本发明中所谓“信息记录媒体”，是指可用于作为个人电脑的硬盘而使 用的固定型硬盘、移动型硬盘、或卡型硬盘，数码摄像机、数码像机、或音 频用硬盘，汽车导航系统用硬盘，移动电话用硬盘或者各种电子设备用硬盘 的信息磁记录媒体。
近年来，为了适应个人电脑的多媒体化，并且数码摄像机及数码像机需 要处理影像及声音等大数据，因此必须有大容量的信息磁记录装置。其结果 是，为了增大面记录密度，倾向于增加信息磁记录媒体的位密度(bit density)及磁道密度(track density)，从而缩小存储单元(bit cell) 的尺寸。因此，磁头必须更加接近于磁盘表面而运作。
另外，如果记录密度超过100Gb/in2，那么如此小的磁化单元变得对热 不稳定，因此对于超过100Gb/in2的高记录密度化的要求来说，面内记录方 式已达到物理极限。
对此，一直是用垂直磁记录方式。此垂直磁记录方式将易磁化轴作为垂 直方向，因此可极大地减小存储点尺寸(bit size)，而且通过具有所期望的 媒体膜厚(面内记录方式的5～10倍)也可以获得减小退磁场(demagnetizing field)或者获得形状磁各向异性(shape magnetic anisotropy)的效果，因此 可解决在以前的面内方向的磁记录方式的高密度化中所产生的记录能量减 少或对热不稳定的问题，从而可以比水平磁记录(Longitudinal Magnetic Recording)方式更加格外地实现记录密度增加。因此，在垂直磁记录方式中， 实用水平达到100Gb/in2以上的记录密度已可以达到大量生产的水平，而对 于超过300Gb/in2的记录密度的研究也正在进行中。
近年来的信息磁记录装置中，是以CSS(接触起停，Contact Start Stop) 方式运行的，此CSS方式是重复进行磁头在装置启动前与信息磁记录媒体磁 盘基板接触，而在装置启动时浮在信息磁记录媒体磁盘基板上的动作。此时， 如果两者的接触面超出必要而成为镜面，则会因为由吸附引起的摩擦系数增 大，而发生旋转启动不顺利、信息磁记录媒体表面受损等问题。这样一来， 对信息磁记录媒体磁盘基板有如下要求：随着记录容量增大而使磁头低上浮 化及防止磁头吸附在信息磁记录媒体磁盘基板上的相反要求。对于这些相反 要求，业界正在开发在信息磁记录媒体磁盘基板的特定区域制造磁头的启动 及停止部的停放区(landing zone)的技术。
另一方面，对应于所述停放区技术，业界也开发了完全接触磁头、在启 动停止时使磁头从信息磁记录媒体磁盘基板上离开的斜坡加载(ramp load) 技术(磁头的接触式记录)，因而防止磁头吸附于磁盘基板上的凹凸变得不 再必要。因此，通过将基板的表面制成超平滑面，可在显著接近于信息记录 媒体表面的状态下运作，从而可缩小存储单元的尺寸并可提高记录密度。
而且，如果随着记录密度的提高而磁头上浮高度为15nm以下，那么垂 直磁记录媒体也有低上浮化的倾向，进一步有接近式记录(near contact recording)或接触式记录化的倾向。另一方面，因为将媒体表面有效地用 作数据区域，所以从以前设置停放区域的方式，变为无停放区域的斜坡加载 方式。因此，为了降低此上浮高度或者可进行接触式记录，磁盘表面的数据 区域或基板表面的整个面必须为超平滑面。
而且，因为伴随记录密度的增加，磁头及媒体的定位要求具有高精度， 所以对磁盘基板或磁信息记录装置的各构成部件要求具有高尺寸精度。而 且，也不可忽视对于这些构成部件的平均线性热膨胀系数差的影响，所以必 须极力减小这些平均线性热膨胀系数差。进一步严格地讲，大多是优选磁盘 基板的平均线性热膨胀系数也极小程度地大于这些构成部件的平均线性热 膨胀系数。特别是小型磁信息记录媒体中所使用的构成部件的平均线性热膨 胀系数为+90～+100(×10-7·℃-1)左右的构成部件被充分地使用，而存 在如下缺点：磁盘基板也必须具有此程度的热膨胀系数，即使热膨胀系数稍 有偏离，也会产生写入误差。
在此垂直磁记录方式中，因为沿着与媒体面垂直的方向进行磁化，所以 使用与以前的在面内方向具有易磁化轴的媒体不同，而是在垂直方向具有易 磁化轴的媒体。作为垂直磁记录方式的记录层，现进行研究及实用化的是 CoGrPt、CoCrPt-Si、CoCrPt-SiO2等Co类合金、FePt等Fe类合金等。
然而，此种FePt等或其他氧化物类磁记录媒体，为了使磁性体结晶粒 子微细化以及向垂直方向生成，而必须提高其成膜温度。另外，在近期的研 究中，也有时为了提高磁特性而在高温(300～900℃左右)下进行退火 (annealing)。因此，基板材料必须可以耐受这样的高温，而不会产生基板 变形或表面粗糙度变化等。
而且，这些磁记录媒体基板并没有会对成膜的媒体结晶造成影响的结晶 各向异性、异物、杂质等，组织也必须是致密均质、微细，而且必须具有可 耐受各种药品的清洗或蚀刻的化学稳定性。
另外，虽然为了实现信息记录及读取的高速化，而进行了使磁记录装置 的信息磁记录媒体磁盘基板高速旋转化方面的技术开发，但是高速旋转化会 产生弯曲或变形，因此要求基板材料具有高机械强度。此外，相对于目前的 固定型信息磁记录装置来说，可移动式或卡式等信息磁记录装置正处于研究 及实用化阶段，而对于在数码摄像机、数码像机等中的应用也开始研究，所 以这些要求正不断提高。
然而，在以前的磁盘基板材料中大量使用铝合金，但是铝合金制基板于 研磨工序中容易在基板表面产生突起或者斑点状凹凸，从而难以获得充分的 平坦性及平滑性。而且，因为铝合金是柔软材料且易变形，所以难以适应薄 型化。另外，因为存在高速旋转时的弯曲而导致产生磁头破损且损伤媒体等 问题，所以铝合金并非是可以充分适应今后的高密度记录化的材料。而且， 因为磁记录方式中最重要的是成膜时的耐热温度须小于300℃，所以如果在 300℃以上进行成膜加工，或者在500～900℃左右的高温下进行退火，则基 板会发生热变形。因此，铝合金制基板难以用作需要进行如此高温处理的磁 记录媒体用基板。
作为克服所述铝合金基板的问题的材料，有高硬度且冲击强度优异的 非晶玻璃基板、化学强化玻璃基板、结晶化玻璃基板等。
