| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 181 | 一种电子节能灯镇流器制作中的补焊方法 | CN201511033773.0 | 2015-12-31 | CN105458432A | 2016-04-06 | 桑永树; 李运鹤; 桑世锋; 刘军 |
| 本发明公开了一种电子节能灯镇流器制作中的补焊方法，包括以下步骤：(1)检查镇流器的焊锡面是否符合要求，检查范围包括但不限于是否有虚焊、漏焊、连焊现象，如有，需进行补焊步骤；检查元器件引脚是否控制在1.5-2.0mm之间，如果过长，需剪掉，然后重新上锡；(2)补焊用的烙铁实际温度控制在330-350℃，烙铁尖与PCB板焊点呈60°角，焊锡时间控制在3s以内，并时常用高温海绵清洁烙铁头上的旧焊锡、无光泽的焊锡。本发明的有益效果是：补焊效果好，焊点充实，光滑，合格率高。 | ||||||
| 182 | 一种用于真空开关装配的钎焊方法 | CN201510894425.6 | 2015-12-07 | CN105436645A | 2016-03-30 | 施大成; 李文艺; 廉继英; 王南南; 李正; 陈飞 |
| 本发明公开了一种用于真空开关装配的钎焊方法，属于焊接技术领域。该方法采用对待焊接部件进行镀金预处理，相比传统镀镍的工艺方法，提高了焊料对金属涂层的浸润性，同时避免了电镀镍时氯离子残留对部件焊缝的腐蚀隐患，提高了产品的焊接质量，提高了焊缝的气密性，延长了产品的使用寿命，保证产品长期运行的可靠性。进一步的，本发明优选镀金层的厚度为0.1μm～0.3μm，使形成的焊缝具有符合要求的抗拉强度，具有很好的密封性能。更进一步的，本发明选择镀金溶液为含金主盐和钴添加剂的溶液，使形成的镀层中含有金99.7％、钴0.3％，纯度满足焊接要求，具有宽的电流能量密度范围(2～6A/dm2)，提高了产品质量性能。 | ||||||
| 183 | 一种高频感应加热钎焊聚晶立方氮化硼刀具的制作方法 | CN201610014652.X | 2016-01-11 | CN105414692A | 2016-03-23 | 卢金斌; 殷振; 王广勋; 刘威; 姜云峰; 张旺玺; 齐芳娟; 马明星; 曹自洋; 朱其新 |
| 本发明属于超硬材料工具制作领域，具体涉及钎焊聚晶立方氮化硼刀具的制作方法。所述聚晶立方氮化硼具有优异的力学性能和物理性能，TiAl、NiAl金属间化合物具有高熔点、高硬度和良好的高温性能，采用Ti、Ni、Al、Cu单质金属混合粉作为钎料，其中的Ti能够与立方氮化硼实现化合反应。采用高频感应加热钎焊可以实现Al、Ni以及Ti、Al之间的放热反应，Cu可以调控反应的程度，将Ni、Al、Ti、Cu单质金属粉作为钎料布置在聚晶立方氮化硼刀片与刀体之间，在高频感应钎焊的快速加热下，钎缝处形成金属间化合物的同时，立方氮化硼与钎料间发生界面反应，实现良好的润湿，钎缝性能好，且成本低。 | ||||||
| 184 | 二次电池及其形成方法和用于二次电池的电极接线片布置 | CN201510552669.6 | 2015-09-01 | CN105406102A | 2016-03-16 | 金基雄; 崔宰熏; 慎景宰 |
| 提供了一种二次电池及其形成方法和用于二次电池的电极接线片布置。所述二次电池包括裸电池和保护电路模块。保护电路模块包括保护电路板、第一端子和第二端子。第一端子和第二端子电连接到裸电池的正电极接线片和负电极接线片。正电极接线片焊接到第一端子，负电极接线片焊接到第二端子，焊料层位于正电极接线片的焊接到第一端子的相应的表面上，焊料层位于第二端子和负电极接线片的一个或更多个上。 | ||||||
| 185 | 用于空调回路的包括流体制冷剂接收器的部件的钎焊方法，以及这样的接收器 | CN201080064542.5 | 2010-12-09 | CN102762330B | 2016-03-16 | L.莫雷厄; L.陶平; P.赞彻塔 |
| 本发明涉及用于空调回路的包括流体制冷剂接收器（200）的部件（100）的铜焊方法，所述接收器包含用于所述流体制冷剂的干燥器（210）。所述方法包括以下步骤：使所述接收器（200）配备有封锁装置（221、222），所述封锁装置能够使所述干燥器（210）与所述部件（100）隔离；将所述接收器（200）和所述部件（100）组装和铜焊在一起；释放所述封锁装置（221、222）。本发明还涉及特别意图用于通过应用到机动车辆的空调而实施所述方法的流体接收器。 | ||||||
