1.一种用于等离子体腔室中的掺杂的石英组件，包含：
掺杂钇的经过加工的石英环，所述石英环配置来支撑基板，其中所述石英环还包括后加工热处理施加的含氮掺杂，
其中所述钇掺杂低于5重量百分比，并且所述含氮掺杂以重量计介于10ppm和150ppm之间。
2.如权利要求1所述的掺杂的石英组件，其中所述钇掺杂为钇金属、钇合金、或钇氧化物的至少一者。
3.如权利要求1所述的掺杂的石英组件，其中所述石英环还包括含铝掺杂。
4.如权利要求3所述的掺杂的石英组件，其中所述含铝掺杂为铝金属、铝合金、铝氧化物或铝氮化物的至少一者，且其中所述含铝掺杂低于5重量百分比。
5.如权利要求1所述的掺杂的石英组件，其中所述石英组件具有外缘、内缘、以及凹陷部分，所述凹陷部分毗邻所述内缘，所述凹陷部分配置来容纳所述基板。
6.如权利要求1所述的掺杂的石英组件，其中所述石英组件具有外部区域、内部区域、以及凹陷部分，所述凹陷部分形成在所述外部区域中。
7.一种用于等离子体腔室中的掺杂的石英组件，包含：
经过加工的石英环，所述石英环具有环状主体，所述环状主体适于界定基板支撑台，并且所述石英环由适于暴露在腐蚀性等离子体环境下的材料组成，其中所述石英环包含氮、钇和铝掺杂，所述钇和铝掺杂分别具有低于5的重量百分比，所述氮掺杂以重量计介于
10ppm和150ppm之间，所述氮掺杂通过后加工热处理工艺施加在形成的石英环上。
8.如权利要求7所述的掺杂的石英组件，其中所述钇掺杂为钇金属、钇合金、和钇氧化物的至少一者，或者所述铝掺杂为铝金属、铝合金、铝氧化物、或铝氮化物的至少一者。
9.一种等离子体工艺腔室，包含：
腔室主体，所述腔室主体具有内部空间；
支撑台，所述支撑台设置在所述腔室主体内，并且所述支撑台上适于容纳基板；以及耐等离子体的掺杂钇的经过加工的石英组件，所述石英组件具有至少一表面暴露在所述内部空间中，其中所述钇掺杂低于5重量百分比，其中所述石英组件还包括后加工热处理施加的含氮掺杂，所述含氮掺杂以重量计介于10ppm和150ppm之间。
10.如权利要求9所述的腔室，其中所述石英组件还包含铝，且其中所述含钇及铝石英组件为盖环和绝缘体环，所述盖环具有凹陷部分，所述盖环的凹陷部分适于容纳设置在其上的基板，所述绝缘体环具有凹陷部分，所述绝缘体环的凹陷部分适于与所述盖环啮合。
11.一种制造含钇石英组件的方法，包含：
混合石英材料和含钇材料以形成混合物；
加热所述混合物；
形成含钇石英组件，其中所述含钇石英组件具有环状主体，所述环状主体被按尺寸制作，以便在所述环状主体上支撑基板；
在氮气存在下，热处理所述含钇石英组件；以及
形成含钇及氮的石英组件，
其中含钇掺杂低于5重量百分比，并且含氮掺杂以重量计介于10ppm和150ppm之间。