专利汇可以提供半導体装置及びその製造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且半導体装置は、チャネル領域(31A、31)、高濃度不純物領域およびチャネル領域と高濃度不純物領域との間に 位置 する低濃度不純物領域(32A、32B)を有する半導体層(3A、3B)と、ゲート絶縁層(5)の上に設けられたゲート電極(7A、7B)と、ゲート電極上に形成された層間絶縁層(11)と、ソース電極(8A、8B)およびドレイン電極(9A、9B)とを有する少なくとも1つの 薄膜 トランジスタ(100、200)を備え、層間絶縁層およびゲート絶縁層には、半導体層に達するコンタクトホールが設けられており、ソース電極(8A、8B)およびドレイン電極(9A、9B)の少なくとも一方は、コンタクトホール内で高濃度不純物領域と接し、コンタクトホールの側壁において、ゲート絶縁層および層間絶縁層の側面は整合しており、半導体層の上面において、コンタクトホールの縁部と、高濃度不純物領域の縁部とは整合している。,下面是半導体装置及びその製造方法专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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