| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 基带处理电路装置 | CN201480052550.6 | 2014-09-19 | CN105580271A | 2016-05-11 | L-C·常; B·格普塔; T·D·加思曼; I·R·查玛斯 |
| 用于针对无线电IC设计基带处理电路装置的技术。在一方面，公开了用于IC的基带部分中的差分到单端转换的技术以降低RF IC的管脚数量和封装尺寸。在另一方面，转换器包括可选择的窄带放大器和宽带放大器，其中可以使用具有比窄带放大器的对应的晶体管器件更小面积的晶体管器件实施宽带放大器。描述了用于旁路一个或多个元件以及用于使用R-C滤波器网络实施转换器的低通滤波器的另外的技术。 | ||||||
| 22 | 信号放大电路 | CN201510583515.3 | 2011-08-01 | CN105281679A | 2016-01-27 | 李志虹 |
| 本发明提供一种用来处理一输入信号的信号放大电路，所述信号放大电路包含一输入级、多个输出级以及一选择级。输入级具有一输入节点用来接收该输入信号以及一输出节点用来输出一中间信号。多个输出级分别耦接于该信号放大电路的多个输出端，其中每一输出级于开启时，会根据一增益与该中间信号来产生一相对应的处理信号至一相对应的输出端。选择级用来选择性地将该输入级的该输出节点耦接至多个输出级中的至少一个。该信号放大电路操作于第一操作模式下时，输出第一数目的处理信号，以及该信号放大电路操作于第二操作模式下时，输出第二数目的处理信号，其中该第二数目与第一数目不同。 | ||||||
| 23 | 窄带可调谐射频（RF）功率放大器和相关方法 | CN201180033908.7 | 2011-06-23 | CN102986135B | 2015-11-25 | P·N·莫甘; T·J·迪普伊; D·E·博克尔曼 |
| 本发明公开了窄带可调谐射频（RF）功率放大器（PA）和相关方法。该窄带可调谐射频（RF）功率放大器和相关方法提供窄带可调谐增益响应，例如线性增益响应，该窄带可调谐增益响应可针对不同的频带被选择。从而窄带可调谐PA针对不同的可选择的频带提供频带以外的抑制，因此对于通信设备而言，在传输输入路径中不需要窄带滤波器。根据需要，使用不同的技术可调谐用于窄带增益响应的通带位置和/或带宽。如果需要，也可使用CMOS工艺制造集成电路，从而提供CMOS PA集成电路。 | ||||||
| 24 | 信号放大电路 | CN201110217755.3 | 2011-08-01 | CN102386866B | 2015-11-25 | 李志虹 |
| 本发明提供一种用来处理一输入信号的信号放大电路，所述信号放大电路包含一输入级、多个输出级以及一选择级。该输入级具有一输入节点用来接收该输入信号，与一输出节点用来送出一由该输入信号转换中间信号。该多个输出级分别耦接于该信号放大电路的多个输出端，其中每一输出级于开启时，会根据一增益与该中间信号来产生一相对应之处理信号至一相对应的输出端。该选择级用来根据至少一控制信号选择性地将该输入级的该输出节点耦接至该多个输出级中的至少一个。 | ||||||
| 25 | 多级CMOS功率放大器 | CN201010215236.9 | 2010-06-25 | CN102055409B | 2014-12-10 | 金胤锡; 裵孝根; 南重镇; 元俊九; 金基仲 |
| 本发明提供了一种多级CMOS功率放大器，其包括：激励放大器，具有差动输出端，使通过第一和第二输入端输入的差动信号反相，并通过差动输出端输出相应反相的信号；变压器，用于功率匹配，具有连接在激励放大器的差动输出端之间的初级线圈以及利用电磁感应与初级线圈耦合的次级线圈，次级线圈相对于初级线圈具有预定匝数比，并连接至直流电(DC)调谐电压端；以及功率放大器，功率放大通过变压器的次级线圈的一端和另一端的差动信号，并通过第一和第二输出端输出相应功率放大的差动信号。 | ||||||
