一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法
专利汇可以提供一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 碳 化 硅 肖特基 二极管 的势垒调节方法，在Ti/4H-SiC的 肖特基二极管 中插入一层Al2O3 薄膜 ，从而改善界面不均匀性以及调节势垒高度。本发明通过在溅射金属Ti之前， 原子 层沉积 生长一层不同厚度的Al2O3薄膜层，通过后续Al2O3与碳化硅发生反应形成偶极子层，引起界面两侧的电势差，从而降低肖特基势垒高度，减小器件功耗，Al2O3薄膜也与碳化硅会产生正势垒，从而也可以减小肖特基二极管的反向泄露 电流 ；通过调整不同的Al2O3薄膜层厚度，产生不同的势垒高度，从而实现势垒高度的可调性。，下面是一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法专利的具体信息内容。
1.一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，其特征在于：在碳化硅上溅射沉积具有低势垒和低正向压降的肖特基金属层(5)，并在肖特基金属层(5)和碳化硅之间插入Al2O3薄膜(3)，最后在肖特基金属层(5)上溅射一层Al层(6)，通过Al2O3薄膜(3)与碳化硅发生反应形成偶极子层、正势垒。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，其特征在于：所述Al2O3薄膜(3)厚度为0.8nm或1.2nm或2nm。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，其特征在于：通过原子层沉积法沉积所述Al2O3薄膜(3)。
4.根据权利要求3所述的碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法，其特征在于：使用97％三甲基铝作为前体，使用去离子水作为氧化剂，在膜沉积期间将反应器室保持在200℃并使用热生长的方法，通过Ar流将前体和水引入反应器腔室，沉积速率在0.1nm/周期内，使用磷酸刻蚀掉肖特基金属层(5)以外的Al2O3薄膜(3)，留出肖特基金属窗口上的Al2O3薄膜(3)。
一种碳化硅肖特基二极管的势垒调节方法
技术领域
背景技术
电路中。肖特基二极管是以金属为正极，所述金属选自Au、Ag、A1、Pt、Mo、Ni、Ti，以N型半导体为负极，所述半导体为SiC，利用二者接触面上形成的具有整流特性的势垒制成的金属一半导体器件。
优点，以避免由于寄生电阻引起的不必要的功耗，因而半导体器件需要低肖特基势垒高度
(SBH)和金属/半导体触点处的低接触电阻率。
处理，但是热处理方法无法避免硅化以及热预算，导致器件功耗以及操作成本高。
发明内容
肖特基金属层和碳化硅之间插入Al2O3薄膜，最后在肖特基金属层上溅射一层Al层，通过
Al2O3薄膜与碳化硅发生反应形成偶极子层、正势垒。
附图说明
例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
具体实施方式
实施例，都属于本发明保护的范围。
1100℃下退火1小时。然后用PECVD的方法生长厚度为250nmSiO2钝化层4，最终其SiO2钝化层
4厚度为300nm，生长完钝化层后，在氧化炉中致密1小时。
200℃并使用热生长的方法。按照以下顺序通过Ar流将前体和水引入反应器腔室：150ms脉
冲(TMA)，500ms(吹扫)，150ms脉冲(H2O)和750ms(吹扫)。沉积速率估计在0.1nm/周期内。从而生长的Al2O3厚度分别为0.8，1.2和2nm。使用磷酸刻蚀掉肖特基金属窗口以外即两边SiO2层上的Al2O3薄膜3，留出肖特基金属窗口上的Al2O3薄膜3。
护。
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