| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 自适应功率放大器 | CN201480013041.2 | 2014-03-10 | CN105191120A | 2015-12-23 | J·查; C-H·李; W·金; A·哈德吉克里斯托; Y·赵 |
| 各示例性实施例涉及包络跟踪功率放大器(310)。一种设备可以包括处于堆叠配置中的多个晶体管中的第一晶体管(MN)，该第一晶体管被配置成接收随射频(RF)输入信号的包络而变化的电源电压(VDD)。该设备可以进一步包括处于堆叠配置中的该多个晶体管中的第二晶体管(M1)，该第二晶体管耦合至参考电压并且被配置成接收与电源电压(VDD)成反比地变化的动态偏置电压(VG1)。 | ||||||
| 2 | 低电压多级放大器 | CN201380039220.9 | 2013-07-26 | CN104488192A | 2015-04-01 | V·翰纳瑟卡兰 |
| 描述了低电压多级放大器(306)。该低电压多级放大器(306)包括一个或多个先前级(310、312)。该低电压多级放大器(306)还包括电源级(314)。该低电压多级放大器(306)进一步包括输出级(316)，其以与输出级(316)中的第一晶体管(347)的阈值电压和电源级(314)的第二晶体管(344)的饱和电压之和一样低的电源电压来操作。电源级(314)对输出级(316)供电。 | ||||||
| 3 | 具有提高的稳定性的分布式放大器 | CN201210060713.8 | 2012-03-09 | CN102684610B | 2015-03-25 | K·贝松 |
| 本发明涉及一种具有提高的稳定性的分布式放大器，包括输入传输电路，输出传输电路，耦合在所述输入传输电路和输出传输电路之间的至少一个共栅共源放大器。每一个共栅共源放大器包括耦合到所述输出传输电路的共用栅极配置的晶体管和耦合在所述输入传输电路和所述共用栅极配置的晶体管之间的共用源极配置的晶体管。所述分布式放大器还包括串联耦合在至少一个共用栅极配置的晶体管的栅极和漏极之间的非寄生电阻和电容，用于增加放大器稳定性。 | ||||||
| 4 | 可使用不同电池电源电压的射频功率放大器及其操作方法 | CN201010152409.7 | 2010-04-21 | CN101873104B | 2012-12-12 | 李明远; 阿里·阿弗萨希; 阿里亚·雷扎·贝扎特 |
| 本发明涉及一种可使用不同的电池电源电压的射频功率放大器及其操作方法。跨导级具有带射频信号输入的跨导器件。共源共栅级具有至少一个共源共栅晶体管，所述共源共栅级与跨导级串联在电池电压节点和地之间，所述共源共栅级具有射频信号输出和至少一个偏压输入给所述至少一个共源共栅晶体管。针对低电池电压，共源共栅偏压反馈电路施加固定的偏置电压给所述至少一个偏压输入；针对高电池电压，共源共栅偏压反馈电路施加反馈偏置电压给所述至少一个偏压输入，其中所述反馈偏置电压是基于所述电池电压节点的电压的。该射频功率放大器支持两个以上的不同电池电源电压。 | ||||||
| 5 | 具有提高的稳定性的分布式放大器 | CN201210060713.8 | 2012-03-09 | CN102684610A | 2012-09-19 | K·贝松 |
| 本发明涉及一种具有提高的稳定性的分布式放大器，包括输入传输电路，输出传输电路，耦合在所述输入传输电路和输出传输电路之间的至少一个共栅共源放大器。每一个共栅共源放大器包括耦合到所述输出传输电路的共用栅极配置的晶体管和耦合在所述输入传输电路和所述共用栅极配置的晶体管之间的共用源极配置的晶体管。所述分布式放大器还包括串联耦合在至少一个共用栅极配置的晶体管的栅极和漏极之间的非寄生电阻和电容，用于增加放大器稳定性。 | ||||||
| 6 | 用于多堆叠放大器的可调整增益 | CN201380059575.4 | 2013-11-15 | CN104782046B | 2017-08-29 | J·查; C-H·李; A·哈德吉克里斯托斯 |
| 用于提供放大器中的可调整增益的技术。在一方面，具有可调整增益的合成放大器包括并联地耦合的多个放大器，其中每一个放大器可被接通或关断以调整合成放大器的总增益。每一个放大器可包括输入晶体管以及至少两个共源共栅晶体管。为了关断每一个放大器，耦合到输入晶体管的第二或最低共源共栅晶体管的栅电压可被接地，并且耦合到输出电压的第一共源共栅晶体管的栅电压可以耦合到第一截止电压，以减少跨第一共源共栅晶体管的栅‑漏压降。进一步方面允许在放大器被关断时将耦合到共源共栅晶体管的栅极的电容器与AC接地解耦。 | ||||||
| 7 | 电路和功率放大器 | CN201210462155.8 | 2012-09-29 | CN103051297B | 2016-08-03 | S·吕施纳; J-E·米勒 |
| 本发明涉及电路和功率放大器。一种共源共栅放大器电路，具有第一晶体管和第二晶体管，其中连接第一晶体管和第二晶体管以构成共源共栅放大器。另外，该电路具有连接在第二晶体管的控制端子和第一晶体管的源极端子之间的隔直电容。另外，该电路具有连接在第二晶体管的漏极端子和第一晶体管的控制端子之间的反馈元件。 | ||||||
| 8 | 用于多堆叠放大器的可调整增益 | CN201380059575.4 | 2013-11-15 | CN104782046A | 2015-07-15 | J·查; C-H·李; A·哈德吉克里斯托斯 |
| 用于提供放大器中的可调整增益的技术。在一方面，具有可调整增益的合成放大器包括并联地耦合的多个放大器，其中每一个放大器可被接通或关断以调整合成放大器的总增益。每一个放大器可包括输入晶体管以及至少两个共源共栅晶体管。为了关断每一个放大器，耦合到输入晶体管的第二或最低共源共栅晶体管的栅电压可被接地，并且耦合到输出电压的第一共源共栅晶体管的栅电压可以耦合到第一截止电压，以减少跨第一共源共栅晶体管的栅-漏压降。进一步方面允许在放大器被关断时将耦合到共源共栅晶体管的栅极的电容器与AC接地解耦。 | ||||||
