| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种手性纳米薄膜以及制备方法和应用 | CN201710078383.8 | 2017-02-14 | CN106829854A | 2017-06-13 | 吕家威; 唐智勇; 黄岭; 黄维 |
| 本发明提供一种手性纳米薄膜以及制备方法和应用，所述手性纳米薄膜的制备方法包括：将一维纳米材料胶体溶液铺展在Langmuir‑Blodgett槽中下相上，待溶剂挥发完全后，使位于下相表面的滑障滑动以推动一维纳米材料在下相表面移动，压缩一维纳米材料的面积，得到取向一致的一维纳米材料组装膜；采用Langmuir‑Schaeffer转移方法将组装膜转移到基片上得到具有至少两层组装膜的手性薄膜，其中各层组装膜之间沿顺时针方向或者逆时针方向依次错开。本发明的手性薄膜具有超高光学活性，各向异性因子高达0.3，为现有组装手段获得手性材料中光学活性之最，并且制备方法简单，具有普适性，应用前景广阔。 | ||||||
| 2 | 一种三维纳米节距样板及其制备方法 | CN201510900078.3 | 2015-12-08 | CN105480940A | 2016-04-13 | 朱国勤; 朱振宇; 孙浩林 |
| 本发明涉及一种三维纳米节距样板及其制备方法，属于纳米计量技术领域。其特征在于：所述的节距样板材料选用Si(100)单晶结构基底材料与高纯度成膜Cr材料(＞99％)，采用分子束外延技术实现Cr原子在Si(100)基底上的层状结构生长，利用刻蚀技术获得相应的纳米节距结构，然后再次进行外延生长，实现节距样板的研制。本发明从原子层面解决了当前纳米节距样板制备过程不易控制以及制备方法可复现性差的问题，并且由于成膜原子按照层状结构模式生长，不仅可保留刻蚀后的表面界面结构，还可以保持刻蚀的结构深度，消除刻蚀对侧向节距结构的影响，解决Z向刻蚀的不可控问题，实现研制过程对样板三维节距的纳米级控制，为我国纳米节距标准样板提供一种可行的研制方法。 | ||||||
| 3 | 基于脉冲激光烧蚀制造纳米颗粒溶液 | CN201180008950.3 | 2011-02-03 | CN102781660A | 2012-11-14 | 刘冰; 车勇 |
| 本发明公开了一种基于脉冲激光烧蚀制备太阳光吸收化合物材料的纳米颗粒的方法。所述方法使用脉冲持续时间为10飞秒至500皮秒的脉冲激光束照射太阳光吸收化合物材料的靶材料，以烧蚀所述靶从而产生所述靶的纳米颗粒。收集所述纳米颗粒，并将所述纳米颗粒的溶液施加到基底上以制备薄膜太阳能电池。该方法维持了起始靶的化学计量性和晶体结构。该方法是一种成本显著更低的薄膜太阳能电池制造方法。 | ||||||
| 4 | 二维有序的金和ITO复合纳米阵列及其制备方法 | CN201710272663.2 | 2017-04-24 | CN107089642A | 2017-08-25 | 张龙; 白正元; 陶桂菊 |
| 一种二维有序的金和ITO复合纳米阵列及其制备方法，该二维有序的金和ITO复合纳米阵列是由多个空心ITO纳米半球壳及附着在各个ITO纳米半球壳正上方的金纳米颗粒按照规则六角密排结构有序排布而成的复合纳米结构；其制备方法包括：将聚苯乙烯纳米球通过旋涂法在石英片上排列形成单层的二维六角密排结构模板；将一定厚度的ITO和金薄膜依次均匀沉积在聚苯乙烯纳米球模板上方；将样品放置于电阻炉中进行高温退火处理，自然冷却后便可得到二维有序的金和ITO复合纳米阵列。本发明提供的方法，不仅能够获得厘米量级的大面积二维有序的金和ITO复合纳米阵列，且具有工艺简单，容易操作，成本较低等优点。 | ||||||
| 5 | 一种二维纳米碳片以及具有二维纳米碳片的电位器 | CN201610510299.4 | 2016-07-01 | CN106185796A | 2016-12-07 | 刘志; 潘猛; 张肖肖; 孙海辉; 李娟 |
| 本发明公开一种具有二维纳米碳片的电位器，包括：壳体、旋转轴、转动机构一、转动机构二、二维纳米碳片以及设置在二维纳米碳片上的三个碳片端子；壳体包括上壳体和下壳体；转动机构一、转动机构二、二维纳米碳片设置在上壳体和下壳体之间；轴杆的两个平行的平面分别与直边一、直边二相抵持，使旋转轴旋转带动转动机构一和转动机构二，调节电位器的阻值。本发明提供的具有二维纳米碳片的电位器，开关零件少，耐高温性能好，能在高温下不变形，避免了铆接在高温下易变形的不足。二维纳米碳片的电位器的导电性能优良。 | ||||||
| 6 | 碳纳米结构体的新型二级结构物、其集合束及包含其的复合材料 | CN201280030717.X | 2012-12-21 | CN103619755B | 2016-12-07 | 金成真; 金镇道; 姜京延; 尹载根 |
| 本发明涉及一种新型的碳纳米结构体二级结构物、其集合束及包含其的复合材料。本发明的二级结构物的特征在于，其通过多个碳纳米管CNS）整体或部分地组装成管形状而形成。本发明的新型的二级结构物、其集合束及包含其的复合材料高度适用于能源材料、功能性复合材料、电池、半导体等领域。 | ||||||