| 186 | 带气膜冷却槽的高温合金锥形薄壁构件的钎焊方法 | CN201510909053.X | 2015-12-10 | CN105382366A | 2016-03-09 | 任耀文; 任军; 李淑芳; 王程成; 任轩 |
| 本发明涉及带气膜冷却槽的高温合金锥形薄壁构件的钎焊方法，包括以下步骤：(1)、抛研内锥套和外锥套的待接面，去掉氧化物及烧蚀表面，并清洗和烘干；(2)、在外锥套的待接面上固定0.03mm厚的非晶态箔状HBNi68WCrSiB钎料；(3)、用外夹具和内夹具将内锥套和外锥套装配在一起，用压力机压紧，使待接面紧密结合；(4)、整体入炉进行瞬时液相过渡钎焊，炉内真空度不低于4×10-2pa，温度为1140±10℃，保温时间为60min；(5)、进行真空时效处理，温度为900℃±5℃，保持时间为6小时；(6)往炉内充填高纯氩气或氮气，使炉内压力上升到8×104Pa后，快速冷却到65℃以下出炉。该钎焊方法即保证了锥形构件的强度，又不会阻塞气膜冷却槽而影响锥形构件的性能。 | ||||||
| 187 | 一种铝或铝合金与其它金属钎焊的方法 | CN201510874581.6 | 2015-12-02 | CN105345195A | 2016-02-24 | 亓钧雷; 王泽宇; 范增奇; 林景煌; 张骜天; 冯吉才 |
| 一种铝或铝合金与其它金属钎焊的方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有铜颗粒中间层钎焊铝或铝合金与其它金属的过程中，因铝铜共晶反应剧烈且难以控制而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：一、将铜颗粒置于化学气相沉积设备中，通入氢气与氩气的混合气体；二、在一定温度下，进行沉积，沉积结束后调节气体流量；三、将制备的石墨烯增强铜颗粒中间层复合材料置于铝或铝合金与其它金属中间，放置于真空钎焊炉中钎焊，最后将其缓慢冷却至室温完成钎焊。本发明用于铝或铝合金与其它金属钎焊的方法。 | ||||||
| 188 | 一种声-热耦合形成颗粒增强焊缝的高硅铝合金焊接方法 | CN201510874390.X | 2015-12-03 | CN105269105A | 2016-01-27 | 王谦; 朱琳; 周小玉 |
| 本发明属于材料焊接与连接技术领域，具体地涉及是一种多物理场耦合形成颗粒增强焊缝的高硅铝合金焊接方法。本发明是要解决在焊接高硅铝合金的过程中，由于铝和氧亲和力强而产生的难熔物氧化膜对焊缝熔合的不利影响，以及高硅铝合金中含有大量的硅所导致的硅裂和团聚长大等问题。本发明方法为：使用钎料，大气条件下，外加热源和超声作用，对高硅铝合金进行中低温焊接，通过声-热耦合使高硅铝合金中的增强相Si进入焊缝，形成颗粒增强的复合焊缝结构，进而实现难焊的高硅铝合金的高强、可靠连接。 | ||||||
| 189 | 贴附电子元件的方法 | CN201510391645.7 | 2015-07-06 | CN105244295A | 2016-01-13 | 斯文·沃尔兹克; 约翰·勒内·德比尔; 埃里克·埃尔特因克; 阿马尔·阿肖克·马维库夫 |
| 一种将电子元件贴附到金属基板的方法，电子元件包括提供在暴露的焊接区域的焊料。该方法包括：在基板上形成基于金属的复合物层；将电子元件置于金属基板上，从而焊接区域与基于金属的复合物层的接触区域相接触；以及加热焊接区域，从而基于金属的复合物层分解，并且焊接区域形成为电子元件与金属基板之间的电连接。基于金属的复合物层的最小厚度为10nm。 | ||||||
| 190 | 一种储液器吸排气管的焊接工艺 | CN201510594589.7 | 2015-09-17 | CN105234515A | 2016-01-13 | 樊锋; 胡泽华 |
| 本发明公开了一种储液器吸排气管的焊接工艺，包括储液器、小钢管和铜弯管，所述小钢管和铜弯管的连接处设有套管，套管卡在储液器的通孔处，焊接工艺包括以下步骤：焊接前处理，包括打磨和清洗；部件组装，将小钢管和铜弯管的端部分别卡在套管内，形成焊接件；进行焊接；将焊接件的套管卡在储液器的通孔处，进行焊接，减少、杜绝焊接接口泄漏隐患，铜管+铁管+其它材料或结构产品分：采用不同焊接工艺1次焊接或多次焊接；现有常规工艺焊接后泄漏率约为几百PPM；改善后泄漏率约为几个PPM近乎不漏。 | ||||||
