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-二咔唑基联苯)、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/
288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746，茚并咔唑衍生物，例如根据未公开的申请DE 102009023155.2和DE 102009031021.5，氮杂咔唑，例如根据EP 1617710、EP
1617711、EP 1731584、JP 2005/347160，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725，硅烷，例如根据WO 2005/111172，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052，二氮杂硅杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054729，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物，例如根据WO
2010/054730，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746，锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578，二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2009/
148015，或桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778或未公布的申请DE 102009048791.3和DE 102010005697.9。
288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746，茚并咔唑衍生物，例如根据未公开的申请DE 102009023155.2和DE 102009031021.5，氮杂咔唑，例如根据EP 1617710、EP
1617711、EP 1731584、JP 2005/347160，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725，硅烷，例如根据WO 2005/111172，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052，二氮杂硅杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054729，二氮杂磷杂环戊二烯衍生物，例如根据WO
2010/054730，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746，锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578，二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2009/
148015，或桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778或未公布的申请DE 102009048791.3和DE 102010005697.9。
[0074] 也可以优选使用多种不同的基质材料作为混合物，特别是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。优选的组合例如是使用芳族酮或三嗪衍生物与三芳胺衍生物或咔唑衍生物作为本发明金属络合物的混合基质。如例如在未公布的申请DE 102009014513.3中描述的，同样优选使用电荷传输基质材料和不涉及或不显著涉及电荷传输的电惰性基质材料的混合物。
[0075] 在本发明另外优选的实施方式中，所述有机电致发光器件，特别是在使用磷光发光层的情况下，在本发明发光层和电子传输层之间包括空穴阻挡层。
[0076] 在本发明另外优选的实施方式中，所述发光层是荧光层，特别是蓝色或绿色荧光层。
