弹性波装置的制造方法、弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
阅读：1024发布：2020-06-01
专利汇可以提供弹性波装置的制造方法、弹性波装置、高频前端电路以及通信装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种不易产生压电 基板 的裂纹、碎片的弹性波装置的制造方法。一种弹性波装置的制造方法，具备：准备在多个弹性波装置构成部分(2A～2D)分别设置有IDT 电极 (3)的压电晶片(1)的工序；在压电晶片(1)的第一主面(1a)，在多个弹性波装置构成部分(2A～2D)分别设置多个支承层(7)的工序；接合 覆盖 构件，使得覆盖多个支承层(7)，得到层叠体的工序；将层叠体沿着第一方向(X)切断多次的工序；以及将层叠体沿着与第一方向(X) 正交 的第二方向(Y)切断，得到各个弹性波装置的工序，在压电晶片(1)的第一主面(1a)上，设置有 树脂 层(11)，使得跨过相邻的弹性波装置构成部分(2A～2D)间的边界，以存在该树脂层(11)的状态进行第二切断工序。，下面是弹性波装置的制造方法、弹性波装置、高频前端电路以及通信装置专利的具体信息内容。
1.一种弹性波装置的制造方法，具备：
在具有相互对置的第一主面以及第二主面的压电晶片的所述第一主面设置与多个弹性波装置对应的多个IDT电极的工序；
在所述压电晶片的所述第一主面设置分别包围所述多个IDT电极的多个支承层的工序；
接合覆盖构件，使得覆盖所述多个支承层，得到层叠体的工序；
将所述层叠体沿着第一方向切断多次的第一切断工序；以及
在所述第一切断工序之后，将所述层叠体沿着与所述第一方向正交的第二方向切断，得到各个所述弹性波装置的第二切断工序，
在所述压电晶片的所述第一主面的存在相邻的所述弹性波装置的部分设置有树脂层，使得跨过相邻的所述弹性波装置间的边界，
所述第二切断工序以存在该树脂层的状态进行。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述第二切断工序以存在设置为跨过在所述第一方向上相邻的所述弹性波装置彼此的该树脂层的状态进行。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述支承层由合成树脂构成，
所述树脂层由与所述支承层相同的合成树脂构成。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置的制造方法，其中，在所述压电晶片的所述第一主面与所述支承层之间设置有由弹性模量比所述支承层低的合成树脂构成的基底层。
5.根据权利要求4所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述基底层还到达所述压电晶片的所述第一主面与所述树脂层之间。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置的制造方法，其中，所述第一切断工序以及第二切断工序通过划片来进行。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的弹性波装置的制造方法，其中，所述压电晶片为压电基板。
8.根据权利要求1～6中的任一项所述的弹性波装置的制造方法，其中，所述压电晶片具有：
支承基板；以及
压电体层，层叠在所述支承基板上。
9.根据权利要求8所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述支承基板传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述弹性波装置还具有：
低声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
11.根据权利要求8所述的弹性波装置的制造方法，其中，
所述弹性波装置还具有：高声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速的高声速材料构成；
以及低声速材料层，层叠在所述高声速材料层与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
12.一种弹性波装置，具备：
压电基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面，在至少一部分具有压电性；
IDT电极，设置在所述压电基板中的所述第一主面；
支承层，设置在所述压电基板中的所述第一主面，使得包围所述IDT电极；以及覆盖构件，设置为覆盖所述支承层，
所述支承层位于所述压电基板中的比所述第一主面的外周缘靠内侧，
设置有到达所述压电基板中的所述第一主面的多个角部中的至少一个角部的树脂层。
13.根据权利要求12所述的弹性波装置，其中，
所述树脂层与所述支承层相连。
14.根据权利要求12或13所述的弹性波装置，其中，
所述支承层由合成树脂构成，所述树脂层由与所述支承层相同的合成树脂构成。