作为非晶玻璃基板或化学强化玻璃基板，已知有经化学强化的钠钙玻璃 (soda lime galss，SiO2-CaO-Na2O)或铝硅酸盐玻璃(SiO2-Al2O3-Na2O)，在 使用这些基板的情况下，因为它们是非晶玻璃，所以基板本身的耐热性低。 即，在300℃以上的高温下使磁记录媒体成膜在这些基板上后，会产生平坦 度变差的媒体成膜后变形的问题。而且，基板内的碱成分溶出，可能成为对 膜造成损伤等的问题根源。
结晶化玻璃基板的杨氏模量(Young′s modulus)及硬度方面优于其他 非晶玻璃基板或化学强化玻璃基板，相反，在冲击强度或环向弯曲强度方面， 虽然充分满足了作为信息磁记录装置在实用方面所必要的特性，却劣于实施 了化学强化处理后的非晶玻璃基板。
结晶化玻璃是通过对特定组成的非晶玻璃进行加热而在内部析出结晶 而获得的，众所周知结晶化玻璃的机械强度高于非晶玻璃的机械强度，但是 为了进一步提高机械强度而尝试对结晶化玻璃实施化学强化处理。(例如， 专利文献1～专利文献9等)。
然而，尚未发现适用于近年来所要求的磁记录媒体基板用途的结晶化玻 璃。
专利文献1中记载的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃，具有β-锂辉石 (β-Li2Al2Si4O12)来作为结晶相，通过使此结晶相析出后进行化学强化 处理而提高其强度，但此析出结晶是具有负的热膨胀系数的材料，因此对于 信息记录媒体基板而言并不适合。并且，其用途限于反射镜。
而且，专利文献2中记载的Na2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃、专利文献 3中记载的Li2O-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃，具有β-石英(β-SiO2)固溶 体来作为结晶相，专利文献4及专利文献5中记载的Li2O-Al2O3-SiO2类结 晶化玻璃，具有β-石英(β-SiO2)固溶体及/或β-锂辉石(β -Li2Al2Si4O12)来作为结晶相，其析出结晶是具有负的热膨胀系数的材料， 因此对于信息记录媒体基板而言并不适合。而且，并无关于结晶粒径、杨氏 模量以及比重的任何讨论。
而且，在专利文献6中介绍了一种使作为结晶相的镁橄榄石(2MgO/SiO2) 及/或锌尖晶石(ZnO·Al2O3)的结晶而析出的SiO2-Na2O-B2O3-Al2O3类结 晶化玻璃，其结晶体积比率高达70％以上，难以使研磨后的表面粗糙度变得 平滑。而且，其用途仅限于建筑物或烹饪用具用顶板。
而且，在专利文献7中记载了一种化学强化基板，其是使二硅酸锂 (Li2Si2O5)及/或锂辉石(Li2Al2Si4O12)中的至少一种析出而作为结晶 相的SiO2-Li2O-Al2O3类结晶化玻璃、及Li2O-Al2O3-SiO2类非晶玻璃进行 离子交换而获得的，但专利文献7中并未列举出关于结晶化玻璃的化学强化 的实施例。
而且，在专利文献8中，关于MgO-Al2O3-SiO2类结晶化玻璃，具有α- 石英(α-SiO2)与假蓝宝石(4MgO·5Al2O3·SiO2)的混晶或者β-石英(β -锂霞石固溶体)，其结晶量高达75质量百分比以上，难以使研磨后的表面 粗糙度变得平滑。而且，并无关于下述杨氏模量、比重、结晶粒径以及结晶 速率的任何讨论。
而且，在专利文献9中介绍了一种结晶化玻璃的强化方法，此结晶化玻 璃含有选自β-锂霞石(Li2O·Al2O3·2SiO2)、β-锂辉石 (Li2O·Al2O3·4SiO2)、霞石((Na，K)AlSiO4)、三斜霞石 (Na2O·Al2O3·2SiO2)、β-石英(β-SiO2)所组成的群组中的结晶相， 在其析出结晶中含有β-锂霞石、β-锂辉石或β-石英的情况下，因为此析 出结晶是具有负的热膨胀系数的材料，所以对于信息记录媒体基板而言并不 适合。另外，在此析出结晶中含有霞石或三斜霞石的情况下，因为不含有助 于化学强化的锂成分，而且化学强化必须达到590-730℃的高温，所以对于 信息记录媒体用基板而言并不适合。此外，并无关于下述杨氏模量、比重、 结晶粒径、以及结晶速率的任何讨论。

本发明的目的在于提供一种机械强度及化学稳定性优异的无机组合物 物品，特别是提供一种信息记录媒体用磁盘基板用等的无机组合物品，其可 适应如上所述的磁信息记录装置的设计改良，而且在面内磁记录方式及垂直 磁记录方式中的任一方式中，兼具亦可充分适应用以进行高密度记录的斜坡 加载方式的良好的表面特性，且具有可耐受高速旋转化或落下冲击的高强 度，还兼具符合各驱动构件的热膨胀特性及耐热性，熔融温度低且生产性高。
本发明为了达成所述目的而反复进行了积极的试验研究，结果发现：含 有Li2O成分及Al2O3成分，Li2O与Al2O3的质量百分比的比率Li2O/Al2O3 为0.3以上，并且含有结晶，在表面设置着压应力层的无机组合物，可鉴于 所述目的，获得比以前的无机组合物物品更有利的无机组合物品，从而完成 本发明。而且，本发明的无机组合物物品具有可适应信息记录装置的高速旋 转的高强度、以及对于移动式用途而言优异的耐冲击特性，更兼具容易符合 驱动构成部件的热膨胀特性，由于所述这些方面，可获得与以前的用于信息 记录媒体等的基板相比更有利的基板。
另外，作为所含有的结晶，优选选自一硅酸锂、二硅酸锂、α-石英、 α-石英固溶体、α-方石英、α-方石英固溶体中的一种或者两种以上。这 些结晶是通过控制结晶粒子析出量、结晶度而使研磨而成的表面的平滑性极 其优异的结晶。特别是使用了达成本发明目的之结晶化玻璃等无机组合物的 信息记录媒体用磁盘基板等，从其表面平滑性来看，适合用于斜坡加载方式。 而且，所述结晶也是特别适于获得如上所述的所期望的平均线性热膨胀系数 的结晶相。更具体而言，本发明提供以下所述的各部分。
(1)一种无机组合物物品，其以氧化物换算，含有Li2O成分及Al2O3 成分，Li2O及Al2O3的质量比Li2O/Al2O3为0.3以上，并且含有结晶，在 表面设置着压应力层。
其进一步方案为，其中：
(2)如(1)
所述的该无机组合物物品，含有选自以一硅酸锂、二硅酸锂、α-石英、 α-石英固溶体、α-方石英、α-方石英固溶体所组成的群组中的一种以上 来作为结晶相。
