| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 61 | 分散方法 | JP2014517906 | 2012-06-26 | JP6336903B2 | 2018-06-06 | クリストファー、ハワード; ニール、スキッパー; ミロ、シャファー; エミリー、ミルナー |
| 62 | h−BN上におけるグラフェンナノリボンの製造方法 | JP2015206777 | 2015-10-20 | JP6177295B2 | 2017-08-09 | 王 浩敏; 賀 立; 陳 令修; 謝 紅; 王 慧山; 唐 述杰; 李 蕾; 張 道礼; 謝 暁明; 江 綿恒 |
| 63 | グラフェンナノリボンの製造のためのオルト−テルフェニル | JP2017512416 | 2015-05-12 | JP2017520618A | 2017-07-27 | ゲオルグ シュヴァブ，マティアス; ミューレン，クラウス; フェン，シンリヤン; ドゥムスラフ，ティム; ルフュー，パスカル; ファゼル，ロマン |
| 本発明は、一般式(I);【化1】(式中、R1、R2、R3およびR4は、独立に、H;CN;NO2;および飽和、不飽和または芳香族C1〜C40炭化水素残基からなる群から選択され、前記C1〜C40炭化水素残基は、F、Cl、OH、NH2、CNおよび/またはNO2で1から5回置換されていてもよく、1個または複数個の−CH2−基は、−O−、−NH−、−S−、−C(=O)O−、−OC(=O)−および/または−C(=O)−で置き換えられていてもよく;XおよびYは、同じであるまたは異なり、F、Cl、Br、I、およびOTf(トリフルオロメタンスルホネート)からなる群から選択される)のオルト−テルフェニル;およびグラフェンナノリボンの製造のためのそれらを使用する方法ならびに前記オルト−テルフェニルからグラフェンナノリボンを製造するための方法に関する。 | ||||||
| 64 | グラフェンのコーティング | JP2016512869 | 2014-05-08 | JP2017501097A | 2017-01-12 | ファブリス シュナイデル，グレゴリー; デッケル，コルネリス |
| 本発明は、高結晶性グラフェンの領域にあり、1つの層で前記グラフェンをコートすることである。前記グラフェンは、さらなる構造、例えばナノポア,ナノギャップ,及びナノリボンを有してよい。コートされたグラフェンは、センサ等として、生体分子分析及び変性、例えばDNAシーケンシングのために使用され得る。従って本発明は、コートされたグラフェンの使用にも関わる。 | ||||||
| 65 | 結晶表面構造およびその製造方法 | JP2015100934 | 2015-05-18 | JP5956645B2 | 2016-07-27 | ブラウン デイビッド ピー.; ヴォン プファラー ヤン |
| 66 | h−BN上におけるグラフェンナノリボンの製造方法 | JP2015206777 | 2015-10-20 | JP2016028012A | 2016-02-25 | 王 浩敏; 賀 立; 陳 令修; 謝 紅; 王 慧山; 唐 述杰; 李 蕾; 張 道礼; 謝 暁明; 江 綿恒 |
| 【課題】絶縁材基板にグラフェンを核形成及び成長させることが困難であるという長年の重要課題を解決し、グラフェン転写やナノリボン裁断加工といった複雑な工程がもたらす一連の課題を回避する、h−BN上でのグラフェンナノリボンの製造方法を提供する。 【解決手段】1)金属触媒エッチング法によりh−BN上にナノリボン状溝構造を有したh−BN溝パターンを形成するステップと、2)化学気相成長法により前記h−BN溝パターン内にグラフェンナノリボンを成長させるステップを含むh−BN10上でのグラフェンナノリボン12の製造方法を提供する。2)のステップでは直接h−BN上に形状制御可能なグラフェンナノリボンを製造する。グラフェン品質が高まり、キャリアの高移動度が実現される。例えば幅、エッジ構造といったグラフェン形状を制御することでグラフェンの電子構造調整が実現される。 【選択図】図3 |
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| 67 | グラフェンナノリボンの製造方法 | JP2015532538 | 2013-09-04 | JP2015534535A | 2015-12-03 | ヒンターマン トビアス; ファーゼル ローマン; リュフィユー パスカル; ツァイ ジンミン; ラモン サンチェス バレンシア フアン |
| 本発明は、グラフェンナノリボンの製造方法において、以下の工程:(a)少なくとも1種の多環式芳香族モノマー化合物、少なくとも1種のオリゴフェニレン芳香族モノマー化合物又はそれらの組合せから選択された少なくとも1種の芳香族モノマー化合物を、固体基板上に施与する工程、(b)前記芳香族モノマー化合物を重合させて、少なくとも1種のポリマーを前記固体基板の表面上に形成する工程、(c)工程(b)の前記1種以上のポリマーを、少なくとも部分的に脱水素環化する工程を含み、その際、少なくとも工程(b)を、少なくとも1?10-9mbarの全圧p(total);及び以下の関係:p(O2)?p(H2O)≦̸3?10-14mbar2を満たす酸素分圧p(O2)及び水分圧p(H2O)で行う前記方法に関する。 | ||||||
| 68 | グラフェンナノリボン前駆体およびその製造に適したモノマー | JP2014537788 | 2012-10-24 | JP2015502415A | 2015-01-22 | ゲオルグ シュヴァブ，マティアス; ミューレン，クラウス; フェン，シンリヤン; デッセル，ルーカス |
