液晶装置及其制作方法、光固化打印设备
阅读：20发布：2020-05-11
专利汇可以提供液晶装置及其制作方法、光固化打印设备专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 提供一种 液晶 装置及其制作方法，以及一种光 固化 打印设备。所述液晶装置包括：衬底 基板 和对置基板；设置于所述衬底基板上的多个 薄膜 晶体管，和设置于所述 薄膜晶体管 与所述对置基板之间的多个遮光罩；其中，所述遮光罩与所述薄膜晶体管一一对应，且所述遮光罩在所述薄膜晶体管上的投影 覆盖 所述薄膜晶体管的 沟道 区；所述遮光罩包括正向遮光部和侧向遮光部，所述侧向遮光部环绕所述正向遮光部设置，且所述侧向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离小于所述正向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离。该液晶装置可以有效地避免光线入射到沟道区而影响薄膜晶体管的电学特性，因此具有较高的 稳定性 和优良的电学特性。，下面是液晶装置及其制作方法、光固化打印设备专利的具体信息内容。
1.一种液晶装置，其特征在于，包括：
衬底基板和对置基板；
设置于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，和设置于所述薄膜晶体管与所述对置基板之间的多个遮光罩；其中，
所述遮光罩与所述薄膜晶体管一一对应，且所述遮光罩在所述薄膜晶体管上的投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区；
所述遮光罩包括正向遮光部和侧向遮光部，所述侧向遮光部环绕所述正向遮光部设置，且所述侧向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离小于所述正向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离。
2.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，所述薄膜晶体管和所述对置基板之间设有绝缘层，所述绝缘层对应于所述沟道区的位置设有绝缘平台和环绕所述绝缘平台的沟槽；
所述正向遮光部设于所述绝缘平台远离所述衬底基板一侧；
所述侧向遮光部包括倾斜部，所述倾斜部设于所述沟槽内靠近所述沟道区一侧的内壁上。
3.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述侧向遮光部还包括与所述倾斜部连接的平层部，所述平层部设于所述沟槽的底部。
4.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述绝缘层包括距离所述衬底基板由近至远分布的第一无机绝缘层和有机绝缘层；
所述绝缘平台和所述沟槽均位于所述有机绝缘层。
5.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述液晶装置的像素电极穿过所述沟槽与所述薄膜晶体管的源极连接，其中，所述像素电极与所述侧向遮光部彼此分离。
6.根据权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述沟槽的底部宽度大于5微米。
7.根据权利要求1至6任一项所述的液晶装置，其特征在于，所述侧向遮光部在所述衬底基板上的投影为环形。
8.根据权利要求1至6任一项所述的液晶装置，其特征在于，所述遮光罩在所述衬底基板上的投影与所述沟道区在所述衬底基板上的投影形状一致。
9.根据权利要求1至6任一项所述的液晶装置，其特征在于，所述液晶装置的间隔柱设于所述遮光罩与所述对置基板之间，且所述间隔柱在所述衬底基板上的投影与所述遮光罩在所述衬底基板上的投影至少一部分重合。
10.根据权利要求1至6任一项所述的液晶装置，其特征在于，所述遮光罩的材质包括金属或黑色树脂。
11.一种光固化打印设备，其特征在于，包括：
权利要求1至10任一项所述的液晶装置；
光源模组，与所述液晶装置相对设置；
打印槽，与所述液晶装置相对设置，且位于所述液晶装置远离所述光源模组的一侧；
其中，所述打印槽用于放置打印液或打印粉末。
12.一种液晶装置制作方法，其特征在于，包括：
基于衬底基板形成多个薄膜晶体管；
形成与所述薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩，其中，所述遮光罩在所述薄膜晶体管上的投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区，所述遮光罩包括正向遮光部和环绕所述正向遮光部的侧向遮光部，且所述侧向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离小于所述正向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离；
