| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 트렌지스터 입력 부정합을 갖는 전력 증폭기 | KR1020127034293 | 2011-09-06 | KR101466263B1 | 2014-11-27 | 오웬,크리스토퍼미쉘 |
| 전력 증폭기는 제공되며 입력 모듈을 포함한다. 입력 모듈은 무선 주파수 신호(radio frequency signal)를 수신하도록 구성되고, 출력 신호를 생성한다. 각 임피던스 변환 모듈은 출력 신호를 가지며, 변압기에서 각각 하나의 출력 신호를 수신하도록 구성된다. 각 스위치 모듈은 트랜지스터(transistor)를 포함하며, 하나의 임피던스 변환 모듈의 출력과 연결된다. 트랜지스터는 입력 임피던스를 가지며, 증폭된 신호를 출력한다. 각 출력 임피던스는 각 하나의 입력 임피던스에 일치하지 않는다. | ||||||
| 122 | 밸룬 로딩된-Ｑ 를 개선시키는 기술 | KR1020117005680 | 2009-08-11 | KR101237644B1 | 2013-02-27 | 나라통츄찬; 아니루단산카란 |
| 로딩 스테이지의 존재시에 밸룬의 품질 팩터 ("Q") 를 개선시키는 기술이 개시된다. 예시적인 실시형태에서, 밸룬 보조 (단일-단) 엘리먼트 (101) 의 접지 노드 (101.2b) 는 공통 접지 노드 (300a) 를 통해 증폭기 스테이지 (200) 의 소스 노드 (200b) 에 접속된다. 이 접속은 물리적으로 짧게 되어 임의의 기생 엘리먼트들을 최소화할 수도 있다. 다른 예시적인 실시형태에서, 공통 접지 노드 (300a) 는 피킹 인덕터 (300) 를 통해 오프-칩 접지 전압에 커플링될 수도 있다. 피킹 인덕터 (300) 는, 예를 들어, 스파이럴 인덕터로서 온-칩으로, 또는 예를 들어, 본드와이어를 이용하여 오프-칩으로 구현될 수도 있다.
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| 123 | 다단 씨모스 전력 증폭기 | KR1020090104992 | 2009-11-02 | KR101153568B1 | 2012-06-11 | 김윤석; 배효근; 남중진; 원준구; 김기중 |
| 본 발명은 다단 씨모스 전력 증폭기에 관한 것으로, 제1 및 제2 입력단(IN+,IN-)을 통한 차동 신호 각각을 반전시켜 출력하는 차동 출력단을 갖는 구동 증폭부(100); 상기 구동 증폭부(100)의 차동 출력단 사이에 연결된 1차 코일(L1)과, 상기 1차 코일(L1)과 전자기적 유도 결합되고 상기 1차 코일(L1)과 기설정된 권선비를 갖는 2차 코일(L2)을 갖고, 상기 2차 코일(L2)에 직류의 튜닝전압(VT)단이 연결된 전력 정합용 트랜스포머(200); 및 상기 트랜스포머(200)의 2차 코일(L2)의 일단 및 타단을 통한 차동 신호 각각을 전력 증폭하여 제1 및 제2 출력단(OUT+,OUT-)을 통해 차동 신호를 출력하는 전력 증폭부(300)를 포함한다. 다단, 씨모스(CMOS), 전력 증폭, 차동신호, 인버터, 전력 매칭, 트랜스포머 | ||||||
| 124 | 선로간 간섭을 제거하는 임피던스 정합 회로 및 이를 갖는 전력 증폭기 | KR1020090122191 | 2009-12-10 | KR1020110065620A | 2011-06-16 | 김윤석; 이이; 배효근; 김상희; 김기중 |
| PURPOSE: An impedance matching circuit capable of removing interference between signal lines and a power amplifier with the impedance matching circuit are provided to compensate for a magnetic field of an output line, thereby increasing signal transfer efficiency. CONSTITUTION: First and second transformers(110,120) comprise first and second input lines(111,121) and first and second output lines(112,122). A