陶瓷电子部件的制造方法及陶瓷电子部件 |
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| 申请号 | CN201310741070.8 | 申请日 | 2013-12-27 | 公开(公告)号 | CN103915253B | 公开(公告)日 | 2017-05-03 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所; | 发明人 | 冈岛健一; 福永大树; 矢尾刚之; 中村泰也; 盐田彰宏; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供一种不易发生内部 电极 间的 短路 的陶瓷 电子 部件的制造方法。在未加工的陶瓷坯料（23）的第一及第二侧面（24c、24d）中的每一个上形成未加工的陶瓷层（29a、29b），所述未加工的陶瓷层（29a、29b）含有陶瓷粒子，并且存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分的总量比陶瓷部多。通过对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成，而得到具有电子部件本体（10）的陶瓷电子部件（1），所述电子部件本体（10）是对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成而成的。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种陶瓷电子部件的制造方法，其具备： |
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| 说明书全文 | 陶瓷电子部件的制造方法及陶瓷电子部件技术领域[0001] 本发明涉及陶瓷电子部件的制造方法及陶瓷电子部件。 背景技术[0002] 近年来，伴随手机、便携音乐播放器等电子设备的小型化发展，搭载于电子设备的层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件的大容量化及小型化正在急速发展。 [0003] 为了使层叠陶瓷电容器大容量化，使内部电极的对置部的面积增大是有效的。但是，如果使内部电极的对置部的面积极大化，则与之相伴地层叠陶瓷电容器的尺寸增大。因此，为了兼具小型化和大容量化，需要使内部电极的对置部的面积极大化、并使其以外的面积极小化。作为能够制造出这样地使内部电极的对置部的面积极大化、并使其以外的部分极小化的层叠陶瓷电容器的方法，例如在专利文献1中记载了如下的方法：制作在第一及第二侧面分别露出有第一及第二内部电极的陶瓷坯料，然后在该陶瓷坯料的各侧面上形成陶瓷层。 [0004] 现有技术文献 [0005] 专利文献 [0006] 专利文献1：日本特开昭61-248413号公报 发明内容[0007] 发明所要解决的课题 [0008] 但是，专利文献1所述的方法存在如下问题：容易发生在侧面露出的内部电极间的短路。 [0009] 本发明的主要目的在于提供一种不易发生内部电极间的短路的陶瓷电子部件的制造方法及陶瓷电子部件。 [0010] 解决课题的方法 [0011] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法中，准备未加工的陶瓷坯料，所述未加工的陶瓷坯料具有沿长度方向及宽度方向延伸的第一及第二主面、沿长度方向及厚度方向延伸的第一及第二侧面、和沿宽度方向及厚度方向延伸的第一及第二端面，且具有第一内部电极和第二内部电极，所述第一内部电极在第一端面以及第一及第二侧面露出，所述第二内部电极隔着陶瓷部与第一内部电极在厚度方向上对置、且在第二端面以及第一及第二侧面露出，其中所述陶瓷部含有陶瓷粒子、及存在于陶瓷粒子间的选自Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分。在未加工的陶瓷坯料的第一及第二侧面中的每一个上形成未加工的陶瓷层，所述未加工的陶瓷层中，存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分的总量比上述陶瓷部中多。