| 本発明は、一般式(I)【化1】(式中、R1、R2は、それぞれH、ハロゲン、−OH、−NH2、−CN、−NO2、または1〜40個の炭素原子を有し、直鎖または分岐鎖であってもよく、飽和または不飽和であってもよく、ハロゲン(F、Cl、Br、I)、−OH、−NH2、−CNおよび/または−NO2によって一置換または多置換されていてもよいヒドロカルビル基であり、ここで1つまたは複数のCH2基はまた、−O−、−S−、−C(O)O−、−O−C(O)−、−C(O)−、−NH−または−NR−で置き換えられていてもよく、ここでRは任意選択で置換されたC1〜C40−ヒドロカルビル基、または任意選択で置換されたアリール、アルキルアリールもしくはアルコキシアリール基である)の繰り返し単位を含むグラフェンナノリボン前駆体に関する。 | ||||||
| 69 | Method for processing graphene | JP2012086173 | 2012-04-05 | JP2013216510A | 2013-10-24 | MATSUMOTO TAKASHI |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing method for etching graphene without damaging the same.SOLUTION: A gas comprising HO molecules (water vapor) is introduced into a cluster-generating unit 10 through a nozzle 12 of a gas cluster ion beam device 100. The introduced water vapor is aggregated by cooling by adiabatic expansion, and beam-shaped HO clusters are formed. The HO clusters, having been introduced into an irradiation unit 20, are ionized by an ionization device 22. The HO clusters, having been ionized and positively charged, are drawn out by a plurality of electrodes 23A-23D to which a lower voltage than that of the ionization device 22 is applied; after acceleration, focusing of the beams, and separation of cluster sizes by the electrodes 23A-23D, a substrate S on which a sheet of graphene has been formed is irradiated to etch the graphene into nanoribbons having edges of an armchair shape. | ||||||
| 70 | Graphene nanoribbons made from carbon nanotubes by alkali metal exposure | JP2012516143 | 2010-06-11 | JP2012530044A | 2012-11-29 | ツアー，ジェームズ・エム; コシンキン，ドミトリー・ヴイ |
| 種々の態様においては、本開示はカーボンナノチューブから官能化グラフェンナノリボンを製造する方法を記載する。 概して、本方法は、複数のカーボンナノチューブを溶媒の不存在下においてアルカリ金属源に曝露し、その後、求電子剤を加えて官能化グラフェンナノリボンを形成することを含む。 カーボンナノチューブを一般に加熱しながら溶媒の不存在下においてアルカリ金属源に曝露することによって、カーボンナノチューブがそれらの縦軸に対して実質的に平行に開裂し、これは一態様においては螺旋状に起こすことができる。 本発明のグラフェンナノリボンは少なくともそれらの端部上において官能化されており、実質的に欠陥が無い。 その結果、ここで記載する官能化グラフェンナノリボンは、機械的に剥離したグラフェンのものに匹敵する非常に高い電気伝導度を示す。
【選択図】図２ |
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| 71 | 電子装置の製造方法 | JP2013096591 | 2013-05-01 | JP6195266B2 | 2017-09-13 | 山口 淳一; 佐藤 信太郎; 山田 容子; 田中 和樹 |
| 72 | グラフェンナノリボンの精製方法 | JP2016539469 | 2014-08-25 | JP2016536261A | 2016-11-24 | ヒンターマン，トビアス; ゲオルグ シュヴァブ，マティアス; チー−ペイ チャー，キティ; ヴァイツ，トマス; シェファー，アンスガール; ブリッタ ミュラー，イムケ |
| 本発明は、グラフェンナノリボンを精製する方法であって、グラフェンナノリボンGNR1の液体分散系を得るように、グラフェンナノリボンGNR1、及び1種以上の不純物を含む組成物を、分散剤を含む液体媒体と接触させ、前記グラフェンナノリボンGNR1を前記液体媒体中に分散させる工程、1種以上の不純物を少なくとも部分的に除去し、それにより精製グラフェンナノリボンGNR1を得るように、前記グラフェンナノリボンGNR1の液体分散系に分離処理を行う工程、を含む方法に関連する。 | ||||||
| 73 | セグメント化されたグラフェンナノリボン | JP2014540510 | 2012-11-13 | JP5955398B2 | 2016-07-20 | ローマン ファーゼル; パスカル リュフィユー; クラウス ミュレン; シュテファン ブランケンブルク; ジンミン ツァイ; シンリアン フェン; カルロ ピニェドーリ; ダニエレ パッセローネ |