15.根据权利要求12～14中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述压电基板的所述第一主面与所述支承层之间设置有由弹性模量比所述支承层低的树脂构成的基底层。
16.根据权利要求15所述的弹性波装置，其中，
所述基底层还到达所述压电基板的所述第一主面与所述树脂层之间。
17.根据权利要求12～16中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电基板具有：
支承基板；以及
压电体层，层叠在所述支承基板上。
18.根据权利要求17所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速。
19.根据权利要求18所述的弹性波装置，其中，
还具有：低声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
20.根据权利要求17所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具有：高声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速的高声速材料构成；
以及低声速材料层，层叠在所述高声速材料层与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
21.一种高频前端电路，具备：
权利要求12～20中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
22.一种通信装置，具备：
权利要求21所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
弹性波装置的制造方法、弹性波装置、高频前端电路以及通信
装置
技术领域
[0001] 本发明涉及使用压电晶片制造多个弹性波装置的方法、该弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
背景技术
[0002] 在下述的专利文献1公开了使用压电晶片制造许多的声表面波装置的方法。在专利文献1记载的制造方法中，在压电晶片的上表面，为了构成多个声表面波装置，在各声表面波装置构成部分设置IDT电极以及与IDT电极电连接的端子电极。接着，设置包围IDT电极的支承层。支承层由合成树脂构成。接着，在压电晶片上层叠覆盖构件，使得覆盖多个支承层。然后，将由压电晶片、支承层以及覆盖构件构成的层叠体沿着第一方向进行划片。然后，沿着作为与第一方向正交的方向的第二方向通过划片进行切断。由此，层叠体被单片化，得到多个声表面波装置。各声表面波装置的平面形状成为矩形。
[0003] 在先技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1：WO2009/078137号公报
发明内容
[0006] 发明要解决的课题
[0007] 在专利文献1记载的制造方法中，在沿着第一方向以及第二方向进行划片的情况下，划片刀在各个声表面波装置的角部与压电晶片接触。因此，存在如下的问题，即，在各个声表面波装置的压电基板中，即，在将压电晶片分割而得到的各压电基板中，容易产生裂纹、碎片。
[0008] 本发明的目的在于，提供一种不易产生压电基板的裂纹、碎片的弹性波装置的制造方法、弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
[0009] 用于解决课题的技术方案
[0010] 本发明涉及的弹性波装置的制造方法具备：在具有相互对置的第一主面以及第二主面的压电晶片的所述第一主面设置与多个弹性波装置对应的多个IDT电极的工序；在所述压电晶片的所述第一主面设置分别包围所述多个IDT电极的多个支承层的工序；接合覆盖构件，使得覆盖所述多个支承层，得到层叠体的工序；将所述层叠体沿着第一方向切断多次的第一切断工序；以及在所述第一切断工序之后，将所述层叠体沿着与所述第一方向正交的第二方向切断，得到各个所述弹性波装置的第二切断工序，在所述压电晶片的所述第一主面的存在相邻的所述弹性波装置的部分设置有树脂层，使得跨过相邻的所述弹性波装置间的边界，所述第二切断工序以存在该树脂层的状态进行。
[0011] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的某个特定的方面中，所述第二切断工序以存在设置为跨过在所述第一方向上相邻的所述弹性波装置彼此的该树脂层的状态进行。
[0012] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的另一个特定的方面中，所述支承层由合成树脂构成，所述树脂层由与所述支承层相同的合成树脂构成。
[0013] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的另一个特定的方面中，在所述压电晶片的所述第一主面与所述支承层之间设置有由弹性模量比所述支承层低的合成树脂构成的基底层。
