Manufacture of semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To form CMOS using homopolar poly Si easily by a method wherein the metallic silicide is formed on the N type poly Si wiring provided on the P type diffused layer of CMOS to make this metallic silicide react to the said N type poly Si. CONSTITUTION:An N type Si is used as a gate electrode 103 and a wiring layer 104 of both the N channel MOS and P channel MOS formed on an N type Si substrate 101 and the metal 108 such as Ni and the like is provided on the section where the said N type poly Si is in contact with the P type diffused layer 107 to perform the heat treatment for 120min at 400 deg.C in the N2 atmosphere making the said metal 108 react to the N type poly Si 104 to be in ohmic contact with each other forming the said metal silicide. Through these procedures, the contact self alignment process may be utilized to form the microstructure easily when CMOS is formed using the synchronous polarity Si.，下面是Manufacture of semiconductor device专利的具体信息内容。
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