序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
141 Dual coat ceramic layer prepared by single firing US736569 1976-10-28 US4110487A 1978-08-29 Richard G. Rion
A process and resulting product are disclosed characterized by superimposing two layers of essentially dry, differing frit compositions onto a substrate and then firing only once to form a dual coat coherent ceramic layer. The composition of the two frits is such that the first or base coat fuses and stabilizes during the firing operation at temperatures below that at which the second or cover coat fuses and stabilizes. Desirably, the first layer forms an amorphous glass adherent to the substrate that is predominantly an alkaline oxide borosilicate glass and preferably an alkaline borofluorosilicate glass.
142 Volatilizable frit composition forming oxidation-inhibiting vapors US710732 1976-08-02 US4084975A 1978-04-18 William D. Faust
A frit composition is disclosed adapted to be applied to a metal substrate containing iron and fired to form a ceramic coat. The frit composition comprises a primary devitrifiable frit adapted to fuse at a firing temperature and upon cooling form devitrified particles; and a secondary frit containing a volatilizable metal oxide adapted to form at a firing temperature substantially an amorphous glass and precipitate crystals of the volatilizable metal oxide. The crystals at least partially volatilize at the firing temperature to provide protective vapors effective to inhibit oxidation of the substrate. Upon cooling, the amorphous glass of the secondary frit bonds the devitrified particles of the primary frit one to another. Preferably, the devitrified particles of the primary frit provide a porous ceramic coat such as on a surface of a self-cleaning cooking device exposed to cooking residues. In this case, the primary frit may also contain an oxidation catalyst.
143 Method for manufacturing porcelain enamel frit US38450964 1964-07-22 US3278284A 1966-10-11 DOLAH HARRY J VAN; LINHART OTTO C; ARTHUR KIEFER
144 真空断熱部材、それに用いる封止材料、及び真空断熱部材の製造方法 JP2016195350 2016-10-03 JP2018058709A 2018-04-12 内藤 孝; 吉村 圭; 橋場 裕司; 立薗 信一; 青柳 拓也; 三宅 竜也

【課題】 低温で気密封止でき、かつ断熱性能の高い真空断熱部材を提供する。
【解決手段】
第一の基材と、第一の基材と空間をもって対向するように配置された第二の基材と、第一の基材と第二の基材の間に形成される内部空間の周縁に設けられた封止部と、を備え、封止部はガラス相と金属相とを含み、金属相はガラス相よりも内部空間側に形成されていることを特徴とする真空断熱部材。
【選択図】図2A
145 バナジウム系フリット材料、結合剤、及び/又は溶媒、並びにその製造方法 JP2014550408 2012-12-21 JP6310860B2 2018-04-11 デニス ティモシー エー.
146 導電性ペースト、及びガラス物品 JP2016557512 2015-10-07 JP6296315B2 2018-03-20 次本 伸一
147 断熱部材及び低融点ガラス組成物、並びに封止材料ペースト JP2015552389 2014-11-28 JP6256480B2 2018-01-10 内藤 孝; 立薗 信一; 吉村 圭; 橋場 裕司; 青柳 拓也; 児玉 一宗; 小野寺 大剛; 藤枝 正
148 420℃以下の加工温度を有するテルル酸塩接合ガラス JP2017517689 2015-09-28 JP2017533164A 2017-11-09 ゲーデケ,ディーター; スリダーラン,スリニバサン
本発明は、ガラス、特に、加工温度420℃以下での真空断熱ガラス製造用のガラス板の接合のためのガラスに関し、対応する複合ガラス、及び、対応するガラスペーストに関する。また、本発明は、本発明に係るガラスペーストを使用して製造された真空断熱ガラスと、その製造方法と、本発明のガラス及び/又は複合ガラス及びガラスペーストの使用に関する。本発明に係るガラスは、次の成分をモル%で含むことを特徴とする:V2O55〜58モル%と、TeO240〜90モル%、及び、ZnO 38〜52モル%、又は、Al2O31〜25モル%、又は、MoO31〜10モル%、又は、WO31〜10モル%、又は、これらの組み合わせから選択される少なくとも一つの酸化物。
149 発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法 JP2017516314 2015-08-07 JP2017531818A 2017-10-26 ギ ヨン イ、; ユン ソク オ、; ヒョン ス ムン、