[0014] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述基底层还到达所述压电晶片的所述第一主面与所述树脂层之间。
[0015] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述第一切断工序以及第二切断工序通过划片来进行。
[0016] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述压电晶片为压电基板。
[0017] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述压电晶片具有：支承基板；以及压电体层，层叠在所述支承基板上。
[0018] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述支承基板传播的体波(bulk wave)的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速。在该情况下，能够将弹性波有效地封闭在压电体层内。
[0019] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述弹性波装置还具有：低声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。在该情况下，能够将弹性波更加有效地封闭在压电体层内。
[0020] 在本发明涉及的弹性波装置的制造方法的又一个特定的方面中，所述弹性波装置还具有：高声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速的高声速材料构成；以及低声速材料层，层叠在所述高声速材料层与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
[0021] 本发明涉及的弹性波装置具备：压电基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面，在至少一部分具有压电性；IDT电极，设置在所述压电基板中的所述第一主面；支承层，设置在所述压电基板中的所述第一主面，使得包围所述IDT电极；以及覆盖构件，设置为覆盖所述支承层，所述支承层位于所述压电基板中的比所述第一主面的外周缘靠内侧，设置有到达所述压电基板中的所述第一主面的多个角部中的至少一个角部的树脂层。
[0022] 在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述树脂层与所述支承层相连。
[0023] 在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述支承层由合成树脂构成，所述树脂层由与所述支承层相同的合成树脂构成。
[0024] 在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在所述压电基板的所述第一主面与所述支承层之间设置有由弹性模量比所述支承层低的树脂构成的基底层。
[0025] 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述基底层还到达所述压电基板的所述第一主面与所述树脂层之间。
[0026] 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述压电基板具有：支承基板；以及压电体层，层叠在所述支承基板上。
[0027] 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述支承基板传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速。
[0028] 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，还具有：低声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
[0029] 在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述弹性波装置还具有：高声速材料层，层叠在所述支承基板与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速的高声速材料构成；以及低声速材料层，层叠在所述高声速材料层与所述压电体层之间，由传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为低速的低声速材料构成。
[0030] 本发明涉及的高频前端电路具备：按照本发明构成的弹性波装置；以及功率放大器。
[0032] 发明效果
[0034] 图1是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的示意性部分切割俯视图。
