| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 用于带电粒子检测的前置放大器 | CN201410105851.2 | 2014-03-20 | CN104065347B | 2017-11-21 | R·赫明 |
| 提供了一种用于对从带电粒子检测电极接收的信号中存在的过冲或者下冲效应进行校正的前置放大器。该前置放大器与该带电粒子检测电极是接地隔离的并且包括：一个主放大级，被配置成用于接收和放大隔离的信号；一个前馈级，被配置成用于从所放大的接地隔离的信号生成一个补偿信号，该补偿信号被生成用于反映过冲或下冲效应；以及一个输出，被安排成用于提供一个输出信号，该输出信号为所放大的接地隔离的信号与该补偿信号的组合。还提供了一种包括该前置放大器的带电粒子检测装置。 | ||||||
| 2 | 一种功率可调的射频输出电路 | CN201611107675.1 | 2016-12-06 | CN106788488A | 2017-05-31 | 刘学文; 李光健; 袁震宇; 薛年喜; 李卫泽 |
| 本发明公开了一种功率可调的射频输出电路，包括射频频率源变压器，射频频率源变压器的一个输出接口连接功率放大模块的栅极，其特征在于，所述射频频率源变压器的另一个输出接口连接有栅极偏置电压控制电路；所述功率放大模块的源极接地；功率放大模块的栅极连接有接地的电阻，功率放大模块的漏极连接有固定电压直流电源，功率放大模块的漏极与射频滤波网络相连，将射频功率通过这个网络往外输出。 | ||||||
| 3 | 使用低阻抗偏置的记忆效应减小 | CN201480060307.9 | 2014-11-04 | CN105684302A | 2016-06-15 | D·M·辛诺夫; 何明; W·A·洛伊布 |
| 一种电路包括用于被偏置的晶体管的偏置电路。偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管和耦合到被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。信号接地电路可以被耦合在被偏置的晶体管和偏置电路的不生成到电源接地的显著的返回电流的一个或多个部件之间。一种方法包括根据使用主源极跟随器电路生成的第一电压在基准晶体管中生成电流，使用从源极跟随器电路生成与第一电压基本相同的第二电压，以及向被偏置的晶体管提供第二电压。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。 | ||||||
| 4 | 具有晶体管输入失配的功率放大器 | CN201180027765.9 | 2011-09-06 | CN102959859B | 2016-03-23 | 克里斯托弗·迈克尔·欧文 |
| 一种功率放大器包括输入模块。输入模块包括变压器，并且被配置成接收射频信号以及产生输出信号。阻抗变换模块中的每一个具有输出阻抗，并且被配置成接收来自变压器的输出信号中相应的输出信号。开关模块中的每一个包括晶体管，并且连接至阻抗变换模块之一的输出端。晶体管具有输入阻抗并且输出放大信号。输出阻抗中的每一个相对于输入阻抗中相应的输入阻抗失配。 | ||||||
| 5 | 功率放大模块 | CN201480035424.X | 2014-05-16 | CN105324936A | 2016-02-10 | 竹中幹一郎; 佐藤刚; 伊藤雅广; 松本秀俊; 田中聪 |
| 本发明对与多个频带对应的功率放大模块中采用包络跟踪方式的情况下的功率效率进行改善。功率放大模块包括多个功率放大电路，该功率放大电路包括：第一变压器，该第一变压器包含被输入无线频率信号的第一输入侧绕组，以及与第一输入侧绕组电磁耦合的第一输出侧绕组；第一差分放大电路，该第一差分放大电路包含其控制电极被输入从第一输出侧绕组的一端输出的第一无线频率信号的第一晶体管，以及其控制电极被输入从第一输出侧绕组的另一端输出的第二无线频率信号的第二晶体管，该第一差分放大电路输出将第一以及第二无线频率信号的差放大后得到的第一放大信号；以及第二变压器，该第二变压器包含向第一差分放大电路提供根据无线频率信号的振幅变动的电源电压，并且被输入第一放大信号的第二输入侧绕组，以及与第二输入侧绕组电磁耦合的第二输出侧绕组。 | ||||||