通过对设置有未加工的陶瓷层的未加工的陶瓷坯料进行烧成，而得到具有电子部件本体的陶瓷电子部件，所述电子部件本体是对设置有未加工的陶瓷层的未加工的陶瓷坯料进行烧成而成的。 [0012] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的某一特定方面，存在于上述陶瓷粒子间的上述成分为稀土类。 [0013] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的另一特定方面，存在于陶瓷粒子间的成分包含Ba系化合物、Mg系化合物、Mn系化合物及含有稀土类元素的化合物中的至少一种。 [0014] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的其他特定方面，通过粘贴陶瓷生片来形成未加工的陶瓷层。 [0015] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法的另外的其他特定方面，通过涂布陶瓷糊剂来形成未加工的陶瓷层。 [0016] 本发明所涉及的陶瓷电子部件，具备：陶瓷坯料，具有沿长度方向及宽度方向延伸的第一及第二主面、沿长度方向及厚度方向延伸的第一及第二侧面、和沿宽度方向及厚度方向延伸的第一及第二端面，且含有陶瓷粒子、和存在于陶瓷粒子间的选自Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分；第一内部电极，在陶瓷坯料内，以沿长度方向及宽度方向延伸的方式设置，且在第一端面露出；和第二内部电极，在陶瓷坯料内，以沿长度方向及宽度方向延伸、在厚度方向上隔着陶瓷部与第一内部电极对置的方式设置，且在第二端面露出。在位于第一内部电极与第二内部电极之间的陶瓷部的宽度方向的端部存在的、存在于陶瓷粒子间的成分所含有的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量，比陶瓷坯料的宽度方向的中央部中的、存在于陶瓷粒子间的化合物所含有的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量多。 [0017] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的某一特定方面，Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量从陶瓷层的外侧向陶瓷坯料的中央侧逐渐减少。 [0018] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的其他特定方面，存在于上述陶瓷粒子间的上述成分为稀土类。 [0019] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另一特定方面，第一内部电极的宽度方向上的端部的位置、与第二内部电极的宽度方向上的端部的位置在宽度方向上一致。 [0021] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另外的其他特定方面，存在于陶瓷粒子间的上述成分包含Ba系化合物、Mg系化合物、Mn系化合物及含有稀土类元素的化合物中的至少一种。 [0022] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另外的另一特定方面，第一侧面、与设置有第一及第二内部电极的区域的宽度方向上的第一侧面侧端部之间的距离在2μm～30μm的范围内，第二侧面、与设置有第一及第二内部电极的区域的宽度方向上的第二侧面侧端部之间的距离在2μm～30μm的范围内。 [0023] 在本发明所涉及的陶瓷电子部件的另外的另一特定方面，陶瓷部的厚度在0.4μm～0.8μm的范围内。 [0024] 发明效果 [0026] 图1是第一实施方式中的层叠陶瓷电子部件的简略立体图。 [0027] 图2是以图1中的II-II线切出的部分的简略剖面图。 [0028] 图3是以图1中的III-III线切出的部分的简略剖面图。 [0029] 图4是以图3中的IV-IV线切出的部分的简略剖面图。 [0030] 图5是以图3中的V-V线切出的部分的简略剖面图。 [0031] 图6是印刷有导电性糊剂的陶瓷生片的示意俯视图。 [0032] 图7是陶瓷生片层叠体的示意分解侧面图。 [0033] 图8是未加工的陶瓷坯料23的示意立体图。 [0034] 图9是未加工的陶瓷坯料23的简略剖面图。 [0035] 图10是未加工的陶瓷坯料23的简略剖面图。 [0036] 图11是未加工的陶瓷坯料23的示意立体图。 具体实施方式[0037] 以下，对实施了本发明的优选的方式的一例进行说明。但是，下述实施方式仅为例示。本发明不受下述实施方式的任何限定。 [0038] 另外，在实施方式等中、用于参照的各附图中，在实质上具有相同功能的构件以相同符号进行参照。另外，在实施方式等中，用于参照的附图是示意记载的图，附图中描画的物体的尺寸比率等有时与现实的物体的尺寸比率等不同。在附图相互之间，也有时物体的尺寸比率等不同。具体的物体的尺寸比率等应参考以下的说明进行判断。 [0039] （第一实施方式） [0040] （层叠陶瓷电子部件1的构成） [0041] 图1是第一实施方式中的层叠陶瓷电子部件的简略立体图。图2是以图1中的II-II线切出的部分的简略剖面图。图3是以图1中的III-III线切出的部分的简略剖面图。图4是以图3中的IV-IV线切出的部分的简略剖面图。图5是以图3中的V-V线切出的部分的简略剖面图。 [0042] 首先，边参照图1～图5，边对在本实施方式中制造的层叠陶瓷电子部件1的构成进行说明。 [0043] 如图1～3所示，层叠陶瓷电子部件1具有长方体状的陶瓷坯料10。陶瓷坯料10具有第一及第二主面10a、10b、第一及第二侧面10c、10d（参照图3及图4）、和第一及第二端面10e、10f（参照图2、图4及图5）。第一及第二主面10a、10b沿长度方向L及宽度方向W进行延伸。第一及第二侧面10c、10d沿厚度方向T及长度方向L进行延伸。第一及第二端面10e、10f沿厚度方向T及宽度方向W进行延伸。 [0044] 需要说明的是，在本发明中，“长方体状”也包括角部、棱线部圆化的长方体。即，“长方体状”的构件是指，具有第一及第二主面、第一及第二侧面以及第一及第二端面的构件整体。另外，在主面、侧面、端面的一部分或者全部可以形成有凹凸等。 [0045] 陶瓷坯料10的尺寸没有特别限定，例如陶瓷坯料10的高度尺寸优选为0.2mm～0.5mm，长度尺寸优选为0.4mm～1.0mm，宽度尺寸优选为0.2mm～0.5mm。 [0046] 陶瓷坯料10含有陶瓷粒子、和存在于陶瓷粒子间且为Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分。作为陶瓷粒子，优选使用核壳型陶瓷粒子。这种情况下，可以进一步提高粒子生长抑制效果。 [0047] 需要说明的是，上述Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分，主要存在于陶瓷粒子间，但也可以固溶在陶瓷粒子一侧。 [0048] 需要说明的是，作为上述稀土类，其没有特别限定，可以列举例如：Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或者Y等。 [0049] 构成陶瓷坯料10的陶瓷的种类，可以根据期望的层叠陶瓷电子部件1的特性进行适当选择。 [0050] 例如，在层叠陶瓷电子部件1为电容器的情况下，可以利用电介质陶瓷形成陶瓷坯料10。作为电介质陶瓷的具体例，可以列举例如：含有Ba及Ti的钙钛矿型化合物、或者含有Ba及Ti、Ca的钙钛矿型化合物等。 [0051] 对陶瓷坯料10中含有的陶瓷粒子的粒子生长进行抑制的成分没有特别限定，优选为Ba系化合物、Mg系化合物、Mn系化合物及含有稀土类元素的化合物中的至少一种。 [0052] 需要说明的是，上述Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种以抑制陶瓷粒子的粒子生长的方式发挥作用。