[0035] 图2是示出沿着图1的A-A线的部分的层叠体的部分切割侧视剖视图。
[0036] 图3是用于说明在本发明的第一实施方式的弹性波装置的制造方法中通过划片刀进行切断的工序的部分放大主视剖视图。
[0037] 图4是示出在本发明的第一实施方式中在压电晶片的第一主面设置有树脂层的部分的部分放大俯视图。
[0038] 图5是示出通过第一实施方式的制造方法进行了单片化的压电基板的角部周边的部分放大俯视图。
[0039] 图6是用于说明本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的俯视图。
[0040] 图7是用于说明本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的部分放大俯视图。
[0041] 图8是用于说明本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的部分放大俯视图。
[0042] 图9是示出在第三实施方式中得到的弹性波装置中的压电基板的角部周边的部分放大俯视图。
[0043] 图10是用于说明本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的部分放大俯视图。
[0044] 图11是用于说明在第四实施方式中得到的弹性波装置中的设置在压电基板的角部的树脂层的部分放大俯视图。
[0045] 图12是用于说明在本发明的变形例的弹性波装置中使用的压电晶片的主视剖视图。
[0046] 图13是本发明涉及的通信装置以及高频前端电路的结构图。
具体实施方式
[0047] 以下，通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
[0049] 参照图1～图5对本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的制造方法进行说明。
[0050] 首先，为了形成多个弹性波装置，准备具有相互对置的第一主面以及第二主面的压电晶片。接着，在压电晶片的第一主面设置与多个弹性波装置的各IDT电极对应的多个IDT电极。
[0051] 接着，在压电晶片的第一主面，在各弹性波装置构成部分设置包围与各弹性波装置对应的IDT电极的支承层。
[0052] 接着，接合覆盖构件，使得覆盖多个上述支承层，得到层叠体。
[0053] 图1是示出从像上述那样得到的层叠体除去了覆盖构件的构造的示意性部分切割俯视图。此外，图2是示出沿着图1的A-A线的部分的层叠体的部分切割侧视剖视图。在图2中，图示了接合有覆盖构件的状态的层叠体的一部分。
[0054] 在图1中，示出了在压电晶片1的第一主面1a设置有四个弹性波装置构成部分2A～2D的部分。
[0055] 在各弹性波装置构成部分2A～2D设置有IDT电极3。在IDT电极3的弹性波传播方向一侧设置有反射器4，在弹性波传播方向另一侧设置有反射器5。在各弹性波装置构成部分2A～2D，构成单端口型弹性波谐振器。另外，在本发明中，弹性波装置构成部分中的电极构造并不限定于此。也可以构成纵向耦合谐振器型弹性波滤波器、梯型滤波器等弹性波滤波器装置。
[0056] 作为压电晶片1，在本实施方式中，使用了LiNbO3或LiTaO3等压电单晶基板。
[0057] 用于构成包含上述IDT电极3的弹性波装置的功能电极部分与端子电极6a～6d电连接。
[0058] 上述IDT电极3、反射器4、5以及端子电极6a～6d由Al、AlCu合金、Pt、W等适当的金属或合金构成。此外，作为电极材料，也可以使用层叠多个金属膜而成的层叠金属膜。
[0059] 设置有由合成树脂构成的支承层7，使得包围设置有上述IDT电极3的部分。
[0061] 上述支承层7在各弹性波装置构成部分2A～2D具有矩形的框状的形状。
[0062] 此外，在本实施方式中，如图2所示，在支承层7与压电晶片1的第一主面1a之间设置有基底层8。该基底层8由弹性模量比支承层7低的合成树脂构成。不过，只要弹性模量比支承层7低，基底层8也可以由其它材料形成。
[0063] 在制造时，在设置了包含前述的IDT电极3的电极构造之后，形成基底层8。关于基底层8的形成，使用在设置基底层8以及支承层7的部分具有开口的掩模涂敷构成基底层8的合成树脂材料。然后，使构成基底层8的合成树脂固化。在作为基底层8的材料而使用了通过紫外线的照射而固化的合成树脂的情况下，照射紫外线而使其固化。此外，在使用了热固化性树脂的情况下，只要通过加热使其固化即可。
[0064] 接着，使用相同的掩模涂敷构成支承层7的合成树脂材料。然后，与基底层8同样地，通过紫外线照射、加热使支承层7固化。这样，形成基底层8以及支承层7。在本实施方式中，上述基底层8以及支承层7具有矩形框状的形状。