| 6 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689A | 2016-01-27 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
| 7 | 可调谐宽带激励放大器 | CN201380065858.X | 2013-12-17 | CN104871429A | 2015-08-26 | H·冯; V·V·帕尼卡什; J·G·衫卡拉那拉亚南; B·S·阿苏里 |
| 公开了一种可调谐宽带激励放大器。在一示例性实施例中，一种装置包括选择性地连接在放大器的输出端和电路接地之间的第一频带选择电路。第一频带选择电路被配置成将放大频带从第一频带调整到第二频带。该装置还包括第一谐波减少电路，第一谐波减少电路选择性地连接在第一频带选择电路和电路接地之间且被配置成在放大频带被设置成第一频带时减少与第一频带相关联的二次谐波频率。 | ||||||
| 8 | 具有基于变压器的旁路模式的级联放大器 | CN201080051049.X | 2010-11-12 | CN102687391B | 2015-04-08 | 乔斯·卡瓦尼利亚斯 |
| 一种基于变压器的双增益模式功率放大器布置包含：驱动器级(220)、功率放大器级(250)及旁路路径(272、274、280)。可切换级间匹配电路(234)耦合于所述驱动器级(220)的输出与所述功率放大器级(250)及所述旁路路径(272、274、280)的相应输入之间。所述可切换级间匹配电路(234)包含变压器(430)，变压器(430)使其一次线圈(432)耦合到所述驱动器级(220)的所述输出。所述变压器(430)的二次线圈(442)使其一个端子经由第一开关(446)耦合到接地，而使其另一端子连接到所述旁路路径(272、274、280)。所述级间匹配电路(234)进一步包含第二开关(276)，其耦合于所述驱动器级(220)的所述输出与所述功率放大器级(250)的所述输入之间。在高增益模式下，所述第一开关(446)断开，而所述第二开关(276)闭合。因此，所述二次线圈在所述高增益模式期间从所述一次线圈电去耦。在旁路模式期间，所述第一开关(446)闭合，而所述第二开关(276)断开。因此，所述二次线圈(442)提供来自所述驱动器级的信号，所述信号经由另一匹配电路(280)耦合到放大器输出端子(B)。为了改进级间阻抗匹配，所述布置可进一步包含耦合到所述一次线圈(432)的可切换电容器(434、436)和/或耦合到所述二次线圈(442)的电容器(444)。所述驱动器级及所述放大器级可实现为差分放大器级，其中所述一次线圈耦合于所述驱动器级的差分输出之间，而所述二次线圈在所述旁路模式期间将差分信号转换成单端信号。 | ||||||
| 9 | 多模式可配置发射器电路 | CN200980130506.1 | 2009-08-03 | CN102113222B | 2015-03-25 | 秋参·纳拉通; 桑卡兰·阿尼鲁丹 |
| 本发明揭示用于配置发射器电路以支持多个模式及/或频带的方法及设备。在一实施例中，通过可控制开关选择性地旁路发射(TX)信号路径中的前置驱动放大器(pDA)。可基于所述发射器电路的操作模式来控制所述开关。本发明还揭示用于选择性地将驱动放大器(DA)的输出耦合到多个芯片外连接中的至少一者的其它技术，其中每一连接将所述DA输出耦合到一组芯片外组件。 | ||||||
| 10 | 在功率放大器中提供集成定向耦合器 | CN201310548234.5 | 2013-11-07 | CN103812457A | 2014-05-21 | 蒂莫西·杜普伊斯 |
| 本发明涉及在功率放大器中提供集成定向耦合器。一种功率放大器包含：功率放大器核心，其包含多个增益级以接收射频RF信号以及输出经放大的RF信号；输出网络，其耦合到所述功率放大器核心以接收所述经放大的RF信号且输出发射输出功率信号；以及定向耦合器，其耦合到所述输出网络以获得与所述发射输出功率信号成比例的经耦合信号。在一项实施例中，这些组件中的每一者都可配置于单个半导体裸片上。 | ||||||
