薄膜晶体管基板及其制造方法
专利汇可以提供薄膜晶体管基板及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种制造 薄膜 晶体管 基板 的方法，包括：在基底(100)上形成栅 电极 (110)；在基底(100)上形成栅极绝缘层(120)以 覆盖 栅电极(110)；在栅极绝缘层(120)上形成 半导体 层(130)；对半导体层(130)进行等 离子化 ，以形成具有预定厚度的欧姆 接触 层(140)；在栅极绝缘层(120)上形成金属层以覆盖 欧姆接触 层(140)；对金属层和欧姆接触层(140)进行 图案化 ，以形成源电极(S)和漏电极(D)并且暴露半导体层(130)的在源电极(S)和漏电极(D)之间的区域；在源电极(S)、漏电极(D)和暴露的半导体层(130)上形成 钝化 层(150)；在 钝化层 (150)中形成用于暴露漏电极(D)的接触孔(H)；在钝化层(150)上形成 像素 电极(160)，像素电极(160)通过接触孔(H)连接到漏电极(D)。上述制造 薄膜晶体管 基板的方法，不需要在半导体层(130)与源电极(S)和漏电极(D)之间增设蚀刻阻挡层，因此降低了生产成本，简化了制造工艺。还提供了一种薄膜晶体管基板。，下面是薄膜晶体管基板及其制造方法专利的具体信息内容。
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