金属键结的发光二极管及形成金属键结发光二极管的方法
专利汇可以提供金属键结的发光二极管及形成金属键结发光二极管的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种金属键结的发光 二极管 ，包括 基板 、第一接 合金 属层、第二接合金属层、导电 氧 化层以及 外延 层。第一接合金属层，形成于基板上。第二接合金属层形成于第一接合金属层上。导电氧化层形成于第二接合金属层上。外延层形成于导电氧化层上。本发明更包括一种形成金属键结 发光二极管 的方法，包括下列步骤：设置第一基板；形成第一接合金属层于第一基板上；设置第二基板；形成外延层于第二基板上；形成导电氧化层于外延层上；形成第二接合金属层于导电氧化层上；键结第一接合金属层及第二接合金属层；以及移除第二基板。，下面是金属键结的发光二极管及形成金属键结发光二极管的方法专利的具体信息内容。
1.一种金属键结的发光二极管，其特征在于，包括：
一基板；
一第一接合金属层，形成于该基板上，该第一接合金属层包括：
一湿润层，形成于该基板上，该湿润层包括钛或铬；
一阻障层，形成于该湿润层上，该阻障层包括钯；及
一导接层，形成于该阻障层上；
一第二接合金属层，形成于该第一接合金属层的导接层上；
一导电氧化层，形成于该第二接合金属层上；
一外延层，形成于该导电氧化层上；以及
一不导电氧化层，设置于该外延层及该导电氧化层之间，该不导电氧化层包括至少一接孔，该接孔连通该外延层及该导电氧化层，该接孔为一金属材料，包括金锌、金铍、铬或金。
2.如权利要求1所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该第二接合金属层包括单一金属材料或复合金属材料。
3.如权利要求2所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该单一金属材料包括金或铬。
4.如权利要求2所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该复合金属材料包括金锌、铬金或者金锌金。
5.如权利要求1所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该基板包括硅基板。
6.如权利要求1所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该外延层包括磷化铝铟镓或砷化镓铝。
7.如权利要求1所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该导电氧化层包括氧化铟锡、氧化铟锌或氧化镍。
8.如权利要求1所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该导接层包括金。
9.如权利要求1所述金属键结的发光二极管，其特征在于，其中该不导电氧化层包括氮化硅、氮氧化硅或者二氧化硅。
10.一种形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，包括：
设置一第一基板；
形成一第一接合金属层于该第一基板上，该第一接合金属层包括形成于该第一基板上的一湿润层、形成于该湿润层上的一阻障层及形成于该阻障层上的一导接层，该湿润层包括钛或铬，该阻障层包括钯；
设置一第二基板；
形成一外延层于该第二基板上；
形成一不导电氧化层于该外延层上，该不导电氧化层包括至少一接孔，该接孔为一金属材料，包括金锌、金铍、铬或金；
形成一导电氧化层于该不导电氧化层上，使该接孔连通该外延层及该导电氧化层；
形成一第二接合金属层于该导电氧化层上；
以一温度及一压力键结该第一接合金属层的导接层及该第二接合金属层，其中该温度介于250℃至500℃之间，该压力介于3000Kg至14000Kg之间；以及
移除该第二基板。
11.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该第二接合金属层包括单一金属材料或复合金属材料。
12.如权利要求11所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该单一金属材料包括金或铬。
13.如权利要求11所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该复合金属材料包括金锌、铬金或者金锌金。
14.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该第二基板包括砷化镓基板。
15.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一基板包括硅基板。
16.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该外延层包括磷化铝铟镓或砷化镓铝。
17.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该导电氧化层包括氧化铟锡、氧化铟锌或氧化镍。
18.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该导接层包括金。
19.如权利要求10所述形成金属键结发光二极管的方法，其特征在于，其中该不导电氧化层包括氮化硅、氮氧化硅或者二氧化硅。
20.一种金属键结的发光二极管，包括：
一基板；
一第一接合金属层，形成于该基板上，该第一接合金属层包括：
一湿润层，形成于该基板上，该湿润层包括钛或铬；
一阻障层，形成于该湿润层上，该阻障层包括钯；及
一导接层，形成于该阻障层上；
一第二接合金属层，形成于该第一接合金属层的导接层上；
一导电氧化层，形成于该第二接合金属层上；
一外延层，形成于该导电氧化层上；以及
一覆盖层，形成于该外延层及该导电氧化层之间。
21.如权利要求20所述金属键结的发光二极管，其中该覆盖层的浓度大于1019cm-3。
22.一种形成金属键结发光二极管的方法，包括：
设置一第一基板；
形成一第一接合金属层于该第一基板上，该第一接合金属层包括形成于该第一基板上的一湿润层、形成于该湿润层上的一阻障层及形成于该阻障层上的一导接层，该湿润层包括钛或铬，该阻障层包括钯；
设置一第二基板；
形成一外延层于该第二基板上；
形成一覆盖层于该外延层上；
形成一导电氧化层于该覆盖层上；
形成一第二接合金属层于该导电氧化层上；
以一温度及一压力键结该第一接合金属层的导接层及该第二接合金属层，其中该温度介于250℃至500℃之间，该压力介于3000Kg至14000Kg之间；以及
移除该第二基板。
23.如权利要求22所述形成金属键结发光二极管的方法，其中该覆盖层的浓度大于
1019cm-3。
金属键结的发光二极管及形成金属键结发光二极管的方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
22及导电氧化层23，以便于和外延层22形成欧姆接触。此外，接孔281为金属材料，包括金锌(AuZn)、金铍(AuBe)、铬(Cr)或金(Au)等金属材料。
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