| 11 | 微CMOS功率放大器 | CN201210407077.1 | 2012-10-23 | CN103715991A | 2014-04-09 | 尹圣万; 朴锺振 |
| 本发明涉及一种输出变压器由多层结构的基板构成并与放大电路模块层叠而构成的微CMOS功率放大器，提供如下构成的功率放大器，包括：放大电路模块芯片，其构成为将放大功率的电路模块化成一体；以及输出变压器，其将所述放大电路模块芯片的输出经由变压器电路输出到外部，所述输出变压器通过多层结构的基板实现，所述放大电路模块芯片和所述输出变压器由对层进行层叠而形成。根据如上述的微CMOS功率放大器，在功率放大器中将以往的占较大空间的输出变压器由多层结构的基板来构成，由此能够将芯片尺寸减小到50%以内而不降低功率放大器的输出。 | ||||||
| 12 | 一种用于无线电设备的前端系统 | CN201210545111.1 | 2012-12-14 | CN103259553A | 2013-08-21 | V·维多伊科维奇; K·韦森; P·万巴克 |
| 本文涉及一种用于无线电设备的前端系统，这种前端系统包括低噪声放大器（LNA）以及混频器（MIX），该低噪声放大器被用来接收射频输入信号(RFIN)并输出放大后的射频信号(RFOUT)，其中，低噪音放大器包含第一差分放大器，该混频器通过将放大后的射频信号(RFOUT)乘以本机振荡器（LO）频率音调从而将由LNA提供的放大后的射频信号(RFOUT)下变频至基带信号(BB)，上述的低噪音放大器与上述的混频器是电感地耦合的。 | ||||||
| 13 | 具有晶体管输入失配的功率放大器 | CN201180027765.9 | 2011-09-06 | CN102959859A | 2013-03-06 | 克里斯托弗·迈克尔·欧文 |
| 一种功率放大器包括输入模块。输入模块包括变压器，并且被配置成接收射频信号以及产生输出信号。阻抗变换模块中的每一个具有输出阻抗，并且被配置成接收来自变压器的输出信号中相应的输出信号。开关模块中的每一个包括晶体管，并且连接至阻抗变换模块之一的输出端。晶体管具有输入阻抗并且输出放大信号。输出阻抗中的每一个相对于输入阻抗中相应的输入阻抗失配。 | ||||||
| 14 | 具有基于变压器的旁路模式的级联放大器 | CN201080051049.X | 2010-11-12 | CN102687391A | 2012-09-19 | 乔斯·卡瓦尼利亚斯 |
| 一种基于变压器的双增益模式功率放大器布置包含：驱动器级(220)、功率放大器级(250)及旁路路径(272、274、280)。可切换级间匹配电路(234)耦合于所述驱动器级(220)的输出与所述功率放大器级(250)及所述旁路路径(272、274、280)的相应输入之间。所述可切换级间匹配电路(234)包含变压器(430)，变压器(430)使其一次线圈(432)耦合到所述驱动器级(220)的所述输出。所述变压器(430)的二次线圈(442)使其一个端子经由第一开关(446)耦合到接地，而使其另一端子连接到所述旁路路径(272、274、280)。所述级间匹配电路(234)进一步包含第二开关(276)，其耦合于所述驱动器级(220)的所述输出与所述功率放大器级(250)的所述输入之间。在高增益模式下，所述第一开关(446)断开，而所述第二开关(276)闭合。因此，所述二次线圈在所述高增益模式期间从所述一次线圈电去耦。在旁路模式期间，所述第一开关(446)闭合，而所述第二开关(276)断开。因此，所述二次线圈(442)提供来自所述驱动器级的信号，所述信号经由另一匹配电路(280)耦合到放大器输出端子(B)。为了改进级间阻抗匹配，所述布置可进一步包含耦合到所述一次线圈(432)的可切换电容器(434、436)和/或耦合到所述二次线圈(442)的电容器(444)。所述驱动器级及所述放大器级可实现为差分放大器级，其中所述一次线圈耦合于所述驱动器级的差分输出之间，而所述二次线圈在所述旁路模式期间将差分信号转换成单端信号。 | ||||||