采用对置基板与所述衬底基板对位成盒，得到液晶装置。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述形成与所述薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩，包括：
形成覆盖所述薄膜晶体管的第一无机绝缘层和有机绝缘层；
对应于每个所述薄膜晶体管的位置，通过刻槽处理在所述有机绝缘层上形成多个环形沟槽和由所述环形沟槽围绕的绝缘平台，其中，所述绝缘平台在所述薄膜晶体管上的投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区；
基于所述有机绝缘层形成遮光材料；
去除遮光位置以外的所述遮光材料，基于剩余的遮光材料形成多个遮光罩，其中，所述遮光位置包括对应于所述绝缘平台的位置。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述遮光位置还包括对应于所述环形沟槽底部的位置。
15.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述形成与所述薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩之后，还包括：
形成第二无机绝缘层；
对应于所述环形沟槽的位置，形成穿过所述第二无机绝缘层和所述第一无机绝缘层的像素电极通孔；
基于所述像素电极通孔形成像素电极。
16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述环形沟槽的底部宽度大于5微米。
17.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述基于所述像素电极通孔形成像素电极之后，还包括：
对应于所述绝缘平台的位置，基于所述第二无机绝缘层形成间隔柱。
液晶装置及其制作方法、光固化打印设备
技术领域
[0001] 本申请涉及光固化打印技术领域，具体涉及一种液晶装置及其制作方法，以及一种光固化打印设备。
背景技术
[0002] 光固化打印技术，是利用液晶装置过滤打印光，使用透过所述液晶装置的打印光固化液态或粉状材料，从而形成各种形状的固体产品的技术。
[0003] 作为光固化打印技术的核心器件，液晶装置在光固化打印过程中起到举足轻重的作用，其过滤打印光的功能主要依赖于针对像素点设置的薄膜晶体管实现，由于液晶装置中大部分材料为透明材料，打印光很容易直接或经过折射后入射到薄膜晶体管的有源区，致使所述薄膜晶体管产生漏电流等问题，影响所述薄膜晶体管的电学特性。发明内容
[0004] 本申请的目的是提供一种液晶装置及其制作方法，以及一种光固化打印设备。
[0005] 本申请第一方面提供一种液晶装置，包括：衬底基板和对置基板；
[0006] 设置于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，和设置于所述薄膜晶体管与所述对置基板之间的多个遮光罩；其中，
[0008] 所述遮光罩包括正向遮光部和侧向遮光部，所述侧向遮光部环绕所述正向遮光部设置，且所述侧向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离小于所述正向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离。
[0009] 本申请第一方面提供的液晶装置，通过设置遮光罩，既可以利用遮光罩的正向遮光部阻挡上方的光线入射到所述沟道区，也可以利用遮光罩的侧向遮光部阻挡侧方的光线入射到所述沟道区，从而可以实现对沟道区的全方位遮挡保护，有效地避免光线入射到所述沟道区而影响所述薄膜晶体管的光学特性，使得所述液晶装置具有较高的稳定性和优良的光学特性。
[0010] 本申请第二方面提供一种光固化打印设备，包括：
[0011] 本申请第一方面提供的所述液晶装置；
[0013] 打印槽，与所述液晶装置相对设置，且位于所述液晶装置远离所述光源模组的一侧；
[0014] 其中，所述打印槽用于放置打印液或打印粉末。
[0015] 本申请第二方面提供的光固化打印设备，与本申请第一方面提供的液晶装置出于相同的发明构思，由于配置了第一方面提供的液晶装置，可以有效避免打印光入射到液晶装置中薄膜晶体管的沟道区而影响薄膜晶体管的光学特性，提高薄膜晶体管的稳定性，避免因薄膜晶体管故障而影响打印质量和使用寿命。
[0016] 本申请第三方面提供一种液晶装置制作方法，包括：
[0017] 基于衬底基板形成多个薄膜晶体管；