| 191 | 一种钢-钢冷却夹层结构工件的气体加压扩散钎焊方法 | CN201510727762.6 | 2015-10-30 | CN105215498A | 2016-01-06 | 李珍珍; 吴振中; 李双吉; 朱笑睿; 张文博; 王瑞琦 |
| 本发明提供了一种钢-钢冷却夹层结构工件的气体加压扩散钎焊方法，在工件外壁内表面和内壁外表面上电镀镍，并在内壁筋条表面预置箔状的BMn70NiCr合金作为中间层；内外壁装配到位后将工件装入扩散焊炉中，工件内腔抽真空并对炉膛内充一定压力的氩气，实现内腔与炉膛的压差；控制炉膛分阶段按不同速率升温，在等温凝固及成分均匀化阶段分别进行一定时间的保温。本发明有效地提升了铣槽式喷管的钎焊质量，通过气体加压的方式保证了工件内、外壁的紧密贴合，并且在等温凝固结束后增加了成分均匀化的阶段，大大提高了钎焊接头的性能。 | ||||||
| 192 | 用于钎焊泡沫铝板的Al-Si-Mg系非晶钎料及制备方法和钎焊方法 | CN201510726673.X | 2015-10-30 | CN105195917A | 2015-12-30 | 许祥平; 王锡岭; 夏春智; 邹家生; 周怡 |
| 本发明公开了一种钎焊泡沫铝板的Al-Si-Mg系非晶钎料及制备方法和钎焊方法，该非晶钎料包含Si、Mg、Cu、Ge、Ni、Ti和Al，上述组分的质量百分比分别为Si11.0％～15.0％，Mg1.0％～3.0％，Cu0.3％～1.0％，Ge0.5％～1.5％，Ni0.2％～0.8％，Ti0.1％～0.5％，余量为Al。本发明的Al-Si-Mg系非晶钎料成分配置合理，因为合理地添加了有关合金元素，钎料的钎焊温度在570～600℃，钎料熔化温度较低，钎料熔化均匀，钎料润湿性及填缝性好，且该钎料不含元素锌，消除了元素锌带来的不利影响，是一种环保型钎料。使用本发明的非晶钎料箔片有利于促进钎焊连接过程中合金元素的扩散和界面反应，有助于获得良好力学性能的钎焊接头。 | ||||||
| 193 | 一种多尺度联合提高导电陶瓷基材料钎焊接头强度的方法 | CN201510702499.5 | 2015-10-26 | CN105195846A | 2015-12-30 | 林铁松; 何鹏; 冯青华 |
| 一种多尺度联合提高导电陶瓷基材料钎焊接头强度的方法，本发明涉及一种多尺度联合提高导电陶瓷基材料钎焊接头强度的方法。本发明是要解决现有导电陶瓷基材料钎焊方法连接的接头强度低、陶瓷基材料与金属的热膨胀系数差异所导致的残余应力大、可靠性低的问题，方法为：一、导电陶瓷基母材连接面表面处理；二、配制钎料；三、钎料放置；四、真空钎焊连接，即完成。本发明通过宏观尺度和微观尺度的联合作用，最大程度上缓解了接头应力，提高接头的强度可靠性。本方法获得的导电陶瓷基材料钎焊接头的抗压剪强度为155～265MPa，比采用常规平直界面和无增强相的钎焊接头强度提高了165％～345％。本发明应用于钎焊领域。 | ||||||
| 194 | 一种IDC刺破沾锡机 | CN201510569159.X | 2015-09-09 | CN105149718A | 2015-12-16 | 刘志昌 |
| 本发明公开一种IDC刺破沾锡机，包括机台，机台上端设有线材输送线和连接器输送线，线材输送线和连接器输送线的出料端均与翻转沾助焊剂沾锡装置连接，翻转沾助焊剂沾锡装置上的产品通过一产品拿取装置拿取搬运到产品输出滑道，线材输送线的出料端设有用于调节线材长度的长度调整装置，翻转沾助焊剂沾锡装置的下方设有锡炉，机台前侧设有控制翻转沾助焊剂沾锡装置、产品拿取装置和长度调整装置动作的控制箱。本产品从材料到沾锡沾助焊剂完成均是通过机械自动完成操作，基本上不需要人工操作，操作工人只需在控制箱的人机操作界面上进行设定即可，操作简单方便、效率高。 | ||||||
| 195 | 一种硅基陶瓷表面金属化方法 | CN201510679841.4 | 2015-10-19 | CN105149717A | 2015-12-16 | 林铁松; 何鹏; 赵万祺 |
