| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 分段式石墨烯纳米带 | CN201280054201.9 | 2012-11-13 | CN104039694B | 2016-11-02 | R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; S·布兰肯堡; J·蔡; 冯新良; C·皮涅多利; D·帕斯隆 |
| 本发明涉及一种分段式石墨烯纳米带，其包含至少两个彼此共价连接的不同石墨烯段，各石墨烯段具有单分散的段宽度，其中至少一个所述石墨烯段的段宽度为4nm或更小；还涉及其制备方法，包括聚合至少一种多环芳族单体化合物和/或至少一种低聚亚苯基芳烃单体化合物以形成至少一种聚合物，和使一种或多种聚合物至少部分环化脱氢。 | ||||||
| 2 | 一种宽度100-1000nm的石墨烯纳米带的制备方法 | CN201510942554.8 | 2015-12-16 | CN105585012A | 2016-05-18 | 赵丽; 胡丽丽; 汤龙程; 吴连斌; 官礼知; 强飞; 蒋剑雄 |
| 本发明属于石墨烯技术领域，为解决目前制备石墨烯纳米带受限于原料碳管的尺寸与宽石墨烯纳米带气相沉积法制备成本高的问题，本发明提出了一种宽度100-1000nm的石墨烯纳米带的制备方法，采用线形纳米碳纤维为原料，先以氧化刻蚀剥离纳米碳纤维，然后氧化石墨烯纳米带的净化处理，最后还原得到石墨烯纳米带，制备方法操作简单、原料量大价廉（为碳管价格的1/3）、可实现宽度大于100nm的宽石墨烯纳米带的实验剂量生产到工业化的批量生产。 | ||||||
| 3 | 一种高质量石墨烯材料的简易生产方法 | CN201510941926.5 | 2015-12-16 | CN105417529A | 2016-03-23 | 郑烨亮 |
| 一种高质量石墨烯材料的简易生产方法，属于石墨烯技术领域。其包括以下工艺步骤：1）将石墨、水和混合物质加入容器中进行剪切搅拌，实时测定该混合溶液的表面张力，并通过在该混合溶液中添加石墨、水和\或混合物，始终使混合溶液的表面张力维持在30～60mN/m范围内；2）将步骤1）得到的石墨烯分散液去除溶剂后，即得到石墨烯产品。本发明首次提出在剪切搅拌方法中实时监测混合溶液的表面张力，从而相应调控各种原料的加入量，可大大提高石墨烯制备效率，能非常有效地产生和稳定大量高质量石墨烯的分散液，优选方案所得石墨烯平均层数可为5层以下。 | ||||||
| 4 | 一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法 | CN201110206608.6 | 2011-07-22 | CN102392225B | 2013-12-18 | 唐述杰; 丁古巧; 谢晓明; 陈吉; 王陈; 江绵恒 |
| 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。 | ||||||
| 5 | 碳材料和其制造方法 | CN201080017904.5 | 2010-04-22 | CN102414124A | 2012-04-11 | 远藤守信; 金龙中; 辻子曜 |
| 本发明提供以含有石墨烯的碳粒子作为主要构成要素的碳材料的制造方法。该方法包括将含有作为起始原料的有机物、过氧化氢和水的混合物保持在温度300℃～1000℃并且压力22MPa以上的条件下，从而由上述有机物生成碳粒子的工序；此外还包括在比上述碳粒子生成工序中的保持温度更高的温度下对该碳粒子进行加热处理的工序。由本发明的方法制造出的碳材料，在构造上容易使离子等物质出入碳粒子的石墨烯层之间，所以可以用作二次电池的活性物质、双电层电容器的活性物质。 | ||||||
| 6 | 具有受控改性的石墨烯纳米带 | CN201380026113.2 | 2013-05-13 | CN104379497B | 2017-06-06 | R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; J·蔡; X·冯; R·伯杰 |
| 本发明涉及一种石墨烯纳米带，其包含含至少一种改性的重复单元，其中所述改性，其中所述改性选自杂原子替代、空位、sp3杂化、Stone‑Wales缺陷、反Stone‑Wales缺陷、六边形sp2杂化碳网络环尺寸改性及其任意组合。 | ||||||
| 7 | 碳材料和其制造方法 | CN201080017904.5 | 2010-04-22 | CN102414124B | 2016-06-01 | 远藤守信; 金龙中; 辻子曜 |
| 本发明提供以含有石墨烯的碳粒子作为主要构成要素的碳材料的制造方法。该方法包括将含有作为起始原料的有机物、过氧化氢和水的混合物保持在温度300℃～1000℃并且压力22MPa以上的条件下，从而由上述有机物生成碳粒子的工序；此外还包括在比上述碳粒子生成工序中的保持温度更高的温度下对该碳粒子进行加热处理的工序。由本发明的方法制造出的碳材料，在构造上容易使离子等物质出入碳粒子的石墨烯层之间，所以可以用作二次电池的活性物质、双电层电容器的活性物质。 | ||||||