即，就Ba、Mg、Mn及稀土类而言，与在粒子内固溶而使粒子生长的情况相比，存在于粒子间的情况可降低粒子间的能量，使陶瓷稳定化。因此，Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种存在于粒子间时，以抑制粒子生长的方式发挥作用。当然，Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种主要存在于粒子间即可，相对少量的上述成分也可以在粒子内固溶。 [0053] 如图2及图3所示，在陶瓷坯料10的内部设置有多个第一内部电极11、和多个第二内部电极12。 [0054] 第一内部电极11为矩形。第一内部电极11以与第一及第二主面10a、10b平行的方式设置。即，第一内部电极11沿长度方向L及宽度方向W设置。第一内部电极11在第一端面10e露出，且不在第一及第二主面10a、10b、第一及第二侧面10c、10d以及第二端面10f露出。 [0055] 第二内部电极12为矩形。第二内部电极12以与第一及第二主面10a、10b平行的方式设置。即，第二内部电极12沿长度方向L及宽度方向W设置。因此，第二内部电极12与第一内部电极11相互平行。第二内部电极12在第二端面10f露出，且不在第一及第二主面10a、10b、第一及第二侧面10c、10d以及第一端面10e露出。 [0056] 第一及第二内部电极11、12，沿厚度方向T交替设置。在厚度方向T上，相邻的第一内部电极11和第二内部电极12隔着陶瓷部10g对置。陶瓷部10g的厚度设为0.4μm～0.8μm左右，更优选为0.3μm～0.5μm。需要说明的是，在陶瓷电子部件1为电容器的情况下，从使陶瓷电子部件1的容量增大的观点出发，优选陶瓷部10g薄。 [0057] 如图3所示，在陶瓷电子部件1中，第一内部电极11的宽度方向W的端部的位置、与第二内部电极12的宽度方向W的端部的位置在宽度方向W上一致。第一及第二内部电极11、12的宽度方向W的端部，存在于比侧面10c、10d更靠宽度方向W的中央侧。因此，在陶瓷坯料 10的宽度方向W的两侧部分，设置有未设置第一及第二内部电极11、12的保护部10h。该保护部10h对层叠陶瓷电子部件1的功能表现没有贡献。因此，从实现层叠陶瓷电子部件1的高性能化的观点出发，保护部10h越薄越优选。例如在层叠陶瓷电子部件1为陶瓷电容器的情况下，保护部10h越薄，越可以使内部电极之间的对置面积极大化，越可以增大静电容量。但是，如果保护部10h过薄、或者未设置保护部10h，则水分会从大气侵入第一内部电极11和第二内部电极12之间，从而耐湿性下降，因此不优选。 [0058] 保护部10h的沿宽度方向W的尺寸，更优选为例如2μm～30μm。 [0059] 第一及第二内部电极11、12可以由适当的导电材料构成。第一及第二内部电极11、12，例如可以由选自Ni、Cu、Ag、Pd及Au中的金属、或者含有选自Ni、Cu、Ag、Pd及Au中的一种以上金属的合金例如Ag-Pd合金等构成。 [0060] 如图1、图2、图4及图5所示，层叠陶瓷电子部件1具备第一及第二外部电极13、14。如图2及图4所示，第一外部电极13在第一端面10e中与第一内部电极11电连接。另一方面，如图2及图5所示，第二外部电极14在第二端面10f中与第二内部电极12电连接。 [0061] 如图1、图2、图4及图5所示，第一外部电极13以从第一端面10e起，到达第一及第二主面10a、10b以及第一及第二侧面10c、10d的方式而形成。第二外部电极14以从第二端面10f起，到达第一及第二主面10a、10b以及第一及第二侧面10c、10d的方式形成。 [0062] 第一及第二外部电极13、14可以由适当的导电材料构成。另外，第一及第二外部电极13、14也可以由多层导电膜构成。 [0064] 基底层例如可以由烧结金属层、镀敷层、导电性树脂层构成，其中，该导电性树脂层包含在热固化性树脂或光固化性树脂中添加导电性填料而得到的导电性树脂。烧结金属层可以是与第一及第二内部电极11、12同时烧成而得的利用共烧的层，也可以是涂布导电性糊剂后进行烧结而得的利用后烧（post-firing）的层。 [0065] 基底层中含有的导电材料没有特别限定，作为基底层中含有的导电材料的具体例，可以列举例如：Cu、Ni、Ag、Pd、Au等金属、Ag-Pd等含有上述金属中的一种以上的合金等。 [0066] 基底层的最大厚度例如可以设为20μm～100μm。 [0067] 镀敷层例如可以由Cu、Ni、Sn、Ag、Pd、Au等金属、Ag-Pd等含有上述金属中的一种以上的合金等形成。 [0068] 每一层镀敷层的最大厚度例如可以设为1μm～10μm。 [0069] 需要说明的是，在基底层与镀敷层之间可以配置应力缓和用的树脂层。 [0070] （层叠陶瓷电子部件1的制造方法） [0071] 图6是印刷有导电性糊剂的陶瓷生片的示意俯视图。图7是陶瓷生片层叠体的示意分解侧面图。图8是未加工的陶瓷坯料23的示意立体图。图9是未加工的陶瓷坯料23的简略剖面图。图10是未加工的陶瓷坯料23的简略剖面图。图11是未加工的陶瓷坯料23的示意立体图。 [0072] 接着，边主要参照图6～图11，边对本实施方式中的层叠陶瓷电子部件1的制造方法进行说明。 [0073] 首先，准备纯度为99重量%以上的BaCo3、TiO2、CaCO3的各粉末。在大气中、在1100～1300℃下对这些粉末进行2小时煅烧，合成含有Ba、Ti、Ca的钙钛矿型化合物。合成后，通过进行粉碎，得到构成陶瓷生片的主要的成分、即成为主成分粉末的陶瓷粉末。该主成分粉末的制造方法没有特别限制，能够使用固相法、水热法、其他公知的各种方法。需要说明的是，也可以使用BaCo3、TiO2的各粉末作为含有Ba、Ti的钙钛矿型化合物。原材没有特别限制，能够使用碳酸盐、氧化物、氢氧化物、氯化物等各种形式。另外，可以含有HfO2等不可避免的杂质。接着，作为添加物原材，准备玻璃或Si的粉末、和成为Ba、Mg、Mn或稀土类中的至少一种的成分的各粉末，并与主成分粉末进行混合。在成为保护部10h的陶瓷粉末中，以下述方式混合添加物原材，得到电介质原料粉末，即，与成为陶瓷部24g的陶瓷粉末相比，以相对于构成钙钛矿化合物的Ti的摩尔比计，Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分的总量的摩尔比变大的方式。需要说明的是，Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的上述成分，也可以不以添加物原材的形式，而预先与玻璃、Si或其他成分形成化合物后再与陶瓷粉末进行混合。 [0074] 另外，作为上述陶瓷粉末，期望使用核壳型陶瓷粉末。这种情况下，可以进一步有效地抑制粒子生长。 [0075] 接着，制作多个用于形成陶瓷坯料10的陶瓷生片20（参照图6）。陶瓷生片20例如可以通过以下的要领进行制作。首先，准备含有电介质原料粉末、分散介质、和根据需要的粘合剂等的陶瓷糊剂。在树脂膜等膜上印刷该陶瓷糊剂以形成片状，并使其干燥，由此可以制作出陶瓷生片20。需要说明的是，陶瓷糊剂的印刷可以通过例如狭缝式涂布机法、凹版涂布机法、微凹版涂布机法等进行。 [0076] 需要说明的是，在本实施方式中，陶瓷生片20的厚度为1.5μm以下。通过这样设定，可以使陶瓷部10g变薄。因此，可以使层叠陶瓷电容器高容量化。 [0077] 接着，在陶瓷生片20上形成用于形成内部电极11、12的导电膜21。具体而言，在x方向上相互留出间隔地将多个导电膜21印刷成条状。导电膜21的印刷例如可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法、凹版印刷法等进行。导电膜21的厚度例如可以设为1.5μm以下。 [0078] 接着，如图7所示，将多个未印刷导电膜21的陶瓷生片20层叠后，以在与导电膜21延伸的方向ｙ垂直的方向x上相互错开的方式，将多个印刷有导电膜21的陶瓷生片20层叠。接着，再从其上起层叠多个未印刷导电膜21的陶瓷生片20。由此，制成陶瓷生片层叠体22。 根据需要可以对陶瓷生片层叠体22在厚度方向z上进行等静压压制。 [0079] 通过将该陶瓷生片层叠体22分割为多个，可制作出图8～图10所示的未加工的陶瓷坯料23。通过以上的要领，进行准备未加工的陶瓷坯料23的准备工序。 [0080] 未加工的陶瓷坯料23具有长方体状的陶瓷坯料本体24。