conductor forms a first loop by the first input line of the first transformer. A second loop is formed in the first loop of the first input line. The conductor forms a first loop by the second input line of the second transformer. The first input line of the first transfer and the second input line of the second transformer have different input directions. | ||||||
| 125 | 밸룬 로딩된-Ｑ 를 개선시키는 기술 | KR1020117005680 | 2009-08-11 | KR1020110047225A | 2011-05-06 | 나라통츄찬; 아니루단산카란 |
| 로딩 스테이지의 존재시에 밸룬의 품질 팩터 ("Q") 를 개선시키는 기술이 개시된다. 예시적인 실시형태에서, 밸룬 보조 (단일-단) 엘리먼트 (101) 의 접지 노드 (101.2b) 는 공통 접지 노드 (300a) 를 통해 증폭기 스테이지 (200) 의 소스 노드 (200b) 에 접속된다. 이 접속은 물리적으로 짧게 되어 임의의 기생 엘리먼트들을 최소화할 수도 있다. 다른 예시적인 실시형태에서, 공통 접지 노드 (300a) 는 피킹 인덕터 (300) 를 통해 오프-칩 접지 전압에 커플링될 수도 있다. 피킹 인덕터 (300) 는, 예를 들어, 스파이럴 인덕터로서 온-칩으로, 또는 예를 들어, 본드와이어를 이용하여 오프-칩으로 구현될 수도 있다.
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| 126 | 캐스코드 회로 | KR1020090031716 | 2009-04-13 | KR1020100031061A | 2010-03-19 | 카나야코; 고토세이키; 와타나베신스케 |
| PURPOSE: A cascade circuit is provided to form the millimeter wave device of a high gain or a high power by executing a stable operation in a millimeter-wave band. CONSTITUTION: A first transistor(1) comprises a grounded source or a grounded emitter. A second transistor(2) comprises the drain of the first transistor or a source connected to a collector or an emitter. A signal improvement circuit(3) is connected to the gate or base of the second transistor. The signal improvement circuit improves an input signal. A filter circuit(4) is connected to the opposite side of the second transistor of the signal improvement circuit. The filter circuit shorts the high frequency signal near a predefined frequency. The filter circuit includes a series-resonant circuit which serially connects an inductor and a capacitor. | ||||||
| 127 | 거듭제곱 피드백 루프를 갖는 전력 변환 조정기 | KR1020087010772 | 2006-11-06 | KR1020080066937A | 2008-07-17 | 로슨,토마스이.; 모롱,윌리엄에이치. |
