無閘極且無淺渠溝隔離之主動二極體 ACTIVE DIODE HAVING NO GATE AND NO SHALLOW TRENCH ISOLATION
阅读：1030发布：2020-07-24
专利汇可以提供無閘極且無淺渠溝隔離之主動二極體 ACTIVE DIODE HAVING NO GATE AND NO SHALLOW TRENCH ISOLATION专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一種具有快速導通時間、低電容及低導通電阻之主動二極體可製造成在該二極體之摻雜區之間無閘極且無淺渠溝隔離區。該主動二極體中之一短傳導路徑實現一快速導通時間,且缺少閘極 氧 化物降低該主動二極體對極端電壓的敏感性。該主動二極體可實施於積體電路中以防止並降低因靜電放電(ESD)事件所致之損壞。製造該主動二極體係藉由在自對準矽化之前在該二極體之摻雜區之間沈積一自對準矽化物阻斷物而實現。在該等摻雜區上形成自對準矽化物層之後,移除該自對準矽化物阻斷物。，下面是無閘極且無淺渠溝隔離之主動二極體 ACTIVE DIODE HAVING NO GATE AND NO SHALLOW TRENCH ISOLATION专利的具体信息内容。
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