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具有等向步階的半導體基板

阅读:632发布:2020-11-13

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本發明係依序的在表面形成具有由磷化鋁鎵銦(InGaA1P) 系材料所構成的活性層的雙異質 ( double hetro)構造體及第一電極,且在背面形成第2電極,而用以構成半導體發光元件的半導體基板10中,在形成雙異質構造體的面10a上設置由(311)面或(511)面所構成的 原子 階(step)。
本發明的效果為:因為具有原子階,所以能夠得到與在面方位為傾斜的半導體基板的場合同樣特性的半導體元件,再者,因為係使用正向(just)基板,所以其晶錠( ingot)的切出效率也會變好。,下面是具有等向步階的半導體基板专利的具体信息内容。

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