| A feedback control loop around a gain element controls the output signal of said gain element responsive to an input or reference signal, and is additionally responsive to a non-linear feedback signal. The feedback loop of this invention comprises computation means for exponentiating a signal representing the output of the gain element to generate said non-linear feedback signal. The control loop of invention provides exceptional transient response when used for driving reactive loads. | ||||||
| 128 | 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로 | KR1020160045743 | 2016-04-14 | KR1020170117822A | 2017-10-24 | 공선우; 박봉혁; 이문식; 이희동 |
| 고주파를이용하여무선신호를증폭하기위한회로가개시된다. 고주파증폭기회로는드레인, 게이트및 소스를포함하는트랜지스터, 상기드레인에연결된 LC 탱크및 상기게이트및 상기소스에연결된변압기를포함할수 있다. | ||||||
| 129 | 고효율 고집적 수신기 | KR1020160010004 | 2016-01-27 | KR101768358B1 | 2017-08-17 | 김기진; 안광호 |
| 고효율고집적수신기가제공된다. 본발명의실시예에따른레이더수신기는, 레이더신호를수신하는수신부, 수신부의수신신호의저주파대역의크기를감쇄시키는처리부, 처리부의출력신호를저주파필터링하는필터부및 필터부의출력신호를 A/D 변환하는 ADC를포함한다. 이에의해, 저해상도의 ADC를사용하면서도다양한거리의목표물에서반사되는신호들을모두복조할수 있게되어, 제조단가와전력소모를낮출수 있게된다. | ||||||
| 130 | 향상된 무선-주파수 모듈들에 관한 시스템들, 디바이스들 및 방법들 | KR1020167026364 | 2015-02-24 | KR1020160126035A | 2016-11-01 | 라이스너,러스알란; 킹,조엘리차드; 알론,지브; 콴,틴와이; 리알린,알렉세이에이.; 수,샤오동 |
| 향상된무선-주파수(RF) 모듈들에관한시스템들, 디바이스들및 방법들이개시된다. 일부실시예들에서, RF 모듈은패키징기판, 패키징기판상에탑재된제1 다이상에구현된전력증폭기(PA) 어셈블리, 및제1 다이상에탑재된제2 다이상에구현된제어기회로를포함할수 있다. 제어기회로는 PA 어셈블리의적어도일부제어를제공하도록구성될수 있다. RF 모듈은패키징기판상에탑재되고 PA 어셈블리에대한출력정합기능을제공하도록구성된하나이상의출력정합네트워크(OMN) 디바이스들을더 포함할수 있다. RF 모듈은각각의 OMN 디바이스상에탑재된대역선택스위치디바이스를더 포함할수 있다. | ||||||
| 131 | 기저대역 프로세싱 회로 | KR1020167010533 | 2014-09-19 | KR101653696B1 | 2016-09-02 | 창,리-청; 굽타,빈두; 가트만,티모시도날드; 참스,이브라힘라메즈 |
| 라디오 IC들에대한기저대역프로세싱회로를설계하기위한기술들이기재된다. 일양상에서, RF IC들에대한핀 수및 패키지사이즈를감소시키기위한, IC의기저대역부분에서차동형-싱글-엔드형변환을위한기술들이개시된다. 다른양상에서, 변환기는, 선택가능한협대역및 광대역증폭기들을포함하며, 광대역증폭기들은협대역증폭기들의대응하는트랜지스터디바이스들보다더 작은영역을갖는트랜지스터디바이스들을사용하여구현될수 있다. 추가로, 하나또는그 초과의엘리먼트들을우회시키고그리고 R-C 필터네트워크를사용하여변환기의저역-통과필터를구현하기위한기술들이설명된다. | ||||||
| 132 | 동조가능형 임피던스 정합 회로망을 갖는 유도 결합된 변압기 | KR1020160014589 | 2016-02-05 | KR1020160098068A | 2016-08-18 | 아가르빌; 하시모토이제이; 마벨마빈 |
