子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 321 | Fine working method | JP26490697 | 1997-09-11 | JPH1183870A | 1999-03-26 | YANO KYOJI; KURODA AKIRA |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a fine conductive region to be formed on a nonconductive substrate by using a probe having a fine opening for applying light, and applying light from the fine opening thereof, thereby increasing the conductivity of nonconductive thin film. SOLUTION: An XY direction position controller 208 outputs a signal according to a command from a microcomputer 209 to move a piezoelectric element 204 to the XY direction so that an end of a probe 201 may come to a position where the surface of worked sample is worked. Then, according to a command of the microcomputer 209, a Z direction position controller 201 outputs a signal to move the element 204 to a position where the work is carried out to the surface of worked sample. Accordingly, since a part where the conductivity is increased is surrounded by a part where no increase in the conductivity occurs, a silicon oxide film and the air, an electron closing effect can be obtained. | ||||||
| 322 | Method for growing nanometer-scale particle | JP6346198 | 1998-03-13 | JPH10321834A | 1998-12-04 | SATO TOSHIHIKO; AHMED HAROON |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To enable use as a quantum electrode device such as a single electron transistor. SOLUTION: Nanometer-scale particles 3 of Au, for example, are caused to adhere onto an SiO2 surface layer 1 having receptor sites 4 of a first electric polarity provided by processing with an APTMS solution. The Au particles 3 has a surface charge 5 of the opposite second polarity by surface-absorbed citrate ions, for example. As a result, those particles are attracted to the surface sites on a substrate. The Au particles caused to adhered are released from the substrate sites following that. Those particles move on the substrate and are united to be a low-dimensionally integrated construction. It is possible to produce this integrated construction in an irregular surface part on the surface of the substrate. | ||||||
| 323 | Method and device for writing submicron structure on surface | JP8900391 | 1991-03-29 | JPH0793830A | 1995-04-07 | PEETAA HERUMAN GIYUUTONAA; HARII JIYONASAN MAMIN; DANIERU RIYUUGAA |
| PURPOSE: To provide a method and device which dislocate atoms to the surface so as to write in a submicron structure and which also continuously reproduce the tip end for writing by impressing a short voltage pulse. CONSTITUTION: A submicron structure can be written in on the surface by placing the scanning tip end 11 of a material, which releases atoms with a low voltage impressed, close to the surface 12 or desirably within the range of current tunneling. With the tip end held within the range and moved relatively against the surface, a series of short low voltage pulse is impressed between the tip end and the surface. The atoms 21 of the material of the tip end are dislocated directly to the surface by means of these pulses also, the remaining atoms of the material are moved to the tip end, reproducing the tip end continuously to maintain a sharp shape, so that a writing capacity is not interrupted. | ||||||
| 324 | Method for labeling discrete atoms or atom groups on solid surface stably with lapse of time and method for storing information unit of atomic arrangement by utilizing the method | JP15727691 | 1991-06-28 | JPH06103619A | 1994-04-15 | HAARARUTO FUKUSU; TOOMASU SHIMERU; HAARARUTO KERAA |
