显示面板及显示装置
阅读：959发布：2020-05-08
专利汇可以提供显示面板及显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 显示面板 及显示装置，涉及显示技术领域，沿垂直于显示面板出光方向，显示面板包括衬底 基板 、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层；第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源膜和第二有源膜设置于第一有源层，第一栅极设置于第一金属层，第一源极和第一漏极设置于源漏极金属层；过渡金属层包括第一过渡金属膜；第二金属层包括第一金属膜，第一过渡金属膜和第一金属膜之间形成存储电容，且第一金属膜和第一过渡金属膜在衬底基板上的正投影重合，第一金属膜和第一有源膜、第二有源膜在衬底基板上的正投影不重合，从而避免了存储电容漏流增大的问题。，下面是显示面板及显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板的出光面的方向，所述显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一金属层、过渡金属层、第二金属层、第二有源层和源漏极金属层；
所述第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源膜和所述第二有源膜均设置于所述第一有源层，所述第一栅极设置于所述第一金属层，所述第一源极和所述第一漏极均设置于所述源漏极金属层；所述过渡金属层包括第一过渡金属膜；
所述第二金属层包括第一金属膜，所述第一过渡金属膜和所述第一金属膜之间形成存储电容，且所述第一金属膜和所述第一过渡金属膜在所述衬底基板上的正投影重合，所述第一金属膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述衬底基板上的正投影不重合。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过渡金属膜和所述第一栅极通过过孔电连接；所述过渡金属层还包括甲过渡金属膜和乙过渡金属膜，所述甲过渡金属膜通过过孔分别与所述第一有源膜和所述第一源极电连接，所述乙过渡金属膜通过过孔分别与所述第二有源膜和所述第一漏极电连接；所述第一金属膜在所述衬底基板上的正投影与所有所述过孔在衬底基板上的正投影均不重合。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二栅极、第三有源膜、第二源极和第二漏极，所述第三有源膜设置于所述第二有源层，所述第二源极和所述第二漏极均设置于所述源漏极金属层，且所述第一漏极和所述第二源极在所述源漏极金属层电连接，所述第二源极和所述第二漏极均通过过孔与所述第三有源膜电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极与所述第一金属膜同层设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极与所述第一过渡金属膜同层设置。
6.根据权利要求4或5所述的显示面板，其特征在于，所述第三有源膜远离所述衬底基板的一侧设置有第一绝缘膜和第二金属膜，沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第三有源膜和所述第二金属膜与所述第一绝缘膜的两侧接触，且所述第一绝缘膜和所述第二金属膜设置于所述第二有源层和所述源漏极金属层之间；所述第一绝缘膜、所述第二金属膜和所述第二栅极在衬底基板上的正投影位于所述第三有源膜在所述衬底基板上的正投影内。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二晶体管为氧化物薄膜晶体管。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括平坦化层和发光功能膜层；所述平坦化层设置于所述源漏极金属层远离所述衬底基板的一侧，所述发光功能膜层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能膜层包括阳极金属层，所述阳极金属层通过过孔与所述第一源极电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
显示面板及显示装置
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
[0003] 在常规的显示装置中，被形成在显示面板中的像素电路一般仅设置LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)结构的薄膜晶体管，且存储电容的设置在层叠结构上往往会和有源层的设置相交叠，或者与层叠结构中存在的连接两个膜层结构的过孔相交叠，如此设置会导致存储的电容的漏流增大，不利于存储电容的正常工作，从而也会对显示面板的显示效果造成影响。
发明内容