[0018] 形成与所述薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩，其中，所述遮光罩在所述薄膜晶体管上的投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区，所述遮光罩包括正向遮光部和环绕所述正向遮光部的侧向遮光部，且所述侧向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离小于所述正向遮光部与所述衬底基板之间的最短距离；
[0019] 采用对置基板与所述衬底基板对位成盒，得到液晶装置。
[0020] 本申请第三方面提供的液晶装置制作方法，与本申请第一方面提供的液晶装置出于相同的发明构思，通过形成与所述薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩，可以利用遮光罩的正向遮光部阻挡上方的光线入射到所述沟道区，以及利用遮光罩的侧向遮光部阻挡侧方的光线入射到所述沟道区，从而可以实现对沟道区的全方位遮挡保护，有效地避免光线入射到所述沟道区而影响所述薄膜晶体管的光学特性，从而制得稳定性较高、光学特性优良的液晶装置。附图说明
[0021] 通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0022] 图1(a)示出了一些现有技术提供的一种液晶装置的光线入射示意图；
[0023] 图1(b)示出了一些现有技术提供的另一种液晶装置的光线入射示意图；
[0024] 图2示出了本申请一些实施方式所提供的一种液晶装置的结构示意图；
[0025] 图3示出了本申请一些实施方式所提供的最短距离的示意图；
[0026] 图4示出了本申请一些实施方式所提供的一种液晶装置的部分区域俯视图；
[0027] 图5(a)示出了本申请一些实施方式所提供的一种遮光罩的俯视示意图；
[0028] 图5(b)示出了本申请一些实施方式所提供的另一种遮光罩的俯视示意图；
[0029] 图6(a)示出了本申请一些实施方式所提供的一种遮光罩的剖面示意图；
[0030] 图6(b)示出了本申请一些实施方式所提供的另一种遮光罩的剖面示意图；
[0031] 图7示出了本申请一些实施方式所提供的另一种液晶装置的结构示意图；
[0032] 图8(a)示出了本申请一些实施方式所提供的一种沟槽位置俯视示意图；
[0033] 图8(b)示出了图8(a)沿着AA’的剖面示意图；
[0034] 图9(a)示出了本申请一些实施方式所提供的另一种沟槽位置俯视示意图；
[0035] 图9(b)示出了图9(a)沿着BB’的剖面示意图；
[0036] 图10(a)示出了本申请一些实施方式所提供的再一种沟槽位置俯视示意图；
[0037] 图10(b)示出了图10(a)沿着CC’的剖面示意图；
[0038] 图11示出了本申请一些实施方式所提供的光固化打印设备的示意图；
[0039] 图12示出了本申请一些实施方式所提供的液晶装置制作方法的流程图。
具体实施方式
[0040] 下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0041] 需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0042] 此外，若本申请实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0043] 另外，若本申请实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
[0044] 首先，请参考图1(a)和图1(b)，图1(a)示出了一些现有技术提供的一种液晶装置的光线入射示意图，图1(b)示出了一些现有技术提供的另一种液晶装置的光线入射示意图，图中给出了应用于光固化打印的液晶装置的一种典型结构，在正对沟道区的位置设置有金属遮挡层M3，该金属遮挡层M3可以从一定程度上阻挡打印入射光入射到薄膜晶体管的沟道区，但是仍会有部分光线经过折射(如图1(a)所示)或斜射(如图1(b)所示)入射到沟道区，从而导致薄膜晶体管产生漏电流等问题，影响器件光学特性。
[0045] 鉴于上述问题，本申请实施例进一步提出一种液晶装置及其制作方法，以及一种光固化打印设备，以提高应用于光固化打印的液晶装置的器件稳定性和光学特性，下面结合附图进行示例性说明。
[0046] 请参考图2，其示出了本申请一些实施方式所提供的一种液晶装置的结构示意图，如图所示，所述液晶装置10，包括：
[0047] 衬底基板101和对置基板102；
[0048] 设置于衬底基板101上的多个薄膜晶体管103，和设置于薄膜晶体管103与对置基板102之间的多个遮光罩104；其中，
[0049] 遮光罩104与薄膜晶体管103一一对应，且遮光罩104在薄膜晶体管103上的投影覆盖薄膜晶体管103的沟道区1031；