[0065] 在图1中，在弹性波装置构成部分2A～2D对接的部分设置有树脂层11，使得与支承层7相连。树脂层11与支承层7通过相同的树脂设置为一体。另外，不仅是弹性波装置构成部分2A～2D对接的部分，与支承层7设置为一体的树脂层11还到达在被单片化之后的各弹性波装置的俯视下相当于角部的部分。在此，所谓角部，因为被单片化之后的各弹性波装置的平面形状为矩形，所以该矩形的角部为相当于角部的部分。另外，在本实施方式中，在树脂层11的基底也设置有由与基底层8相同的材料构成的基底层。
[0066] 实际上，在制造时，在形成上述基底层8以及支承层7时，同时形成成为树脂层11的基底的基底层部分和树脂层11。因此，作为用于形成前述的支承层7的掩模，使用如下的掩模，即，不仅设置支承层7的部分开口，而且设置树脂层11的部分也开口。
[0067] 接着，如图2所示，在上述支承层7上层叠覆盖构件9。覆盖构件9由聚酰亚胺、环氧树脂等合成树脂构成。通过该覆盖构件9对被支承层7包围的部分进行密封。这样，得到如图2所示的层叠体10。
[0068] 在图1中，将沿着箭头X的方向设为第一方向，将沿着箭头Y的方向设为第二方向。第一方向X和第二方向Y正交。
[0069] 接着，在第一切断工序中，沿着上述第一方向X，使用划片刀将层叠体10切断。在该情况下，例如，划片刀以如下方式通过，即，从弹性波装置构成部分2B与弹性波装置构成部分2D之间的部分到达弹性波装置构成部分2A与弹性波装置构成部分2C之间的部分。图1的虚线X1与虚线X2之间的区域相当于通过划片而被除去的部分。因此，虚线X1相当于在弹性波装置构成部分2B得到的弹性波装置的压电基板的端缘的位置。虚线X2相当于在弹性波装置构成部分2D得到的弹性波装置的压电基板的端缘的位置。划片刀在通过切削而除去被该虚线X1、X2夹着的区域的同时朝向树脂层11侧前进。
[0070] 图3是用于说明沿着第一方向X使用划片刀12进行切断的第一切断工序的部分放大主视剖视图。使划片刀12一边旋转一边沿着第一方向X前进。其结果是，压电晶片1以及覆盖构件9的一部分通过切削而被除去。即，在树脂层11的跟前，如下的部分被切削，在该部分，覆盖构件9位于压电晶片1的上方。而且，若到达图1的存在树脂层11的部分，则层叠有压电晶片1、基底层8、树脂层11以及覆盖构件9的层叠体被划片刀12切断。然后，若通过了设置有树脂层11的部分，则在图1的弹性波装置构成部分2A与弹性波装置构成部分2C之间的区域，再次如图3所示地进行压电晶片1和覆盖构件9隔开空间对置的部分的切断。然后，若到达相反侧的端部附近的树脂层11，则层叠有压电晶片1、基底层8、树脂层11以及覆盖构件9的部分通过切削而被除去。
[0071] 在压电晶片1上，呈矩阵状配置有许多的弹性波装置构成部分。因此，将沿着上述第一方向X的第一切断工序实施多次。
[0072] 在该情况下，在弹性波装置构成部分2A～2D对接的部分，层叠有上述基底层8以及树脂层11。因此，不易在图3中箭头C所示的部分施加大的应力。
[0073] 接着，沿着第二方向Y通过划片刀实施第二切断工序。在第二切断工序中，图1的被虚线Y1、Y2夹着的区域通过划片而被切削除去。
[0074] 在该第二切断工序中，也与第一切断工序同样地，在夹在相邻的支承层7间的区域中，与压电晶片1的第一主面1a隔开间隙层叠有覆盖构件9。第二切断工序与第一切断工序的情况同样地，在未形成树脂层11且相邻的弹性波装置构成部分2A、2B的支承层7彼此对置的区域，作为合成树脂，仅切断覆盖构件9。若通过划片刀持续切断大量的合成树脂，则划片刀会由于树脂的切削屑而引起阻塞，引起碎片等不良的可能性变高。但是，在第二切断工序中，如前所述，覆盖构件9正下方成为间隙，没有合成树脂，因此能够抑制由合成树脂的切削屑的阻塞造成的不良。
[0075] 然后，若接近图4所示的第一切断工序后的设置有树脂层11a的部分，则在层叠有支承层7以及树脂层11a的部分，由压电晶片1、支承层7、树脂层11a以及覆盖构件9构成的层叠体被切断。即，被虚线Y1和虚线Y2夹着的部分通过切削而被除去。将沿着该第二方向Y的切断实施多次。这样，将层叠体10单片化，得到各个弹性波装置。因此，图2的夹在虚线B所示的划片除去部分间的部分成为本实施方式的弹性波装置13。另外，第二切断工序也可以仅实施一次。
[0076] 可是，在沿着第一方向X实施第一切断工序、接着沿着第二方向Y实施第二切断工序的情况下，在第二切断工序中被切断的被加工物小于在第一切断工序中被切断的被加工物。因此，在第二切断工序中，被加工物的稳定性变低，有可能变得容易产生碎片。
[0077] 然而，在本实施方式中，这样的碎片的问题也可解决。以下对此进行说明。
[0078] 如图4所示，在四个弹性波装置构成部分2A～2D对接的部分，在压电晶片1上形成有像树脂层11a以及11b那样的合成树脂。由此，划片刀与树脂层11a、11b接触。因而，在第二切断工序中，不易对压电晶片1施加大的应力。这是因为，在位于被虚线Y1、Y2夹着的部分的一侧的弹性波装置构成部分2A与位于另一侧的弹性波装置构成部分2B之间，设置有树脂层11a，使得跨过两个弹性波装置构成部分2A、2B。因此，能够将从划片刀传递的振动分散到两端的弹性波装置构成部分2A、2B。此外，像上述的那样，划片刀通过树脂层11a与压电晶片1接触。因此，可抑制划片刀自身的抖动，碎片变少。通过在前述的位置形成树脂层11，从而能够抑制第二切断工序时的弹性波装置构成部分2A、2B的两端的碎片。
