专利汇可以提供用於自包含低K介電材料及銅的半導體裝置基材選擇性移除金屬硬遮罩及其他殘留物的方法和組成物专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本發明係關於自其上具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W或Ti或W之 合金 蝕刻遮罩且包括低k材料之半導體基材相對該等低k材料選擇性移除主要由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W或Ti或W之合金組成之蝕刻遮罩的具有在2至14之範圍內的pH的 水 性移除組成物及方法,其中該移除組成物包括至少一種 氧 化劑及 羧酸 鹽化合物。,下面是用於自包含低K介電材料及銅的半導體裝置基材選擇性移除金屬硬遮罩及其他殘留物的方法和組成物专利的具体信息内容。
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