| 26 | 用于低成本接收机电路的LNA电路 | CN201110190751.0 | 2011-06-27 | CN102386856B | 2014-08-13 | A·A·拉菲 |
| 描述了用于低成本接收机电路的LNA电路。其中，一种低噪声放大器(LNA)包括：用于接收输入信号的输入端子；用于提供与输入信号关联的输出信号的输出端子。LNA还包括第一晶体管，该第一晶体管具有：通过第一电容器耦合于输入端子的第一源极、被配置成接收第一直流(DC)偏置信号的第一栅极、以及耦合于输出端子的第一漏极。LNA还包括第二晶体管，该第二晶体管具有：通过第二电容器耦合于输入端子的第二源极、被配置成接收第二DC偏置信号的第二栅极、以及耦合于输出端子的第二漏极。 | ||||||
| 27 | 低噪声放大器 | CN201410169443.3 | 2006-11-28 | CN103956977A | 2014-07-30 | 奥利维尔·克朗 |
| 本发明涉及一种低噪声放大器，该放大器包括变压器、第一放大器和反馈电阻器，该变压器包括初级和次级。次级与第一放大器的输入端连接，并且第一放大器的输出端与反馈电阻器和所述变压器的初级串联连接。 | ||||||
| 28 | 用于改善平衡-不平衡变换器负载质量因数的技术 | CN200980131136.3 | 2009-08-11 | CN102119483B | 2014-07-02 | 秋参·纳拉通; 桑卡兰·阿尼鲁丹 |
| 本发明揭示用于在存在负载级的情况下改善平衡-不平衡变换器的质量因数(“Q”)的技术。在一示范性实施例中，平衡-不平衡变换器次级(单端型)元件(101)的接地节点(101.2b)经由共用接地节点(300a)而连接到放大器级(200)的源极节点(200b)。可使所述连接在物理上为短的，以使任何寄生元件最小化。在另一示范性实施例中，所述共用接地节点(300a)可经由峰化电感器(300)而耦合到芯片外接地电压。所述峰化电感器(300)可(例如)作为螺旋电感器实施于芯片上，或(例如)使用接合线实施于芯片外。 | ||||||
| 29 | 电子部件 | CN201180053567.X | 2011-11-21 | CN103190082A | 2013-07-03 | 佐竹裕崇 |
| 本发明提供一种电子部件，其具备：层叠体，其具备形成有导体图案的多个绝缘体层；放大器用半导体元件，其搭载在所述层叠体的上表面的安装电极上，其中，在所述层叠体的接近上表面的绝缘体层上形成有第一接地电极，在所述层叠体的接近下表面的绝缘体层上形成有第二接地电极，所述第一接地电极通过多个通孔与所述安装电极连接，在所述第一接地电极与所述第二接地电极之间，且在所述放大器用半导体元件的下方的区域配置有构成第一电路块的导体图案，所述第一电路块与所述放大器用半导体元件的连接线路用的导体图案的至少一部分配置在由所述安装电极和所述第一接地电极夹持的绝缘体层上。 | ||||||
| 30 | 射频信号放大装置 | CN200810110695.3 | 2008-06-13 | CN101325403B | 2012-04-18 | 金基仲; 饭塚伸一; 金允锡; 裴孝根; 金相喜 |
| 本发明提供了一种耗能较少并能在PA驱动放大设备中以高电压运行的射频(RF)信号放大装置，该PA驱动放大装置可应用于放大RF信号的功率的PA放大电路。RF信号放大装置包括：平衡-不平衡变压器，将不平衡RF信号转换为平衡射频信号；主放大器，差分地放大来自平衡-不平衡变压器的平衡射频信号；至少一个次级放大器，次级并差分地放大经主放大器放大后的平衡射频信号。 | ||||||
| 31 | 用于低成本接收机电路的LNA电路 | CN201110190751.0 | 2011-06-27 | CN102386856A | 2012-03-21 | A·A·拉菲 |
