| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 221 | 用于测量微阵列上磁性纳米粒子面密度的传感器和方法 | CN02825869.X | 2002-12-17 | CN100343670C | 2007-10-17 | R·科胡恩; M·W·J·普林斯 |
| 本发明涉及用于生物分子在生物芯片上的结合的磁性探测方法和器件。描述了用于测量微阵列上磁性粒子面密度的磁阻传感器器件，该磁性纳米粒子(15)直接或间接耦合到目标样品(11)。磁阻传感器器件包括衬底(3)，该衬底(3)具有附着其上的能够选择性地结合目标样品(11)的结合位置(9)，以及用于探测耦合到目标样品的纳米粒子(15)的磁场的磁阻传感器。该磁阻传感器包括多个磁阻感应元件(17，19)，其宽度和长度尺寸至少是纳米粒子(15)的直径的10倍或更多，优选100倍或更多。对相应的方法也做了描述。 | ||||||
| 222 | 使用气态转变图形化磁性薄膜的方法和系统 | CN200410056328.1 | 2004-08-06 | CN100342463C | 2007-10-10 | 戴维·威廉·亚伯拉罕; 尤金·约翰·欧''苏利瓦 |
| 一种图形化磁性薄膜的方法，包括对磁性薄膜的一部分使用化学转变，将该部分转变为非磁性的和电绝缘的，以及所产生的结构。 | ||||||
| 223 | 窄道异常磁电阻器件 | CN200510083648.0 | 2005-07-13 | CN100337272C | 2007-09-12 | 阿米塔瓦·查托帕德亚; 小罗伯特·E·方塔纳; 布鲁斯·A·格尼; 斯蒂芬·马特; 欧内斯托·E·马里尼罗 |
| 本发明涉及一种具有最优磁灵敏度的能够读非常窄并且短的磁位的异常磁电阻传感器。该传感器包括半导体层和导电材料层。第一和第二引线电连接半导体材料的边缘，引线中的一个位于从传感器一端向内一段距离处。该传感器也包括第一和第二电压引线，它们位于电流引线中的一个的两侧并与之相接近。 | ||||||
| 224 | 用于磁阻头生产的双重目的的研磨向导 | CN03146495.5 | 2003-07-11 | CN100336104C | 2007-09-05 | L·-Y·朱 |
| 一种集成的研磨向导(ILG)被描述，包括至少一个读取头和电子研磨向导(ELG)。在一个实施例中，ELG与读取头的高度有偏移。在研磨的过程中可测量读取头和ELG之间的电阻。在研磨过程的开始阶段中，ELG支配ILG电阻的变化并提供虑及磁阻(MR)头的排的倾斜和弯曲的长范围条高度控制。在研磨过程的较后阶段中，读取头支配ILG电阻的变化并提供短范围、均匀读取头电阻控制。在该实施例中，长范围条高度控制和短范围、均匀读取头电阻控制之间的过渡是平滑的，由此提供对读取头制造过程的明显好处。 | ||||||
| 225 | 具有形成于端部区域的反铁磁钉扎层结构的自旋阀传感器 | CN200510066732.1 | 2005-04-30 | CN1332375C | 2007-08-15 | 戴维·E·海姆 |
| 本发明涉及一种自旋阀传感器。本发明一示例性实施例中，自旋阀传感器包括：自由层结构；主要形成在所述传感器的中央区域的包括至少第一反平行(AP)被钉扎层的AP被钉扎层结构；及形成在自由层结构和AP被钉扎层结构之间的非磁的导电间隔层。用于磁性钉扎第一AP被钉扎层的第一和第二反铁磁(AFM)钉扎层结构形成在端部区域中，但不在其中央区域。每个AFM钉扎层结构的边缘和传感器边缘分开距离DA。第一AP被钉扎层形成在中央区域和端部区域中，从而与第一和第二AFM钉扎层结构相接触。有利地，在提供了自钉扎传感器的优点(即中央区域中的传感器剖面很薄)的传感器中表现出足够的钉扎特性。 | ||||||
| 226 | 用于制造磁阻效应元件的方法 | CN200710005511.2 | 2007-02-09 | CN101017668A | 2007-08-15 | 汤浅裕美; 福泽英明; 藤庆彦; 岩崎仁志 |
| 一种用于制造磁阻效应元件的方法，该磁阻效应元件具有依次层叠的磁化固定层、非磁性中间层以及磁化自由层。该方法包括：形成将成为磁化固定层或磁化自由层之一的至少部分磁性层；形成功能层，该功能层包括位于该磁性层的部分上的氧化物、氮化物以及氟化物中的至少一种；以及通过将功能层暴露于离子束辐射或等离子体辐射之一从而去除部分功能层。 | ||||||
| 227 | 包括扩散阻挡层的磁致电阻器件 | CN200610148660.X | 2006-11-22 | CN101017667A | 2007-08-15 | 尹成龙; 李在喆; 金庸洙; 吴薰翔 |
| 本发明涉及一种磁致电阻器件，具有衬底、衬层、磁致电阻结构、以及扩散阻挡层。该衬层形成在该衬底上。该磁致电阻结构形成在该衬层上。该扩散阻挡层形成在该衬层和该磁致电阻结构之间。 | ||||||
| 228 | 生产过渡金属的纳米级颗粒的方法 | CN99110027.1 | 1999-06-29 | CN1328735C | 2007-07-25 | C·B·默里; 孙守恒 |