(3)如(1)或者(2)所述的无机组合物物品，所述该压应力层是通过 由离子半径大于表面层所含有的离子的阳离子进行取代而形成的。
(4)如(1)至(3)中任一项所述的无机组合物物品，所述该压应力层 是通过对物品进行加热，然后使其骤冷而形成的。
(5)如(1)至(4)中任一项所述的无机组合物物品，所述该压应力层 是通过对表面层进行离子注入而形成的。
(6)如(1)至(5)中任一项所述的无机组合物物品该无机组合物，显 示结晶相的粒子的含量为质量百分比70％质量百分比以下。
(7)如(1)至(6)中任一项所述的无机组合物物品该无机组合物，显 示结晶相的粒子的平均粒径为1μm以下。
(8)如(1)至(7)中任一项所述的无机组合物物品，当将所述无机组 合物物品在水浴中的碱金属离子溶出量设为A，将设置所述压应力层之前的 物品在水浴中的碱金属离子溶出量设为B时，A/B＜1。
(9)如(1)至(8)中任一项所述的无机组合物物品，设置所述该压应 力层之前的物品，以氧化物换算的质量百分比计，含有下述各成分：
SiO2：50％～90％、及
Li2O：超过4％且15％以下、及
Al2O3：2％～20％。
(10)如(9)所述的无机组合物物品，设置所述该压应力层之前的物品， 以氧化物换算的质量百分比计，含有下述各成分：
MgO：0％～3％、及/或
ZnO：0％～10％、及/或
CaO：0％～7％、及/或
BaO：0％～7％、及/或
SrO：0％～7％、及/或
P2O5：0％～3％、及/或
ZrO2：0％～10％、及/或
TiO2：0％～5％、及/或
K2O：0％～3％、及/或
Na2O：0％～2％、及/或
Sb2O3成分与As2O3成分中的1种以上的总量：0％～2％。
(11)如(1)至(10)中任一项所述的无机组合物物品，所述该无机组 合物是结晶化玻璃。
(12)一种信息记录媒体用结晶化玻璃基板，其包含(1)至(11)中任 一项所述的无机组合物物品。
(13)一种信息记录媒体，其使用了(12)所述的信息记录媒体用结晶 化玻璃基板。
(14)电子电路基板，其包含(1)至(11)中任一项所述的无机组合物 物品。
(15)一种电子电路，其使用了(14)所述的电子电路基板。
(16)一种滤光片用基板，其包含(1)至(11)中任一项所述的无机组 合物物品。
(17)一种滤光片，其是在(16)所述的滤光片用基板上形成电介质多 层膜而形成的。
(18)一种无机组合物物品的制造方法，将无机组合物浸渍在经过加热 的化学强化处理液中，通过由离子半径大于所述无机组合物中的表面层所含 有的离子的阳离子进行取代而在表面设置压应力层，所述无机组合物以氧化 物换算，含有Li2O成分及Al2O3成分，Li2O及Al2O3的质量比Li2O/Al2O3为0.3 以上，并且含有结晶。
(19)一种无机组合物物品的制造方法，通过对无机组合物进行加热后 使其骤冷而在表面设置压应力层，所述无机组合物以氧化物换算，含有Li2O 成分及Al2O3成分，Li2O及Al2O3的质量比Li2O/Al2O3为0.3以上，并且含有结 晶。
(20)一种无机组合物物品的制造方法，通过对无机组合物进行离子注 入而在表面设置压应力层，所述无机组合物以氧化物换算，含有Li2O成分及 Al2O3成分，Li2O及Al2O3的质量比Li2O/Al2O3为0.3以上，并且含有结晶。
(21)如(18)至(20)的中任一项所述的无机组合物物品的制造方法， 所述无机组合物含有选自以一硅酸锂、二硅酸锂、α-石英、α-石英固溶体、 α-方石英、α-方石英固溶体所组成的群组中的一种以上来作为结晶相。
(22)如(17)至(19)的中任一项所述的无机组合物物品的制造方法， 所述无机组合物是结晶化玻璃，所述结晶化玻璃是通过进行成核工序，并在 所述成核工序之后进行结晶成长工序而获得的，所述成核工序是使用玻璃原 料熔融及骤冷而制成原玻璃，在450℃～620℃下对该原玻璃进行热处理，所 述结晶成核工序是在620℃～800℃下，即在高于成核工序的温度的温度下， 进行热处理。
(23)如(22)所述的无机组合物物品的制造方法，所述玻璃原料，以 氧化物换算的质量百分比计，含有下述各成分：
SiO2：50％～90％、及
Li2O：超过4％且15％以下、及
Al2O3：2％～20％。
(24)如(23)所述的无机组合物物品的制造方法，所述玻璃原料，以 氧化物换算的质量百分比计，含有下述各成分：
MgO：0％～3％、及/或
ZnO：0％～10％、及/或
CaO：0％～7％、及/或
BaO：0％～7％、及/或
SrO：0％～7％、及/或
P2O5：0％～3％、及/或
ZrO2：0％～10％、及/或
TiO2：0％～5％、及/或
K2O：0％～3％、及/或
Na2O：0％～2％、及/或
Sb2O3成分与As2O3成分中的1种以上的总量：0％～2％。
本发明的无机组合物物品的有益效果为：可通过形成压应力层而明显地 提高对于信息磁记录媒体用磁盘基板等基板而言较理想的冲击强度、环向弯 曲强度，且具有可耐受高速旋转化的机械强度、以及优异的耐冲击特性。此 外，本发明提供一种可以抑制随着表面的压应力层的形成而造成碱离子从基 板溶出，而且用来缩小磁头与存储媒体的距离的研磨后的表面粗糙度优异的 基板，特别是提供一种适用于信息记录媒体、电子电路、滤光片等的基板。

接着，说明本发明的无机组合物物品的具体实施形态。
本发明的无机组合物物品，以氧化物换算，含有Li2O成分及Al2O3成分， Li2O及Al2O3的质量比Li2O/Al2O3为0.3以上，并且含有结晶，在表面设置着 压应力层。
在表面设置着压应力层的情况下，特别是在利用化学强化来形成压应力 的情况下，必须含有Li2O成分。而且，为了稳定地制成无机组合物且提高离 子的扩散系数，必须含有Al2O3成分。此外，为了容易地形成压应力且使冲 击强度明显地增大，Li2O/Al2O3(质量比)必须为0.3以上，更优选为0.4 以上，最优选为0.6以上。在所述质量比为0.3以下的情况下，容易析出β -锂辉石或β石英固溶体，而如果析出这些结晶，则会难以获得在本发明中 所必需的无机组合物物品的平均线性热膨胀系数(+50×10-7·℃-1～+130× 10-7·℃-1)。另一方面，如果质量比过大，即Li2O含量极大地增加，而且Al2O3 成分含量降低，则化学稳定性会恶化，因此，Li2O/Al2O3(质量比)的上限优 选为5，更优选为4，最优选为3。