[0079] 同样地，在弹性波装置构成部分2C与弹性波装置构成部分2D之间，也设置有树脂层11b，使得跨过两个弹性波装置构成部分2C、2D。
[0080] 因此，在第二切断工序中，在设置有树脂层11a、11b的部分，即使推进切断，虚线Y1、Y2的两侧的弹性波装置构成部分的位置也是稳定的。除此以外，不是与压电晶片1隔开空间层叠有覆盖构件9的部分被切断，而是层叠有上述支承层7以及树脂层11a或树脂层11b的部分被切断，因此与前述同样地，在切断时不易对压电晶片1施加大的应力。此外，能够抑制碎片。因而，能够在第二切断工序中将压电晶片1高精度地进行单片化。
[0081] 像以上那样，不易在图4的箭头D1～D4所示的角部产生裂纹、碎片。箭头D1～D4相当于各个弹性波装置中的压电基板的角部。
[0082] 当得到前述的专利文献1记载的声表面波装置时，在划片时，层叠有与压电晶片隔开空间的覆盖构件的部分被切断。因此，在四个弹性波装置构成部分对接的部分，若在第一方向以及第二方向上重复进行切断，则有时在最终得到的弹性波装置的压电基板的角部产生碎片、裂纹。认为这是因为，在压电晶片与覆盖构件之间存在空间，划片刀直接与压电晶片碰撞并进行切断。
[0083] 相对于此，在本实施方式的制造方法中，因为在容易产生大的应力的单片化时的各弹性波装置的压电基板的角部层叠有上述基底层8以及树脂层11，所以施加于压电晶片1的应力变小。因此，最终得到的弹性波装置中的压电基板的角部不易产生裂纹、碎片。
[0084] 图5是示出通过本实施方式的制造方法进行了单片化的压电基板的角部周边的部分放大俯视图。在图5中，示出了图1的弹性波装置构成部分2A的包含压电基板14的角部14c的部分。在该角部14c，不易乘以前述的裂纹、碎片。
[0085] 另外，在图5中，端缘14a是在第一切断工序中形成的部分，端缘14b是在第二切断工序中形成的部分。因此，如图5所示，残存有树脂层11c，使得到达角部14c。该树脂层11c是在前述的第一切断工序以及第二切断工序后残留的部分。在树脂层11c下也存在前述的基底层8。
[0086] 另外，在上述第一切断工序以及第二切断工序中，将压电晶片1完全切断。在该情况下，优选地，例如，最好使用粘着片将包含压电晶片1的层叠体粘附在切断台上。由此，即使在第一切断工序以及第二切断工序中完全切断了压电晶片1，在切断时，层叠体、被单片化的弹性波装置的位置也不易产生偏差。
[0087] 在被单片化的过程中，若被加工物的位置产生偏差，则产生碎片、进行了单片化的被加工物的形状产生偏差。因此，成品率下降。相对于此，在本实施方式中，因为像前述的那样设置树脂层11而进行切断，所以能够稳定地实施第一切断工序以及第二切断工序。
[0088] 不过，在第一切断工序以及第二切断工序中，未必一定要将压电晶片1通过完全切断而进行分离。例如，也可以对压电晶片1从第一主面1a侧进行半切割，使得不到达第二主面1b。在该情况下，也可以在第一切断工序后以及第二切断工序后或第一切断工序以及第二切断工序后对层叠体进行分割。
[0089] 另外，在上述实施方式中，树脂层11与支承层7通过相同的材料设置为一体。然而，树脂层11也可以由与支承层7不同的树脂材料形成。此外，树脂层11也可以不与支承层7同时形成。不过，优选地，像上述实施方式那样，最好通过与支承层7相同的材料同时形成树脂层11。由此，能够实现材料的种类的减少以及制造工序的简化。
[0090] 此外，未必一定要设置基底层8。即，也可以不设置基底层8而在压电晶片1的第一主面1a上直接设置树脂层11。
[0091] 不过，在基底层8的弹性模量比树脂层11低的情况下，能够更加有效地缓解施加于上述压电晶片1的第一主面1a的切断时的应力。
[0092] 树脂层11的平面形状并不限定于第一实施方式的树脂层11的形状。参照图6以及图7，对本发明的第二实施方式的制造方法进行说明。在第二实施方式中，将树脂层21与支承层7设置为一体。该树脂层21具有X字状的平面形状。即，直线状的第一部分21a和直线状的第二部分21b被设置为相互正交。第一部分21a以及第二部分21b倾斜为与第一方向X以及第二方向Y成45°的角度。在该情况下，如图6所示，例如，若使划片刀沿着第一方向X前进，则在四个弹性波装置构成部分2A～2D对接的部分，因为在压电晶片1上层叠有树脂层21以及未图示的覆盖构件，所以也不易在最终得到的单片化后的压电基板的角部产生裂纹、碎片。
[0093] 另外，虽然在第二实施方式中，第一部分21a以及第二部分21b倾斜为相对于第一方向X以及第二方向Y成45°的角度，但是也可以构成为以45°以外的角度倾斜。
[0094] 图8是用于说明第三实施方式的制造方法的部分放大俯视图。在第三实施方式中，在四个弹性波装置构成部分2A～2D对接的部分设置有平面形状为矩形的树脂层31。该树脂层31具有矩形的平面形状。像这样，也可以在四个弹性波装置构成部分对接的部分设置平面形状为矩形的树脂层31。如图8所示，树脂层31的在第二方向Y上延伸的边31a的长度小于弹性波装置构成部分2B的支承层7与弹性波装置构成部分2D的支承层7对置的部分的宽度W1。此外，沿着第一方向X的边31b的长度被设为小于弹性波装置构成部分2A的支承层7与弹性波装置构成部分2B的支承层7对置的部分的宽度W2。不过，边31a、31b的长度也可以与宽度W1、W2相等。总之，边31a、31b的长度只要大于通过划片刀12切断除去的部分的宽度即可。
