标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | 2020-05-12 | 68 |
CMOS图像传感器的形成方法 | 2020-05-12 | 376 |
一种形成自对准接触部的方法 | 2020-05-12 | 181 |
SONOS存储器的制造方法 | 2020-05-12 | 149 |
分裂栅非易失性存储器单元 | 2020-05-13 | 948 |
RFLDMOS中优化器件热载流子注入性能的工艺方法 | 2020-05-13 | 389 |
FDSOI器件的赝栅极去除方法 | 2020-05-12 | 206 |
互连结构、电路及包括该互连结构或电路的电子设备 | 2020-05-12 | 46 |
影像传感器 | 2020-05-12 | 744 |
具有嵌入式存储器件的结构、集成电路结构及其制造方法 | 2020-05-12 | 739 |
半导体器件的制造方法 | 2020-05-13 | 616 |
半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法 | 2020-05-12 | 717 |
NOR闪存及其制造方法 | 2020-05-13 | 56 |
图像感测器件及其制造方法 | 2020-05-13 | 715 |
用于包括具有低接触电阻的衬垫硅化物的集成电路制作的工艺 | 2020-05-13 | 689 |
屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 | 2020-05-13 | 137 |
自对准硅化物阻挡层的制造方法 | 2020-05-13 | 590 |
用于半导体制造的改进的接触件 | 2020-05-13 | 856 |
背面半导体生长 | 2020-05-13 | 124 |
一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 2020-05-13 | 645 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种非易失性存储器单元、阵列及制备方法 | 2020-05-08 | 949 |
FDSOI器件的赝栅极去除方法 | 2020-05-12 | 206 |
互连结构、电路及包括该互连结构或电路的电子设备 | 2020-05-12 | 46 |
用于利用支撑结构形成三维存储器件的方法和产生的三维存储器件 | 2020-05-08 | 56 |
CMOS图像传感器的形成方法 | 2020-05-12 | 376 |
SONOS存储器的制造方法 | 2020-05-12 | 149 |
半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法 | 2020-05-12 | 717 |
集成电路器件 | 2020-05-11 | 785 |
半导体功率元件及其制造方法 | 2020-05-08 | 334 |
场效应晶体管的制作方法 | 2020-05-12 | 678 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。