接着，说明压应力层。
本发明的无机组合物物品，通过在表面设置压应力层，来实现进一步提 高无机组合物本身所具有的机械强度的效果，而通过使无机组合物含有结晶 可使所述效果更高。
压应力层的形成方法例如可列举化学强化法，该方法是由离子半径大 于无机组合物的表面层所含有的离子的阳离子来进行取代。另外，压应 力层的形成方法还可列举对无机组合物进行加热然后使其骤冷的热强化 法、以及对表面层进行离子注入的离子注入法。
化学强化法中，在300～600℃的温度下，将无机组合物浸渍在例如含有 钾或者/或钠的盐，例如硝酸钾(KNO3)或硝酸钠(NaNO3)或其复合盐的熔 融盐中0.5～12小时。由此，进行交换反应而引起无机组合物物品的容积增 加，该交换反应是将存在于无机组合物的表面层(当无机组合物为结晶化玻 璃时，由析出的结晶以外的残存玻璃成分而形成的表面层)的锂离子(Li+) 交换为阳离子、即钾离子(K+)或者/或钠离子(Na+)，其中所述阳离子、即 钾离子(K+)或者/或钠离子(Na+)的离子半径大于锂离子。因此，无机组 合物物品表层中产生压应力，从而作为冲击特性指标的环向弯曲强度增加。
对于热强化法并无特别限定，例如将无机组合物加热到300℃～600℃ 后，实施水冷却(water cooling)及/或空气冷却(air cooling)等急速 冷却，这样可形成由玻璃的表面与内部的温度差而产生的压应力层。另外， 通过与所述化学处理法组合使用，可更有效地形成压应力层。
对于离子注入法并无特别限定，例如，以不会破坏作为对象的无机组 合物表面的程度的加速能量、加速电压，来使任意离子碰撞无机组合物 的表面，由此，可以不会破坏周边而将所期望的离子注入到无机组合物 表面。然后，视需要进行热处理，由此可与其他方法同样地在表层部形 成压应力层。
在使用化学强化法的情况下，因为以离子半径大于无机组合物的表面层 所含有的离子的阳离子进行取代，所以利用经取代的离子半径大的阳离子而 使表面层产生压应力。例如在较多地含有以锂为构成成分的材料中，最表面 的锂离子被离子半径大于所述锂离子的离子，例如钾离子或钠离子所取代， 其结果造成碱金属离子在水浴中的溶出量低于无机组合物的溶出量。这样一 来，有利于抑制信息记录媒体、特别是磁性膜的碱离子所造成的破坏(碱离 子迁移(alkali migration))。
在将本发明的无机组合物物品在水浴中的碱金属离子溶出量设为A，将 设置压应力层之前的物品在水浴中的碱金属离子溶出量设为B的情况下，优 选A/B＜1，更优选的形态为A/B＜0.9，最优选的形态为A/B＜0.8。
碱离子溶出量的测定是利用离子色谱法(ion chromatography)来进行 的。所谓碱离子溶出量，是指在软片暗包中装填80毫升的超纯水(室温) 与圆盘状的无机组合物(直径约65mm×0.635mm)，然后在温度约保持为 30℃的干燥机内保持3小时后，取出圆盘并进行离子色谱测定后所获得的碱 离子的总量(μg/disk)。
以下，说明将本发明的无机组合物物品的无机组合物的显示结晶相的粒 子的粒径、表面特性、物理特性、及组成限定为所述情况的理由。
首先，对于结晶相而言，优选含有为了获得所期望的表面粗糙度而使析 出比例较大且结晶相为微细的球状粒子形状的一硅酸锂(Li2SiO3)、二硅酸 锂(Li2Si2O5)、α-石英(α-SiO2)、α-石英固溶体(α-SiO2固溶体)、α- 方石英(α-SiO2)或者α-方石英固溶体(α-SiO2固溶体)中的任一种以上。
这些结晶相例如可通过对原玻璃进行热处理而析出，但因为是以比较低 的热处理温度而析出，所以微细的结晶粒子会析出，从而容易使表面性、物 理特性均优异。另外，即使在所述一硅酸锂(Li2SiO3)与二硅酸锂(Li2Si2O5) 的结晶相共存的结晶温度(crystallization temperature)区域中，在比 较低的温度区域，结晶粒径非常小，因此可获得特别好的表面粗糙度、环向 弯曲强度，而且强化处理后的环向弯曲强度特别优异。
为了容易实现下述研磨后的表面粗糙度降低及优异的机械特性，这些显 示结晶相的粒子的存在比率的下限优选为1质量百分比，更优选为3质量百 分比，进一步优选为5质量百分比，其上限优选为70质量百分比，更优选 为69质量百分比，最优选为68质量百分比。
根据此形态，当已经将无机组合物在信息记录媒体用磁盘基板等基板上 成形时，可实现研磨后的基板的表面粗糙度(Ra)降低及形成压应力层后基 板的优异的机械特性。另外，作为结晶量的定量处理，根据利用X射线衍射 装置(Phillips公司制造，商品名：X′pert-MPD)而获得的X射线衍射图来 求出衍射峰(diffraction peak)面积，并且根据分析曲线来评价含量。
而且，一般而言，所述化合物之间的含量有可能根据温度范围而稍微变 化，但在热膨胀系数的关系中，满足Li2SiO3＜Li2Si2O5＜α-SiO2。此类原玻 璃的平均线性热膨胀系数为+60～+120(×10-7·℃-1)左右，因此如果使热 膨胀系数差较大的α-SiO2等较多地析出，则结晶与原玻璃间的畸变会增大， 容易对强度造成影响。因此，Li2SiO3与原玻璃的热膨胀系数差小于α-SiO2 与原玻璃的热膨胀系数差，所以Li2SiO3是更加有效的结晶。
关于作为无机组合物物品的材料的无机组合物，如果析出具有负的平均 线性热膨胀系数的结晶相，则无机组合物物品无法获得所述所期望的平均线 性热膨胀系数，因此，优选不含有具有负的平均线性热膨胀系数的β-石英、 β-石英固溶体。而且，为了使析出结晶相更微细，且使表面平滑，优选不 含有α-鳞石英、以Zn-透锂长石为首的透锂长石、硅灰石、镁橄榄石、透辉 石、霞石、斜顽辉石、钙长石、钡长石、钙铝黄长石、长石、硅锌矿、富铝 红柱石、钢玉石、硅钙石、斜硅钙石及它们的固溶体等。另外，为了维持良 好的机械强度，优选也不含有以Hf-钨酸盐或Zr-钨酸盐为首的钨酸盐、以 钛酸镁、钛酸钡或钛酸锰为首的钛酸盐、富铝红柱石、三硅酸二钡、Al2O3·5SiO2 及它们的固溶体等。