[0004] 有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板中所设置的薄膜晶体管和存储电容的形成会导致存储的电容的漏流增大的问题。
[0006] 所述第一晶体管包括第一有源膜、第二有源膜、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源膜和所述第二有源膜均设置于所述第一有源层，所述第一栅极设置于所述第一金属层，所述第一源极和所述第一漏极均设置于所述源漏极金属层；所述过渡金属层包括第一过渡金属膜；
[0007] 所述第二金属层包括第一金属膜，所述第一过渡金属膜和所述第一金属膜之间形成存储电容，且所述第一金属膜和所述第一过渡金属膜在所述衬底基板上的正投影重合，所述第一金属膜和所述第一有源膜、所述第二有源膜在所述衬底基板上的正投影不重合。
[0008] 第二方面，本申请提供一种显示模组，所述显示模组包括显示面板。
[0009] 与现有技术相比，本发明提供的一种显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：
[0010] 本申请所提供的显示面板中包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，且通过在低温多晶硅薄膜晶体管所在的膜层层叠位置形成的存储电容不与低温多晶硅薄膜晶体管的第一有源膜在层叠方向上交叠，从而避免了存储电容漏流增大的问题，有利于显示面板的显示效果的提升；且本申请显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管、存储电容和氧化物薄膜晶体管三者的制程都是相互独立的，有利于工艺调试的方便性。
[0011] 当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
附图说明
[0014] 图1所示为本申请实施例提供的显示面板的一种示意图；
[0015] 图2所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构示意图；
[0016] 图3所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的另一种结构示意图；
[0017] 图4所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的再一种结构示意图；
[0018] 图5所示为本申请实施例提供的图4的另一种结构示意图；
[0019] 图6所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构和制程区分示意图；
[0020] 图7所示为本申请实施例提供的图6的另一种结构示意图；
[0021] 图8所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的又一种结构示意图；
[0022] 图9所示为本申请实施例提供的显示装置的一种示意图。
具体实施方式
[0023] 现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
[0024] 以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
[0025] 对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0026] 在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0027] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0028] 在常规的显示装置中，被形成在显示面板中的像素电路一般仅设置LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)结构的薄膜晶体管，且存储电容的设置在层叠结构上往往会和有源层的设置相交叠，或者与层叠结构中存在的连接两个膜层结构的过孔相交叠，如此设置会导致存储的电容的漏流增大，不利于存储电容的正常工作，从而也会对显示面板的显示效果造成影响。
[0029] 有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板中所设置的薄膜晶体管和存储电容的形成会导致存储的电容的漏流增大的问题。
[0030] 图1所示为本申请实施例提供的显示面板的一种示意图，图2所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构示意图，请参照图1和图2，本申请提供了一种显示面板100，沿垂直于显示面板100的出光面的方向，显示面板100包括衬底基板10、第一有源层11、第一金属层12、过渡金属层13、第二金属层14、第二有源层15和源漏极金属层17；