| 9 | 电路和功率放大器 | CN201210462155.8 | 2012-09-29 | CN103051297A | 2013-04-17 | S·吕施纳; J-E·米勒 |
| 本发明涉及电路和功率放大器。一种共源共栅放大器电路，具有第一晶体管和第二晶体管，其中连接第一晶体管和第二晶体管以构成共源共栅放大器。另外，该电路具有连接在第二晶体管的控制端子和第一晶体管的源极端子之间的隔直电容。另外，该电路具有连接在第二晶体管的漏极端子和第一晶体管的控制端子之间的反馈元件。 | ||||||
| 10 | 可使用不同电池电源电压的射频功率放大器及其操作方法 | CN201010152409.7 | 2010-04-21 | CN101873104A | 2010-10-27 | 李明远; 阿里·阿弗萨希; 阿里亚·雷扎·贝扎特 |
| 本发明涉及一种可使用不同的电池电源电压的射频功率放大器及其操作方法。跨导级具有带射频信号输入的跨导器件。共源共栅级具有至少一个共源共栅晶体管，所述共源共栅级与跨导级串联在电池电压节点和地之间，所述共源共栅级具有射频信号输出和至少一个偏压输入给所述至少一个共源共栅晶体管。针对低电池电压，共源共栅偏压反馈电路施加固定的偏置电压给所述至少一个偏压输入；针对高电池电压，共源共栅偏压反馈电路施加反馈偏置电压给所述至少一个偏压输入，其中所述反馈偏置电压是基于所述电池电压节点的电压的。该射频功率放大器支持两个以上的不同电池电源电压。 | ||||||
| 11 | 可变增益放大器 | CN03821923.9 | 2003-09-10 | CN1682439A | 2005-10-12 | 大谷晃一; 佐久间刚 |
| 一种可变增益放大器可改善增益衰减时的失真特性(IIP3)而不损害最大增益时关于增益PG和噪声指数NF的特性。在该可变增益放大器中，多个双栅极型FET并联连接。每个双栅极型FET由栅极接收输入信号的第一FET(6、8)和与第一FET(6、8)级联的第二FET(7、9)构成。该放大器以这样的方式配置：可从电压控制装置将栅极控制电压(Vcon1、Vcon2)施加到每个双栅极型FET的第二FET(7、9)。 | ||||||
| 12 | マルチスタック増幅器のための調整可能利得 | JP2015542854 | 2013-11-15 | JP6373856B2 | 2018-08-15 | チャ、ジョンウオン; リ、チャン−ホ; ハドジクリストス、アリストテール |
| 13 | 電力増幅器において供給感度を低減するための回路および方法 | JP2017521136 | 2015-10-13 | JP2017531407A | 2017-10-19 | スクデリ、アントニーノ; ハドジクリストス、アリストテール |
| 一実施形態において、本開示は、入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する第1の電力増幅器のステージを備える回路を含み、第1の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける。回路は、入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する、第1の電力増幅器のステージと並列に構成される第2の電力増幅器のステージをさらに含み、第2の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける。第1の電力増幅器のステージの第1の利得は、電源電圧が第1の低電圧範囲にあるとき減少し、および第2の電力増幅器のステージの第2の利得は、第1の低電圧範囲における第1の電力増幅器のステージの減少する利得を補う。 | ||||||
| 14 | 適応型電力増幅器 | JP2016501062 | 2014-03-10 | JP2016511617A | 2016-04-14 | チャ、ジョンウオン; リ、チャン−ホ; キム、ウォンユン; ハドジクリストス、アリストテール; ジャオ、ユ |
| 例示的な実施形態は、エンベロープトラッキング電力増幅器(310)に関する。デバイスは、無線周波数(RF)入力信号のエンベロープに伴って変動する電源電圧(VDD)を受けるように構成された、スタック構造の複数のトランジスタのうちの第1のトランジスタ(MN)を含み得る。デバイスは、基準電圧に結合されており、電源電圧(VDD)に反比例して変動する動的なバイアス電圧(VG1)を受けるように構成された、スタック構造の複数のうちの第2のトランジスタ(M1)をさらに含み得る。【選択図】図6 | ||||||
| 15 | 低電圧マルチステージ増幅器 | JP2015524487 | 2013-07-26 | JP2015523821A | 2015-08-13 | ダナセカラン、ビジャヤクマー |
| 【解決手段】低電圧マルチステージ増幅器が、説明される。低電圧マルチステージ増幅器は、1つまたは複数の前段のステージを含む。低電圧マルチステージ増幅器は、供給ステージも含む。低電圧マルチステージ増幅器は、更に前記出力ステージ中の第1のトランジスタのしきい値電圧と、前記供給ステージの第2のトランジスタの飽和電圧と、の合計と同じくらい低い供給電圧で動作する出力ステージを含む。供給ステージは出力ステージを供する。 | ||||||
| 16 | マルチスタック増幅器のための調整可能利得 | JP2015542854 | 2013-11-15 | JP2015535165A | 2015-12-07 | チャ、ジョンウオン; リ、チャン−ホ; ハドジクリストス、アリストテール |
| 増幅器において調整可能利得を与えるための技法。一態様では、調整可能利得を有する複合増幅器が、並列に結合された複数の増幅器を含み、増幅器の各々が、複合増幅器の全体的利得を調整するためにオンまたはオフにされ得る。各増幅器が、入力トランジスタと少なくとも2つのカスコードトランジスタとを含み得る。各増幅器をオフにするために、入力トランジスタに結合された第2のまたは最低カスコードトランジスタのゲート電圧が接地され得、出力電圧に結合された第1のカスコードトランジスタのゲート電圧が、第1のカスコードトランジスタの両端間のドレインゲート間電圧降下を低減するために第1のターンオフ電圧に結合され得る。さらなる態様は、増幅器がオフにされたときに、カスコードトランジスタのゲートに結合されたキャパシタをAC接地から分離することを提供する。 | ||||||