[0077] 能用于所述荧光发光体层中的优选的掺杂剂选自如下类别：单苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、三苯乙烯基胺、四苯乙烯基胺、苯乙烯基膦、苯乙烯基醚和芳基胺。单苯乙烯基胺被认为是指包含一种取代或未取代苯乙烯基和至少一种胺优选芳族胺的化合物。二苯乙烯基胺被认为是指包含两种取代或未取代的苯乙烯基和至少一种胺优选芳族胺的化合物。三苯乙烯基胺被认为是指包含三种取代或未取代的苯乙烯基和至少一种胺优选芳族胺的化合物。四苯乙烯基胺被认为是指包含四种取代或未取代的苯乙烯基和至少一种胺优选芳族胺的化合物。所述苯乙烯基特别优选是茋，其也可以被进一步取代。类似于胺，定义相应的膦和醚。为了本发明的目的，芳基胺或芳香胺被认为是指包含直接与氮键合的三取代或未取代的芳族或杂芳族环系的化合物。至少一个这些芳族或者杂芳族环系优选是稠环系，其特别优选具有至少14个芳族环原子。其优选的例子是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族 胺或芳族 二胺。芳族蒽胺被认为是指其中二芳基氨基直接与蒽基优选在2-位或在9-位键合的化合物。芳族蒽二胺被认为是指其中两个二芳基氨基直接与蒽基优选在2,6-位或在9,10-位键合的化合物。与其类似地定义芳族芘胺、芘二胺、 胺和 二胺，其中所述二芳基氨基优选与芘在1-位或在1,6-位键合。其它优选的荧光掺杂剂选自茚并芴胺或茚并芴二胺，例如根据WO 2006/122630，苯并茚并芴胺或苯并茚并芴二胺，例如根据WO 2008/006449，和二苯并茚并芴胺或二苯并茚并芴二胺，例如根据WO 2007/140847。来自苯乙烯基胺类的掺杂剂的例子是取代或者未取代的三茋胺，或者描述于WO 2006/000388、WO
2006/058737、WO 2006/000389、WO 2007/065549和WO 2007/115610中的掺杂剂。此外优选的荧光掺杂剂是稠合芳族烃，例如在WO 2010/012328中公开的化合物。特别优选的荧光掺杂物是包含至少一个具有至少14个芳环原子的稠合芳族基团的芳族胺，和稠合芳族烃。
2006/058737、WO 2006/000389、WO 2007/065549和WO 2007/115610中的掺杂剂。此外优选的荧光掺杂剂是稠合芳族烃，例如在WO 2010/012328中公开的化合物。特别优选的荧光掺杂物是包含至少一个具有至少14个芳环原子的稠合芳族基团的芳族胺，和稠合芳族烃。
[0078] 在本发明另外优选的实施方式中，所述荧光层的主体材料是电子传输材料。其优选具有＜-2.3eV、特别优选＜-2.5eV的LUMO(最低未占分子轨道)。此处如以下在实施例部分所概括描述的确定所述LUMO。
[0079] 所述荧光掺杂剂，特别是如上提及的掺杂剂的适当的主体材料(基质材料)例如选自如下的类别：低聚亚芳基(例如根据EP 676461的2,2‘,7,7‘-四苯基螺二芴，或二萘基蒽)，特别是含有稠合芳族基团的低聚亚芳基，低聚亚芳基亚乙烯基(例如根据EP 676461的DPVBi或螺-DPVBi)，多足金属络合物(例如根据WO 2004/081017)，电子传导化合物，特别是酮、氧化膦、亚砜等(例如根据WO 2005/084081和WO 2005/084082)，阻转异构体(例如根据WO 2006/048268)，硼酸衍生物(例如根据WO 2006/117052)，苯并蒽衍生物(例如根据WO 2008/145239或根据未公开的申请DE 102009034625.2的苯并[a]蒽衍生物)和苯并菲衍生物(例如根据未公开的申请DE 102009005746.3的苯并[c]菲衍生物)。特别优选的主体材料选自含有萘、蒽、苯并蒽，特别是苯并[a]蒽、苯并菲，特别是苯并[c]菲，和/或芘，或这些化合物的阻转异构体的低聚亚芳基类。为了本发明的目的，低聚亚芳基旨在被认为是指其中至少三个芳基或亚芳基基团彼此键合的化合物。
[0080] 特别优选的主体材料是如下通式(9)的化合物：
[0081] Ar2-Ant-Ar2 通式(9)
[0082] 其中R1具有以上指出的含义，并且如下适用于使用的其它符号：
[0083] Ant代表被基团Ar2在9-和10-位取代并可以此外被一个或多个取代基R1取代的蒽基；
[0084] Ar2在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代。
[0085] 在本发明的优选实施方式中，至少一个基团Ar2包含具有10个或更多个芳族环原子的稠合芳基，其中Ar2可被一个或多个基团R1取代。优选的基团Ar2在每次出现时相同或不同地选自苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、邻-、间-或对位联苯、亚苯基-1-萘基、亚苯基-2-萘基、菲基、苯并[a]蒽基或苯并[c]菲基，其各自可被一个或多个基团R1取代。
[0086] 可用于本发明有机电致发光器件的空穴注入或空穴传输层或电子传输层中的适当的空穴传输材料例如是公开在Y.Shirota等人，Chem.Rev.(化学综述)2007，107(4)，953-1010中的化合物，或现有技术中用于这些层中的其它材料。