本発明は、発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法に係り、より詳しくは、QD(quantum dot)だけでなくQDが担持された構造体もまた、白色光の実現のための色変換機能を持つ発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法に関する。このために、本発明は、発光ダイオード上に配置される第1ガラス基板;前記第1ガラス基板と対向するように形成される第2ガラス基板;前記第1ガラス基板と前記第2ガラス基板との間に配置され、中空部が形成されており、黄色蛍光体と低融点フリットガラスとの混合物からなる構造体;前記中空部に充填されるQD;及び前記第1ガラス基板と前記構造体の下面との間及び前記第2ガラス基板と前記構造体の上面の間にそれぞれ形成される封止材を含むことを特徴とする発光ダイオードの色変換用基板を提供する。
150 セラミックカラーペースト及びセラミックカラー並びにセラミックカラー付きガラス及びその製法 JP2014507646 2013-03-13 JP6153514B2 2017-06-28 耀広 林; 黒田 浩太郎; 浩太郎 黒田; 将史 鈴木
151 導電性ペースト、及びガラス物品 JP2016531179 2015-05-15 JP6098858B2 2017-03-22 次本 伸一
152 断熱部材及び低融点ガラス組成物、並びに封止材料ペースト JP2015552389 2014-11-28 JPWO2015087718A1 2017-03-16 内藤 孝; 内藤  孝; 信一 立薗; 圭 吉村; 裕司 橋場; 拓也 青柳; 一宗 児玉; 大剛 小野寺; 正 藤枝; 藤枝  正
一対の基板と、気密封止部と、を含み、気密封止部は、一対の基板の間の外周部に設けられ、一対の基板の間に空間を形成し、その空間が真空或いは減圧の状態にあり、気密封止部を構成する封止材料は、低融点ガラスを含み、低融点ガラスは、酸化バナジウム、酸化バリウム、酸化リン及び酸化タングステンを含み、酸化物換算で次の2つの関係式V2O5+BaO+P2O5+WO3≧90及びV2O5>BaO>P2O5>WO3(式中、単位はmol%)が成り立つ断熱部材が開示されている。これにより、環境負荷への影響を低減し、気密性の維持と耐酸性の向上とを実現する。
153 半導体接合保護用ガラス組成物の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 JP2014514287 2012-05-08 JP5827398B2 2015-12-02 六鎗 広野; 伊東 浩二; 小笠原 淳; 伊藤 一彦
154 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 JP2014514286 2012-05-08 JP5827397B2 2015-12-02 小笠原 淳; 伊東 浩二; 伊藤 一彦; 六鎗 広野
155 Semiconductor junction protective glass composition, a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device JP2012549168 2012-05-08 JP5508547B1 2014-06-04 浩二 伊東; 淳 小笠原; 一彦 伊藤; 広野 六鎗
少なくともSiO と、B と、Al と、CaO、MgO及びBaOのうち少なくとも2つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kと、Znとを実質的に含有しないことを特徴とする半導体接合保護用ガラス組成物。
本発明の半導体接合保護用ガラス組成物によれば、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に、高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。 また、Znを実質的に含有しないことから、耐薬品性(特に耐フッ酸性)が高くなり、高信頼性の半導体装置を製造することが可能となる。 また、シリコン酸化膜をエッチング除去する工程などでガラス層をレジストで保護する必要がなくなるため、工程を簡略化できるという効果も得られる。
156 Insulation paste for metal core board and an electronic device JP2010513404 2008-06-19 JP2010531044A 2010-09-16 直人 仲島; 真佐樹 浜口; 明 稲葉
本発明の絶縁ペーストは、(a)ガラス粉末と、(b)有機溶剤とを含み、ガラス拡散抑制剤としてアルミナ(Al 23 )および酸化チタン(TiO 2 )の一方または両方が前記ペースト中に含有され、このガラス拡散抑制剤の含有量は、前記ペースト中の無機成分の含有量に基づいて12〜50重量%である。
157 Methods for making vitreous layer on the metal surface JP54240198 1998-04-09 JP4147496B2 2008-09-10 ヘルムート シュミット; マルチン メニッヒ; ゲルハルト ヨンシュカー
158 Methods for making vitreous layer on the metal surface JP54240198 1998-04-09 JP2001518979A 2001-10-16 ヘルムート シュミット; マルチン メニッヒ; ゲルハルト ヨンシュカー
(57)【要約】 開示されているのは、装飾性で、引掻き耐性であり、腐食を阻害するガラス質層を金属表面に作製する方法である。 本発明方法は、金属表面に適用されるコーティング組成物が、1種以上の一般式(I)のシラン、 [式中、基Xは、同一または互いに異なって、加分解性基またはヒドロキシル基であり、基Rは、同一または互いに異なって、水素、12個までの炭素原子を有するアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、および6〜10個の炭素原子を有するアリール、アラルキルおよびアルカリール基を示し、nは0、1または2である、但し、n=1または2を有する少なくとも1種のシランが使用される]又はそれから誘導されるオリゴマーの、a)ナノスケールSiO 2粒子および/またはb)アルカリおよびアルカリ土類金属の酸化物および水酸化物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物の存在下での、加水分解および重縮合を包含する方法によって得られるコーティング組成物を該金属表面上に適用することにより特徴付けられる。 それから生じるコーティングは、熱的に圧縮され、ガラス質層を形成し得る。
159 Glass film forming method JP31936689 1989-12-08 JP2937369B2 1999-08-23 NAKAJIMA MIKIO
160 Enameled*heattresistant metal*machined product JP8551079 1979-07-05 JPS5511195A 1980-01-25 YOZEFU BURATEIRU
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