[0050] 遮光罩104包括正向遮光部1041和侧向遮光部1042，侧向遮光部1042环绕正向遮光部1041设置，且侧向遮光部1042与衬底基板101之间的最短距离小于正向遮光部1041与衬底基板101之间的最短距离。
[0051] 其中，关于上述最短距离，请参考图3，其示出了本申请一些实施方式所提供的最短距离的示意图，如图3所示，上述最短距离，是指从结构的任意位置做法线到衬底基板101上，该法线的长度即为该结构到衬底基板101的距离，上述距离中最短的即为最短距离。例如，图3中，从侧向遮光部的不同位置做法线到衬底基板101上，其对应的距离分别为a1和a2，其中a1小于a2，很显然，无论从侧向遮光部的任何部位做法线到衬底基板101上，a1都是最小的，因此，a1即为侧向遮光部1042与衬底基板101之间的最短距离。类似的，可以确定正向遮光部1041与衬底基板101之间的最短距离b1，本申请实施例要求a1小于b1，从而确保侧向遮光部1041能够起到阻止侧方光线入射到沟道区的目的。
[0052] 需要说明的是，只要满足侧向遮光部1042与衬底基板101之间的最短距离a1小于正向遮光部1041与衬底基板101之间的最短距离b1，侧向遮光部1041就能够起到阻止侧方光线入射到沟道区的作用，因此，本申请不限定所述遮光罩104的具体结构和形状。
[0053] 本申请实施例提供的液晶装置10，通过设置遮光罩104，既可以利用遮光罩104的正向遮光部1041阻挡上方的光线入射到沟道区1031，也可以利用遮光罩104的侧向遮光部1042阻挡侧方的光线入射到沟道区1031，又由于遮光罩104与薄膜晶体管103一一对应且遮光罩104在薄膜晶体管103上的投影覆盖薄膜晶体管103的沟道区1031，因此，可以实现对沟道区1031的全方位遮挡保护，有效地避免光线入射到沟道区1031而影响薄膜晶体管103的光学特性，使得液晶装置10具有较高的稳定性和优良的光学特性。
[0054] 为了便于理解，请参考图4，其示出了本申请一些实施方式所提供的一种液晶装置10的部分区域俯视图，遮光罩104与薄膜晶体管103一一对应，且遮光罩104在薄膜晶体管
103上的投影覆盖薄膜晶体管103的沟道区1031，从而确保遮光罩104对沟道区103的全方位遮光。
103上的投影覆盖薄膜晶体管103的沟道区1031，从而确保遮光罩104对沟道区103的全方位遮光。
[0055] 此外，侧向遮光部1042环绕正向遮光部1041设置，具体可以有多种实施方式，例如：
[0056] 一种方式，请参考图5(a)，其示出了本申请一些实施方式所提供的一种遮光罩的俯视示意图，如图5(a)所示，在一些实施方式中，侧向遮光部1042可以为连续的环形结构，即侧向遮光部1042在衬底基板101上的投影为环形，环形可以为圆环，也可以是任何形状，本申请实施例不做限定，从而使侧向遮光部1042完全包裹住正向遮光部1041，基于图5(a)所示的结构，可以全方位地遮挡侧方光线入射到薄膜晶体管103的沟道区1031。
[0057] 另一种方式，请参考图5(b)，其示出了本申请一些实施方式所提供的另一种遮光罩的俯视示意图，如图5(b)所示，在一些实施方式中，侧向遮光部1042可以为间断性的环形结构，即侧向遮光部1042在衬底基板101上的投影为环绕正向遮光部1041的多个多边形(宏观上也可以视为多条线段)，其也可以从一定程度上遮挡侧方光线入射到薄膜晶体管103的沟道区1031，也可以实现本申请实施例的目的。
[0058] 请结合图2进行理解，在本申请实施例的一些变更实施方式中，薄膜晶体管103和对置基板102之间设有绝缘层(例如包括图2中的105、106)，该绝缘层对应于沟道区1031的位置设有绝缘平台1062和环绕绝缘平台1062的沟槽1061；其中，
[0059] 正向遮光部1041设于绝缘平台1062远离衬底基板101一侧；
[0060] 侧向遮光部1042包括倾斜部10421，倾斜部10421设于沟槽1061内靠近沟道区1031一侧的内壁上。
[0061] 其中，绝缘层主要起到电隔离的作用，其具体可以包括无机绝缘层和有机绝缘层中的至少一者，本申请实施例不做限定。
[0062] 通过对绝缘层进行刻槽处理，可以在绝缘层上形成多个环形沟槽1061和由环形沟槽1061围绕的绝缘平台1062，基于绝缘平台1062远离衬底基板101一侧，可以形成正向遮光部1041，基于绝缘平台1062的侧壁(即沟槽1061内靠近沟道区1031一侧的内壁)，可以形成侧向遮光部1042，从而利用正向遮光部1041和侧向遮光部1042形成对沟道区1031的全方位遮光保护。
[0063] 本实施方式，可以利用现有的绝缘层，通过刻槽的方式得到绝缘平台1062和沟槽1061，并进一步基于该绝缘平台1062和沟槽1061形成遮光罩，其中，由于倾斜部10421位于沟槽1061内，因此其边缘距离薄膜晶体管的距离较近，从而可以更大限度的遮挡侧方光线入射到沟道区1031.