[0031] 第一晶体管20包括第一有源膜111、第二有源膜112、第一栅极121、第一源极171和第一漏极172，第一有源膜111和第二有源膜112均设置于第一有源层11，第一栅极121设置于第一金属层12，第一源极171和第一漏极172均设置于源漏极金属层17；过渡金属层13包括第一过渡金属膜131；
[0032] 第二金属层14包括第一金属膜141，第一过渡金属膜131和第一金属膜141之间形成存储电容40，且第一金属膜141和第一过渡金属膜131在衬底基板10上的正投影重合，第一金属膜141和第一有源膜111、第二有源膜112在衬底基板10上的正投影不重合。
[0033] 具体地，本申请提供了一种显示面板100，显示面板100包括显示区8和围绕显示区8的非显示区9，显示区8中包括若干阵列排布的子像素，PP’为显示面板100中沿任一子像素所在位置的截面图；显示面板100包括衬底基板10，以及位于衬底基板10朝向显示面板100，即朝向显示面板100出光面的方向设置的第一有源层11、第一金属层12、过渡金属层13、第二金属层14、第二有源层15和源漏极金属层17，各膜层之间设置有绝缘层，以避免膜层之间的电性干扰，有利于保障各膜层结构所组成的器件结构能够正常工作。该显示面板100中包括第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20包括：设置于第一有源层11的第一有源膜
111和第二有源膜112，设置于第一金属层12中的第一栅极121，设置于源漏极金属层17中的第一源极171和第一漏极172。
111和第二有源膜112，设置于第一金属层12中的第一栅极121，设置于源漏极金属层17中的第一源极171和第一漏极172。
[0034] 过渡金属层13还设置有第一过渡金属膜131，第二金属层14设置有第一金属膜141，第一金属膜141和第一过渡金属膜131在衬底基板10上的正投影存在重合的部分，重合部分的第一过渡金属膜131和第一金属膜141之间形成存储电容40。特别的是，本申请显示面板100中的第一金属膜141和第一有源膜111在衬底基板10上的正投影不重合，且第一金属膜141和第二有源膜112在衬底基板10上的正投影也不重合，从而避免了形成存储电容40的第一金属膜141和第一过渡金属膜131的部分位于有源膜的正上方，有利于避免存储电容
40漏流变大的问题，从而有利于保障显示面板100的良好显示效果。
40漏流变大的问题，从而有利于保障显示面板100的良好显示效果。
[0035] 请继续参照图2，可选地，第一过渡金属膜131和第一栅极121通过过孔电连接；过渡金属层13还包括甲过渡金属膜132和乙过渡金属膜133，甲过渡金属膜132通过过孔分别与第一有源膜111和第一源极171电连接，乙过渡金属膜133通过过孔分别与第二有源膜112和第一漏极172电连接；第一金属膜141在衬底基板10上的正投影与所有过孔在衬底基板10上的正投影均不重合。
[0036] 具体地，位于过渡金属层13的第一过渡金属膜131和位于第一金属层12的第一栅极121通过过孔电连接；过渡金属层13中第一过渡金属膜131的两侧还分别设置有甲过渡金属膜132和乙过渡金属膜133，甲过渡金属膜132通过过孔与其下层的第一有源膜111电连接，且通过过孔与其上层的第一源极171电连接；乙过渡金属膜133通过过孔与其下层的第二有源膜112电连接，且通过过孔与其上层设置的第一漏极172电连接；在本申请的第一晶体管20中，通过在第一有源膜111、第二有源膜112和其所对应的第一源极171和第一漏极172之间设置甲过渡金属膜132和乙过渡金属膜133，能够避免第一源极171和第一漏极172到第一有源膜111之间的膜层结构过多，绝缘层很厚导致的打孔工艺难度较大，设置甲过渡金属膜132和乙过渡金属膜133作为制备第一晶体管20时的中间过渡膜层，能够降低打孔工艺的难度，提高显示面板100制作过程中的便捷性，从而有利于提高显示面板100的制作的简便。特别的是，本申请中得到第一金属膜141在衬底基板10上的正投影和上述膜层间的过孔在衬底基板10上的正投影均不重合，因此，也能够避免形成存储电容40的第一金属膜141和第一过渡金属膜131的部分位于过孔的正上方设置，有利于避免存储电容40漏流变大的问题，从而有利于保障显示面板100的良好显示效果。
[0037] 还需要说明的是，虽然本申请中所公开的第一晶体管20的第一源极171和第一漏极172位于源漏极金属层17，但本申请并不以此为限，第一晶体管20的第一源极171和第一漏极172也可以由甲过渡金属膜132和乙过渡金属膜133来形成。
[0038] 请继续参照图2，可选地，第二晶体管30包括第二栅极142、第三有源膜151、第二源极173和第二漏极174，第三有源膜151设置于第二有源层15，第二源极173和第二漏极174均设置于源漏极金属层17，且第一漏极172和第二源极173在源漏极金属层17电连接，第二源极173和第二漏极174均通过过孔与第三有源膜151电连接。
