PROGRAMMABLE FUSE AND ANTIFUSE AND METHOD THEREFOR
专利汇可以提供PROGRAMMABLE FUSE AND ANTIFUSE AND METHOD THEREFOR专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且P-channel MOSFET (300) devices are used as reprogrammable fuse or antifuse elements in a memory decode circuit by utilizing anomalous hole generation. An applied negative gate bias voltage (314) is sufficiently large to cause tunnel electrons to gain enough energy to exceed the band gap energy of the oxide (312). This causes energetic hole-electron pairs to be generated in the silicon substrate. The holes are then injected from the substrate into the oxide, where they remain trapped. A large shift in the threshold voltage of the p-channel MOSFET results. The device can subsequently be reset by applying a positive gate bias voltage.，下面是PROGRAMMABLE FUSE AND ANTIFUSE AND METHOD THEREFOR专利的具体信息内容。
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