技术领域
[0001] 本
发明属于电极箔生产的化成技术领域,更具体地说,尤其涉及一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法。
背景技术
[0002] 电极箔是
铝电解电容器制造的关键原材料。由于
电子产业的迅速发展,尤其是通信产品、计算机、家电等整机产品市场的急剧扩大,对铝电极箔产业的发展起了推波助澜的作用。现有电极箔的化成工艺制备得到的电极箔的比容低、折曲强度低且漏电大漏
电流较大。
发明内容
[0003] 本发明的目的是为了解决
现有技术中存在的缺点,而提出的一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法。
[0004] 为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
[0005] 一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法,包括如下步骤:
[0006] S1、向0.2-2mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入
表面活性剂,随后边加热边搅拌,在30-50℃
温度下对铝箔进行
表面处理;
[0007] S2、用蒸馏
水反复冲洗干净,将铝箔置于温度为20-30℃,浓度为2.0-3.0mo1/L的NaOH水溶液中浸泡2-3min,然后再用蒸馏水反复冲洗干净;
[0008] S3、铝箔置于92-100℃的去离子水中浸泡15-30min,将铝箔置于浓度为0.2%-1.0%的
草酸和3.5%-7%的
己二酸铵混合后的水溶液中,在80-95℃温度、100-220V
电压与
50-200mA/cm2电流的条件下化成150-200s,得到一级化成电极箔;
[0009] S4、将一级化成电极箔置于浓度为1-10%的
硼酸、0.1-1%的草酸和0.1-1%的五硼酸铵混合后的水溶液中,在温度温度为65℃-85℃、100-240V电压与处理电流
密度为0.11A/m2-0.22A/cm2条件下化成100-180s,得到二级化成电极箔;
[0010] S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.2%-2%的
磷酸二氢铵水溶液中,在温度为50-80℃,300-400V电压与处理电流密度为0.25A/m2-0.38A/cm2条件下化成60-120s,得到三级化成电极箔;
[0011] S6、将三级化成电极箔置于
热处理炉中,在温度500℃
焙烧2min,最后进行去极化处理,得到小片宽电极箔。
[0012] 优选的,所述步骤S1中表面活性剂为C12H25SO4Na和C18H29NaO3S按1∶1混合后的混合物,该混合物在步骤S1的混合溶液中的浓度为0.1-1.5wt%。
[0013] 优选的,所述步骤S1和步骤S2在超声辅助下完成,超声
频率为40KHz,表面处理时间为1-2min,电压为10-65V、电流密度为0.2A/cm2的交流电。
[0014] 优选的,所述蒸馏水反复冲洗干净后需要干燥,干燥温度为200-220℃,干燥时间为2-5min。
[0015] 优选的,所述步骤S3中铝箔采用去离子水中浸泡后需要在温度80-100℃情况下烘干5-10min。
[0016] 优选的,所述步骤S6中的去极化处理为将焙烧后的三级化成电极箔置于浓度为1%-5%的磷酸二氢铵和7-12%的磷酸水溶液的
混合液中,控制温度为50-70℃,浸泡1-2分钟,最后取出烘干。
[0017] 与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提供的一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法,与传统技术相比,该方法首先采用了
腐蚀化成技术,利用
盐酸在
电解池中与铝箔反应生产的腐蚀溶解性,便于后续的多次化成过程中,提高了电极箔的化成效率,铝箔上形成致密
氧化膜,提高使用寿命,采用多级化成工艺,制得的电极箔低漏电的优异性能,提高了电极箔的品质。
具体实施方式
[0018] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体
实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0019] 实施例1
[0020] 一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法,包括如下步骤:
[0021] S1、向0.5mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂,随后边加热边搅拌,在35℃温度下对铝箔进行表面处理;
[0022] S2、用蒸馏水反复冲洗干净,将铝箔置于温度为30℃,浓度为2.0mo1/L的NaOH水溶液中浸泡3min,然后再用蒸馏水反复冲洗干净;
[0023] S3、铝箔置于92℃的去离子水中浸泡15min,将铝箔置于浓度为0.2%的草酸和3.5%的己二酸铵混合后的水溶液中,在80℃温度、100V电压与50mA/cm2电流的条件下化成
150s,得到一级化成电极箔;
[0024] S4、将一级化成电极箔置于浓度为5%的硼酸、0.5%的草酸和0.1%的五硼酸铵混合后的水溶液中,在温度温度为65℃、100V电压与处理电流密度为0.11A/m2条件下化成100s,得到二级化成电极箔;
[0025] S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.2%的磷酸二氢铵水溶液中,在温度为50℃,300V电压与处理电流密度为0.25A/m2条件下化成60-120s,得到三级化成电极箔;
[0026] S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中,在温度500℃焙烧2min,最后进行去极化处理,得到小片宽电极箔。
