用于高频全数字锁相环的高精度数字控制振荡器
专利汇可以提供用于高频全数字锁相环的高精度数字控制振荡器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种用于高频全数字 锁 相环的高 精度 数字控制 振荡器 ，包括电感、电容阵列以及差分耦合对管，所述电容阵列包括粗调电容阵列和精调电容阵列，所述精调电容阵列包括若干高精度电容单元，所述高精度电容单元包括三个MOM电容和两个NMOS管，其中第三MOM电容分别与第一MOM电容和第二MOM电容的一端相连接，第一MOM电容和第二MOM电容的另一端分别与差分时钟输出连接，两个NMOS管的漏极分别接在第三MOM电容两端，两个NMOS管的栅极短接且连接控制字，两个NMOS管的源极短接且接地。本发明能够达到比工艺库中最小电容更小的最小有效电容值变化的设计要求，相比传统的数字控制振荡器具有明显的优势。，下面是用于高频全数字锁相环的高精度数字控制振荡器专利的具体信息内容。
1.一种高精度数字控制振荡器，包括电感、电容阵列以及差分耦合对管，通过所述电感的共模接头接入电流，所述电感两端为差分时钟输出，所述电感两端与所述电容阵列两端及所述差分耦合对管两端连接，所述电容阵列包括粗调电容阵列和精调电容阵列，其特征在于，所述精调电容阵列包括若干高精度电容单元，所述高精度电容单元包括三个MOM电容和两个NMOS管，其中第三MOM电容分别与第一MOM电容和第二MOM电容的一端相连接，第一MOM电容和第二MOM电容的另一端分别与差分时钟输出连接，两个NMOS管的漏极分别接在第三MOM电容两端，两个NMOS管的栅极短接且连接控制字，两个NMOS管的源极短接且接地。
2.如权利要求1所述的高精度数字控制振荡器，其特征在于：所述高精度电容单元中，第一MOM电容与第二MOM电容相同且为电容值较小的电容，第三MOM电容为电容值较大的电容。
3.如权利要求1所述的高精度数字控制振荡器，其特征在于：所述差分耦合对管包括两个NMOS管，所述差分耦合对管的两个NMOS管的漏极分别连接至差分时钟输出，所述差分耦合对管的两个NMOS管的栅极分别连接至对方的漏极，所述差分耦合对管的两个NMOS管的源极短接且接地。
4.如权利要求1所述的高精度数字控制振荡器，其特征在于：所述粗调电容阵列由N个普通电容开关组成，所述普通电容开关为两个可变电容器一端短接且连接控制字，另外一端分别与差分时钟输出连接。
5.一种高频全数字锁相环，包括鉴频鉴相器、数字环路滤波器、数字控制振荡器以及分频器，其特征在于，所述数字控制振荡器为权利要求1～4中任一项所述的高精度数字控制振荡器。
6.一种采用权利要求1所述高精度数字控制振荡器调节最小有效电容值的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)第一MOM电容和第二MOM电容的电容值相等且为C1，第三MOM电容的电容值为C2，当控制字为1时，高精度电容单元的两个NMOS管将第三MOM电容短路，接入差分时钟输出的电容值为C1/2；当控制字为0时，接入差分时钟输出的电容值为三个MOM电容的串联电容值则控制字在0和1之间跳变时，最小有效电容值变化为
2)C1最小能取到工艺库中最小电容，当C1无法再变小时，根据上式，只需改变C2的大小，即可达到对于更小的最小有效电容值变化的需求。
用于高频全数字锁相环的高精度数字控制振荡器
技术领域
背景技术
109经由鉴频鉴相器101处理得到相位的超前/滞后信号106，该信号经由数字环路滤波器
102处理后得到数字控制振荡器103的控制字107，不同的控制字107与数字控制整荡器输出
108的振荡频率一一对应，信号108经过分频器104分频后得到信号109，整个全数字锁相环系统，通过改变信号108的频率来调整信号108的相位，从而实现锁相这一目的。通常，为了实现快速锁相和精确锁相这两个目的，全数字锁相环的锁相过程分为两个阶段，分别是粗调阶段和精调阶段，粗调阶段即为频率追踪阶段，精调阶段即为相位追踪阶段，在粗调阶段，为了尽快将信号108的频率锁定在目标频率，通常选择较大的环路带宽和较大的数字控振荡器的增益，而在精调阶段，为了减小时钟抖动，使信号108的频率和相位准确的稳定在目标值，选择较小的环路带宽和较小的数字控制振荡器的增益。
发明内容
具体实施方式
2(b)中的结构直接由电源提供电流，该结构包括两对差分耦合对管，分别是PMOS管115a和
115b以及116a和116b，PMOS管115a的栅极接到119b，PMOS管115b的栅极接到119a，PMOS差分耦合对管115a和115b的漏极分别接到差分时钟输出119a和119b，PMOS差分耦合对管115a和
115b的源极短接且接到电源，图2(b)中的其他结构即电感117、粗调电容阵列118a和精调电容阵列118b的连接方式与图2(a)中类似。
122a和122b的源极短接且接地。其中MOM电容120a和120b的电容一样且为电容值较小的电容，MOM电容121为电容值较大的电容。所述电容值较小的电容，一般为工艺库中可以提供的最小电容，根据工艺库的不同电容值一般为0.5fF～5fF，所述电容值较大的电容，一般根据需要可以选取较小电容值的几十倍甚至更高。
122a和122b将MOM电容121短路，接入差分时钟输出114a和114b的电容值为C1/2；当控制字
123为0时，接入差分时钟输出114a和114b的电容值为MOM电容120a、120b和121的串联电容值 则控制字在0和1之间跳变时，最小有效电容值变化为
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2 一种时钟同步系统