[0064] 需要说明的是，侧向遮光部1042可以覆盖沟槽1061的内壁的全部，也可以只覆盖沟槽1061的内壁的一部分，其均可以实现本申请实施例的目的。
[0065] 相应的，根据覆盖沟槽1061内壁的多少和部位，遮光罩104的形状也有所不同，例如：
[0066] 在一些实施方式中，请参考图6(a)，其示出了本申请一些实施方式所提供的一种遮光罩的剖面示意图，如图6(a)所示，侧向遮光部1042可以只包括倾斜部10421，该倾斜部10421只覆盖沟槽1061内靠近沟道区1031一侧的内壁，从而可以避免侧方光线入射到沟道区1031。本实施方式，可以在确保遮光罩104能够起到遮光作用的情况下尽量减少对其他区域光线的遮挡，有助于提高开口率。
[0067] 在另一些实施方式中，请参考图6(b)，其示出了本申请一些实施方式所提供的另一种遮光罩的剖面示意图，如图6(b)所示，侧向遮光部1042可以包括倾斜部10421，和与倾斜部10421连接的平层部10422，平层部10422可以设于沟槽1061的底部。其中，平层部10422可以铺满沟槽1061的底部，也可以只覆盖沟槽1061的一部分，本申请实施例不做限定。本实施方式，由于配置了平层部10422，可以进一步减少侧向光线经过折射或斜射入射到沟道区1031的概率。
[0068] 此外，沟槽1061远离沟道区1031一侧的内壁上也可以形成遮光结构，以实现更加强的遮光效果，其也在本申请的保护范围之内。
[0069] 需要说明的是，虽然部分附图中(例如图3、图5(a)、图6(a)等)，针对正向遮光部1041和侧向遮光部1042，采用了不同的纹理进行了表示，但其仅是为了更加容易理解而做的示意性图示，实际应用中，正向遮光部1041和侧向遮光部1042是一个整体结构，采用一体化设计，可以通过在对绝缘层刻槽后沉积金属并进行图案化处理后，得到一体成型的上述遮光罩104。
[0071] 请参考图2，在本申请实施例的一些变更实施方式中，绝缘层包括距离衬底基板101由近至远分布的第一无机绝缘层105和有机绝缘层106；其中，上述绝缘平台1062和沟槽
1061均位于有机绝缘层106。
1061均位于有机绝缘层106。
[0072] 其中，第一无机绝缘层105可以采用硅基材料(例如氮化硅等)等，通过气相沉积的方式沉积形成，由于气相沉积效率相对偏低且成本较高，因此，第一无机绝缘层106一般比较薄。而有机绝缘层106可以采用光阻材料，通过涂布的方式形成，因此，有机绝缘层106的厚度一般较厚，本申请实施方式选择在有机绝缘层106形成沟槽1061，可以确保形成的沟槽1061足够深，进而确保后续形成的侧向遮光部1042的有效遮光面积足够大，从而能够更加有效地遮挡侧方光线入射到沟道区1031，获得更好的遮光效果。
[0073] 另外，在有机绝缘层106刻槽以形成绝缘平台1062和沟槽1061的好处至少还包括：光阻材料经过曝光、显影的步骤即可快速地形成绝缘平台1062和沟槽1061，具有工艺简单易行的优点。
[0074] 需要说明的是，为了简化工艺难度，可以将上述沟槽1061和像素电极通孔1071进行共用，其中，像素电极通孔1071是指用于设置像素电极107的通孔，像素电极107通过像素电极通孔1071与薄膜晶体管103的源极连接。请参考图7，其示出了本申请一些实施方式所提供的另一种液晶装置10的结构示意图，如图所示，液晶装置10的像素电极107穿过沟槽1061与薄膜晶体管103的源极连接，其中，像素电极107与侧向遮光部1042彼此分离。相较于图2中沟槽1061和像素电极通孔1071分开设置的方式，本实施方式可以实现沟槽1061和像素电极通孔1071的共用，有助于提高液晶装置10的开口率，以及简化制作工艺。