| 15 | 信号放大电路 | CN201110217755.3 | 2011-08-01 | CN102386866A | 2012-03-21 | 李志虹 |
| 本发明提供一种用来处理一输入信号的信号放大电路，所述信号放大电路包含一输入级、多个输出级以及一选择级。该输入级具有一输入节点用来接收该输入信号，与一输出节点用来送出一由该输入信号转换中间信号。该多个输出级分别耦接于该信号放大电路的多个输出端，其中每一输出级于开启时，会根据一增益与该中间信号来产生一相对应之处理信号至一相对应的输出端。该选择级用来根据至少一控制信号选择性地将该输入级的该输出节点耦接至该多个输出级中的至少一个。 | ||||||
| 16 | RF功率放大器 | CN200910222005.8 | 2009-11-13 | CN101741326A | 2010-06-16 | 近藤将夫; 松永良国; 关健太; 樱井智 |
| 本发明实现了减小作为输出阻抗匹配电路的变压器(电压变换器)的初级线圈侧输入阻抗而不减小Q因子。本发明提供一种RF功率放大器，包括晶体管和作为输出匹配电路的变压器。变压器具有相互磁耦合的初级线圈和次级线圈。对晶体管的输入端子提供相应的输入信号。初级线圈被耦合到晶体管的每个输出端子。从次级线圈产生输出信号。变压器的初级线圈包括并联地耦合在晶体管的相应的输出端子之间且每个都磁耦合到次级线圈的第一线圈和第二线圈。通过初级线圈的第一和第二线圈的并联耦合，减小了初级线圈的输入阻抗。 | ||||||
| 17 | 晶体管放大器电路 | CN200480008344.1 | 2004-03-25 | CN1765048B | 2010-05-05 | M·范德海登 |
| 一种晶体管放大器电路，具有电流至电流反馈变压器，用于中和反馈电容和设置放大器的输入阻抗。通过输入端上的频带外终端执行IM3消除，该消除不依赖于放大器输出端的负载。IM3消除提供更好的线性度，而电容中和提供高而稳定的增益。在宽动态范围上的增益和线性度方面，这些特征比线性度其他现有技术更加不相关。因此，在所希望的高增益和良好线性度特性之间存在较少的折衷。特别地，他们的实施可以具有好的效果和高度集成，这对许多诸如为便携设备或家用电器的无线传输之类的应用是很重要的。该放大器可以是单端或差分共发射极放大器。它可以对RF应用使用GaAs HBT或其他双极型技术(SiGeHBT，GaAs HBT，Si BJT)。 | ||||||
| 18 | 推挽式宽频带半导体放大器 | CN98125119.6 | 1998-11-24 | CN1219802A | 1999-06-16 | 角田雄二; 深泽善亮; 田中雄一 |
| 一种用于有线电阻等系统可抑制输出信号中合成二次失真(CSO)不利影响的推挽式宽频带半导体放大器。这种推挽式宽频带放大器包括分配器,第一和第二放大电路,以及一个将第一和第二放大电路放大了的两个信号合成一个信号并将合成信号输出的混合器。第一放大电路和第二放大电路的联结节点为虚拟地点,从交流信号角度其电位为OV。一个终端电路配置在这个虚拟地点与地点之间用于吸收虚拟地点产生的电平振荡。 | ||||||
| 19 | 放大器 | CN201611024479.8 | 2016-11-18 | CN107070421A | 2017-08-18 | 金俊德; 林纪贤; 陈和祥; 廖显原; 吕盈达 |
| 本发明揭示了一种放大器，其包含输入节点、输出节点、晶体管及变压器。所述输入节点经配置以接收第一信号。所述输出节点经配置以输出经放大第一信号。所述晶体管包含第一端子、第二端子及第三端子。所述第一端子耦合到所述输入节点及第一供应电压源。所述第二端子耦合到第二供应电压源及所述输出节点。所述第三端子耦合到参考节点。所述变压器耦合到所述第一端子及所述第三端子。所述晶体管经配置以在亚阈值区域及近三极管区域中操作。 | ||||||
| 20 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689B | 2017-04-12 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
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