| 8 | 石墨烯纳米带前体和适于制备其的单体 | CN201280064363.0 | 2012-10-24 | CN104080758B | 2016-03-02 | M·G·施瓦布; K·米伦; 冯新良; L·杜塞尔 |
| 提供了包含通式(I)重复单元的石墨烯纳米带前体。其中R1，R2各自为H；卤素；-OH；-NH2；-CN；-NO2；或烃基，其具有1-40个碳原子且可为直链或支化的、饱和或不饱和的且被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2单取代或多取代，其中一个或多个CH2基团也可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或-NR-替代，其中R为任选取代的C1-C40烃基；或任选取代的芳基、烷芳基或烷氧基芳基。(I) | ||||||
| 9 | 具有受控改性的石墨烯纳米带 | CN201380026113.2 | 2013-05-13 | CN104379497A | 2015-02-25 | R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; J·蔡; X·冯; R·伯杰 |
| 本发明涉及一种石墨烯纳米带，其包含含至少一种改性的重复单元，其中所述改性，其中所述改性选自杂原子替代、空位、sp3杂化、Stone-Wales缺陷、反Stone-Wales缺陷、六边形sp2杂化碳网络环尺寸改性及其任意组合。 | ||||||
| 10 | 一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法 | CN201110206608.6 | 2011-07-22 | CN102392225A | 2012-03-28 | 唐述杰; 丁古巧; 谢晓明; 陈吉; 王陈; 江绵恒 |
| 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。 | ||||||
| 11 | 石墨烯纳米带及其制备方法和用途 | CN201280031850.7 | 2012-04-27 | CN103635423B | 2017-07-07 | W·R·迪希特尔; H·阿斯兰; F·J·乌里贝-罗莫 |
| 本申请提供一种石墨烯纳米带（GNR）、GNR的制备方法和GNR的用途。所述方法能够控制GNR的参数，例如长度、宽度和边缘组成（例如，边缘的官能团）。所述方法基于聚苯撑乙炔聚合物的碳碳三键在金属催化下的环加成反应。所述GNR能够用于设备中，例如微电子设备中。 | ||||||
| 12 | 用于制备石墨烯纳米带的低聚亚苯基单体和聚合物前体 | CN201280064361.1 | 2012-10-24 | CN104039743B | 2016-06-29 | S·伊娃诺维茨; M·G·施瓦布; 冯新良; K·米伦 |
| 提供了用于合成石墨烯纳米带制备用聚合物前体的低聚亚苯基单体、所述聚合物前体及其制备方法，以及由所述聚合物前体和所述单体制备石墨烯纳米带的方法。 | ||||||
| 13 | 包括石墨烯碳颗粒的锂离子蓄电池阳极 | CN201480015238.X | 2014-03-07 | CN105051948A | 2015-11-11 | N·R·瓦尼尔; D·B·阿赛; K·G·奥尔森; E·F·拉克维兹; D·王; 衣冉 |
| 公开了包括石墨烯碳颗粒的锂离子蓄电池阳极。还公开了包含这样的阳极的锂离子蓄电池。所述阳极包括锂反应性金属颗粒例如硅、石墨烯碳颗粒和粘结剂的混合物。在阳极中使用石墨烯碳颗粒导致改进的锂离子蓄电池性能。 | ||||||
| 14 | 石墨烯纳米带前体和适于制备其的单体 | CN201280064363.0 | 2012-10-24 | CN104080758A | 2014-10-01 | M·G·施瓦布; K·米伦; 冯新良; L·杜塞尔 |
| 提供了包含通式(I)重复单元的石墨烯纳米带前体。其中R1，R2各自为H；卤素；-OH；-NH2；-CN；-NO2；或烃基，其具有1-40个碳原子且可为直链或支化的、饱和或不饱和的且被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2单取代或多取代，其中一个或多个CH2基团也可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或-NR-替代，其中R为任选取代的C1-C40烃基；或任选取代的芳基、烷芳基或烷氧基芳基。(I) | ||||||