陶瓷坯料本体24，具有第一及第二主面24a、24b、第一及第二侧面24c、24d、和第一及第二端面24e、24f。第一及第二主面24a、24b沿长度方向L及宽度方向W延伸。第一及第二侧面24c、24d沿长度方向L及厚度方向T延伸。第一及第二端面24e、24f沿宽度方向W及厚度方向T延伸。 [0081] 陶瓷坯料本体24含有陶瓷粒子、和包含Ba系化合物、Mg系化合物、Mn系化合物中的至少一种的成分。 [0082] 在陶瓷坯料本体24的内部形成有由导电膜21形成的第一及第二内部电极11、12。第一内部电极11与第一及第二主面24a、24b平行。第一内部电极11在第一端面24e以及第一及第二侧面24c、24d露出。第一内部电极11未在第二端面24f露出。 [0083] 第二内部电极12与第一及第二主面24a、24b平行。第二内部电极12在第二端面24f以及第一及第二侧面24c、24d露出。第二内部电极12未在第一端面24e露出。第一内部电极11与第二内部电极12隔着陶瓷部24g在厚度方向T上对置。 [0084] 接着，如图11所示，在第一侧面24c上设置陶瓷层29a，并且在第二侧面24d上设置陶瓷层29b。由此，制作出具有未加工的陶瓷坯料本体24和陶瓷层29a、29b的未加工的陶瓷坯料23。 [0085] 陶瓷层29a、29b为用于构成保护部10h的部分。陶瓷层29a、29b含有陶瓷粒子，并且与陶瓷坯料本体24（陶瓷部24g）相比含有更多的存在于陶瓷粒子间的上述成分。 [0086] 陶瓷坯料本体24所含有的、存在于陶瓷粒子间的前述成分，为例如Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种。 [0087] 需要说明的是，陶瓷层29a、29b的形成方法没有特别限定。例如，可以通过在侧面24c、24d上粘贴陶瓷生片来形成陶瓷层29a、29b。另外，也可以通过涂布含有陶瓷粒子的陶瓷糊剂来形成陶瓷层29a、29b。 [0088] 接着，通过对未加工的陶瓷坯料23进行烧成，可以制成具有对未加工的陶瓷坯料23进行烧成而成的陶瓷坯料10、和第一及第二内部电极11、12的电子部件本体9。需要说明的是，保护部10h由对陶瓷层29a、29b进行烧成而成的陶瓷层构成。烧成时，作为添加物原材的Ba、Mg、Mn、稀土类，与玻璃、其他成分在陶瓷粒子间合成化合物。 [0089] 未加工的陶瓷坯料23的烧成温度例如可以设为1000℃～1300℃左右。 [0090] 最后，通过形成第一及第二外部电极13、14，可以制成层叠陶瓷电子部件1。第一及第二外部电极13、14的形成，例如可以通过涂布导电性糊剂并进行烧结来进行，也可以通过镀敷法来形成。 [0091] 如以上所说明的那样，在本实施方式中，陶瓷层29a、29b含有陶瓷粒子，并且与陶瓷坯料本体24（陶瓷部24g）相比，含有更多的存在于陶瓷坯料本体24所含有的陶瓷粒子间的、Ba系化合物、Mg系化合物、Mn系化合物中的至少一种的成分。因此，例如与在陶瓷层和陶瓷部中上述成分的浓度相同的情况相比，可以抑制第一内部电极11与第二内部电极12之间的短路。 [0092] 认为第一内部电极11与第二内部电极12之间的短路由以下理由造成。在将未加工的陶瓷坯料烧成时，构成未加工的陶瓷坯料的陶瓷粒子被液相烧结。在该液相烧结工序中，热从未加工的陶瓷坯料的表层向内侧传递。因此，接近未加工的陶瓷坯料的表面的部分与中央部相比，处于高温的时间变长。为了使未加工的陶瓷坯料的中央部也适当地烧结，就需要确保使未加工的陶瓷坯料的中央部处于适于烧结的温度的时间足够长。因此，接近未加工的陶瓷坯料的表面的部分容易变成过烧结。如果成为过烧结，则陶瓷粒子过度地进行粒子生长，从而粒径大的陶瓷粒子增多。如果陶瓷粒子过度地进行粒子生长，则相邻的陶瓷粒子间的中心间距离增大。因此，在陶瓷粒子上形成的内部电极在陶瓷粒子的粒子生长时受到拉伸，内部电极被截断，内部电极的连续性下降。在烧成工序中，内部电极成为熔融液，因此如果内部电极被截断，则熔融液变形为近似球状的形状以使熔融液的表面能量下降。由此，被截断的内部电极的厚度增加。 [0093] 如果在被截断的内部电极的厚度增加的状态下进行冷却，则形成厚的内部电极。另一方面，陶瓷坯料整体的厚度受到限制，因此如果内部电极的厚度增加，则陶瓷部的厚度下降。因此，第一内部电极与第二内部电极之间的绝缘性下降。另外，由于陶瓷粒子进行粒子生长，因此陶瓷部的厚度偏差增大。结果，在陶瓷部薄的部分，第一内部电极及第二内部电极的绝缘性下降。可认为，它们的结果是第一内部电极与第二内部电极发生短路。 [0094] 与此相对，在本实施方式中，在陶瓷层29a、29b中，与陶瓷坯料本体24（陶瓷部24g）相比，含有更多的存在于陶瓷坯料本体24所含有的陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分。存在于该陶瓷粒子间的该成分，也向陶瓷坯料本体24的表层扩散。结果，在陶瓷部24g的宽度方向W上的端部中，上述成分的浓度增高。换言之，在陶瓷部24g的宽度方向W上的端部中，陶瓷粒子的液相温度增高。即，可以使陶瓷粒子的致密化温度升高。因此，在陶瓷素部24的宽度方向W上的端部中，陶瓷粒子的烧结速度、陶瓷粒子的粒子生长速度变慢。因此，可以抑制位于陶瓷部24g的宽度方向W上的端部的陶瓷粒子的粒径的增大，因此，可以抑制与此相伴的内部电极11、12的截断、和内部电极11、12在厚度方向T上的尺寸增大，可使陶瓷粒子保持致密的状态。结果，认为可以有效地抑制第一内部电极11与第二内部电极12之间的短路。 [0095] 从更有效地抑制第一内部电极11与第二内部电极12之间的短路的观点出发，优选与陶瓷部24g中、存在于陶瓷粒子间的上述成分的总量相比，陶瓷层29a、29b中的该成分的总量更多的情况。 [0096] 在本实施方式中制造的陶瓷电子部件1中，位于第一内部电极11与第二内部电极12之间的陶瓷部24g的宽度方向W的端部中的、存在于陶瓷粒子间的成分即Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量，比陶瓷坯料10的中央部（陶瓷部10g的宽度方向W的中央部）中的、存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量多。陶瓷层29a、 29b中的存在于陶瓷粒子间的成分Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量，比位于第一内部电极11与第二内部电极12之间的陶瓷部24g的宽度方向W的端部中的、存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量多。更详细而言，在陶瓷坯料10的比第一及第二内部电极11、12更位于宽度方向W的外侧的部分、和第一及第二内部电极11、 12的宽度方向W的端部所处的部分中，存在于陶瓷粒子间的成分Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量，从陶瓷坯料10的宽度方向W的外侧向中央侧逐渐减少。就这种层叠陶瓷电子部件1而言，在制造时，第一及第二内部电极11、12间的短路不良的发生率低。 [0097] 另外，通过如本实施方式这样进行操作，在设置有第一及第二内部电极11、12的区域的宽度方向W上的端部中，相邻的第一内部电极11与第二内部电极12之间的距离变长，可以使陶瓷部成为致密的状态。 [0098] 需要说明的是，作为存在于陶瓷粒子间的成分的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量，例如可以通过以下的要领进行测定。 [0099] 首先，将片（chip）研磨至长度方向L的中央部，使沿宽度方向W及厚度方向T的剖面露出。研磨后，可以通过离子研磨等将研磨面的表层的削去。接着，以与研磨面垂直的方式，对露出的剖面的所期望的区域的、陶瓷粒子间的晶界所处的部分、例如陶瓷部的宽度方向W的中央部、陶瓷部的宽度方向W的端部、陶瓷层中分别各10点照射电子射线，进行EDX（能量分散型X射线分光法）分析，由此测定各点中的存在于陶瓷粒子间的上述成分（Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种）的含量，并进行平均化，由此可以求出Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量及其总量。