| 本发明涉及一种形成纳米级颗粒的方法，它包括如下步骤：由过渡金属形成金属前体溶液；将金属前体溶液喷入表面活性剂溶液中；添加絮凝剂，使纳米级颗粒从溶液中沉淀出来，而无永久团聚；添加烃溶剂以再分散或再胶溶纳米级颗粒。 | ||||||
| 229 | 垂直平面电流结构的磁阻元件和磁头滑块 | CN200380101025.0 | 2003-10-07 | CN1324560C | 2007-07-04 | 近藤玲子; 清水丰; 田中厚志 |
| 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。 | ||||||
| 230 | 控制磁致电阻传感器的自由层中的磁致伸缩的方法 | CN200610171216.X | 2006-12-21 | CN1988002A | 2007-06-27 | 太龙平; 杜利普·A·韦利皮蒂亚 |
| 本发明涉及一种用于控制磁致电阻传感器的自由层中的磁致伸缩的方法。沉积被钉扎层结构且然后沉积优选为Cu的间隔层。氧被引入到该间隔层中。氧可以在间隔层的沉积期间或者在已经沉积间隔层之后被引入。然后自由层结构沉积在间隔层之上。帽层例如Ta可以沉积在自由层结构之上。该传感器被退火从而设置被钉扎层的磁化。在退火该传感器的工艺中氧迁移到间隔层外。退火之后，没有显著量的氧存在于间隔层或自由层结构中，仅微量的氧存在于Ta帽层中。尽管没有氧存在于间隔层或自由层中，但是制造期间氧的引入使得完成的自由层具有较低磁致伸缩(即更大的负磁致伸缩)。 | ||||||
| 231 | 磁电阻元件、磁头和磁记录/再现装置 | CN200410058625.X | 2004-07-23 | CN1323386C | 2007-06-27 | 福泽英明; 汤浅裕美; 桥本进; 岩崎仁志 |
| 一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。 | ||||||
| 232 | 铁基稀土类纳米复合磁体及其制造方法 | CN200680000416.7 | 2006-03-22 | CN1977061A | 2007-06-06 | 金清裕和; 三次敏夫; 广沢哲 |
| 本发明提供一种铁基稀土类纳米复合磁体，其含有Nd2Fe14B相和α－Fe相，用组成式T100－x－y－z－n(B1－qCq)xRyTizMn表示，其中，T是选自Fe、Co和Ni中的至少一种元素并且必须含有Fe的过渡金属元素，R是实质不含La和Ce的至少一种的稀土类元素，M是选自Al、Si、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Ta、W、Pt、Au和Pb中的一种以上的金属元素。组成比率x、y、z、n和q分别满足4≤x≤10原子％、6≤y≤10原子％、0.05≤z≤5原子％、0≤n≤10原子％、0.05≤q≤0.5。平均结晶粒径为1nm～50nm的α－Fe相的含有率为5体积％～60体积％，平均结晶粒径为5nm～100nm的Nd2Fe14B相的含有率为40体积％～90体积％，在上述α－Fe相和上述Nd2Fe14B相的晶界中存在至少含有Ti和C(碳)的非磁性相。 | ||||||
| 233 | 具有改进的磁场范围的磁多层结构 | CN01801706.1 | 2001-06-12 | CN1319083C | 2007-05-30 | K·-M·H·伦森; A·E·T·奎珀 |
| 根据需要的，例如在汽车应用中，一种加强的GMR或者TMR效应类型多层结构，其包括自由和固定铁磁性层，具有被描述的广阔的磁场范围。通过使用在交换-偏转人工反铁磁体中的非相邻铁磁性层作为固定层，获得改进。 | ||||||
| 234 | 绝缘基板上的MR传感器及其制造方法 | CN200580014739.7 | 2005-03-09 | CN1969322A | 2007-05-23 | L·-Y·朱; K·亚苏达; C·Y·刘; W·乔斯 |
| 根据本发明的一个实施方式，提出了一种滑动器设计(409)，其提供对滑动器(409)的磁头/传感器(613)的改进的保护。在一个实施方式中，滑动器(409)的设计使得在滑动器薄片(407)加工中、“后端”加工(例如当完成的滑动器/磁头结合到HGA中时)中，以及在盘驱动器的操作中等提供ESD保护。在该实施方式中，提供围绕绝缘材料滑动器基板(407)的导电膜(403)。该导电膜(403)在薄片制造过程中提供接地通路。该导电层(403)还可以在磁头制造过程中被图形化以为后端加工过程提供接地通路。可以添加导电条，用于放电滑动器到盘的界面上的碎屑。 | ||||||
| 235 | 在磁阻传感器中用于改进交换偏置结构的斜角蚀刻的衬层 | CN200610149421.6 | 2006-11-17 | CN1967893A | 2007-05-23 | 马修·J·凯里; 杰弗里·R·奇尔德雷斯; 詹姆斯·M·弗赖塔格; 斯蒂芬·马特; 穆斯塔法·M·皮那巴西 |