| 74 | グラフェンオキシドナノプレート及び誘導された生成物を得る方法、並びにそれによって得られるグラフェンオキシドナノプレート | JP2012030093 | 2012-02-15 | JP5923796B2 | 2016-05-25 | セサル メリノ サンチェス; イグナシオ マルティン グロン; ヘレナ ヴァレラ リゾ; マリア デル ピラメール メリノ アマユエラス |
| 75 | グラフェンナノリボンを生成するためのポリマー前駆体およびそれらを調製するための適当なオリゴフェニレンモノマー | JP2015542391 | 2013-11-12 | JP2016505524A | 2016-02-25 | ミューレン，クラウス; フェン，シンリヤン; カイ，チンミン; ルフュー，パスカル; ファゼル，ロマン; 明光 成田 |
| 本発明は、一般式I【化1】(式中、R1は、H、ハロゲン、−OH、−NH2、−CN、−NO2、またはハロゲン(F、Cl、Br、I)、−OH、−NH2、−CNおよび/もしくは−NO2で1〜5置換され得る、直鎖状もしくは分枝状の飽和もしくは不飽和C1〜C40炭化水素残基であり、その1個または複数個のCH2基は、−O−、−S−、−C(O)O−、−O−C(O)−、−C(O)−、−NH−または−NR3−で置き換えることができ、ここで、R3は、置換されてもよいC1〜C40炭化水素残基、または置換されてもよいアリール、アルキルアリール、アルコキシアリール、アルカノイルもしくはアロイル残基であり;R2aおよびR2bは、Hであり、または任意選択で1対もしくは複数対の隣接するR2a/R2bは、結合して六員炭素環中の単結合を形成し;mは、0から3の整数であり;nは、0または1であり;Xは、ハロゲンまたはトリフルオロメチルスルホネートで、かつYはHであり;あるいは、XはHで、かつYは、ハロゲンまたはトリフルオロメチルスルホネートである)のオリゴフェニレンモノマーに関する。本発明はさらに、ポリマー前駆体、ならびにオリゴフェニレンモノマーとポリマー前駆体からグラフェンナノリボンを調製するための方法に関する。 | ||||||
| 76 | グラフェン加工方法 | JP2014043828 | 2014-03-06 | JP2015168593A | 2015-09-28 | 松本 貴士; 土橋 和也 |
| 【課題】グラフェンのエッジを崩すことなく、且つグラフェンリボンに電荷が残留するのを防止することができるグラフェンの加工方法を提供する。 【解決手段】表面にグラフェン43が形成されたウエハWへ向けて二酸化炭素ガス及びヘリウムガスの混合ガスから生成されたGCB44を照射する。 【選択図】図7 |
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| 77 | グラフェンナノリボンの作成方法 | JP2012015529 | 2012-01-27 | JP5785106B2 | 2015-09-24 | スン チア リアン; チャン チン タン |
| 78 | 制御された変性を有する、グラフェンナノリボン | JP2015513309 | 2013-05-13 | JP2015525186A | 2015-09-03 | ファーゼル ローマン; リュフィユー パスカル; クラウス ミュレン; ミュレン クラウス; ツァイ ジンミン; フェン シンリアン; ベアガー ラインハート |
| 本発明は、少なくとも1つの変性を有する繰り返し単位を有するグラフェンナノリボンに関し、前記変性は、ヘテロ原子置換、空孔、sp3混成、ストーン・ウェルズ欠陥、逆型ストーン・ウェルズ欠陥、sp2混成した炭素六角網目構造環のサイズ変性、及びこれらの組み合わせから選択される。 | ||||||
| 79 | グラフェンナノメッシュの製造方法及び半導体装置の製造方法 | JP2013526621 | 2011-07-29 | JP5737405B2 | 2015-06-17 | 佐藤 信太郎; 岩井 大介 |
| 80 | Method for obtaining graphene oxide nanoplate and induced product, and graphene oxide nanoplate obtained thereby | JP2012030093 | 2012-02-15 | JP2012167005A | 2012-09-06 | MERINO SANCHEZ CESAR; MARTIN GULLON IGNACIO; VARELA RIZO HELENA; MERINO AMAYUELAS MARIA DEL PILAR |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for obtaining a high-quality graphene oxide nanoplate.SOLUTION: This method comprises two stages. In the first stage, an intermediate substance comprising a carbon nanofilament is obtained, wherein the carbon nanofilament has a structure in which a ribbon of a graphite material having a small number of graphene layers is wound spirally on the periphery along the main axis. In the second stage, the carbon nanofilament is thermally treated, to clean it, and to heighten its crystallinity, then subdivided by chemical etching by oxidation, to start cleavage, and to thereby obtain the graphene oxide nanoplate. | ||||||
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