[0087] 可用于本发明电致发光器件中空穴传输或空穴注入层中的优选的空穴传输材料的例子是茚并芴胺和衍生物(例如根据WO 2006/122630或WO 2006/100896)、公开在EP 1661888中的胺衍生物、六氮杂苯并菲衍生物(例如根据WO 2001/049806)、含有稠合芳族环系的胺衍生物(例如根据US 5,061,569)、公开在WO 95/09147中的胺衍生物、单苯并茚并芴胺(例如根据WO 2008/006449)、二苯并茚并芴胺(例如根据WO 2007/140847)或哌啶衍生物(例如根据未公开的申请DE 102009005290.9)。另外适当的空穴传输和空穴注入材料是上述描述的化合物的衍生物，如公开在JP 2001/226331、EP 676461、EP 650955、WO 2001/
049806、US 4780536、WO 98/30071、EP 891121、EP 1661888、JP 2006/253445、EP 650955、WO 2006/073054和US 5061569。
049806、US 4780536、WO 98/30071、EP 891121、EP 1661888、JP 2006/253445、EP 650955、WO 2006/073054和US 5061569。
[0088] 此外适当的空穴传输或空穴注入材料例如是下表中列出的材料。
[0089]
[0090]
[0091] 此外优选如下有机电致发光器件，其特征在于通过升华方法施加一个或多个层，其中在真空升华设备中，在低于10-5毫巴、优选低于10-6毫巴的初压下气相沉积所述材料。然而，应当指出所述初压也可以甚至更低，例如低于10-7毫巴。
[0092] 同样优选如下的有机电致发光器件，其特征在于借助于OVPD(有机气相沉积)方法或者借助于载气升华施加一个或多个层，其中在10-5毫巴至1巴的压力下施加所述材料。该方法中的特别的例子是OVJP(有机蒸气喷印)方法，其中所述材料通过喷管直接施加，因此是结构化的(例如M.S.Arnold等人，Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)2008，92，053301)。
[0093] 此外优选如下有机电致发光器件，其特征在于从溶液中例如通过旋涂，或者通过任何希望的印刷方法例如丝网印刷、柔性版印刷、平版印刷、LITI(光引发热成像，热转印)、喷墨印刷或喷嘴印刷产生一个或多个层。可溶性化合物对于该目的是必要的。通过适当取代所述化合物实现高的溶解性。此处不仅可以施加单一物料的溶液，并且可以施加包括多种化合物，例如基质材料和掺杂剂的溶液。
[0094] 因此，本发明还同样涉及制备本发明电致发光器件的方法，其特征在于通过升华方法，或通过OVPD(有机气相沉积)方法，或借助于载气升华，或从溶液中，例如通过旋涂或通过任何希望的印刷方法施加至少一个层。
[0095] 通过从溶液施加一个或多个层并通过气相沉积施加一个或多个其它层，也可以将所述有机电致发光器件制造为混合式体系。因此例如，能够从溶液中施加所述发光层，并且能够通过气相沉积将本发明的电子传输层施加于该层上。
[0096] 本领域普通技术人员通常知道这些方法，并且能够在不需要创造性劳动的情况下将这些方法应用于本发明的有机电致发光器件中。
[0097] 本发明的有机电致发光器件相对于现有技术具有如下令人惊讶的优点：
[0098] 1.本发明的有机电致发光器件具有非常高的效率。此处该效率比在使用薄电子传输层的情况下好。
[0099] 2.本发明的有机电致发光器件具有显著改进的彩色坐标。这特别是适用于发绿色光的电致发光器件。
[0100] 3.尽管与现有技术相比，电子传输层显著地更厚，但本发明的有机电致发光器件具有几乎不变或仅最低程度增加的工作电压，意味着尽管如此与现有技术相比电致发光器件的功率效率的改进。
[0101] 4.本发明的有机电致发光器件能够实现制备透明的OLED，因为用作电极的必要的透明导电氧化物能够通过溅射而不破坏厚的电子传输层的情况下施加于所述电子传输层上。
[0102] 5.由于层较厚，有机电致发光器件产生更少的短路，因此能够在成品率改进的情况下制备本发明的有机电致发光器件。
[0103] 6.本发明的有机电致发光器件的寿命与包括薄电子传输层的有机电致发光器件的寿命相当或比其更长。
[0104] 通过如下实施例更加详细地描述本发明，但不希望由此限制本发明。根据本发明，在不需要创造性劳动的情况下，本领域普通技术人员能够制造另外的有机电致发光器件。
具体实施方式
[0105] 实施例：
[0106] 电子迁移率的一般测定方法
[0107] 通过如下所述的一般方法确定在本发明意义上的电子迁移率：