接着，关于表面特性则如上所述般，随着信息记录媒体的面记录密度提 高，在最近的时间内磁头的上浮高度为15nm以下，今后将是10nm以下， 并进一步向接近式记录方式或完全接触的接触式记录方式的方向发展。为了 适应此倾向，磁盘基板等的基板表面的平滑性必须优于常规产品。
即使要以常规水平的平滑性向磁记录媒体进行高密度的输入输出，但因 磁头与媒体间的距离较大，所以无法进行磁信号的输入输出。而且，如果要 缩小此距离，则媒体(磁盘基板)的突起会与磁头碰撞，从而会引起磁头破 损或媒体破损。因此，为了即使以此特别低的上浮高度或接触状态也不会引 起磁头破损或磁盘基板破损，且为了不会产生磁头与媒体吸附，表面粗糙度 Ra(算术平均粗糙度)的上限优选为以下，更优选为以下，进一步 优选为以下，最优选为以下。而且，为了获得如此平滑的研磨面， 无机组合物的结晶粒子的平均粒径的上限优选为1μm以下，更优选为200 nm以下，最优选为150nm以下。而且，为了使机械强度及耐热性良好，无 机组合物的结晶粒子的平均粒径的下限优选为1nm。
进而，可以通过使微细的结晶粒子均匀地析出，来提高无机组合物的机 械强度。特别是析出结晶粒子可以防止微细裂缝的成长，从而可显著减少由 研磨加工时的碎屑等而引起的微细缺口。而且，通过使此种微细的结晶均匀 地析出并在表面形成压应力层，可极大地提高无机组合物的机械强度，特别 是环向弯曲强度。从以上观点考虑，结晶粒子的平均粒径的范围优选为所述 范围。
因此，例如在制为磁记录媒体用磁盘基板等基板的情况下，可增大面记 录密度，而且即使为了提高记录密度而使基板本身高旋转化，也不会发生弯 曲或变形，且可以降低由此旋转而引起的振动，并降低由振动或弯曲所引起 的数据读取的误差数(TMR)。此外，耐冲击特性优异，因此特别是作为移动 式用途等的信息记录媒体，可显示出对于磁头破损、基板的破坏而言优异的 稳定动作性。其中，所谓显示结晶相的粒子是构成结晶相的粒子，且包括结 晶质的粒子及非晶质的粒子。
其中，所谓所述结晶粒子的平均粒径，是指利用透射电子显微镜(TEM， Transmission Electron Microscope)图像所测定出的面积基准的粒径的中 央累积值(“中值粒径”d50)。而且，所谓环向弯曲强度是指利用同心圆弯 曲法所测定出的弯曲强度，此同心圆弯曲法是制成直径为65mm厚度为0.635 mm左右的薄圆板状样品，并利用由圆形的支撑环与承重环来测定该圆板状样 品的面内强度的方法。
然后，对环向弯曲强度及比重加以说明。如上所述，为了提高记录密度 及数据传输速度，信息记录媒体磁盘基板的高速旋转化倾向不断进行，而为 了适应此倾向，且为了防止由高速旋转时的弯曲而引起的磁盘振动，基板材 料必须为高刚性、低比重的材料。而且，在用于磁头接触或可移动记录装置 之类的便携式记录装置的情况下，必须具有可充分耐受此情况的机械强度、 高杨氏模量以及表面硬度，具体而言，表面形成了压应力层后的弯曲强度优 选为400MPa以上，杨氏模量优选为80GPa以上。
然而，如果基板材料仅为高刚性但比重却较大，则高速旋转时会因其重 量较大而产生弯曲，并发生振动。相反，如果基板材料为低比重但刚性却较 小，则同样也会发生振动。另一方面，如果比重过低，则结果会难以获得所 期望的机械强度。因此，为了获得高刚性而低比重的相反特性的平衡，杨氏 模量(GPa)/比重优选为30以上，更优选为33以上，最优选为35以上。 而且，即使为高刚性，比重也必须为2.7以下，如果比重低于2.2，则难以 实质获得具有所期望刚性的基板。
而且，对于平均线性热膨胀系数而言，随着记录密度的提高，磁头与媒 体的定位须达到高精度，因此要求媒体基板或磁盘的各构成部件具有高尺寸 精度。因此，无法忽视基板与这些构成部件的热膨胀系数差的影响，从而必 须尽量减小它们的平均线性热膨胀系数差。特别是用于小型磁信息记录媒体 的构成部件的热膨胀系数，在25～100℃的范围内，多为+90～+100(×10-7·℃ -1)左右，基板也必须具有此种程度的热膨胀系数，但有时也可以由驱动器 制造商而在构成部件中使用具有偏离所述范围的热膨胀系数(+70左右～ +125左右(×10-7·℃-1)的材料。由于以上所述的原因，在25～100℃的范 围内，平均线性热膨胀系数的下限优选为+50(×10-7·℃-1)以上，上限优 选为+130(×10-7·℃-1)以下，从而可在本发明的无机组合物的结晶系中兼 顾到强度，且也可适应所使用的构成部件的多种材质。
从研磨后容易获得平滑的面，且在表面形成了压应力层的情况下容易获 得高机械强度的观点考虑，本发明的无机组合物优选为结晶化玻璃。
接着，以下说明无机组合物的组成。另外，构成无机组合物的各成分由 氧化物换算的质量百分比来表示。此处，所谓“氧化物换算的质量百分比”， 是指在假定作为本发明的无机组合物构成成分的原料而使用的氧化物、硝酸 盐等，在熔融时完全分解后变为氧化物的情况下，将其生成氧化物的质量总 和设为100质量百分比，来表述无机组合物中所含有的各成分量。
本发明的无机组合物是例如使具有特定组成的玻璃原料熔解、成形并 缓慢冷却后，进而进行热处理而制造的。
SiO2成分是对于通过热处理来生成作为结晶相而析出的一硅酸锂、二硅 酸锂、α-石英、α-石英固溶体、α-方石英、α-方石英固溶体极其有用的 成分。如果SiO2成分的含量小于50％，则所获得的无机组合物的析出结晶不 稳定且组织容易粗大化，并且如果SiO2成分的含量超过90％，则进行热处理 之前的无机组合物(称作原组合物)的熔融及成形容易变得困难。因此，优 选使SiO2成分的含量的下限为50％，更优选为55％，最优选为60％，其上限 优选为90％，更优选为85％，最优选为82％。
Li2O成分是对于通过原组合物的热处理来生成作为结晶相而析出的一 硅酸锂(Li2SiO3)及二硅酸锂(Li2Si2O5)极其重要的成分。Li2O成分的含量 如果为4％以下，则所述结晶的析出容易变得困难，并且原组合物的熔融容易 变得困难，并且如果Li2O成分的含量超过15％，则所获得的结晶不稳定且组 织容易粗大化，化学稳定性也容易降低。因此，Li2O成分的含量的下限优选 为大于4％，更优选为5％，最优选为5.5％，其上限优选为15％，更优选为14％， 最优选为13％。