| 17 | 帰還抵抗を有するフィールドプレートトランジスタ | JP2012506141 | 2010-04-13 | JP5756794B2 | 2015-07-29 | ツァーン、フア クエン; ファニング、デイビッド、マイケル |
| 18 | Rf front end integrated circuit | JP2010232563 | 2010-10-15 | JP4892092B2 | 2012-03-07 | ケーブル，ジェイムズ，エス; バーグナー，マーク，エル |
| 19 | Rf front end integrated circuit | JP2010232563 | 2010-10-15 | JP2011041315A | 2011-02-24 | BURGENER MARK L; CABLE JAMES S |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a monolithic IC or the like having an RF front end or the like for a portable communication device. <P>SOLUTION: The RF front end includes a power amplifier (PA), a matching, coupling and filtering circuit, and an antenna switch coupling an adjusted PA output signal to an antenna. An output signal sensor detects at least the voltage amplitude of a signal switched by the antenna switch and instructs a PA control circuit to control PA output power according to the excessive value of the detected output. In a favorable manufacturing technology, a plurality of FETs (Field Effect Transistors) are stacked to form a switching device. A class i PA architecture that terminates dissipatedly unnecessary high frequencies of the PA output signal is described. A favorable embodiment of an RF transceiver IC includes two distinguishable PA circuits, two distinguishable receive signal amplifier circuits, and a 4-way antenna switch for selectively coupling single antenna connection to one of four circuits. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT | ||||||
| 20 | SWITCHING CIRCUIT | EP15174613.8 | 2015-06-30 | EP3113358B1 | 2018-08-29 | ZHANG, Xiaoqiang; INGELS, Mark Maria Albert |
| The present invention relates to a conversion circuit (10) comprising - a first input terminal for receiving a digital signal (RFin), - a second input terminal for receiving a bias voltage signal (Vb), - an output terminal for outputting a current, - a first (SW1) and a second (SW2) switch transistor connected to said first input terminal for receiving said digital signal (RFin), - a first (M1) and a second (M2) current source transistor connected to said second input terminal for receiving said bias voltage signal (Vb), whereby said conversion circuit comprises a first branch wherein said first switch transistor is connected to said output terminal via said first current source transistor and a second branch wherein said second current source transistor is connected to said output terminal via said second switch transistor. | ||||||
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