| 7 | 一种基于气体模版组装纳米材料的方法及其制品和应用 | CN201610416478.1 | 2016-06-14 | CN106082118A | 2016-11-09 | 黄占东; 李正; 苏萌; 宋延林 |
| 本发明涉及纳米材料领域，公开了一种基于气体模版组装纳米材料的方法，该方法包括如下步骤：1)制备表面具有图案化结构的基材；2)将所述表面具有图案化结构的基材和表面平整的基材分别作为下基底和上基底组成气泡生成体系；3)在所述气泡生成体系中填充含有微小气泡的纳米材料组装液，并通过微小气泡的融合，形成图案化二维气泡阵列；4)去除所述纳米材料组装液中的溶剂，纳米材料在上基底上以图案化二维气泡阵列为模板组装。该方法实现了以图案化二维气泡阵列为模板进行纳米材料的精确组装，简单快捷，可控性强，均一性好，制备成本低，便于大规模生产。 | ||||||
| 8 | 一种新型基于拓扑异构酶的核酸纳米网状结构及制备方法 | CN201610254978.X | 2016-04-19 | CN105883714A | 2016-08-24 | 刘寅; 杨朔; 李超; 兰文洁; 王世卿; 朱麟; 周冠舟; 刘晶劼; 刘子暖; 李慧宇; 于佳; 王雨蓉; 陈双; 张文嘉 |
| 本发明涉及一种核酸纳米结构，具体而言是一种新型依赖于拓扑异构酶构建稳定核酸纳米网状结构及其构建技术。本发明所使用的DNA网状结构是由3条DNA单链通过拓扑异构酶构建而成的二维网状结构，其中拥有互补配对片段和活性片段。活性片段可以设计成为实现相关生物学功能的目的序列，携带相关生物基团，发挥相应的生物学效应。本方法具有热稳定性高、拥有活性片段，制作简单方便等特点。 | ||||||
| 9 | 海水嗜冷杆菌合成并进行自组装的生物纳米材料及其制备方法与应用 | CN201610239347.0 | 2016-04-18 | CN105858599A | 2016-08-17 | 周维芝; 黄兆松; 刘婷 |
| 本发明公开了海水嗜冷杆菌合成并进行自组装的生物纳米材料及其制备方法与应用，该制备方法包括将海水嗜冷杆菌(Psychrobacter aquimaris)X3?1403与至少含有钙、磷、氧和氢元素的培养基接触培养的步骤，培养后，离心去除上清液，即得到生物纳米材料；其中，海水嗜冷杆菌(Psychrobacter aquimaris X3?1403)，属于嗜冷杆菌属(Psychrobacter)，已于2016年3月29日保藏于中国典型培养物保藏中心，地址：武汉市武昌珞珈山，保藏号：CCTCC M 2016155。培养海水嗜冷杆菌的过程即为合成纳米羟基磷灰石和生物纳米材料的过程，培养时条件温和，操作简单，清洁无污染，成本低廉，效率高且能大规模推广应用。 | ||||||
| 10 | 一种由柠檬色赤杆菌合成并自组装的生物纳米材料及其应用 | CN201610232231.4 | 2016-04-14 | CN105858596A | 2016-08-17 | 周维芝; 黄兆松; 王美 |
| 本发明公开了柠檬色赤杆菌(Erythrobacter citreus)X3?1411在制备纳米材料中的应用；所述柠檬色赤杆菌(Erythrobacter citreus)X3?1411已于2016年3月29日保藏于中国典型培养物保藏中心，地址：武汉市武昌珞珈山，保藏号：CCTCC M 2016156。本发明还公开了一株柠檬色赤杆菌合成并进行自组装的生物纳米材料，由所述的柠檬色赤杆菌(Erythrobacter citreus)X3?1411在含磷水体中合成并经自组装制备而成。本发明的菌株具有自絮凝和自组装的功能，菌株在降解水体中污染物的同时，还可以利用水体中原料在低浓度条件下合成钙磷纳米颗粒，且具有纳米自组装的能力，不需要额外投加化学试剂，环境友好成本低，实现了磷资源的循环利用。 | ||||||
| 11 | 一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法 | CN201710570953.5 | 2017-07-13 | CN107352505A | 2017-11-17 | 佘广为; 张韶阳; 师文生 |
| 本发明公开了一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法，将经氢氟酸溶液处理的Si纳米线阵列置于二价铜离子水溶液中，调节溶液的pH值，得到Si-Cu2O异质结纳米线阵列。本发明通过HF处理在Si纳米线表面形成Si-H键，利用Si纳米线表面Si-H键的还原性，在适当条件下将水溶液中的Cu2+还原生成Cu2O，从而得到Si和Cu2O之间无氧化硅层的Si-Cu2O异质结纳米线阵列。该制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法工艺简单，成本低廉，并有望发展成一种通用的制备Si-氧化物半导体异质结的方法。 | ||||||
| 12 | 垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件及其在探测乙醇中的应用 | CN201510820969.8 | 2015-11-23 | CN106744667A | 2017-05-31 | 秦玉香; 张晓娟; 崔梦阳; 刘雕; 胡明 |