[0075] 考虑到，在将上述沟槽1061和像素电极通孔1071进行共用时，为了避免像素电极107与遮光罩104短路而引发器件失效，应该确保像素电极107与侧向遮光部1042彼此分离，根据当前的加工精度，沟槽1061的底部宽度应当大于5微米，从而确保根据现有加工精度能够确保像素电极107与侧向遮光部1042彼此分离。
[0076] 在上述任一实施方式的基础上，在一些变更实施方式中，遮光罩104在衬底基板101上的投影与沟道区1031在衬底基板101上的投影形状一致，其中，遮光罩104在衬底基板
101上的投影的面积可以大于沟道区1031在衬底基板101上的投影的面积，通过本实施方式，可以采用投影面积最小的遮光罩104实现对沟道区1031的遮光保护，有助于提升液晶装置10的开口率。
101上的投影的面积可以大于沟道区1031在衬底基板101上的投影的面积，通过本实施方式，可以采用投影面积最小的遮光罩104实现对沟道区1031的遮光保护，有助于提升液晶装置10的开口率。
[0077] 在上述任一实施方式的基础上，在一些变更实施方式中，液晶装置10的间隔柱109设于遮光罩104与对置基板102之间，且间隔柱109在衬底基板101上的投影与遮光罩104在衬底基板101上的投影至少一部分重合。通过本实施方式，可以将间隔柱109与遮光罩104对位布置，以充分利用内部空间，提高开口率。
[0078] 在上述任一实施方式的基础上，在一些变更实施方式中，遮光罩104的材质包括金属或黑色树脂，本申请对其材质不做具体限定。
[0079] 为了便于理解，请参考图8(a)和图8(b)，其中，图8(a)示出了本申请一些实施方式所提供的一种沟槽位置俯视示意图，图8(b)示出了图8(a)沿着AA’的剖面示意图。如图所示，沟槽1061呈环形且与沟道区1031的形状一致，以使遮光罩104与沟道区1031的形状一致且覆盖沟道区1031。此外，薄膜晶体管还包括源极1032、像素电极107等结构，为了简便起见，沟槽及遮光罩的位置可以参照图8(a)和(b)进行理解，此处不再赘述。
[0080] 需要说明的是，本申请实施例对沟道区1031的类型不做限定，例如U型沟道、I型沟道等，其均可适用于本申请实施例以实现本申请实施例的目的，上述图8(a)和(b)所示的沟道区1031的类型即为U型沟道。
[0081] 此外，请参考图9(a)和图9(b)，其中，图9(a)示出了本申请一些实施方式所提供的另一种沟槽位置俯视示意图，图9(b)示出了图9(a)沿着BB’的剖面示意图。如图所示，沟道区1031的类型即为I型沟道，沟槽1061呈环形且与沟道区1031的形状一致，以使遮光罩104与沟道区1031的形状一致且覆盖沟道区1031。此外，所述薄膜晶体管还包括源极1032、像素电极107等结构，为了简便起见，沟槽及遮光罩的位置可以参照图9(a)和(b)进行理解，此处不再赘述。
[0082] 另外，请参考图10(a)和图10(b)，其中，图10(a)示出了本申请一些实施方式所提供的再一种沟槽位置俯视示意图，图10(b)示出了图10(a)沿着CC’的剖面示意图。如图所示，本实施方式实现了沟槽1061的复用，像素电极通孔1071穿过沟槽1061和第一无机绝缘层抵达薄膜晶体管的源极1032，沟槽1061呈环形且与沟道区1031的形状一致，以使遮光罩104与沟道区1031的形状一致且覆盖沟道区1031。为了简便起见，沟槽及遮光罩的位置可以参照图10(a)和(b)进行理解，此处不再赘述。在上述实施例中，提供了一种液晶装置，出于相同的发明构思，本申请实施例还提供一种光固化打印设备，请参考图11，其示出了本申请一些实施方式所提供的光固化打印设备的示意图，如图所示，光固化打印设备，包括：