[0039] 具体地，本申请显示面板100中的第二晶体管30包括第二栅极142、设置于第二有源层15的第三有源膜151、设置于源漏极金属层17的第二源极173和第二漏极174，也即第二晶体管30的第二源极173和第二漏极174与第一晶体管20的第一源极171和第一漏极172同层设置，均设置于源漏极金属层17。也即第一晶体管20的源漏极和第二晶体管30的源漏极可以在显示面板100的同一制程中进行制作，避免了第一晶体管20和第二晶体管30所对应的源级、漏极需要分开制作的过程，有利于简化第一晶体管20和第二晶体的制作工艺，进而有利于简化整个显示面板100的制作流程，提高显示面板100的生产效率。
[0040] 特别的是，本申请显示面板100中的第一晶体管20的第一漏极172和第二晶体管30的第一源极171在源漏极金属层17电连接，也可以说是第一晶体管20的第一漏极172可直接复用为第二晶体管30的第一源极171，简化了第一晶体管20和第二晶体管30源漏极的制作流程。第二晶体管30的第二源极173和第二漏极174均通过过孔和第二晶体管30的第三有源膜151电连接，以保证第二晶体管30有源膜和源漏极之间的电性连接。
[0041] 请继续参照图2，可选地，第二栅极142与第一金属膜141同层设置。
[0042] 具体地，本申请中第二晶体管30的第二栅极142可设置于第二金属层14，即和第一金属膜141同层同材料进行制作，无需为第二栅极142和第一金属膜141分别设置单独的膜层结构，因而有利于简化显示面板100的膜层结构；同时，当将第二栅极142和第一金属膜141设置在同层时，二者还能够在相同的制作工序中完成制作，因而还有利于简化第二晶体管30的制作流程，同时也有利于使得第二晶体管30的栅极漏流更优。
[0043] 图3所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的另一种结构示意图，请参照图3，可选地，第二栅极142与第一过渡金属膜131同层设置。
[0044] 具体地，本申请中第二晶体管30的第二栅极142可设置于过渡金属层13，即第二栅极142和第一过渡金属膜131同层同材料进行制作，且甲过渡金属膜132、乙过渡金属膜133也可与第二栅极142同层同材料进行制作，无需为第二栅极142和第一过渡金属膜131分别设置单独的膜层结构，因而有利于简化显示面板100的膜层结构；同时，当将第二栅极142和第一过渡金属膜131、甲过渡金属膜132、乙过渡金属膜133设置在同层时，还能够使得上述结构在相同的制作工序中完成制作，因而还有利于简化整个显示面板100的制作流程，提高显示面板100的生产效率。且由于过渡金属层13和第二有源层15之间至少包括两层绝缘层，使得此处所设置的第二栅极142和第二有源膜112之间的绝缘层厚度相对增大，有利于改善第二晶体管30的栅极漏流。
[0045] 图4所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的再一种结构示意图，图5所示为本申请实施例提供的图4的另一种结构示意图，请参照图4-图5，可选地，第三有源膜151远离衬底基板10的一侧设置有第一绝缘膜18和第二金属膜16，沿垂直于衬底基板10所在平面的方向上，第一绝缘膜18和第二金属膜16与第三有源膜151的两侧接触，且第一绝缘膜18和第二金属膜16设置于第二有源层15和源漏极金属层17之间；第一绝缘膜18、第二金属膜16和第二栅极142在衬底基板10上的正投影位于第三有源膜151在衬底基板10上的正投影内。
[0046] 具体地，本申请中的显示面板100还包括第一绝缘膜18和第二金属膜16，沿垂直于衬底基板10所在平面的方向上，第一绝缘膜18和第二金属膜16依次设置于第三有源膜151远离衬底基板10的一侧，第一绝缘膜18的上下两侧分别与第二金属膜16和第三有源膜151直接接触，且第一绝缘膜18和第二金属膜16设置于第二有源层15和源漏极金属层17之间；第一绝缘膜18、第二金属膜16和第二栅极142在衬底基板10上的正投影位于第三有源膜151在衬底基板10上的正投影内部。使得第二晶体管30第二有源膜112的上下两侧均包括金属层，形成上下立体双栅结构的第二晶体管30，有利于使得显示面板100中的薄膜晶体管的性能更加稳定，可靠性更强，进而有利于保障显示面板100的显示效果。
[0047] 需要说明的是，当显示面板100还包括第一绝缘膜18和第二金属膜16时，第二栅极142既可以如图4所示设置于过渡金属层13，也可以如图5设置于第二金属层14，本申请对此并不做具体限定，实际制作中可根据实际需求进行相应调整。
[0048] 请参照图2-图4，可选地，第一晶体管20为低温多晶硅薄膜晶体管20，第二晶体管30为氧化物薄膜晶体管30。
[0049] 具体地，本申请上述的第一晶体管20为低温多晶硅薄膜晶体管20，第二晶体管30为氧化物薄膜晶体管30，也即本申请中像素电路中包括低温多晶硅薄膜晶体管20和氧化物薄膜晶体管30两种，从而能够避免存储电容40的漏流增大，改善显示面板100的显示效果。
