1.检测激酶和/或磷酸酶活性的器件，所述器件包括：
拉曼活性表面，其包括增强拉曼散射的特征；
所述表面连接有至少一种激酶和/或磷酸酶底物分子。
2.权利要求1的器件，其中所述表面连接有多种激酶和/或磷酸酶底物分子。
3.权利要求2的器件，其中所述激酶底物分子选自小分子、脂质和肽。
4.权利要求2的器件，其中所述磷酸酶底物分子选自磷酸化的小分子、磷酸化的脂质和磷酸化的肽。
5.权利要求3的器件，其中所述激酶底物分子选自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂质。
6.权利要求3的器件，其中所述磷酸酶底物分子选自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、磷酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂质。
7.权利要求2的器件，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子为肽。
8.权利要求7的器件，其中所述肽为用于选自如下的激酶的底物：丝氨酸激酶、苏氨酸激酶、组氨酸激酶和酪氨酸激酶。
9.权利要求7的器件，其中所述肽为用于Src酪氨酸激酶的底物。
10.权利要求2的器件，其中所述多种肽包括至少5种不同的肽。
11.权利要求2的器件，其中所述多种肽包括至少10种不同的肽。
12.权利要求2的器件，其中所述多种肽包括至少100种不同的肽。
13.权利要求2的器件，其中所述肽的长度为约5～约50个氨基酸。
14.权利要求10的器件，其中所述肽定位使得来自每种肽的信号能够与来自其它种类肽的信号区别。
15.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自纳米级锥体、纳米级点、纳米级纤维、纳米管、纳米角、纳米空穴、纳米蝶形结、纳米碗、纳米月牙状物和纳米夹饼的多重纳米级特征。
16.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自金属、基于碳的材料、聚合物、石英材料、液晶材料、金属氧化物材料、盐晶和半导体材料的材料。
17.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自贵金属、贵金属合金、贵金属复合物的材料。
18.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自金、金合金、银、银合金、铜、铜合金、铂、铂合金、CdSe半导体、CdS半导体、覆盖有ZnS的CdSe、磁性胶体材料、ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。
19.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征包括金和/或银。
20.权利要求2的器件，其中所述特征的中心距为约25nm～约0.5μm。
21.权利要求2的器件，其中所述特征的中心距为约75～约150nm。
22.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征具有约10nm～约200nm的尺寸。
23.权利要求2的器件，其中所述增强拉曼散射的特征具有约25nm～约150nm的尺寸。
24.权利要求1的器件，其中所述拉曼活性表面构成微流体室或者设置在微流体室中。
25.权利要求1的器件，其中所述表面连接有多种激酶和/或磷酸酶底物分子。
26.权利要求25的器件，其中所述多种激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少5个种类。
27.权利要求25的器件，其中所述多种激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少10个种
类。
28.权利要求24的器件，其中所述室的容积小于约1μL。
29.权利要求1的器件，其中：
所述拉曼活性表面包括金纳米锥体；
所述激酶底物分子包括多种蛋白激酶和/或磷酸酶底物；和
所述拉曼活性表面构成微流体室或者设置在微流体室中。
30.检测和/或定量样品中激酶和/或磷酸酶活性的方法，所述方法包括：
使所述样品与包括激酶和/或磷酸酶底物序列的分子接触；和
通过检测所述肽的拉曼散射光谱的变化检测所述分子的磷酸化或脱磷酸化。
31.权利要求30的方法，其中所述激酶底物分子选自小分子、脂质和肽。
32.权利要求30的方法，其中所述磷酸酶底物分子选自磷酸化的小分子、磷酸化的脂质和磷酸化的肽。
33.权利要求30的方法，其中所述激酶底物分子选自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂质。
34.权利要求30的方法，其中所述磷酸酶底物分子选自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、磷酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂质。
35.权利要求30的方法，其中所述激酶底物分子为肽。