Al2O3成分对于提高无机组合物的化学稳定性及机械硬度而言较佳。虽然 由于热处理条件而析出结晶的种类有所不同，但即使考虑了各种热处理条 件，为了使Al2O3不会固溶而析出一硅酸锂(Li2SiO3)及二硅酸锂(Li2Si2O5)， Al2O3的含量的上限优选为20％，更优选为15％，最优选为10％。而且，为了 使无机组合物的化学稳定性良好，Al2O3成分的下限优选为2％，更优选为 2.5％，最优选为3％。
MgO、CaO、BaO、SrO、及ZnO成分是可以提高无机组合物的熔融性同时 可以防止析出结晶粗大化的任意成分，且有效地将作为结晶相的一硅酸锂、 二硅酸锂、α-石英、α-石英固溶体、α-方石英、α-方石英固溶体的各结 晶粒子析出为球状。如果过量含有这些成分，则所获得的结晶不稳定且组织 容易粗大化，因此MgO成分的含量优选为3％以下，更优选为2.8％以下，最 优选为2.5％以下。并且，CaO成分的含量优选为7％以下，更优选为5％以下， 最优选为3％以下。BaO成分的含量优选为7％以下，更优选为6％以下，最优 选为5％以下。并且，SrO成分的含量优选为7％以下，更优选为6％以下，最 优选为5％以下。另外，ZnO成分的含量优选为10％以下，更优选为8.5％以下， 最优选为7％以下。
在本发明中，P2O5成分是用作无机组合物的结晶成核剂的有用的任意成 分。如果P2O5成分的含量超过3％，则会产生原组合物的乳白失透 (devitrification)，因此优选为3％以下。另外，如果P2O5成分的含量小于 1％，则有时结晶成核会不充分且容易使析出结晶相异常成长，因此P2O5成分 的含量的范围为，其上限更优选为3％，其下限更优选为1％。
ZrO2成分除了与P2O5成分同样地作为无机组合物的结晶成核剂而发挥作 用之外，还是具有显著提高析出结晶的微细化、材料的机械强度以及化学稳 定性的效果的有用的任意成分。如果所述成分的含量超过10％，则原组合物 的熔融容易变得困难，因此所述成分的含量优选为10％以下，更优选为6.5％ 以下，最优选为6.0％以下。
TiO2成分除了与ZrO2成分或P2O5成分同样地作为无机组合物的结晶成核 剂而发挥作用之外，还是具有显著提高析出结晶的微细化、材料的机械强度 以及化学稳定性的效果的有用的任意成分。如果所述成分的含量超过5％，则 原组合物的熔融容易变得困难，因此优选为5％以下，更优选为4.8％以下， 最优选为4.5％以下。
而且，为了使所期望的结晶析出，优选所述P2O5成分、ZrO2成分、或者 TiO2成分中的任一种以上的总量为1％以上，更优选为1.5％以上，最优选为 2％以上。
K2O成分是提高无机组合物的熔融性并且防止析出结晶粗大化的任意成 分。为了容易地获得这些效果，K2O成分的含量优选为3.0％以下，更优选为 2.8％以下，最优选为2.6％以下。
另外，Na2O成分是提高无机组合物的熔融性的任意成分，如果过量含有 Na2O成分，则容易引起析出结晶相增大或析出结晶相变化。因此，可在不会 有损于所述特性的范围内含有所述Na2O成分，其含量的上限优选为2.0％以 下，更优选为1.5％以下，最优选为1.0％以下。
Sb2O3成分及As2O3成分是作为无机组合物熔融时的净化剂而添加的，而 为了获得作为净化剂的效果，Sb2O3成分、As2O3成分中的一种成分以上的含量 总和优选为2.0％以下，更优选为1.8％以下，最优选为1.5％以下。
Y2O3成分、WO3成分、La2O3成分以及Bi2O3成分是提高无机组合物的熔融 性并且促进玻璃高杨氏模量化的任意成分。为了容易地获得所期望的结晶， 这些成分的各自的含量的上限优选为3.0％以下，更优选为2.8％以下，最优 选为2.5％以下。
而且，因PbO成分是对环境有害的成分，所以优选极力避免使用此成分。
而且，由V、Cu、Mn、Cr、Co、Mo、Ni、Fe、Te、Ce、Pr、Nd以及Er 的金属氧化物所形成的成分，会使玻璃着色而且有可能会破坏其他特性，因 此优选实质上不含有所述成分。
接着，为了制造本发明的无机组合物，首先使具有所述组成的原料熔解， 进行热成形(hot form)及/或冷加工(cold working)，然后在进行结晶化 的温度范围内，即，下限为450℃、优选为480℃、更优选为520℃以上，上 限为620℃、优选为580℃、更优选为560℃的温度范围内，进行约1～20 小时的热处理，形成结晶核，然后在下限为620℃以上，上限为800℃、优 选为750℃、更优选为685℃的温度范围内，且以高于形成所述结晶核的热 处理温度的温度，进行约0.5～10小时的热处理，促进结晶成长。
此时，结晶成核温度为450℃以下时，因为结晶核尚未形成，所以结晶 化并未开始，而当达到620℃以上时，除了形成结晶核之外，也同时引起结 晶成长，而变得无法控制结晶化。而且，结晶成长工序的温度低于620℃时， 结晶难以成长为具有较佳的平均线性热膨胀系数的结晶，而进一步达到800 ℃以上时，会析出具有低膨胀性质的结晶。
通过这样的热处理，已结晶化的无机组合物的结晶相，优选自一硅酸锂、 二硅酸锂、α-石英、α-石英固溶体、α-方石英、α-方石英固溶体中选择 的一种以上，且其平均粒径优选为1μm以下，更优选为150nm以下，进 一步优选为1nm以上150nm以下。因此，无机组合物物品均匀地析出微细 的结晶，具有可用作信息磁记录用磁盘基板的表面粗糙度，并且机械强度优 异。
而且，经此热处理结晶化而成的无机组合物，具有压应力形成前的环向 弯曲强度为300MPa以上的机械强度，且在25～100℃的温度范围内的平均 线性热膨胀系数的下限为+50(×10-7·℃-1)以上，上限为+130(×10-7·℃ -1)以下，优选为+120(×10-7·℃-1)以下。而且，杨氏模量为80GPa以上， 比重为2.7以下。