[0027] 具体的,所述步骤S1中表面活性剂为C12H25SO4Na和C18H29NaO3S按1∶1混合后的混合物,该混合物在步骤S1的混合溶液中的浓度为0.5wt%。
[0028] 具体的,所述步骤S1和步骤S2在超声辅助下完成,超声频率为40KHz,表面处理时间为1min,电压为10V、电流密度为0.2A/cm2的交流电。
[0029] 具体的,所述蒸馏水反复冲洗干净后需要干燥,干燥温度为200℃,干燥时间为2min。
[0030] 具体的,所述步骤S3中铝箔采用去离子水中浸泡后需要在温度80℃情况下烘干5min。
[0031] 具体的,所述步骤S6中的去极化处理为将焙烧后的三级化成电极箔置于浓度为1%%的磷酸二氢铵和7%的磷酸水溶液的混合液中,控制温度为50℃,浸泡2分钟,最后取出烘干。
[0032] 实施例2
[0033] 一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法,包括如下步骤:
[0034] S1、向1mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂,随后边加热边搅拌,在50℃温度下对铝箔进行表面处理;
[0035] S2、用蒸馏水反复冲洗干净,将铝箔置于温度为30℃,浓度为2.5mo1/L的NaOH水溶液中浸泡2min,然后再用蒸馏水反复冲洗干净;
[0036] S3、铝箔置于100℃的去离子水中浸泡30min,将铝箔置于浓度为1.0%的草酸和2
4%的己二酸铵混合后的水溶液中,在95℃温度、150V电压与100mA/cm电流的条件下化成
200s,得到一级化成电极箔;
[0037] S4、将一级化成电极箔置于浓度为5%的硼酸、0.8%的草酸和0.6%的五硼酸铵混合后的水溶液中,在温度温度为85℃、240V电压与处理电流密度为0.22A/cm2条件下化成180s,得到二级化成电极箔;
[0038] S5、将二级化成电极箔置于浓度为0.8%的磷酸二氢铵水溶液中,在温度为80℃,300V电压与处理电流密度为0.38A/cm2条件下化成120s,得到三级化成电极箔;
[0039] S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中,在温度500℃焙烧2min,最后进行去极化处理,得到小片宽电极箔。
[0040] 具体的,所述步骤S1中表面活性剂为C12H25SO4Na和C18H29NaO3S按1∶1混合后的混合物,该混合物在步骤S1的混合溶液中的浓度为1.5wt%。
[0041] 具体的,所述步骤S1和步骤S2在超声辅助下完成,超声频率为40KHz,表面处理时间为2min,电压为50V、电流密度为0.2A/cm2的交流电。
[0042] 具体的,所述蒸馏水反复冲洗干净后需要干燥,干燥温度为200℃,干燥时间为5min。
[0043] 具体的,所述步骤S3中铝箔采用去离子水中浸泡后需要在温度90℃情况下烘干10min。
[0044] 具体的,所述步骤S6中的去极化处理为将焙烧后的三级化成电极箔置于浓度为3%的磷酸二氢铵和9%的磷酸水溶液的混合液中,控制温度为70℃,浸泡2分钟,最后取出烘干。
[0045] 实施例3
[0046] 一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法,包括如下步骤:
[0047] S1、向1.5mol/L的HCl与AlCl3的混合溶液中加入表面活性剂,随后边加热边搅拌,在50℃温度下对铝箔进行表面处理;
[0048] S2、用蒸馏水反复冲洗干净,将铝箔置于温度为30℃,浓度为2.8mo1/L的NaOH水溶液中浸泡3min,然后再用蒸馏水反复冲洗干净;
[0049] S3、铝箔置于100℃的去离子水中浸泡20min,将铝箔置于浓度为1.0%的草酸和6%的己二酸铵混合后的水溶液中,在95℃温度、220V电压与100mA/cm2电流的条件下化成
200s,得到一级化成电极箔;
[0050] S4、将一级化成电极箔置于浓度为8%的硼酸、0.6%的草酸和0.8%的五硼酸铵混合后的水溶液中,在温度温度为85℃、240V电压与处理电流密度为0.22A/cm2条件下化成180s,得到二级化成电极箔;
[0051] S5、将二级化成电极箔置于浓度为1.8%的磷酸二氢铵水溶液中,在温度为80℃,300V电压与处理电流密度为0.38A/cm2条件下化成60-120s,得到三级化成电极箔;
[0052] S6、将三级化成电极箔置于热处理炉中,在温度500℃焙烧2min,最后进行去极化处理,得到小片宽电极箔。
[0053] 具体的,所述步骤S1中表面活性剂为C12H25SO4Na和C18H29NaO3S按1∶1混合后的混合物,该混合物在步骤S1的混合溶液中的浓度为1.5wt%。
[0054] 具体的,所述步骤S1和步骤S2在超声辅助下完成,超声频率为40KHz,表面处理时2
间为2min,电压为65V、电流密度为0.2A/cm的交流电。
[0055] 具体的,所述蒸馏水反复冲洗干净后需要干燥,干燥温度为220℃,干燥时间为5min。
[0056] 具体的,所述步骤S3中铝箔采用去离子水中浸泡后需要在温度100℃情况下烘干10min。
[0057] 具体的,所述步骤S6中的去极化处理为将焙烧后的三级化成电极箔置于浓度为5%的磷酸二氢铵和12%的磷酸水溶液的混合液中,控制温度为70℃,浸泡2分钟,最后取出烘干。
[0058] 综上所述:本发明提供的一种适用于小片宽电极箔生产的化成方法,与传统技术相比,该方法首先采用了腐蚀化成技术,利用盐酸在电解池中与铝箔反应生产的腐蚀溶解性,便于后续的多次化成过程中,提高了电极箔的化成效率,铝箔上形成致密氧化膜,提高使用寿命,采用多级化成工艺,制得的电极箔低漏电的优异性能,提高了电极箔的品质。
[0059] 最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行
修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。