36.权利要求30的方法，其中所述激酶底物分子为用于选自如下的激酶的底物：丝氨酸激酶、苏氨酸激酶、组氨酸激酶和酪氨酸激酶。
37.权利要求35的方法，其中所述激酶底物为用于SRC酪氨酸激酶的肽底物。
38.权利要求30的方法，其中所述激酶底物分子连接到包括增强拉曼散射的特征的拉曼活性表面。
39.权利要求38的方法，其中所述表面连接有多种激酶和/或磷酸酶底物分子。
40.权利要求39的方法，其中所述多种激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少5个种类。
41.权利要求39的方法，其中所述多种激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少10个种
类。
42.权利要求39的方法，其中所述多种激酶和/或磷酸酶底物分子包括至少100个种类。
43.权利要求39的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子定位使得来自每种激酶和/或磷酸酶底物的信号能够与来自其它激酶底物的信号区别。
44.权利要求2的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自纳米级锥体、纳米级点、纳米级纤维、纳米管、纳米角、纳米空穴、纳米蝶形结、纳米碗、纳米月牙状物和纳米夹饼的多重纳米级特征。
45.权利要求38的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括金属或半导体材料。
46.权利要求38的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自贵金属、贵金属合金、贵金属复合物的材料。
47.权利要求38的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自金、金合金、银、银合金、铜、铜合金、铂、铂合金、CdSe半导体、CdS半导体、覆盖有ZnS的CdSe、磁性胶体材料、ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。
48.权利要求38的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括金和/或银。
49.权利要求38的方法，其中所述特征的中心距为约25～约500nm。
50.权利要求38的方法，其中所述特征的中心距为约25nm～约150nm。
51.权利要求38的方法，其中所述增强拉曼散射的特征具有约20nm～约200nm的尺
寸。
52.权利要求38的方法，其中所述增强拉曼散射的特征具有约75nm～约150nm的尺
寸。
53.权利要求38的方法，其中所述拉曼活性表面构成微流体室或设置在微流体室中。
54.权利要求38的方法，其中所述室的容积小于约1μL。
55.权利要求38的方法，其中：
所述拉曼活性表面包括金纳米锥体；
所述激酶底物分子包括多种酪氨酸激酶底物；和
所述拉曼活性表面构成微流体室或设置在微流体室中。
56.在一个或多个样品中检测激酶和/或磷酸酶活性的系统，所述系统包括：
权利要求1～29中任一项的器件；和
设置为测量所述器件的一个或多个区域的表面增强拉曼光谱的拉曼检测探针。
57.权利要求56的系统，其中器件和/或所述拉曼检测探针设置在定位器中。
58.权利要求61的系统，其中所述器件设置在x-y扫描样品台上。
59.权利要求61的系统，其中所述拉曼检测探针包括激光传送纤维、物镜、长通滤光器和拉曼散射光收集纤维。
60.权利要求56的系统，其中所述系统还包括：控制数据采集位置的控制计算机。
61.筛选用于激酶和/或磷酸酶活性调节剂的样品的方法，所述方法包括：
使权利要求1～29中任一项的器件与含有一种或多种测试试剂的测试样品接触；
当所述激酶和/或磷酸酶底物磷酸化或脱磷酸化时进行SERS测量以检测拉曼散射光谱的变化，其中拉曼光谱变化的抑制表明测试试剂是激酶或磷酸酶活性的抑制剂。
62.权利要求57的方法，其中所述测试样品包括测试试剂库。
63.权利要求62的方法，其中所述测试样品包括含有至少50种不同测试试剂的测试试剂库。
64.制备用于检测激酶和/或磷酸酶活性的表面的方法，所述方法包括：
将激酶和/或磷酸酶底物分子的阵列沉积在第一表面上；
使所述激酶和/或磷酸酶底物分子的阵列与包括多个增强拉曼散射的特征的SERS表面接触，其中所述接触是在将所述激酶和/或磷酸酶底物分子从所述第一表面转移到所述SERS表面以形成用于检测激酶和/或磷酸酶活性的表面的条件下。
65.权利要求64的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子带有官能团或者具有官能团的连接物，其与SERS表面反应以形成共价连接。
66.权利要求64的方法，其中所述SERS表面在软平版印刷基底上形成。
67.权利要求66的方法，其中所述软平版印刷基底包括PDMS芯片。
68.权利要求64的方法，还包括将所述SERs表面设置在微流体结构中或者将所述
SERs表面附着到微流体结构上以形成邻近该SERS表面的孔。
69.权利要求72的方法，其中所述孔具有1μL或更低的容积。
70.权利要求64的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子的阵列包括约20～约