需要说明的是，调整电子射线的侵入深度以使电子线仅对陶瓷粒子间晶界进行照射。 [0100] （实施例） [0101] 通过第一实施方式所涉及的制造方法，在下述条件下，制作100个与第一实施方式所涉及的层叠陶瓷电子部件1同样的层叠陶瓷电子部件。 [0102] 陶瓷坯料本体24、陶瓷层29a、29b的组成：BaTiO3 [0103] 陶瓷坯料本体24中的Ba含量（陶瓷粒子所含有的Ba除外）：1.002 [0104] 陶瓷层29a、29b中的Ba含量（陶瓷粒子所含有的Ba除外）：1.022 [0105] 内部电极的层叠片数：510片 [0106] 陶瓷部的厚度（设计值）：0.5μm [0107] 内部电极的材料：Ni [0108] 内部电极的厚度（设计值）：0.4μm [0109] 最靠第一主面侧的第一内部电极或第二内部电极与第一主面之间的距离T方向的厚度30μm（设计值） [0110] 陶瓷层的厚度：25μm（设计值） [0111] 需要说明的是，就陶瓷层29a、29b而言，以相对于钙钛矿化合物的Ti的摩尔比计，将添加物原材的Ba为1.022的层作为试样，将添加物原材的Ba为1.002的层作为比较例。 [0112] 另外，就陶瓷部24g而言，以相对于钙钛矿化合物的Ti的摩尔比计，将添加物原材的Ba为1.002的层作为试样，比较例也同样地使用。 [0113] 这些摩尔比、1.002及1.022均为烧结后的摩尔比。 [0114] 对于在实施例中制作的样品，利用上述的方法测定Ba的浓度。结果可以确认：在陶瓷坯料10的比第一及第二内部电极11、12更位于宽度方向W的外侧的部分、和第一及第二内部电极11、12的宽度方向W的端部所处的部分中，存在于陶瓷粒子间的成分即Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的含量的总量，从陶瓷坯料10的宽度方向W的外侧向中央侧逐渐减少。 [0115] 在本实施例中，在设置有第一及第二内部电极11、12的区域的宽度方向W上的端部中，相邻的第一内部电极11与第二内部电极12之间的距离为560μm。 [0116] （比较例） [0117] 使陶瓷坯料本体与陶瓷层在组成上实质相同，除此以外，与上述实施例同样操作制作100个样品。 [0118] 在本比较例中，在设置有第一及第二内部电极的区域的宽度方向W上的端部中，相邻的第一内部电极与第二内部电极之间的距离为550μm，比实施例短。因此，在比较例中，在被第一内部电极及第二内部电极所夹持的陶瓷部的宽度方向W的端部中，引起陶瓷部的厚度下降。 [0119] （短路不良） [0120] 对于在实施例及比较例中分别制作的100个样品，检查有无短路不良。结果，在实施例中，10个样品发生短路不良。与此相对，在比较例中，20个样品发生短路不良。 [0121] 标号说明 [0122] 1…层叠陶瓷电子部件 [0123] 9…电子部件本体 [0124] 10…陶瓷坯料 [0125] 10a…第一主面 [0126] 10b…第二主面 [0127] 10c…第一侧面 [0128] 10d…第二侧面 [0129] 10e…第一端面 [0130] 10f…第二端面 [0131] 10g…陶瓷部 [0132] 10h…保护部 [0133] 11…第一内部电极 [0134] 12…第二内部电极 [0135] 13…第一外部电极 [0136] 14…第二外部电极 [0137] 20…陶瓷生片 [0138] 21…导电膜 [0139] 22…陶瓷生片层叠体 [0140] 23…陶瓷坯料 [0141] 24…陶瓷坯料本体 [0142] 24a…第一主面 [0143] 24b…第二主面 [0144] 24c…第一侧面 [0145] 24d…第二侧面 [0146] 24e…第一端面 [0147] 24f…第二端面 [0148] 24g…陶瓷部 [0149] 29a、29b…陶瓷层 |
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