| PURPOSE: To stabilize the accumulation of information with lapse of time by enabling the selective removal of atoms from a solid surface without changing the lattice structure of the remaining atoms at the time of labeling the discrete atoms or atom groups including compds. or completely intimately mixed allays on the solid surface. CONSTITUTION: A high information density is obtd. by storing the information on the atom regions at the time of storing or writing information units. Namely, erasure is made possible again by recombining vacancy to the atoms or atom groups, by which the restoration of the original state is made possible. The recombination is effected on the surface of the solid and more particularly the semiconductor layer of doped chalcogenide, etc., to this size, for example, by using the needle-like electrode of a sensitive surface scanning probe of a scanning tunnel microscope or scanning atomic microscope and applying a short time of an electric field or magnetic field to the surface. The max. limit electric field surface of the semiconductor layer surface of this kind of the probe is 10 to 0.1nm and, therefore, a linear influence is exerted on the electron structure and the desorption of the specific one kind of the atoms is made possible. | ||||||
| 325 | JPH0580816B2 - | JP4501685 | 1985-03-08 | JPH0580816B2 | 1993-11-10 | GERUDO KAARU BININGU; KURISUTOFU EMANYUERU GERUBAA; HAINRITSUHI ROORERU; EDOMONDO UEIBERU |
| 326 | Method for selectively changing nanometer or subnanometer extra fine individual pattern on solid surface | JP14230792 | 1992-06-03 | JPH05242849A | 1993-09-21 | HAARARUTO FUKUSU; TOOMASU SHIMERU |
| PURPOSE: To change selectively and eliminate reversibly a pattern with a nm range of a solid surface by positioning a pattern with an space of Å range on a solid surface, or moving a tip of a surface sensitive scanning probe contacted to the surface on a surface pattern at practically same height level. CONSTITUTION: A tip of an extra fine surface sensitive scanning probe, that is a scanning tunneling microscope(STM) or the like, is positioned right above a pattern with a nm range which is desired to be changed. Next, by moving it with a certain space kept from x/y surface of a specimen surface of a pattern which is not changed yet, a change of the pattern is mechanically formed by a very fine probe, or formed by applying a voltage pulse between the specimen and the probe. Thereby, it becomes possible to form a pattern to maintain an atomic arrangement of the solid surface observed by STM on the pattern itself and around it. As a result, an image is formed with atomic resolution, and writing, reading, treatment of changes and erasing can be done freely at any place. | ||||||
| 327 | プログラム可能な自己組織化パッチナノ粒子と、それに関連する装置、システム、及び方法 | JP2018523367 | 2016-07-21 | JP2018533490A | 2018-11-15 | アーロン・ティ・サントス; デレク・エム・ライオンズ |
| 本発明は概してナノ加工に関し、いくつかの実施形態では、選択的に結合するパッチナノ粒子)を合成する方法、及びそれらから作ることができるデバイスに関する。いくつかの実施形態では、本発明は、パッチナノキューブから任意形状の構造体を組み立てる、以下の方法、及びそのデバイス、及びその使用に関する。例えば、ナノキューブの組み上げブロックは、選択的に結合する化学種(例えば、DNA、抗原抗体対等)をそれらの面にスタンプすることによって、又は非混和性を事前にプログラムすることができる、選択的に結合する多数のパッチ種を、ナノキューブに付着するように自己組織化を用いることによって、パッチされる。それから、いくつかの目的の構造体においてどの面を互いに結合させようとするか決めること、及びそれらの面上の選択的に結合するパッチを有するナノキューブを組み合わせることによって、任意形状の構造体を設計することができ、組み立てることができる。また、他の本発明の態様は、そのようなナノキューブ又は他のナノ粒子を作る方法、そのようなナノキューブを形成する方法も対象とする。 | ||||||
| 328 | カーボンナノチューブの表面処理方法 | JP2014136147 | 2014-07-01 | JP6422149B2 | 2018-11-14 | 文 淑英; 小笠原 俊夫; 井上 翼; 中西 太宇人 |
| 329 | 大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイの作製工程 | JP2016572503 | 2014-06-25 | JP6391716B2 | 2018-09-19 | リー ウー; シン ジョン ホー |
| 330 | 高表面積炭素オパールとそこから得られる逆オパール | JP2013125696 | 2013-06-14 | JP6367527B2 | 2018-08-01 | カズヒサ ヤノ; マシュー デイブ グッドマン; ポール バネスト ブラウン |
