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一种集成 太阳能 电池的LED芯片、电路及装置

阅读：321发布：2020-05-12

专利汇可以提供一种集成太阳能电池的LED芯片、电路及装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提供一种集成太阳能电池的LED芯片、电路及装置，其中LED芯片包括外延片，外延片下设置有连接接触电极，外延片上设置有LED结构，LED结构上的一侧设置有LED接触电极，LED结构上的另一侧设置有太阳能电池结构，太阳能电池结构上设置有太阳能电池接触电极。本方案在LED芯片上集成太阳能电池，通过太阳能电池直接给LED供电，而后可以将LED芯片设置在电路中实现对电路的检测，无需额外的电路和电源。，下面是一种集成太阳能电池的LED芯片、电路及装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种集成太阳能电池的LED芯片，其特征在于：包括外延片，外延片下设置有连接接触电极，外延片上设置有LED结构，LED结构上的一侧设置有LED接触电极，LED结构上的另一侧设置有太阳能电池结构，太阳能电池结构上设置有太阳能电池接触电极。
2.根据权利要求1所述的一种集成太阳能电池的LED芯片，其特征在于：所述LED结构包括设置在外延片上的N型砷化镓磷层、设置在N型砷化镓磷层上的N型磷化铝镓铟层，设置在N型磷化铝镓铟层上的P型磷化镓层。
3.根据权利要求1所述的一种集成太阳能电池的LED芯片，其特征在于：所述太阳能电池结构包括：设置在LED结构上的N型砷化镓铝层、设置在N型砷化镓铝层上的N型砷化镓层、设置在N型砷化镓层上的P型砷化镓层、设置在P型砷化镓上的P型砷化镓铝层和设置在P型砷化镓铝层上的P型砷化镓层。
4.根据权利要求1所述的一种集成太阳能电池的LED芯片，其特征在于：所述外延片下的连接接触电极包括设置在LED接触电极正下方的第一接触电极和设置在太阳能电池接触电极正下方的第二接触电极。
5.根据权利要求1到4任意一项所述的一种集成太阳能电池的LED芯片，其特征在于：所述外延片为砷化镓外延片。
6.一种集成太阳能电池的电路，其特征在于：包含有LED芯片，所述LED芯片为权利要求
1到5任意一项的一种集成太阳能电池的LED芯片，所述LED芯片的LED接触电极与太阳能电池接触电极连接。
7.一种集成太阳能电池的装置，其特征在于：包含有电路，所述电路为权利要求6的一种集成太阳能电池的电路。

说明书全文

一种集成太阳能 电池的LED芯片、电路及装置

技术领域

[0001] 本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及一种集成太阳能电池的LED芯片、电路及装置。

背景技术

[0002] 目前要知道LED显示屏是否处于工作状态，需要通过检测或者在电路中而外添加一个检测元件来进行检测，而外加装检测元件增加组件的连接动作及时间。同时要让LED显示屏处于正常工作状态，需要通过外部添加一个电源来进行驱动，而外加电源会增加组件的连接动作及时间。实用新型内容

[0003] 为此，需要提供一种集成太阳能电池的LED芯片、电路及装置，解决现有需要额外的电源和LED的问题。

[0004] 为实现上述目的，发明人提供了一种集成太阳能电池的LED芯片，包括外延片，外延片下设置有连接接触电极，外延片上设置有LED结构，LED结构上的一侧设置有LED接触电极，LED结构上的另一侧设置有太阳能电池结构，太阳能电池结构上设置有太阳能电池接触电极。

[0005] 进一步地，所述LED结构包括设置在外延片上的N型砷化镓磷层、设置在N型砷化镓磷层上的N型磷化铝镓铟层，设置在N型磷化铝镓铟层上的P型磷化镓层。

[0006] 进一步地，所述太阳能电池结构包括：设置在LED结构上的N型砷化镓铝层、设置在N型砷化镓铝层上的N型砷化镓层、设置在N型砷化镓层上的P型砷化镓层、设置在P型砷化镓上的P型砷化镓铝层和设置在P型砷化镓铝层上的P型砷化镓层。

