Semiconductor device and manufacture thereof
专利汇可以提供Semiconductor device and manufacture thereof专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To form source and drain regions in a self-aligning manner by forming an impurity-containing high melting point metallic silicide electrode via a channel region on a semiconductor substrate having a field insulating film and diffusing the impurity. CONSTITUTION:An Mo silicide 3 containing P or As is sputtered on a p type Si substrate 11 having a field insulating film 12, a channel region is exposed, an oxidized film 14 is then formed, impurity is introduced to the substrate to form source and drain region 15, Mo silicide is covered, and a gate electrode 16 is formed. Since the respective electrodes and the corresponding regions can be formed in a self-aligning manner, the element can be remarkably reduced in size.，下面是Semiconductor device and manufacture thereof专利的具体信息内容。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| MIP电容的制造方法 | 2020-05-11 | 349 |
| 一种形成自对准接触部的方法 | 2020-05-12 | 181 |
| 一种熔断器及其制造方法 | 2020-05-12 | 845 |
| 沟槽MOSFET及其制造方法 | 2020-05-13 | 381 |
| 自对准作用沟槽触点 | 2020-05-08 | 222 |
| 一种半导体器件及其制作方法 | 2020-05-12 | 524 |
| CMOS图像传感器及其制造方法 | 2020-05-08 | 85 |
| 形成半导体器件的方法 | 2020-05-08 | 819 |
| 鳍式晶体管及其制造方法 | 2020-05-08 | 973 |
| LDMOSFET器件及其制造方法 | 2020-05-11 | 182 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