| 331 | カーボンナノチューブ繊維の製造装置 | JP2017528565 | 2016-07-25 | JP6339742B2 | 2018-06-06 | オ、ユ−チン; イ、ヨン−ホ; キム、チ−ウン; キム、チュ−ハン; チェ、ヨン−チン |
| 332 | バイオニックアーム及びバイオニックアームを採用するロボット | JP2017172704 | 2017-09-08 | JP2018064444A | 2018-04-19 | 馬 赫; 魏 洋; 劉 ▲カイ▼; 姜 開利; ▲ハン▼ 守善 |
| 【課題】本発明は、バイオニックアーム及びバイオニックアームを採用するロボットに関する。 【解決手段】 本発明のバイオニックアームは、バイオニックパームを含む。バイオニックパームは少なくとも一つの指を含む。少なくとも一つの指はアクチュエータを含み、アクチュエータはカーボンナノチューブ構造体と、二酸化バナジウム構造体と、を含む。カーボンナノチューブ構造体及び二酸化バナジウム構造体は積層して設置される。また、本発明は、バイオニックアームを採用するロボットを提供する。 【選択図】図28 |
||||||
| 333 | ピラー・アレイ構造を使用してエンティティを分別する装置、流体装置を提供する方法、およびナノピラー・アレイを形成する方法 | JP2017527579 | 2015-11-17 | JP2018506264A | 2018-03-08 | スミス、ジョシュア、トーマス; ブルース、ロバート、ローソン; アスティエ、ヤン、アンドレ; ワン、チャオ; ヴンシュ、ベンジャミン、ハーディー |
| 【課題】エンティティを分別することに関する技術を提供する。【解決手段】入口が、流体を受け入れるように構成され、出口が、流体が出るように構成される。入口および出口に連結されたナノピラー・アレイが、流体が入口から出口まで流れることができるように構成される。ナノピラー・アレイは、エンティティをサイズによって分離するように配置されたナノピラーを含む。ナノピラーは、ギャップが一方のナノピラーを他方のナノピラーから分離するように配置される。ギャップは、ナノスケール範囲になるように構築される。【選択図】図1 | ||||||
| 334 | 量子ドット薄膜形成方法 | JP2016535235 | 2014-12-09 | JP6243035B2 | 2017-12-06 | シム,ヒュン−チョル; ジョン,ソ−ヒ; チャン,ウォン−ソク |
| 335 | 透明導体用の極細金属ナノワイヤーの製造方法 | JP2017516162 | 2015-09-25 | JP2017534755A | 2017-11-24 | ヤン，ペイドン; サン，ジャンウェイ; ユー，イー; クイ，ファン |
| 本開示は、極細金属ナノワイヤーを製造する方法、及び極細で細長い銅ナノ構造体を製造する方法を提供する。これらの方法により製造される金属ナノワイヤー、及び透明導体としての金属ナノワイヤーの使用も主張する。主張する方法は、a)シラン系還元剤、銅金属塩、及び溶媒でもあり得る表面配位子を含む反応混合物を形成するステップ、並びに、b)前記反応混合物を1〜48時間、撹拌しながら又は撹拌せずに、高温に加熱し、維持するステップを含む。銅金属塩の例には、CuI、CuBr、CuCl、CuF、CuSCN、CuCl2、CuBr2、CuF2、Cu(OH)2、D-グルコン酸銅、CuMoO4、Cu(NO3)2、Cu(ClO4)2、CuP2O7、CuSeO3、CuSO4、酒石酸銅、Cu(BF4)2、Cu(NH3)4SO4、及び前記物質の任意の水和物がある。シラン系還元剤の例には、トリエチルシラン、トリメチルシラン、トリイソプロピルシラン、トリフェニルシラン、トリ-n-プロピルシラン、トリ-n-ヘキシルシラン、トリエトキシシラン、トリス(トリメチルシロキシ)シラン、トリス(トリメチルシリル)シラン、ジ-tert-ブチルメチルシラン、ジエチルメチルシラン、ジイソプロピルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルシラン、エチルジメチルシラン、エチルジクロロシラン、メチルジクロロシラン、メチルジエトキシシラン、オクタデシルジメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルメチルクロロシラン、1,1,4,4-テトラメチル-1,4-ジシラブタン、トリクロロシラン、ジメチルシラン、ジ-tert-ブチルシラン、ジクロロシラン、ジエチルシラン、ジフェニルシラン、フェニルメチルシラン、n-ヘキシルシラン、n-オクタデシルシラン、n-オクチルシラン、及びフェニルシランがある。表面配位子の例には、オレイルアミン、トリオクチルホスフィンオキシド、オレイン酸、1,2-ヘキサデカンジオール、トリオクチルホスフィン、又は前記物質の任意の組み合わせがある。前記透明導体が使用されるデバイスの例には、LCDディスプレー、LEDディスプレー、光起電装置、タッチパネル、ソーラーパネル、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)、OLEDディスプレー、及びエレクトロクロミックウィンドウがある。【選択図】図2 | ||||||
| 336 | 担体に担持された中空金属ナノ粒子を含む触媒の製造方法 | JP2015546403 | 2013-12-27 | JP6172482B2 | 2017-08-02 | チョ、ジュン ヨン; キム、サン フーン; ファン、ギョ ヒュン; キム、クワンギュン |
| 337 | 大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイの作製工程 | JP2016572503 | 2014-06-25 | JP2017517897A | 2017-06-29 | ウー リー; ジョン ホー シン |
| 本発明は、ボトムアップ式方式でGaAs半導体ナノワイヤーを製造する方法に関し、メッシュ状の金属薄膜を大面積に作製する経済的な方法により作製された金属薄膜をアノード(anode)として用いて外部から電圧および電流を印加してガリウムヒ素基板に正孔(h+)を注入させることで湿式エッチング工程を誘導し続けて垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーアレイを大面積に作製する方法に関する。得られる大面積の垂直整列されたガリウムヒ素半導体ナノワイヤーは、太陽電池、トランジスター、発光ダイオードなどナノ素子の作製に応用することができる。本発明によれば、ガリウムヒ素半導体ナノワイヤーの直径は、金属薄膜のメッシュのサイズの制御により調節することができ、ガリウムヒ素半導体ナノワイヤーの長さは、エッチング時間、印加電圧および印加電流を制御することにより自由に調節され、ガリウムヒ素半導体ナノワイヤーは、他のIII‐V半導体ナノワイヤーアレイの製造にも応用することができる。【選択図】図1 | ||||||
| 338 | 直接組立て用のダマシンテンプレートおよびナノ要素の転写 | JP2014541264 | 2012-11-08 | JP6126108B2 | 2017-05-10 | バスナイナ,アハメド; チョー,ハンチョル; ソム,シバスブラマニアン; ファン,ジュン |
| 339 | 色素増感型太陽電池用対向電極、色素増感型太陽電池および太陽電池モジュール | JP2016527647 | 2015-06-11 | JPWO2015190108A1 | 2017-04-20 | 明彦 吉原 |
| 本発明は、触媒活性に優れ、さらに量産化に適した色素増感型太陽電池用対向電極、この対向電極を備える色素増感型太陽電池、および、この色素増感型太陽電池を用いた太陽電池モジュールを提供することを目的とする。本発明の色素増感型太陽電池用対向電極は、支持体と、前記支持体上に形成された、特定のカーボンナノチューブを含む触媒層とを有する。また、本発明の色素増感型太陽電池は、上記対向電極を備え、本発明の太陽電池モジュールは、上記色素増感型太陽電池を用いる。 | ||||||
| 340 | 異方性金属ナノ粒子を利用した発光効率が増大された光変換発光素子 | JP2015524202 | 2013-11-07 | JP5965071B2 | 2016-08-03 | キム キセ; イ ドフン; チャン ホシク; チェ チャンヒョン |
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