| 本发明提供一种具有提高的钉扎场强度的磁阻传感器。该传感器包括被钉扎层结构。在具有以各向异性粗糙度处理的表面的衬层上构造AFM层。通过有角度的离子蚀刻产生的各向异性粗糙度导致了提高的钉扎强度。衬层可以包括籽晶层和形成在籽晶层上的例如PtMn的晶体材料的薄层。磁层可以包括NiFeCr的第一子层和形成在其上的NiFe的第二子层。本发明还包括具有沉积在衬层(例如非磁间隔)上的磁层的磁阻传感器，衬层具有通过各向异性纹理处理过的表面。然后在磁层上沉积AFM层。然后通过与AFM层的交换耦合和衬层的表面纹理提供的强各向异性的组合强地钉扎磁层。这样的结构例如能够用在具有被钉扎层结构的传感器中，或者用在具有堆叠内偏置结构的传感器中。 | ||||||
| 236 | 具有利用赫斯勒合金的改进的电流垂直平面传感器的磁头 | CN200610148545.2 | 2006-11-16 | CN1967661A | 2007-05-23 | 马修·J·凯里; 杰弗里·R·奇尔德雷斯; 斯蒂芬·马特 |
| 本发明提供一种包括CPP GMR读传感器的磁头，该读传感器包括参考层、自由磁层和设置在它们之间的间隔层，其中自由磁层和参考磁层每个由Co2MnX构成，其中X是选自Ge、Si、Al、Ga和Sn构成的组的材料，并且其中间隔层由选自Ni3Sn、Ni3Sb、Ni2LiGe、Ni2LiSi、Ni2CuSn、Ni2CuSb、Cu2NiSn、Cu2NiSb、Cu2LiGe和Ag2LiSn构成的组的材料构成。另外的实施例包括双自旋阀传感器，其中自由磁层和参考层每个由赫斯勒合金构成。又一示例性实施例包括层叠的磁层结构，其中磁层每个由铁磁赫斯勒合金构成，且其中间隔层由非磁赫斯勒合金构成。 | ||||||
| 237 | 使用抑制噪声产生的软磁层的垂直磁记录介质及利用其的垂直磁记录装置 | CN200580009137.2 | 2005-03-24 | CN1957400A | 2007-05-02 | 中村太; 田中勉; 青柳由果; 清水谦治; 酒井浩志; 坂胁彰 |
| 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。 | ||||||
| 238 | 薄膜磁头、磁头万向组件及硬盘装置 | CN200410069757.2 | 2004-07-14 | CN1312665C | 2007-04-25 | 田中浩介; 岛泽幸司; 照沼幸一; 清水友晶 |
| 以夹持MR膜(7)的方式在该MR膜(7)的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层(9)，对MR膜(7)(自由层(27))施加纵向偏移磁场。该磁区控制层(9)包括基底层(31)、强磁性层(33)和硬质磁性层(35)的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜(7)的两肋。基底层(31)是使硬质磁性层(35)的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层(35)矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层(9)的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层(35)是由含Co的硬质磁性材料形成。 | ||||||
| 239 | 具有高垂直各向异性和平面内平衡磁化的自由层的自旋转移磁性元件 | CN200580013036.2 | 2005-02-24 | CN1947272A | 2007-04-11 | P·P·游岩; 怀一鸣 |
| 本发明公开了一种用于提供可以在磁存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。间隔层位于被钉扎层和自由层之间。当写入电流穿过磁性元件时，可使用自旋转移切换自由层。磁性元件还可包括阻挡层、第二被钉扎层。可替换地，包括第二被钉扎层和第二间隔层和静磁耦合到该自由层的第二自由层。至少一个自由层具有高垂直各向异性。高垂直各向异性具有是平面外退磁能的至少20％且小于100％的垂直各向异性能。 | ||||||
| 240 | 具有低饱和磁化强度自由层的自旋转移磁性元件 | CN200580009921.3 | 2005-02-18 | CN1938874A | 2007-03-28 | P·P·源; 怀一鸣; 刁治涛; F·艾伯特 |
| 本发明公开了一种用于提供可以用在磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。该间隔层位于该被钉扎层和自由层之间。当写入电流通过该磁性元件时，该自由层可以利用自旋转移切换。该磁性元件还可包括阻挡层、第二被钉扎层。可选地，包括第二被钉扎层和第二间隔层以及静磁耦合至该自由层的第二自由层。在一个方面，自由层包括用非磁性材料稀释的和/或亚铁磁性掺杂的铁磁性材料以提供低饱和磁化强度。 | ||||||
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