[0007] 进一步地，所述外延片下的连接接触电极包括设置在LED接触电极正下方的第一接触电极和设置在太阳能电池接触电极正下方的第二接触电极。

[0008] 进一步地，所述外延片为砷化镓外延片。

[0009] 本实用新型提供一种集成太阳能电池的电路，包含有LED芯片，所述LED芯片为上述的一种集成太阳能电池的LED芯片，所述LED芯片的LED接触电极与太阳能电池接触电极连接。

[0010] 本实用新型提供一种集成太阳能电池的装置，包含有电路，所述电路为上述的一种集成太阳能电池的电路。

[0011] 区别于现有技术，上述技术方案在LED芯片上集成太阳能电池，通过太阳能电池可以直接给LED供电，而后可以将LED芯片设置有电路中实现对电路的检测，这样结构紧凑，无需额外的电路和电源。附图说明

[0012] 图1为具体实施方式所述的LED芯片的结构；

[0013] 图2为具体实施方式所述的电路结构示意图。

[0014] 附图标记说明：

[0015] 1、外延片，

[0016] 2、连接接触电极，

[0017] 3、LED接触电极，

[0018] 4、太阳能电池接触电极。

具体实施方式

[0019] 为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

[0020] 请参阅图1到图2，本实施例提供一种集成太阳能电池的LED芯片，包括外延片1，外延片下设置有连接接触电极2，外延片上设置有LED结构，LED结构上的一侧设置有LED接触电极3，LED结构上的另一侧设置有太阳能电池结构，太阳能电池结构上设置有太阳能电池接触电极4。

[0021] 上述实施例中，太阳能电池结构和LED结构外延成长在衬底上；所述太阳能电池结构包括上、下电极，太阳能电池接触电极4构成上电极连接点，太阳能下的连接接触电极2构成太阳能下电极的连接点，LED接触电极作为LED的正极，LED下方接触电极作为LED的负极。通过在LED结构上直接集成太阳能电池结构，通过太阳能电池结构直接给LED通电，节省了额外加装LED的连接动作及时间。在某些实施例中，如图2所示，可以将LED芯片LED1作为开关指示，R1、C1作为RC滤波作用，v1是太阳能电池，ED2-LED5作为LED显示屏，能够通过LED1知晓LED是否工作，让用户知晓组件的工作状态。

[0022] 作为一种可选的LED结构，LED结构包括设置在外延片上的N型砷化镓磷层(N-GaAsP)、设置在N型砷化镓磷层上的N型磷化铝镓铟层(N-AIGaInp)以及设置在N型磷化铝镓铟层上的P型磷化镓层(P-Gap)，而后在P型磷化镓层的一侧设置LED接触电极3。

[0023] 作为一种可选的太阳能电池结构，太阳能电池结构包括在LED结构上的N型砷化镓铝层(N-AlGaAs)、设置在N型砷化镓铝层上的N型砷化镓层(N-GaAs)、设置在N型砷化镓层上的P型砷化镓层(p-GaAs)、设置在P型砷化镓的P型砷化镓铝层(p-AlGaAs)以及设置在P型砷化镓铝层上的P型砷化镓层(p-GaAs)，而后在P型砷化镓层上的太阳能电池接触电极4。

[0024] 在某些实施例中，所述外延片下的连接接触电极包括设置在LED接触电极正下方的第一接触电极和设置在太阳能电池接触电极正下方的第二接触电极，第一接触电极可以单独作为LED结构负极，第二接触电极可以单独作为太阳能电池负极。这样可以实现LED结构和太阳能电池结构分别连接，实现串联或者并联结构。

[0025] 砷化镓(GaAs)可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。

[0026] 本实用新型提供一种集成太阳能电池的电路，包含有LED芯片，所述LED芯片为上述的一种集成太阳能电池的LED芯片，所述LED芯片的LED接触电极与太阳能电池接触电极连接，这样可以形成如图2所示的电路并联结构，从而可以实现指示作用。通过采用集成太阳能电池的LED芯片上，可以实现电路的简单紧凑。

[0027] 本实用新型提供一种集成太阳能电池的装置，包含有电路，所述电路为上述的一种集成太阳能电池的电路，这样的装置采用集成太阳能电池的LED芯片，结构紧凑，装置体积小。

[0028] 需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型专利的保护范围之内。

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