一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法
专利汇可以提供一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及溅射成膜技术领域，具体来说是一种 微波 等离子辅助的溅射光学成膜方法，在溅射过程中，通过固态微波源激励 等离子体 实现膜层 氧 化，以提高膜层折射率的 稳定性 。本发明优选地采用工业微波 频率 为2450MHz的固态微波源，相对于使用RF射频激励等离子体的方式其具有以下优点：使用频率提高很大，RF射频频率为13.56M Hz，而微波频率为2450M Hz，使得氧气在 真空 腔室内活化的效率大大提高；不需要使用大功率射频电源，或使用多个射频氧化源，大幅降低设备成本；膜层折射率稳定性大幅提高， 镀 膜 产品品质、良品率提高；采用矩形 谐振腔 的设计，使谐振腔内微波谐振腔模式数取得最大值，提高微波场的均匀性。，下面是一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法专利的具体信息内容。
1.一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于在溅射过程中，通过固态微波源激励等离子体实现膜层氧化，以提高膜层折射率的稳定性。
2.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于采用的固态微波源的频率为2450MHz。
3.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的固态微波源采用具有矩形谐振腔的定向耦合器波导，从而提高谐振腔内的微波谐振腔模式数，提高微波场的均匀性。
4.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于采用双磁控溅射靶进行磁控溅射镀膜。
5.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于磁控溅射靶的材料包括硅、铌、钽、钛、锆。
6.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的方法具体如下：向用于磁控溅射的真空腔体的一侧的氧化区导入氧气，用以把镀层金属氧化成氧化物，并通过所述的固态微波源为氧分子输入能量，以生成活泼的等离子体进而提高与金属结合的效率，其中镀层金属为导电体，且为非氧化物。
7.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的固态微波源设置有相连的调谐器和定向耦合器波导，所述的定向耦合器波导的谐振腔采用矩形谐振腔。
8.如权利要求7所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的定向耦合器波导远于调谐器的一端还连接有适配端部。
一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法
技术领域
背景技术
发明内容
（2）不需要使用大功率射频电源，或使用多个射频氧化源，大幅降低设备成本；
（3）膜层折射率稳定性大幅提高，镀膜产品品质、良品率提高；
（4）采用矩形谐振腔的设计，使谐振腔内微波谐振腔模式数取得最大值，提高微波场的均匀性。
附图说明
图3是本发明中调谐器的示意图；
图4是本发明中定向耦合器波导的示意图；
图5是本发明中固态微波源、调谐器和定向耦合器波导相连接的示意图；
图6是本发明中适配端部的结构示意图；
图7是本发明中适配端部的主视图；
图中：1.待镀工件（基板） 2.氧等粒子活化区 3. 微波导入位置。
具体实施方式
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