| 描述了用于低成本接收机电路的LNA电路。其中，一种低噪声放大器(LNA)包括：用于接收输入信号的输入端子；用于提供与输入信号关联的输出信号的输出端子。LNA还包括第一晶体管，该第一晶体管具有：通过第一电容器耦合于输入端子的第一源极、被配置成接收第一直流(DC)偏置信号的第一栅极、以及耦合于输出端子的第一漏极。LNA还包括第二晶体管，该第二晶体管具有：通过第二电容器耦合于输入端子的第二源极、被配置成接收第二DC偏置信号的第二栅极、以及耦合于输出端子的第二漏极。 | ||||||
| 32 | 用于宽带放大器线性化的装置和方法 | CN200980150691.0 | 2009-10-16 | CN102257726A | 2011-11-23 | C.J.戴 |
| 一种改进宽带放大器线性化的装置和方法。本电路利用预失真技术来改进放大器的三阶失真以减少为实现给定系统要求所需的DC功率量。此外，放大器具有适合于简化的预失真的宽带特性。预失真线性化器电路跨越放大器的输入端进行连接。线性化器电路包括多个二极管以改进线性化器的削波性能。此外，RC电路使线性化器失真的相位对准以与放大器的相反。 | ||||||
| 33 | 用于改善平衡-不平衡变换器负载质量因数的技术 | CN200980131136.3 | 2009-08-11 | CN102119483A | 2011-07-06 | 秋参·纳拉通; 桑卡兰·阿尼鲁丹 |
| 本发明揭示用于在存在负载级的情况下改善平衡-不平衡变换器的质量因数(“Q”)的技术。在一示范性实施例中，平衡-不平衡变换器次级(单端型)元件(101)的接地节点(101.2b)经由共用接地节点(300a)而连接到放大器级(200)的源极节点(200b)。可使所述连接在物理上为短的，以使任何寄生元件最小化。在另一示范性实施例中，所述共用接地节点(300a)可经由峰化电感器(300)而耦合到芯片外接地电压。所述峰化电感器(300)可(例如)作为螺旋电感器实施于芯片上，或(例如)使用接合线实施于芯片外。 | ||||||
| 34 | 多模式可配置发射器电路 | CN200980130506.1 | 2009-08-03 | CN102113222A | 2011-06-29 | 秋参·纳拉通; 桑卡兰·阿尼鲁丹 |
| 本发明揭示用于配置发射器电路以支持多个模式及/或频带的方法及设备。在一实施例中，通过可控制开关选择性地旁路发射(TX)信号路径中的前置驱动放大器(pDA)。可基于所述发射器电路的操作模式来控制所述开关。本发明还揭示用于选择性地将驱动放大器(DA)的输出耦合到多个芯片外连接中的至少一者的其它技术，其中每一连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件。 | ||||||
| 35 | 射频信号放大装置 | CN200810110695.3 | 2008-06-13 | CN101325403A | 2008-12-17 | 金基仲; 饭塚伸一; 金允锡; 裴孝根; 金相喜 |
| 本发明提供了一种耗能较少并能在PA驱动放大设备中以高电压运行的射频(RF)信号放大装置，该PA驱动放大装置可应用于放大RF信号的功率的PA放大电路。RF信号放大装置包括：平衡－不平衡变压器，将不平衡RF信号转换为平衡射频信号；主放大器，差分地放大来自平衡－不平衡变压器的平衡射频信号；至少一个次级放大器，次级并差分地放大经主放大器放大后的平衡射频信号。 | ||||||
| 36 | 减少干扰的装置和方法 | CN200580018967.1 | 2005-06-07 | CN101076281A | 2007-11-21 | W·J·R·邓希思 |