| 一种硅基陶瓷表面金属化方法，涉及一种陶瓷表面金属化方法。本发明要解决现有技术中硅基陶瓷表面金属化方法复杂，硅基陶瓷表面与合金钎料的相容性差、硅基陶瓷与合金钎料连接界面残余应力高、合金钎料对硅基陶瓷的润湿性差、连接构件与硅基陶瓷连接强度和可靠性低的问题。本发明方法：步骤一：制备Ti-Si合金钎料；步骤二：制备Ti-Si合金钎料薄片；步骤三：硅基陶瓷去氧化层处理；步骤四：硅基陶瓷表面金属化。本发明方法提高硅基陶瓷与合金钎料的相容性，有效的缓解硅基陶瓷接头应力，提高接头强度及可靠性，提高了合金钎料对硅基陶瓷的润湿性，工艺简单，可重复性高，适用范围广。本发明用于硅基陶瓷表面金属化。 | ||||||
| 196 | 一种光电子器件管口的封装方法 | CN201510553280.3 | 2015-09-01 | CN105127532A | 2015-12-09 | 朱月林; 雷奖清; 刘国林 |
| 本发明提供一种光电子器件管口的封装方法，其中光电子器件还包括一从管口延伸出来的光纤镀金管；该光电子器件管口的封装方法应用的工装夹具为石墨夹，该石墨夹包括石墨电极冷却吹风管和热敏电阻；其封装方法包括以下步骤：首先，预制锡环并将锡环套在镀金管上；其次，用石墨夹夹持该光电子器件的管口；再次，对石墨夹通电，使得锡环熔化将镀金管和管口内壁之间的空隙填充密封；最后，切断电源，冷却吹风管启动释放冷却气体对光电子器件进行冷却；由于预制锡环，结合石墨夹的工装自动化设计和工艺参数实验结果，比手工操作焊接具有可靠性高、一致性好，上锡量均匀，易于实现自动化大批量生产的优点。 | ||||||
| 197 | 一种利用NiCrSi钎料实现SiC基复合陶瓷与Invar合金连接的钎焊方法 | CN201510582412.5 | 2015-09-14 | CN105081503A | 2015-11-25 | 段小明; 贾德昌; 吴祖亮; 杨治华; 何培刚; 田卓; 王胜金; 周玉 |
| 一种利用NiCrSi钎料实现SiC基复合陶瓷与Invar合金连接的钎焊方法，本发明涉及一种钎焊方法，本发明是要解决SiC基复合陶瓷与Invar合金连接难度大，接头性能不好的问题，方法为：打磨、抛光、清洗然后将NiCrSi钎料粘在SiC复合陶瓷和Invar合金之间，再放入真空钎焊炉中压紧，抽真空，升温至400～700℃，保温，再进行钎焊连接，然后降温至500℃，最后随炉冷却，即完成。本发明通过连接层与母材之间的成分扩散均匀化，进一步提高接头的耐高温性能，最终获得综合性能良好的接头，剪切强度可达76mpa，本发明属于异种材料的连接技术领域。 | ||||||
| 198 | 一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法 | CN201510553532.2 | 2015-09-02 | CN105081500A | 2015-11-25 | 刘威; 王春青; 田艳红; 安荣; 郑振 |
| 本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。 | ||||||
| 199 | 一种基于SMT工艺批量生产BGA植球的制备方法 | CN201510420478.4 | 2015-07-17 | CN105081497A | 2015-11-25 | 朱军华; 虞沈捷; 陈运浩 |
| 本发明公开了一种基于SMT工艺批量生产BGA植球的制备方法，包括以下具体步骤：a、物料准备，b、助焊剂印刷，c、焊球印刷，d、炉前自动光学检查，e、炉前检查，f、回流焊接，g、炉后自动光学检查，h、回流焊后目检。通过上述方式，本发明提供的基于SMT工艺批量生产BGA植球的制备方法，自动对位印刷助焊剂和印刷焊球，自由转换，可小批量生产或大批量生产，产品交期短，可根据客户测试结果及时调整BGA（球状矩阵排列）产品变更，更好地服务客户。 | ||||||
| 200 | 用于铜和铜合金的表面处理组合物及其利用 | CN201280030585.0 | 2012-05-23 | CN103620088B | 2015-11-25 | 平尾浩彦; 山地范明; 中西正人; 村井孝行 |
| 本发明公开了一种包含咪唑化合物的用于铜或铜合金的表面处理组合物以及在将电子部件焊接至印刷线路板时使用所述组合物的方法。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