[0095] 图9是示出单片化后的压电基板的角部周边的部分放大俯视图。在本实施方式中，树脂层31通过切断而被部分地除去，在被单片化的压电基板14的角部14c残存有矩形的树脂层31c。
[0096] 图10是示出包含在第四实施方式的制造方法中设置的树脂层41的部分的部分放大俯视图。在本实施方式中，设置有平面形状为菱形的树脂层41。因此，若通过第一切断工序以及第二切断工序进行单片化，则如图11所示，在角部14c残存平面形状为三角形的树脂层41a。
[0097] 根据上述第二实施方式～第四实施方式可明确，树脂层21、31、41的平面形状没有特别限定。因此，也可以是圆形、椭圆形等其它形状。总之，只要在压电晶片1上设置树脂层，使得在相当于被单片化后的压电基板的角部的部分残存有树脂层即可。
[0098] 另外，虽然在第一实施方式中，压电晶片1由压电单晶基板构成，但是压电晶片也可以具有在支承基板上层叠有压电薄膜的构造。即，也可以将在至少一部分具有压电性的层叠型基板用作压电基板。
[0099] 图12是用于说明在本发明的弹性波装置的变形例中使用的压电晶片的主视剖视图。该压电晶片40具有支承基板42和层叠在支承基板42上的作为压电体层的压电薄膜45。支承基板42具有在高声速材料层44上层叠了低声速材料层43的构造。高声速材料层44由传播的体波的声速比在压电薄膜45传播的弹性波的声速高的高声速材料构成。低声速材料层
43由传播的体波的声速比在压电薄膜45传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。通过使用低声速材料层43以及高声速材料层44，从而能够将弹性波有效地封闭在压电薄膜45内。
43由传播的体波的声速比在压电薄膜45传播的弹性波的声速低的低声速材料构成。通过使用低声速材料层43以及高声速材料层44，从而能够将弹性波有效地封闭在压电薄膜45内。
[0100] 另外，也可以与支承基板独立地，在支承基板上层叠有高声速材料层以及低声速材料层。即，也可以是，在支承基板与作为压电体层的压电薄膜之间层叠有高声速材料层，并在高声速材料层与压电体层之间层叠有低声速材料层。或者，也可以是，支承基板由上述高声速材料构成，并在支承基板上层叠有压电薄膜。在该情况下，也可以在支承基板与压电薄膜之间层叠有低声速材料层。
[0101] (高频前端电路、通信装置)
[0102] 上述实施方式的弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等。以下对该例子进行说明。
[0103] 图13是通信装置以及高频前端电路的结构图。另外，在同图中还一并图示了与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成通信装置240。另外，通信装置240也可以包括电源、CPU、显示器。
[0104] 高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224、以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图13的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一个例子，并不限定于该结构。
[0105] 双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225与天线元件202连接。另外，上述弹性波装置可以是双工器201A、201B，也可以是滤波器211、212、221、222。
[0106] 进而，上述弹性波装置例如也能够对将三个滤波器的天线端子公共化的三工器、将六个滤波器的天线端子公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器进行应用。
[0107] 即，上述弹性波装置包括弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器的双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
[0108] 开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号将天线元件202和对应于给定的频段的信号路径连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径并不限于一个，也可以是多个。也就是说，高频前端电路230也可以应对载波聚合。