[0083] 本申请前述任一实施方式提供的液晶装置10；
[0084] 光源模组20，与液晶装置10相对设置；
[0085] 打印槽30，与液晶装置10相对设置，且位于液晶装置10远离光源模组20的一侧；
[0086] 其中，打印槽30用于放置打印液或打印粉末。
[0088] 需要说明的是，图11中示出了液晶装置10的衬底基板101和对置基板102在应用于光固化打印时的位置，衬底基板101位于远离光源模组20的一侧，对置基板102位于靠近光源模组20的一侧。
[0089] 其中，光固化打印设备，可以包括但不限于三维立体光固化打印设备、二维平面光固化打印设备等，本申请实施例不做限定。
[0090] 本申请实施例提供的光固化打印设备，与本申请前述实施例提供的液晶装置出于相同的发明构思，由于配置了第一方面提供的液晶装置，可以有效避免打印光入射到液晶装置中薄膜晶体管的沟道区而影响薄膜晶体管的光学特性，提高薄膜晶体管的稳定性，避免因薄膜晶体管故障而影响打印质量和使用寿命。
[0091] 本申请实施例还提供一种液晶装置制作方法，以制作前述任一实施方式所提供的液晶装置，下述关于液晶装置制作方法的示例性描述，可以参照前述关于液晶装置的实施例说明进行理解，部分内容不再赘述。
[0092] 请参考图12，其示出了本申请一些实施方式所提供的液晶装置制作方法的流程图，如图所示，液晶装置制作方法方法可以包括以下步骤：
[0093] 步骤S101：基于衬底基板形成多个薄膜晶体管。
[0094] 本步骤S101可以根据现有技术提供的薄膜晶体管制作方法，在衬底基板上生长形成薄膜晶体管阵列，此处不再赘述。
[0095] 步骤S102：形成与薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩。
[0096] 步骤S103：采用对置基板与衬底基板对位成盒，得到液晶装置。
[0097] 本申请实施例提供的液晶装置制作方法，与本申请前述实施例提供的液晶装置出于相同的发明构思，通过形成与薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩，可以利用遮光罩的正向遮光部阻挡上方的光线入射到沟道区，以及利用遮光罩的侧向遮光部阻挡侧方的光线入射到沟道区，从而可以实现对沟道区的全方位遮挡保护，有效地避免光线入射到沟道区而影响薄膜晶体管的光学特性，从而制得稳定性较高、光学特性优良的液晶装置。
[0098] 在具体实施时，上述步骤S102可以包括以下步骤S1021至S1024：
[0099] 步骤S1021：形成覆盖薄膜晶体管的第一无机绝缘层和有机绝缘层。
[0101] 然后，再采用涂布的方式，在第一无机绝缘层的基础上涂覆光阻材料，得到有机绝缘层。
[0102] 步骤S1022：对应于每个薄膜晶体管的位置，通过刻槽处理在有机绝缘层上形成多个环形沟槽和由环形沟槽围绕的绝缘平台，其中，绝缘平台在薄膜晶体管上的投影覆盖薄膜晶体管的沟道区。
[0103] 本步骤S1022，可以预先设计一光刻掩膜版，该光刻掩膜版上的图案包括多个环形，每个环形的位置应当与薄膜晶体管沟道区的位置一一对应。然后，利用该光刻掩膜版对步骤S1021涂覆的光阻材料进行曝光，再经过显影去除环形位置对应的光阻材料，即可在有机绝缘层上形成多个环形沟槽，每个环形沟槽围绕的未去除的部分则可以称为绝缘平台。
