标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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液体排出头及其制造方法 | 2020-05-14 | 302 |
亚分辨率硅特征及其形成方法 | 2020-05-15 | 539 |
半导体板构件 | 2020-05-14 | 840 |
用于在集成光学部件中削尖波导Y分支的角的制造方法 | 2020-05-14 | 930 |
使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法 | 2020-05-13 | 222 |
用于在集成光学部件中削尖波导Y分支的角的制造方法 | 2020-05-14 | 799 |
使用NO活化的用于硅氧化物的各向同性原子层蚀刻 | 2020-05-13 | 526 |
液体排出头及其制造方法 | 2020-05-14 | 504 |
亚分辨率硅特征及其形成方法 | 2020-05-15 | 947 |
精细结构部件,其制造方法及使用它的产品 | 2020-05-14 | 71 |
在半导体器件中形成钨插头的方法 | 2020-05-15 | 560 |
用于高管芯破裂强度和平滑的侧壁的激光划片和等离子体蚀刻 | 2020-05-15 | 705 |
精细结构部件,其制造方法及使用它的产品 | 2020-05-14 | 129 |
用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的各向同性蚀刻空腔 | 2020-05-13 | 455 |
用于高管芯破裂强度和平滑的侧壁的激光划片和等离子体蚀刻 | 2020-05-15 | 308 |
使用NO活化的用于硅氧化物的各向同性原子层蚀刻 | 2020-05-13 | 70 |
用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的各向同性蚀刻空腔 | 2020-05-13 | 725 |
多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 | 2020-05-13 | 880 |
多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 | 2020-05-13 | 684 |
蚀刻方法和蚀刻装置 | 2020-05-15 | 581 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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金属栅极结构、半导体器件及其制造方法 | 2020-05-16 | 785 |
用于在集成光学部件中削尖波导Y分支的角的制造方法 | 2020-05-14 | 930 |
一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻方法和系统 | 2020-05-16 | 40 |
用于高管芯破裂强度和平滑的侧壁的激光划片和等离子体蚀刻 | 2020-05-15 | 705 |
供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物 | 2020-05-11 | 90 |
降低的各向同性蚀刻剂材料消耗及废料产生 | 2020-05-11 | 417 |
利用原子层控制各向同性蚀刻膜 | 2020-05-11 | 228 |
蚀刻和由此形成的结构 | 2020-05-17 | 294 |
多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除 | 2020-05-13 | 880 |
蚀刻方法 | 2020-05-15 | 137 |
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