[0108] 使用通常用于该目的的“飞行时间(TOF)”方法确定电子迁移率，其中在待研究材料的单一的层组件中借助于激光脉冲产生电荷载流子。这些通过施加场进行分离。空穴离开所述组件，而电子移动通过所述层，因此引起电流。能够从电流随时间的变化来确定电子渡越时间，并因此确定迁移率。
[0109] 将待研究的材料以0.3nm/s的气相沉积速度、2μm的层厚度施加到涂有厚度为150nm的结构化ITO的玻璃板上。在顶部沉积厚度为100nm的铝层。形成的组件的面积为2mm×2mm。使用N2激光(波长337nm，脉冲持续期间4ns，脉冲频率10Hz，脉冲能量100μJ)通过ITO层辐照所述组件。施加场E的场强是105V/cm。使用示波器记录光电流随时间的变化。在作为时间函数的电流的双对数坐标图中，获得两个直线段，其交点用作渡越时间t。在施加场为E和层厚度为d的情况下由此而得迁移率μ＝d/(t*E)，或在施加场E＝105V/cm和层厚度d＝2μm的情况下由此而得的迁移率μe＝2μm(t*105V/cm)。例如在Redecker等人的Applied Physics Letters(应用物理快报)，第173卷，1565页中给出了该方法更加详细的说明。
[0110] 层厚度的一般测定方法
[0111] 通过如下所述的一般方法确定在本发明意义上的层厚度：
[0112] 因为不能直接在制备的OLED上测定单层的厚度，所以在气相沉积期间，通常借助于石英谐振器监控它们。为此目的，需要气相沉积速度随材料的不同而有些不同，这就是为什么在制备OLED之前进行气相沉积速度校准的原因。如果已知气相沉积的速度，则在气相沉积过程持续时间之内能够设定任何希望的层厚度。
[0113] 为校准气相沉积速度，将待气相沉积的材料的“试验层”施加到玻璃基板上，在气相沉积期间记录(迄今仍未校准)的气相沉积速度。参考经验值以这样一种方法选择此处气相沉积的持续时间以致获得厚度约100nm的层。然后借助于表面光度仪(见下文)确定试验层的厚度。现在已知的层厚度可用于确定校正的气相沉积速度，其用于另外的OLED的制备中。
[0114] 借助于表面光度仪(Veeco Dektak 3ST)(接触压力4mg，测量速度为2mm/30s)确定所述试验层的厚度。此处确定在玻璃基体上(由于使用遮光板)在涂覆区域和未涂覆区域之间的边界处形成的层边缘的轮廓。从所述两个区域之间的高度差能够确定所述试验层的层厚度。使用该方法测得的层厚度的准确度大约为+/-5％。
[0116] 为了本发明的目的，通过如下所述的一般方法确定HOMO、LUMO值和能隙：
[0117] HOMO值产生于氧化电位，其在室温下通过循环伏安法(CV)测定。用于该目的的测量仪器是具有Metrohm 663VA工作台的ECO Autolab系统。工作电极是金电极，参比电极是Ag/AgCl，桥电解质是KCl(3mol/L)和辅助电极是铂。
[0118] 为了测量，首先制备0.11M的四丁基六氟磷酸铵(NH4PF6)在二氯甲烷中的导电盐溶液，将其引入测量池中并脱气5分钟。随后在如下参数下进行两个测量循环：
[0119] 测量技术：CV
[0120] 初始吹洗时间：300s
[0121] 清洗电位：–1V
[0122] 清洗时间：10s
[0123] 沉积电位：–0.2V
[0124] 沉积时间：10s
[0125] 开始电位：–0.2V
[0126] 终止电位：1.6V
[0127] 电压阶跃：6mV
[0128] 扫描速度：50mV/s
[0129] 随后将1ml样品溶液(10mg待测定的物质在1ml二氯甲烷中)加入到所述导电盐溶液中，将该混合物再次脱气5分钟。随后进行另外五次测量循环，记录最后的三次进行评价。设定如上所述的相同参数。
[0131] 测量技术：CV
[0132] 初始吹洗时间：60s
[0133] 清洗电位：–1V
[0134] 清洗时间：10s
[0135] 沉积电位：–0.2V
[0136] 沉积时间：10s
[0137] 开始电位：–0.2V
[0138] 终止电位：1.6V
[0139] 电压阶跃：6mV
[0140] 扫描速度：50mV/s
[0141] 为了评价，对于所述样品溶液和已经向其中加入二茂铁溶液的溶液，从正向曲线中取第一氧化最大值电压的平均值，从回复曲线中取相关的还原最大值的电压的平均值(VP和VF)，其中在各个情况下使用的电压是相对于二茂铁的电压。待研究的物质的HOMO值产生为EHOMO＝-[e·(VP-VF)+4.8eV]，其中e代表基本电荷。