而且，在利用通常的方法来研磨由此经热处理结晶化而成的无机组合物 所形成的基板之后，通过进行抛光，而获得表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度) 优选为以下，更优选为以下，进一步优选为以下，最优选为 以下的平滑表面性。这些物性对于磁记录媒体用磁盘基板等的用途而言较 佳。因此，可获得有用的磁记录媒体用磁盘基板、电子电路基板、光盘基板 材料。而且，通过在此磁盘基板材料上形成磁性膜，及视需要形成Ni-P电 镀层、或者基础层、保护层、润滑膜等，而获得可适应高密度记录的信息磁 记录媒体磁盘。而且，通过在滤光片基板材料上形成电介质多层膜，获得滤 光片。
[实施例]
以下，使用实施例来更详细地说明本发明，但本发明不并限于以下实施 例。
[无机组合物A～L及无机组合物(比较例)M]
表1～表3中，表示了本发明的无机组合物、即结晶化玻璃的无机组合 物A～L，以及无机组合物(比较例)M的结晶化玻璃的成分组成的比例、结 晶化玻璃的成核温度、结晶温度、结晶相、结晶度、平均结晶粒径、比重、 杨氏模量、维氏硬度、平均线性热膨胀系数以及碱离子溶出量的值。利用阿 基米德法(Archimedes)来测定比重，利用超声波法(ultrasonic method) 来测定杨氏模量，利用JIS R1610来测定维氏硬度，利用JOGIS(日本光学 硝子工业会规格)16-2003光学玻璃在常温附近的平均线性热膨胀系数的测 定方法，且将温度范围设为25℃～100℃的范围，来测定平均线性热膨胀系 数。
对于无机组合物A～L的结晶化玻璃中的任一种而言，均是混合氧化物、 碳酸盐、硝酸盐等原料，以使无机组合物以氧化物换算成为表1所示的组成， 使用通常的熔解装置在约1200～1550℃的温度下将所述混合物熔解并加以 搅拌而使其均质化，然后成形为圆盘状，并进行冷却，从而获得玻璃成形体。 另外，对于无机组合物M的结晶化玻璃而言，是混合氧化物、碳酸盐、硝酸 盐等原料，以使无机组合物以氧化物换算成为表1所示的组成，使用通常的 熔解装置在约1400～1600℃的温度下将所述混合物熔解并加以搅拌而使其 均质化，然后成形为圆盘状，并进行冷却，从而获得玻璃成形体。
然后，在表1所示的成核条件及结晶化条件下，对所述玻璃成形体进行 热处理以使其结晶化，从而获得所期望的结晶化玻璃。接着，使用#800～ #2000的金刚石小球(Diamond Pellet)对此结晶化玻璃进行大约1～20分 钟的研磨，然后使用平均粒径为3μm以下的研磨剂(氧化铈)进行大约10～ 120分钟的研磨，从而完成。
所获得的各结晶化玻璃的显示结晶相的粒子的平均粒径，是利用透射电 子显微镜(TEM)而求得的。而且，各结晶粒子的结晶种类是通过XRD(X-ray Diffraction，X射线衍射)解析来鉴定的。
然后，改变条件，在所获得的无机组合物A～L及无机组合物M的无机 组合物物品的基板表面设置压应力层。在300～600℃的温度下，将其浸渍在 含有钾或者/或钠的盐，例如硝酸钾(KNO3)或硝酸钠(NaNO3)或其复合盐 的熔融盐中0.5～12小时。
表4及表5中，表示了实施例1～38及比较例1～12的压应力形成条件 (各种熔融盐的种类、浸渍温度、浸渍时间)，以及环向弯曲强度、及压应力 层形成前的环向弯曲强度r1与压应力层形成后的环向弯曲强度r2的比率 r2/r1。
环向弯曲强度是利用同心圆弯曲法来求出断裂荷载(breaking load)， 并根据圆盘内径、外径、板厚、泊松比(Poisson′s ratio)、断裂荷载利用 下式1而计算出，所述同心圆弯曲法是制作直径为65mm厚度为0.635mm 的薄圆板状样品，并使用直径为59mm的圆形支撑环以及直径为26mm的承 重环来测定圆板状样品的面内强度的方法。
[数1]
${\sigma }_{\theta }=\frac{3P}{4\pi h^2}[\left(2(1+\nu )\right)(A+\ln \frac{a}{b})+(1-\nu )(1-B\frac{a^2}{b^2})]$
$A=\frac{1-\nu }{2(1+\nu )}+\frac{b^2}{a^2-b^2}\ln \frac{a}{b}$ $B=-\frac{2(1+\nu )}{1-\nu }\frac{b^2}{a^2-b^2}\ln \frac{a}{b}$
                                       (式1)
式中，P为断裂荷载，a为圆盘外径，b为圆盘内径，h为板厚，ν为泊 松比。
析出结晶相或结晶速率(显示结晶相的粒子的存在比率)，是使用X射 线衍射装置(Phillips公司制造，商品名：X′Pert-MPD)、扫描型电子显微 镜观察装置、及能量分散型分析装置(日立制作所公司制造，商品名： S-4000N，堀场制作所公司制造，商品名：EX420)而进行鉴定的。
[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

如表1～表3所示，在本发明的无机组合物A～L以及作为比较的无机组 合物M中，Li2O/Al2O3(质量比)、结晶相、结晶度及显示结晶相的粒子的平 均粒径不同。
无机组合物A～C的结晶化玻璃的结晶相选自一硅酸锂、二硅酸锂、α- 石英中的一种或两种以上，平均结晶粒径为0.01μm以上0.15μm以下， 均为微细且大致球状。
而且，无机组合物D～I的结晶化玻璃的结晶相选自α-石英、α-石英 固溶体、α-方石英、α-方石英固溶体中的一种或两种以上，平均结晶粒径 为0.05μm以下，均为微细且大致球状。
无机组合物J～L的结晶化玻璃的结晶相选自二硅酸锂、α-石英中的一 种或两种以上，平均结晶粒径为0.15μm以下，均为微细且大致球状。另 一方面，无机组合物M的结晶化玻璃的结晶相是β-石英固溶体，平均结晶 粒径为0.06μm，均为微细且大致球状。
如表4、表5所示，实施例1～37中的环向弯曲强度高于比较例1～11 中的任一个环向弯曲强度。
另外，在形成压应力层时，使用硝酸钾(KNO3)来作为熔融盐，在450 ℃、12hr的条件下固定并浸渍基板时，比较例13的环向弯曲强度r2与比 较例12的环向弯曲强度r1的比r2/r1为1.4，小于2。这是因为比较例M 的Li2O/Al2O3较低，为0.17，所以无法完全进行离子交换交换，而结晶度高 达70％，存在于结晶化玻璃中的非晶玻璃的比率较小。