| 本发明公开一种垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件及其在探测乙醇中的应用，氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件包括：垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列和在该氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列上两个间距为1-2cm，大小为2mm*2mm，厚度为80-120nm的铂层；其中，所述氧化钨/氧化铜异质结纳米阵列由氧化钨/氧化铜异质结纳米线组成，氧化钨/氧化铜纳米线长度为900-1100nm，所述氧化钨纳米线的直径为17-24nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹厚度为5-15nm的氧化铜。该气敏元件能在较低温度下实现对乙醇气体的快速响应恢复，且稳定性好。 | ||||||
| 13 | 一种用于SERS基底的多明治周期性纳米线阵列及其制备方法 | CN201610278005.X | 2016-04-27 | CN105967142A | 2016-09-28 | 董前民; 吴燕雄; 梁培; 黄杰; 白阳; 王鹏辉; 马芳丽; 曹艳亭 |
| 本发明涉及一种用于SERS基底的多明治周期性纳米线阵列及其制备方法。该多明治周期性纳米线阵列包括银、金、铜、镍元素，层数为4～8层，每一层纳米线长度为30nm～60nm，纳米线总长度为120nm～400nm，直径为100nm～300nm；其制备方法是将多孔型阳极氧化铝(AAO)模板作为电化学沉积的一极，依次在不同金属元素的盐溶液中沉积一段时间，再使用碱溶液去除AAO模板，得到多明治周期性纳米线阵列。用该法制得的多明治周期性纳米线阵列的特点是不同金属纳米间产生电场耦合作用，能够作为SERS基底增强拉曼散射，制得的SERS基底结合拉曼光谱仪可用于检测更加微弱的分子信号，且不会破坏被检测物质。 | ||||||
| 14 | 触角型石墨烯纳米结构单元及具有拓扑结构的石墨烯基复合材料和制备方法 | CN201610428924.0 | 2016-06-16 | CN105947973A | 2016-09-21 | 范壮军; 盛利志; 魏彤; 江丽丽 |
| 本发明提供的是一种触角型石墨烯纳米结构单元及具有拓扑结构的石墨烯基复合材料和制备方法。由氧化石墨烯制成缺陷氧化石墨烯，将缺陷氧化石墨烯与NaCl的混合液加热后，速度迅速喷至装满液氮的接收装置中，利用晶体瞬间生成的剪切力从缺陷处撕裂氧化石墨烯，得到具有触角型的氧化石墨烯结构单元；冷冻干燥后热处理得到由触角型石墨烯结构单元组成的具有拓扑结构的石墨烯材料。触角型结构单元之间通过触角型条带相互缠绕形成点、线连接组成的三维网络拓扑结构石墨烯基复合材料，有利于为电子和光子提供一个整体的传导通道，使得电子或光子能够在整体网络内部快速传导，因此无论在电子器件、传感器、能源存储等领域都会有广泛的应用。 | ||||||
| 15 | 多个纳米棒二聚体阵列结构、其制造方法、激发其Fano共振的方法以及包含其的光学传感器 | CN201610259769.4 | 2016-04-25 | CN105947972A | 2016-09-21 | 王俊俏; 张佳; 牧凯军; 臧华平; 范春珍; 陈述; 田勇志; 梁二军 |
| 本发明通过公开一种多个纳米棒二聚体阵列结构、其制造方法、激发其Fano共振的方法以及包含其的光学传感器。在该结构中，选用了合适的折射率、横向间隙、纵向间隙和长度，从而使得结构具有很好的Fano共振特性，并在电场偏振方向与纳米棒长轴方向平行的入射光垂直作用下，其Fano共振被强烈激发；使用该结构的光学传感器可以极大地提高灵敏度，对于提高光学传感器的性能具有重要的影响作用。 | ||||||
| 16 | 一种基于多层阳极氧化铝模板的大面积纳米图形化方法 | CN201511033940.1 | 2015-12-31 | CN105621353A | 2016-06-01 | 祝渊; 赵呈春; 桂许春; 汤子康; 苏宇泉; 陈安琪 |
| 本发明公开了一种基于多层阳极氧化铝模板的大面积纳米图形化方法，是首先将多层双通AAO模板堆叠在一起，转移到目标衬底之上；再向覆盖了多层AAO模板的衬底表面蒸镀制备纳米结构所需的材料；然后除去多层AAO模板，即得到图案化的纳米结构阵列。本发明的方法可通过对不同类型的双通AAO模板的选择，通过控制上下层AAO的结构、相对位置、上下层AAO多孔膜的孔/壁尺寸、相对位移、相对旋转角度，或者通过调整多层双通AAO模板堆叠的方式，从而获得不同的大面积（平方厘米级）的结构非常丰富的具有纳米级尺寸的复杂图案的纳米结构。而且本方法制备条件简单、成本低，不需要复杂的设备，易于操作，适用于规模化产业应用。 | ||||||
| 17 | 基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法 | CN201410274020.8 | 2014-06-18 | CN104009112A | 2014-08-27 | 郭挺; 林元华; 南策文 |