[0109] 低噪声放大器电路214是将经由了天线元件202、开关225以及双工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。低噪声放大器电路224是将经由了天线元件202、开关225以及双工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。
[0110] 功率放大器电路234a、234b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大并经由双工器201A以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。功率放大器电路244a、244b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大并经由双工器201B以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。
[0111] RF信号处理电路203通过下变频等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上变频等对输入的发送信号进行信号处理，并向低噪声放大器电路224输出进行该信号处理而生成的高频发送信号。RF信号处理电路203例如是RFIC。另外，通信装置也可以包括BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对由RFIC进行了处理的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理并输出到RFIC。由BBIC进行了处理的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如为图像信号、声音信号等。另外，高频前端电路230也可以在上述的各构成要素之间具备其它电路元件。
[0112] 另外，高频前端电路230也可以代替上述双工器201A、201B而具备双工器201A、201B的变形例涉及的双工器。
[0113] 另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b而连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地经由开关225与天线元件202连接。
[0114] 根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，通过具备作为本发明的弹性波装置的弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器等，从而不易产生压电基板的裂纹、碎片。
[0115] 以上，列举实施方式及其变形例对本发明的实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但是关于本发明，将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
[0116] 本发明能够作为弹性波谐振器、滤波器、双工器、能够应用于多频段系统的多工器、前端电路以及通信装置而广泛利用于便携式电话等通信设备。
[0117] 附图标记说明
[0118] 1：压电晶片；
[0119] 1a：第一主面；
[0120] 1b：第二主面；
[0121] 2A～2D：弹性波装置构成部分；
[0122] 3：IDT电极；
[0123] 4、5：反射器；
[0124] 6a～6d：端子电极；
[0125] 7：支承层；
[0126] 8：基底层；
[0127] 9：覆盖构件；
[0128] 10：层叠体；
[0129] 11、11a～11c：树脂层；
[0130] 12：划片刀；
[0131] 13：弹性波装置；
[0132] 14：压电基板；
[0133] 14a、14b：端缘；
[0134] 14c：角部；
[0135] 21、31、31c、41、41a：树脂层；
[0136] 21a、21b：直线状的第一部分、直线状的第二部分；
[0137] 31a、31b：边；
[0138] 40：压电晶片；
[0139] 42：支承基板；
[0140] 43：低声速材料层；
[0141] 44：高声速材料层；
[0142] 45：压电薄膜；
[0143] 201A、201B：双工器；
[0144] 202：天线元件；
[0145] 203：RF信号处理电路；
[0146] 211、212：滤波器；
[0147] 214：低噪声放大器电路；
[0148] 221、222：滤波器；
[0149] 224：低噪声放大器电路；
[0150] 225：开关；
[0151] 230：高频前端电路；
[0152] 231、232：滤波器；
[0153] 234a、234b：功率放大器电路；
[0154] 240：通信装置；
[0155] 244a、244b：功率放大器电路。
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