| 15 | 用于制备石墨烯纳米带的低聚亚苯基单体和聚合物前体 | CN201280064361.1 | 2012-10-24 | CN104039743A | 2014-09-10 | S·伊娃诺维茨; M·G·施瓦布; 冯新良; K·米伦 |
| 提供了用于合成石墨烯纳米带制备用聚合物前体的低聚亚苯基单体、所述聚合物前体及其制备方法，以及由所述聚合物前体和所述单体制备石墨烯纳米带的方法。 | ||||||
| 16 | 分段式石墨烯纳米带 | CN201280054201.9 | 2012-11-13 | CN104039694A | 2014-09-10 | R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; S·布兰肯堡; J·蔡; 冯新良; C·皮涅多利; D·帕斯隆 |
| 本发明涉及一种分段式石墨烯纳米带，其包含至少两个彼此共价连接的不同石墨烯段，各石墨烯段具有单分散的段宽度，其中至少一个所述石墨烯段的段宽度为4nm或更小；还涉及其制备方法，包括聚合至少一种多环芳族单体化合物和/或至少一种低聚亚苯基芳烃单体化合物以形成至少一种聚合物，和使一种或多种聚合物至少部分环化脱氢。 | ||||||
| 17 | 石墨烯纳米带及其制备方法和用途 | CN201280031850.7 | 2012-04-27 | CN103635423A | 2014-03-12 | W·R·迪希特尔; H·阿斯兰; F·J·乌里贝-罗莫 |
| 本申请提供一种石墨烯纳米带（GNR）、GNR的制备方法和GNR的用途。所述方法能够控制GNR的参数，例如长度、宽度和边缘组成（例如，边缘的官能团）。所述方法基于聚苯撑乙炔聚合物的碳碳三键在金属催化下的环加成反应。所述GNR能够用于设备中，例如微电子设备中。 | ||||||
| 18 | 酸化グラフェン、グラフェン−高分子複合体、グラフェン−高分子複合体含有コーティング液、グラフェン−高分子複合体がコーティングされた鋼板、及びこれらの製造方法 | JP2015551047 | 2012-12-28 | JP2016504262A | 2016-02-12 | へ−ジン ユ、; ジュン−キュ キム、; ヨン−ギュン チョン、; ジョン−サン キム、 |
| 酸化グラフェン、グラフェン−高分子複合体、グラフェン−高分子複合体含有コーティング液、グラフェン−高分子複合体がコーティングされた鋼板、及びこれらの製造方法が提供される。本発明によると、別途のバインダーなしで素地鋼板にグラフェンを直ちにコーティングすることができ、グラフェンをコーティング層の上部に位置させることによりグラフェンの特性を効率的に発現できる鋼板を提供することができる。 | ||||||
| 19 | グラフェンナノリボンを生成するためのオリゴフェニレンモノマーおよびポリマー前駆体 | JP2014537786 | 2012-10-24 | JP2015510520A | 2015-04-09 | イワノビッチ，ソリン; ゲオルグ シュヴァブ，マティアス; フェン，シンリヤン; ミューレン，クラウス |
| 一般式A、B、C、D、EおよびFのオリゴフェニレンモノマー【化1】[式A、B、C、D、EおよびFのそれぞれにおいて、Arは、ポリ炭素環式芳香族炭化水素部分であり、X、Yは、ハロゲン、トリフルオロメチルスルホネートまたはジアゾニウムであり、R1、R2、R3は、互いに独立に、H、ハロゲン、−OH、−NH2、−CN、−NO2、直鎖状もしくは分岐状で飽和もしくは不飽和のC1〜C40炭化水素残基、あるいは任意選択で置換されているアリール、アルキルアリールまたはアルコキシアリール残基である]。 | ||||||
| 20 | セグメント化されたグラフェンナノリボン | JP2014540510 | 2012-11-13 | JP2014534157A | 2014-12-18 | ファーゼル ローマン; リュフィユー パスカル; クラウス ミュレン; ミュレン クラウス; ブランケンブルク シュテファン; ツァイ ジンミン; フェン シンリアン; ピニェドーリ カルロ; パッセローネ ダニエレ |
| 本発明は、セグメント化されたグラフェンナノリボンであって、互いに共有結合された少なくとも2つの異なるグラフェンセグメントを有し、各々のグラフェンセグメントは、単分散性のセグメント幅を有し、前記グラフェンセグメントの少なくとも1つのセグメント幅は4nm以下である前記グラフェンナノリボンならびに前記グラフェンナノリボンの製造方法であって、少なくとも1種の多環式の芳香族モノマー化合物および/または少なくとも1種のオリゴフェニレン芳香族炭化水素モノマー化合物を重合させて、少なくとも1種のポリマーを形成させ、そして前記1種以上のポリマーを少なくとも部分的に脱水素環化させることによって行われる前記方法に関する。 | ||||||
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