另一方面，在其他实施例中以相同的压应力层形成条件而获得的r2/r1 至少为3以上，发生了急剧地增加。其中，在表4的实施例A中设置压应力 层的实施例4的环向弯曲强度为3480Gpa，在本实施例中为最高。而且，表 4的比较例1与上述浸渍条件相同，其与实施例4的环向弯曲强度比r2/r1 为7.0。其原因在于，实施例A的Li2O/Al2O3为1.41，且结晶度较低，为6.3％， 存在于结晶化玻璃中的非晶玻璃的比率高。
接着，改变熔融盐的种类，选择硝酸钾、硝酸钠、以及以1∶1比率(溶 液的体积比)而混合的硝酸钾与硝酸钠来作为熔融盐的种类。
无论在哪一种熔融盐中均可充分地进行离子交换，并形成压应力层。然 而，如实施例1～24所示，即使在同一组成中，对于结晶度较低的一方而言， 使用硝酸钾来作为熔融盐的情况下的环向弯曲强度的值较高；相反，在结晶 度较高的实施例C中形成了压应力层的实施例17～24中，使硝酸钠来作为 熔融盐的情况下的环向弯曲强度的值较高。
认为上述情况的原因在于，在结晶度较低的情况下，进行锂离子与钾离 子的取代时可能成为障壁(barrier)的结晶粒子的比率较小，从而容易进 行离子交换；相反，在结晶度变高的情况下，进行锂离子与钾离子的取代时 成为障壁的结晶粒子的比率变大，从而难以容易进行取代的倾向直接表现在 环向弯曲强度上。因此，可知含有离子半径小于钾离子的钠离子的熔融盐， 其结晶度高到一定程度，在此情况下，以结晶度约为10％为界，使用含有钠 离子的熔融盐则会在短时间内形成压应力层。
然而，在考虑了着眼于降低碱离子溶出的情况下，通过离子交换使锂离 子被钾离子及/或钠离子取代，对于离子半径小于钾离子的钠离子而言，其 碱离子溶出速度更快，因此在考虑到提高环向弯曲强度与降低碱离子溶出两 方面时，更优选使用含有钾离子的熔融盐。
另外，在对将熔融盐的种类设为硝酸钾(KNO3)，将浸渍时间固定为0.5 小时的情况下的浸渍温度与环向弯曲强度的关系进行了研究之后，结果可 知：在任一实施例中，在高于350℃的条件下、即450℃的条件下显示出更 高的环向弯曲强度，而即使在550℃的条件下也显示出与在450℃的条件下 大致相同或较高的环向弯曲强度。一般而言，非晶玻璃的离子交换时的浸渍 温度低于玻璃转化温度(Tg，glass transition temperature)的温度为最 高温度，因此一般而言是400℃～500℃，根据所述实施例的结果可以预测： 结晶化玻璃的耐热性高，可在高于非晶玻璃的温度下浸渍在熔融盐中，从而 为了获得与在450℃下浸渍时的环向弯曲强度相同的强度，而通过将浸渍温 度设定为高于450℃的温度，则可使浸渍时间变得更短。
关于化学强化处理时的离子交换的深度，可根据SEM/EDX观察而知道表 层部的钾离子的量或者有无钠离子。其结果，在本实施例中，进行离子交换 到5～20μm的深度。另外，当进行观察时，使用扫描型电子显微镜及能量 分散型分析装置(日立制作所公司制造，商品名：S-4000N，堀场制作所公 司制造，商品名：EX420)。
而且，利用DC溅镀法，在通过所述实施例而获得的基板上形成Cr中间 层(80nm)、Co-Cr磁性层(50nm)、SiC保护膜(10nm)。
接着，涂覆全氟聚醚系润滑剂(5nm)，获得信息磁记录媒体。
由此所获得的信息磁记录媒体，通过其良好的表面粗糙度而可使磁头上 浮高度低于以前的高度，并且利用斜坡加载方式，即使在磁头与媒体接触的 状态下进行输入输出，也可以不会产生磁头破损、媒体破损地进行磁信号的 输入输出。并且，由本发明的无机组合物物品形成的信息磁记录媒体用基板， 即使在以停放区方式而进行的激光纹理(Laser Texture)中也显示出稳定 的凸块形状。
[实施例39]
通过在如下结晶化玻璃基板上分别形成TiO2/SiO2、Ta2O2/SiO2、Nb2O5/SiO2 的多层膜，而制作出干涉型滤光片，所述结晶化玻璃基板是通过对所述无机 组合物L的结晶化玻璃进行研磨之后进行抛光，以与实施例38相同的条件 进行离子交换，然后清洗而获得的。所述干涉型滤光片的中心波长的温度稳 定性非常好，且可非常好地用作光通信用的带通滤波器(band pass filter)。
[实施例40]
而且，在如下结晶化玻璃基板上利用涂覆或者层压(laminate)形成感 光性树脂层，将描绘着所期望的图案像的掩膜紧贴在此感光性树脂层上，然 后照射感光性树脂具有感度(sensitivity)的波长的电磁波，其中所述结 晶化玻璃基板是通过对所述无机组合物C的结晶化玻璃进行研磨之后进行抛 光，以与实施例18相同的条件进行离子交换，然后清洗而获得的。然后利 用规定的显影液，在为正型感光性树脂的情况下使感光部露出，而在为负型 感光性树脂的情况下使未曝光部露出，在基板上形成所期望的电路的图像。 可使用由此而获得的掩膜材料，利用干燥法(dry process)在结晶化玻璃 基板上形成图案。此图案有望用作生物芯片或图案化介质(patterned media)、显示器用基板等电子电路基板。
为了能够适应今后的磁记录方式的高记录密度化、特别是垂直磁记录方 式的高记录密度化，必须使用本发明的无机组合物物品，本发明可提供一种 具有优异的耐热特性及冲击特性、机械强度，并且在成膜时实现对使膜材料 的结晶定位性变良好所必需的超平滑表面，碱离子迁移少的各种基板。因此， 本发明的无机组合物物品，不仅可适用于在HDD方向的垂直磁记录媒体用基 板的用途，而且另外也可用作在信息记录媒体用基板、电子电路基板、滤光 片用基板、滤光片用基板上形成电介质多层膜的滤光片。
【专利文献1】日本专利特开2005-37906号公报
【专利文献2】日本专利特开昭61-286245号公报
【专利文献3】日本专利特开平05-70174号公报
【专利文献4】日本专利特开昭49-99521号公报
【专利文献5】日本专利特开昭59-116150号公报
【专利文献6】日本专利特开2006-62929号公报
【专利文献7】日本专利特开平10-226532号公报
【专利文献8】日本专利特开昭50-38719号公报
【专利文献9】日本专利特开昭47-49299号公报