[0050] 图6所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的一种结构和制程区分示意图，图7所示为本申请实施例提供的图6的另一种结构示意图，请参考图6和图7，从图6可看出，第一晶体管20的第一源极171和第一漏极172也可以由甲过渡金属膜132和乙过渡金属膜133来形成。低温多晶硅薄膜晶体管20对应的制程AA可为显示面板100的膜层结构中的第一有源层11的形成至过渡金属层13的形成，存储电容40的对应的制程BB可为过渡金属层13的形成至第一金属层12的形成，氧化物薄膜晶体管30对应的制程CC为第二金属层14的形成至源漏极金属层17的形成；可见低温多晶硅薄膜晶体管20、存储电容40和氧化物薄膜晶体管30三者所对应的制程AA、BB、CC是分开的，也即三段制程AA、BB、CC是相互独立的，相互之间不存在制程上的影响，有利于方便工艺调试的进行。
[0051] 另外，通过第一过渡金属膜131和第一金属膜141形成存储电容40，第一过渡金属膜131和第一金属膜141之间的绝缘层不参与低温多晶硅薄膜晶体管20和氧化物薄膜晶体管30的制程，是相互独立的，避免了与低温多晶硅薄膜晶体管20和氧化物薄膜晶体管30制程中的绝缘层共用，使得存储电容40绝缘层膜质的调节不受低温多晶硅薄膜晶体管20和氧化物薄膜晶体管30特性的限制，可以做到更佳的绝缘特性，同时可以隔开低温多晶硅薄膜晶体管20里的氢元素影响氧化物薄膜晶体管30的特性，也有利于避免存储电容40的漏流变大。
[0052] 请参照图7，需要说明的是，双栅结构的氧化物薄膜晶体管30也可以在设置位于第三有源膜151远离衬底基板10一侧的第二金属膜16前，不包括第一绝缘膜18，直接通过第三有源膜151和源漏极金属层17之间的绝缘层作为第三有源膜151和第二金属膜16之间的绝缘层，以简化双栅结构的氧化物薄膜晶体管30的制程CC。
[0053] 图8所示为本申请实施例提供的图1中PP’截面的又一种结构示意图，请参照图8，可选地，显示面板100还包括平坦化层21和发光功能膜层；平坦化层21设置于源漏极金属层17远离衬底基板10的一侧，发光功能膜层设置于平坦化层21远离衬底基板10的一侧。
[0054] 具体地，显示面板100还包括平坦化层21和发光功能膜层，平坦化层21设置于源漏极金属层17远离衬底基板10的一侧，平坦化层21可以为有机平坦化层21，用于显示面板100膜层结构中的平坦化，以及显示面板100表面的平坦化，平坦化层21也能够增强整个显示面板100的封装效果，对显示面板100中的各器件进行保护。显示面板100中的发光功能膜层设置于平坦化层21远离衬底基板10的一侧，发光功能膜层包括层叠设置的第一电极23、空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极，在显示面板100进行显示时，第一电极23和第二电极产生的空穴和电子注入到与发光层中，二者复合产生激子，激子辐射从激发态跃迁到基态，使得发光层发出相应颜色的光。需要说明的是，发光功能膜层为本申请相关技术领域中的公知常识，因此为了简化图8所示，因此本申请仅示出了发光功能膜层的第一电极23，并不代表本申请显示面板100中的发光功能膜层仅包括第一电极23。
[0056] 具体地，发光功能膜层包括阳极金属层23，即为上述的第一电极23，阳极金属层23通过过孔和第一源极171电连接，使得发光功能膜层和低温多晶硅薄膜晶体管20之间电连接，从而可以通过低温多晶硅薄膜晶体管20所连接的电信号控制发光功能膜层的工作。需要说明的是，发光功能膜层处包括阳极金属层23外，还包括发光材料层和阴极金属层(图中未示出)，本申请对此不进行具体限定。
[0057] 显示面板100还包括薄膜封装层23，薄膜封装层23设置于发光功能膜层远离衬底基板10的一侧，薄膜封装层23至少包括一层无机封装层，以保证封装的可靠性。本申请对于薄膜封装层23的具体膜层结构并不做具体限定，具体膜层结构可根据实际需求进行相应调整，只要能够达到良好的封装效果即可。
[0058] 图9所示为本申请实施例提供的显示装置的一种示意图，请参照图9，基于同一发明构思，本申请还提供了一种显示装置200，该显示装置200包括显示面板100，显示面板100为本申请提供的任一种显示面板。
[0059] 需要说明的是，本申请实施例所提供的显示装置200的实施例可参见上述显示面板100的实施例，重复指出不再赘述。本申请所提供的显示装置200可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品和部件。
[0060] 通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：
[0061] 本申请所提供的显示面板中包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，且通过在低温多晶硅薄膜晶体管所在的膜层层叠位置形成的存储电容不与低温多晶硅薄膜晶体管的第一有源膜在层叠方向上交叠，从而避免了存储电容漏流增大的问题，有利于显示面板的显示效果的提升；且本申请显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管、存储电容和氧化物薄膜晶体管三者的制程都是相互独立的，有利于工艺调试的方便性。
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