| 本发明属于材料科学领域，特别涉及一种基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法。本发明基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料是通过在NiO纳米线的表面制备ZnO纳米棒阵列来获得的。具体的制备过程包括：利用静电纺丝法制备NiO纳米线、在NiO纳米线的表面种植ZnO晶种、利用水热法使得ZnO晶种发育生长、样品烧结。实验结果表明基于本发明基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料的紫外光传感器在波长为365nm、强度为400mW/cm2的紫外光的照射下具有很高的光响应电流，电流强度能够达到毫安等级(大约3.5mA)。同时其光响应电流的强度可以通过紫外光的强度来调节，证明其是一种具有广阔应用前景的新型紫外光传感器。 | ||||||
| 18 | 碳纳米结构体的新型二级结构物、其集合束及包含其的复合材料 | CN201280030717.X | 2012-12-21 | CN103619755A | 2014-03-05 | 金成真; 金镇道; 姜京延; 尹载根 |
| 本发明涉及一种新型的碳纳米结构体二级结构物、其集合束及包含其的复合材料。本发明的二级结构物的特征在于，其通过多个碳纳米管（CNS）整体或部分地组装成管形状而形成。本发明的新型的二级结构物、其集合束及包含其的复合材料高度适用于能源材料、功能性复合材料、电池、半导体等领域。 | ||||||
| 19 | Nanotube particle device and method for using the same | US14493041 | 2014-09-22 | US10112317B2 | 2018-10-30 | Wayne R. Howe; Jeffrey H. Hunt; Angela W. Li; Dennis L. Coad |
| A nanotube particle device for two dimensional and three dimensional printing or additive/subtractive manufacturing. The nanotube particle device comprising a nanotube, a particle shooter, a positioning mechanism, and a detection sensor. The particle shooter shoots a particle down the nanotube towards a target, the detection sensor senses the collision of the particle with the target, and the positioning mechanism re-adjusts the positioning of the nanotube based on the results of the collision. A method for aiming the particle shooter and additive/subtractive manufacturing are also disclosed and described. | ||||||
| 20 | QUANTUM DOT GLASS PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | US15303033 | 2016-05-23 | US20170334716A1 | 2017-11-23 | Quan LI |
| A quantum dot glass plate includes a first glass substrate, a second glass substrate correspondingly parallel with the first glass substrate, and a glue layer arranged between the first glass substrate and the second glass substrate, where the glue layer includes at least one glue frame arranged in a line. A shape of the first glass substrate is same as a shape as the second glass substrate, and edges of the glue layer correspond to edges of the first glass substrate and the second glass substrate. | ||||||
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