| 用于减少所期望信号中干扰的电子装置，该装置包括：(a)多个测量信号线路，每一个都连接到各自的测量信号电极；和(b)一个或多个参照信号线路，每一个都连接到各自的一个或多个参照电极；每一个所述测量信号线路或相应的一组所述测量信号线路通过与各自的所述参照信号线路中的一个在物理上密切相近其长度的一个实质部分而相关，使得每个测量信号线路或信号线路组与其对应的参照信号线路形成一个测量信号线路或测量信号线路组/参照信号线路对，所述电子装置进一步包括扣除装置，用于从相关测量信号线路上的干扰信号，或从该测量信号线路或测量信号线路组/参照信号线路对中的测量信号线路组中的每个测量信号线路扣除每个参照信号线路上的干扰信号；其中，至少一个测量信号电极被设置成直接电连接于检测对象，并且至少一个参照信号电极被设置成在物理上密切相近但不直接电接触于检测对象。 | ||||||
| 37 | 放大器中反馈电容的中和 | CN200480008344.1 | 2004-03-25 | CN1765048A | 2006-04-26 | M·范德海登 |
| 一种晶体管放大器电路，具有电流至电流反馈变压器，用于中和反馈电容和设置放大器的输入阻抗。通过输入端上的频带外终端执行IM3消除，该消除不依赖于放大器输出端的负载。IM3消除提供更好的线性度，而电容中和提供高而稳定的增益。在宽动态范围上的增益和线性度方面，这些特征比线性度其他现有技术更加不相关。因此，在所希望的高增益和良好线性度特性之间存在较少的折衷。特别地，他们的实施可以具有好的效果和高度集成，这对许多诸如为便携设备或家用电器的无线传输之类的应用是很重要的。该放大器可以是单端或差分共发射极放大器。它可以对RF应用使用GaAs HBT或其他双极型技术(SiGeHBT，GaAs HBT，Si BJT)。 | ||||||
| 38 | 用于驱动传声器的方法和装置 | CN201080063175.7 | 2010-09-13 | CN102971963B | 2016-08-03 | S-A·埃里克森 |
| 公开了一种用于在传声器前置放大器(120)的第一(A)和第二(B)输出端子处提供放大的差分信号的差分传声器前置放大器电路(120)，其包括第一压控电流生成器(101)，第二压控电流生成器(102)以及第三压控电流生成器(103)，它们全部被配置用于将由相关联的传声器(110)产生的电压信号接收、放大和转换为电流信号输出。 | ||||||
| 39 | 电子部件 | CN201180053567.X | 2011-11-21 | CN103190082B | 2015-09-16 | 佐竹裕崇 |
| 本发明提供一种电子部件，其具备：层叠体，其具备形成有导体图案的多个绝缘体层；放大器用半导体元件，其搭载在所述层叠体的上表面的安装电极上，其中，在所述层叠体的接近上表面的绝缘体层上形成有第一接地电极，在所述层叠体的接近下表面的绝缘体层上形成有第二接地电极，所述第一接地电极通过多个通孔与所述安装电极连接，在所述第一接地电极与所述第二接地电极之间，且在所述放大器用半导体元件的下方的区域配置有构成第一电路块的导体图案，所述第一电路块与所述放大器用半导体元件的连接线路用的导体图案的至少一部分配置在由所述安装电极和所述第一接地电极夹持的绝缘体层上。 | ||||||
| 40 | 用于宽带放大器线性化的装置和方法 | CN200980150691.0 | 2009-10-16 | CN102257726B | 2015-08-26 | C.J.戴 |
| 一种改进宽带放大器线性化的装置和方法。本电路利用预失真技术来改进放大器的三阶失真以减少为实现给定系统要求所需的DC功率量。此外，放大器具有适合于简化的预失真的宽带特性。预失真线性化器电路跨越放大器的输入端进行连接。线性化器电路包括多个二极管以改进线性化器的削波性能。此外，RC电路使线性化器失真的相位对准以与放大器的相反。 | ||||||
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