[0142] 应当指出在个别情况中测量方法可能必须进行适当的改变，例如，如果待研究的物质不溶于二氯甲烷中，或如果该物质在测量期间发生分解。如果使用上述提到的方法通过CV不可能得到有意义的测量结果，则通过光电子光谱学，借助于Riken Keiki Co.Ltd.的AC-2型光电子光谱仪确定所述HOMO能量(http://www.rikenkeiki.com/pages/AC2.htm)，在这种情况下，应该注意获得的值通常比使用CV测定的那些值负约0.3eV。为了本发明专利的目的，则HOMO值被认为是指从Riken AC-2得到的值+0.3eV。因此，如果例如利用Riken AC-2测定的值为–5.6eV，则其对应的使用CV测定的值为–5.3eV。
[0143] 此外，使用描述的CV方法或使用描述的光电子光谱学不能可靠地测定比–6eV低的HOMO值。在这种情况下，借助于密度泛函理论(DFT)从量子化学计算确定HOMO值。使用方法B3PW91/6-31G(d)通过商业获得的Gaussian 03W软件(Gaussian(高斯)公司)进行该计算。通过和能够从CV测定的材料比较实现将计算值校准为CV值。为此目的，使用CV方法测定了一系列材料的HOMO值，并且进行了计算。然后，借助于所述测定值校准所述计算值，该校准因子用于所有的其它的计算结果。以这种方法，可以计算HOMO值，其与通过CV测定的那些值对应得非常好。如果特定物质的HOMO值不能通过如上所述的CV或Riken AC-2测定，则为了本发明专利的目的，因此，HOMO值被认为是指根据如上所述的将DFT计算校准为CV的描述获得的那些值。对于某些通常的有机材料以这种方法计算的值的例子是：NPB(HOMO–5.16eV，LUMO–2.28eV)；TCTA(HOMO–5.33eV，LUMO–2.20eV)；TPBI(HOMO–6.26eV，LUMO–2.48eV)。这些值能够用于校准该计算方法。
[0144] 使用层厚度为50nm的薄膜从测定的吸收光谱的吸收边缘确定能隙。此处吸收边缘被定义为当在吸收光谱中在其最陡点处，最长波长下落一侧拟合为直线时获得的波长，在该直线与波长轴线相交，即，吸收值＝0处所确定的值。
[0145] 通过将能隙加入到上面描述的HOMO值中获得LUMO值。
[0146] OLED的一般制备方法，实施例的描述
[0147] 按照WO 04/058911中的一般方法制造本发明的OLED和现有技术的OLED，此处将该方法调整以适应所述环境(层厚度的改变，使用的材料)。
[0148] 在以下实施例1至14(见表1和4)中给出了各种OLED的结果。为改进处理，将已经涂有厚度为150nm结构化ITO(氧化锡铟)的玻璃板涂覆20nm的PEDOT(聚(3,4-亚乙基二氧-2,5-噻吩)，从水中旋涂；购买自H.C.Starck，Goslar，德国)。这些涂覆的玻璃板形成基底，将OLED施加到所述基底上。所述OLED基本上具有如下的层结构：基底/任选的空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/任选的夹层(IL)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/本发明的电子传输层(ETL)/任选的第二电子传输层(ETL2)/任选的电子注入层(EIL)和最后的阴极。所述阴极由厚度为100nm的铝层形成。所述OLED的确切层结构显示于表1中。用于制造OLED的使用的材料显示于表3中。表2包含了用于105V/cm电场中的电子传输材料的电子迁移率(用于测定迁移率，见实施例1)。在所述电子传输层中使用材料TPBI、Alq3、ETM1和ETM2的情况下，获得了现有技术的OLED，然而在厚的层中使用ETM3至ETM6的情况下，获得了本发明的组件。
[0149] OLED的性能数据总结在表4中。为更清楚起见实施例被分成“a”和“b”，其中所有的以“a”结尾的实施例包含薄的电子传输层，所有的以“b”结尾的实施例包含厚的电子传输层。根据使用的材料的电子迁移率，实施例1-7(“a”和“b”两者)是现有技术的OLED。相同的情况适用于以“a”结尾的实施例8-14，其包含薄的电子传输层并作为与本发明OLED的对比。本发明的OLED是以“b”结尾的实施例8-14，因为此处在相应厚的电子传输层中使用具有相应高电子迁移率的材料。
[0150] 在所有的OLED中优化电子传输层的厚度以获得良好的性能数据。这不仅适用于包括薄的电子传输层的OLED而且适用于包括厚的电子传输层的那些OLED。因此如下比较了考虑到ETL厚度已经优化的组件。
[0151] 在真空室中通过热气相沉积施加所有材料。此处的发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，通过共蒸发使所述一种或多种基质材料以一定的体积比例与所述发光掺杂剂混和。此处信息例如H3:CBP:TER1(55％:35％:10％)是指材料H3以55％的体积比例存在于该层中，CBP以35％的体积比例存在和TER1以10％的比例存在。类似地，所述电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。