500nm的在点之间的间隔。
71.权利要求64的方法，其中形成所述激酶和/或磷酸酶底物分子的阵列的点具有约
20～约500nm的特征尺寸。
72.权利要求64的方法，其中所述阵列包括至少5种不同的激酶底物分子。
73.权利要求64的方法，其中所述激酶底物分子选自小分子、脂质和肽。
74.权利要求64的方法，其中所述磷酸酶底物分子选自磷酸化的小分子、磷酸化的脂质和磷酸化的肽。
75.权利要求64的方法，其中所述激酶底物分子选自核苷酸、糖、多糖、聚合物和脂质。
76.权利要求64的方法，其中所述磷酸酶底物分子选自磷酸化的核苷酸、磷酸化的糖、磷酸化的多糖、磷酸化的聚合物和磷酸化的脂质。
77.权利要求64的方法，其中所述激酶和/或磷酸酶底物分子为肽。
78.权利要求64的方法，其中激酶底物为用于选自如下的激酶的肽底物：丝氨酸激酶、苏氨酸激酶、组氨酸激酶和酪氨酸激酶。
79.权利要求77的方法，其中所述肽为用于Src酪氨酸激酶的底物。
80.权利要求77的方法，其中所述肽的长度为约5～约50个氨基酸。
81.权利要求77的方法，其中所述肽定位使得来自每种肽的信号能够与来自其它种类肽的信号区别。
82.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自纳米级锥体、纳米级点、纳米级纤维、纳米管、纳米角、纳米空穴、纳米蝶形结、纳米碗、纳米月牙状物和纳米夹饼的多重纳米级特征。
83.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括金属或半导体材料。
84.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自贵金属、贵金属合金、贵金属复合物的材料。
85.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括选自金、金合金、银、银合金、铜、铜合金、铂、铂合金、CdSe半导体、CdS半导体、覆盖有ZnS的CdSe、磁性胶体材料、ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。
86.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征包括金和/或银。
87.权利要求642的方法，其中所述特征的中心距为约25nm～约400nm。
88.权利要求64的方法，其中所述特征的中心距为约75nm～约150nm。
89.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征具有约20nm～约200nm的尺
寸。
90.权利要求64的方法，其中所述增强拉曼散射的特征具有约75nm～约150nm的尺
寸。
91.制造纳米锥体表面的方法，所述方法包括：
提供能照相平版印刷的表面；
使所述表面与第一等离子体接触以产生纳米级氧化物岛阵列；
蚀刻所述表面以形成纳米柱阵列；
除去在构成所述纳米柱阵列的所述纳米柱上的氧化物层；
蚀刻所述纳米柱阵列以形成纳米锥体阵列。
92.权利要求91的方法，其中所述方法还包括使所述纳米锥体阵列金属化。
93.权利要求91的方法，其中所述能照相平版印刷的表面包括硅或锗表面。
94.权利要求91的方法，其中所述能照相平版印刷的表面包括选自ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。
95.权利要求91的方法，其中所述第一等离子体包括HBr和O2的混合物。
96.权利要求91的方法，其中所述蚀刻所述表面以形成纳米柱阵列包括通过HBr等离子体进行蚀刻。
97.权利要求91的方法，其中所述氧化物岛层通过SF6等离子体蚀刻除去。
98.权利要求91的方法，其中所述蚀刻所述纳米柱阵列以形成纳米锥体阵列包括通过HBr等离子体进行蚀刻。
99.权利要求93的方法，其中所述金属化包括将金属层沉积在所述纳米锥体阵列上，其中所述金属包括选自贵金属、贵金属合金和贵金属复合物的金属。
100.权利要求93的方法，其中所述金属化包括将金属层沉积在所述纳米锥体阵列上，其中所述金属包括选自金、金合金、银、银合金、铜、铜合金、铂、铂合金、CdSe半导体、CdS半导体、覆盖有ZnS的CdSe、磁性胶体材料、ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。
101.纳米锥体阵列，所述阵列包括其上具有多个纳米锥体的表面，其中所述纳米锥体具有平均小于约100nm的特征尺寸和小于约500nm的平均特征间间隔。
102.权利要求101的纳米锥体阵列，其中所述纳米锥体具有平均小于约50nm的特征尺寸和小于约100nm的平均特征间间隔。
103.权利要求101的纳米锥体阵列，其中所述表面包括选自贵金属、贵金属合金和贵金属复合物的金属。
104.权利要求101的纳米锥体阵列，其中所述表面包括选自金、金合金、银、银合金、铜、铜合金、铂、铂合金、CdSe半导体、CdS半导体、覆盖有ZnS的CdSe、磁性胶体材料、ZnS、ZnO、TiO2、AgI、AgBr、HgI2、PbS、PbSe、ZnTe、CdTe、In2S3、In2Se3、Cd3P2、Cd3As2、InAs和GaAs的材料。