[0104] 步骤S1023：基于有机绝缘层形成遮光材料。
[0105] 在步骤S1022完成之后，即可全面覆盖已刻槽的有机绝缘层形成遮光材料，其中，根据遮光材料的不同，可以采用不同的工艺形成上述遮光材料，例如，若遮光材料为金属，可以采用溅射、化学气相沉积等工艺形成；若遮光材料为黑色树脂，则可以采用涂布的方式形成，本申请实施例对其不做限定。
[0106] 步骤S1024：去除遮光位置以外的遮光材料，基于剩余的遮光材料形成多个遮光罩，其中，遮光位置包括对应于绝缘平台的位置。
[0107] 本步骤S1024，可以根据绝缘平台的位置确定遮光位置，并针对性地去除除遮光位置以外的遮光材料，留下的遮光材料即可构成遮光罩。其中，对于遮光材料为金属的情形，可以通过刻蚀工艺去除遮光位置以外的遮光材料；对于遮光材料为黑色树脂的情形，可以通过曝光、显影的方式去除遮光位置以外的遮光材料。上述刻蚀、曝光、显影等工艺均为本领域常用的材料去除方式，此处不再赘述。
[0108] 通过步骤S1021至S1024，本实施方式，可以通过在有机绝缘层上刻槽，制作得到符合需求的遮光罩，具有简单高效的优点。
[0109] 在上述实施方式的基础上，在一些变更实施方式中，遮光位置还包括对应于环形沟槽底部的位置。
[0110] 通过本实施方式，可以使得形成的遮光罩的侧向遮光部包括倾斜部和平层部，并利用倾斜部和平层部更大限度地降低侧向光线经过折射或斜射入射到沟道区的概率，使得制作得到的液晶装置具有较高的稳定性和光学特性。
[0111] 在本申请实施例的一些变更实施方式中，形成与薄膜晶体管一一对应的多个遮光罩之后，还可以包括以下步骤S1025至步骤S1027：
[0112] 步骤S1025：形成第二无机绝缘层。
[0113] 在步骤S1024之后，可以全面覆盖形成第二无机绝缘层，第二无机绝缘层可以采用硅基材料(例如氮化硅等)等，通过化学气相沉积等工艺，生成全面覆盖的第二无机绝缘层。
[0114] 步骤S1026：对应于环形沟槽的位置，形成穿过第二无机绝缘层和第一无机绝缘层的像素电极通孔。
[0115] 本步骤S1026，可以在所述环形沟槽的位置，以薄膜晶体管的源极为目标，通过刻蚀工艺刻蚀掉部分第二无机绝缘层和第一无机绝缘层，形成连通源极的像素电极通孔。
[0116] 步骤S1027：基于像素电极通孔形成像素电极。
[0117] 在形成像素电极通孔之后，即可全面沉积氧化铟锡(ITO)，使氧化铟锡填充上述像素电极通孔，以及在第二无机绝缘层表面形成氧化铟锡(ITO)薄膜，然后通过刻蚀等工艺处理，剩余的氧化铟锡即构成与源极连接的像素电极。
[0118] 通过本实施方式，可以实现对沟槽的复用，有助于提高液晶装置的开口率，以及简化制作工艺。
[0119] 在本申请实施例的一些变更实施方式中，环形沟槽的底部宽度大于5微米。
[0120] 通过本实施方式，可以确保根据现有加工精度能够确保像素电极与侧向遮光部彼此分离，避免像素电极与遮光罩短路而引发器件失效。
[0121] 在本申请实施例的一些变更实施方式中，基于像素电极通孔形成像素电极之后，还可以包括：
[0122] 对应于绝缘平台的位置，基于第二无机绝缘层形成间隔柱。
[0123] 其中，形成间隔柱的方法可以参照现有技术实现，本申请示例不做限定，本申请实施方式的改进点之一在于确保形成的间隔柱与绝缘平台的位置对应，由于遮光罩是在绝缘平台上形成的，因此，可以实现间隔柱与遮光罩的对位布置，从而可以充分利用内部空间，提高开口率。
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