[0152] 通过标准方法表征所述OLED。为此目的，确定电致发光光谱、电流效率(以cd/A测量)、从电流-电压-亮度特性线计算的作为发光密度函数的功率效率(以lm/w测量)，和寿命。所述寿命定义为从某一初始发光密度下降到某一比例后所用的时间。LD80是指所述寿命是在发光密度已经下降到初始发光密度的80％，即从例如4000cd/m2下降到3200cd/m2的时间。类似地，LD50是初始发光密度下降到一半之后的时间。借助于本领域普通技术人员熟知的换算公式，能够将该寿命值转换为其它初始发光密度的数据。
[0153] 短路比例的测定
[0154] 为评论大规模生产中成品率预期的改进，确定在某一操作期之内形成短路的OLED的比例。这种OLED不发光，因此对于大规模生产目的而言被归类为不合格产品，因此降低了成品率。
[0155] 在各个情况下，制备32个具有相同层结构的OLED。如上所述确定它们的寿命。在寿命测定期间，确定在100h操作时间之后具有短路的OLED的比例。从亮度突然下降到极低的值或零识别短路。表4显示了32个OLED中有多少具有这种短路。0/32的值是指在100小时之后所有的OLED仍起作用。
[0156] 发蓝色光的荧光OLED
[0157] 当使用厚的ETL时，蓝色发光的彩色坐标改进了，同样短路的数量显著降低(比较实施例6a和6b，以及12a和12b)。如果Alq3(现有技术)与蓝色荧光发光层结合使用，则当使用厚的ETL(实施例6a和6b)时电压非常清楚地从6.4V增加到13.3V。尽管电流效率(cd/A)略微增加，但这产生了功率效率大约从2.5减半到1.3lm/W的结果。由于工作电压高，输入组件中的能量显著地增加，与薄的ETL相比较引起寿命显著地劣化(从160h到95h)。
[0158] 在本发明组件的情况下，情形是不同的：如果使用厚的材料ETM3层，则仅获得适度的工作电压增加，这与电流效率的略微增加一起，导致了与薄的ETL相比类似的功率效率和寿命(实施例12a和12b)。因此，本发明ETL的优点是改进的彩色坐标和更小数目的短路以及可比的功率效率和寿命。
[0159] 发红色光的磷光OLED
[0160] 在发红色光的情况下，存在如刚才描述的蓝色发光的类似的情形。此处同样，本发明OLED的突出之处在于如下的事实：它们产生改进的彩色坐标，和数目减少的短路，功率效率和寿命处于如在薄的电子传输层情况下的相同的水平(实施例7a、7b和13a和13b，其中13b是本发明的OLED)。
[0161] 发绿色光的磷光OLED
[0162] 当在显示绿色磷光的OLED中使用本发明电子传输层时产生最大的优点。这应归于当使用相应厚的发光层时发射光谱变窄的事实。在发蓝色和红色光的情况下，这仅导致彩色坐标的略微改进，但该效果在绿色光谱区域中更加显著。此外，在发绿色光的情况下能够实现更加明显的电流效率的增加，这产生如下的结果：尽管工作电压稍高，但利用本发明的电子传输层比薄的ETL能够实现更好的功率效率。此处应该特别提及实施例11a和11b，当使用本发明的ETL时它们显示明显的10％的功率效率的增加。在相同的实施例中，同样观察到寿命的略微增加，这特别是归因于包括本发明ETL的OLED的更好的电流效率。
[0163] 另外，在发绿色光情况下利用厚的电子传输层短路的比例能够显著地减少。除提及的对于蓝色和红色的优势之外，对于发绿色光在使用本发明电子传输层情况下功率效率的增加和寿命的适度改进也是可能的。
[0164] 表1：OLED的结构
[0165]
[0166]
[0167] 表2：使用的电子传输材料的电子迁移率
[0168]材料 在E＝105V/cm的μe
TPBI 9.3·10-8cm2/(Vs)
Alq3 2.1·10-6cm2/(Vs)
ETM1 5.7·10-6cm2/(Vs)
ETM2 8.2·10-6cm2/(Vs)
ETM3 1.5·10-4cm2/(Vs)
ETM4 1.4·10-4cm2/(Vs)
ETM5 2·10-4cm2/(Vs)
-4 2
ETM6 7·10 cm/(Vs)
TPBI 9.3·10-8cm2/(Vs)
Alq3 2.1·10-6cm2/(Vs)
ETM1 5.7·10-6cm2/(Vs)
ETM2 8.2·10-6cm2/(Vs)
ETM3 1.5·10-4cm2/(Vs)
ETM4 1.4·10-4cm2/(Vs)
ETM5 2·10-4cm2/(Vs)
-4 2
ETM6 7·10 cm/(Vs)
[0169] 表3：使用的材料的结构式
[0170]
[0171]
[0172] 表4：各种OLED的性能数据
[0173]
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