| 패키징된 RF 전력트랜지스터(packaged RF power transistor)는 RF 입력리드(input lead)와, DC 게이트바이어스리드와, 게이트단자, 소스단자및 드레인단자를포함하는 RF 전력트랜지스터와, 입력정합회로망(input matching network)을포함한다. 입력정합회로망은 RF 입력리드에전기적으로연결된 1차인덕터와, 게이트단자와 DC 게이트바이어스리드에전기적으로연결된 2차인덕터와, RF 입력리드에전기적으로연결되고게이트단자와는물리적으로단절된동조캐패시터(tuning capacitor)를포함한다. 입력정합회로망은 RF 입력리드와게이트단자사이에 DC 전압을차단하고 RF 입력리드로부터게이트단자로정의된주파수범위에서 AC 전압을전달하도록구성된다. 동조캐패시터는 RF 입력리드에인가된 DC 전압에서의변동(variation)에기반하여입력정합회로망의캐패시턴스를조정하도록구성된다. | ||||||
| 133 | 기저대역 프로세싱 회로 | KR1020167010533 | 2014-09-19 | KR1020160049049A | 2016-05-04 | 창,리-청; 굽타,빈두; 가트만,티모시도날드; 참스,이브라힘라메즈 |
| 라디오 IC들에대한기저대역프로세싱회로를설계하기위한기술들이기재된다. 일양상에서, RF IC들에대한핀 수및 패키지사이즈를감소시키기위한, IC의기저대역부분에서차동형-싱글-엔드형변환을위한기술들이개시된다. 다른양상에서, 변환기는, 선택가능한협대역및 광대역증폭기들을포함하며, 광대역증폭기들은협대역증폭기들의대응하는트랜지스터디바이스들보다더 작은영역을갖는트랜지스터디바이스들을사용하여구현될수 있다. 추가로, 하나또는그 초과의엘리먼트들을우회시키고그리고 R-C 필터네트워크를사용하여변환기의저역-통과필터를구현하기위한기술들이설명된다. | ||||||
| 134 | 예측되는 에너지 밸런스를 이용하는 전력 변환 조정기 및 전력 컨버터를 조정하기 위한 예측 방법 | KR1020087010771 | 2006-11-06 | KR101333218B1 | 2013-11-27 | 모롱,윌리엄에이치.; 로슨,토마스이. |
| 전력-변환 조정기가 제공되며, 상기 전력-변환 조정기는 인덕티브 리액터와, 출력 필터 리액터와, 상기 인덕티브 리액터로 에너지를 유입시키는 스위치를 포함하며, 스위치를 구동시키는 각각의 재단 파형 사이클 동안 추력 전압(또는 전류)을 기준 신호와의 요망 관계로 조정하기 위해 부하와 출력 필터 리액터로 제공되어야 할 에너지의 양을 연산하기 위해, 인덕티브 리액터의 플럭스와, 기준 신호와, 출력 전압과, 출력 부하 전류에 반응하는 연산 회로를 더 포함한다. 인덕티브 리액터가 입력 에너지원으로부터 충전되기 때문에, 연산 회로는 인덕티브 리액터의 에너지가 조정에 적합해진 것인가의 여부를 예측한다. 연산 회로는 조정에 적합한 에너지를 예측하고, 인덕티브 리액터를 충전하기에 충분한 시간 동안 스위치를 활성화시킨다. | ||||||
| 135 | 신호 증폭을 수행하는 장치, 집적 회로, 및 방법 | KR1020127015203 | 2010-11-12 | KR1020120093357A | 2012-08-22 | 카바니라스호세 |
| 변압기 기반 이중 이득 모드 전력 증폭기 배열은 구동 스테이지 (220), 전력 증폭기 스테이지 (250) 및 바이패스 경로 (272, 274, 280) 를 포함한다. 스위칭가능한 스테이지간 정합 회로 (234) 는 구동 스테이지 (220) 의 출력과, 전력 증폭기 스테이지 (250) 및 바이패스 경로 (272, 274, 280) 의 각각의 입력들 사이에 연결된다. 스위칭가능한 스테이지간 정합 회로 (234) 는 구동 스테이지 (220) 의 출력에 연결된 1차 코일 (432) 을 갖는 변압기 (430) 를 포함한다. 변압기 (430) 의 2차 코일 (442) 은 제 1 스위치 (446) 를 통해서 접지에 연결된 일 단자를 가지는 한편, 타 단자는 바이패스 경로 (272, 274, 280) 에 접속된다. 스테이지간 정합 회로 (234) 는 또한 구동 스테이지 (220) 의 출력과 전력 증폭기 스테이지 (250) 의 입력 사이에 연결된 제 2 스위치 (276) 를 포함한다. 고이득 모드에서, 제 1 스위치 (446) 는 개방되고 제 2 스위치 (276) 는 폐쇄된다. 따라서, 2차 코일은 고이득 모드 동안 1차 코일로부터 전기적으로 분리된다. 바이패스 모드 동안, 제 1 스위치 (446) 는 폐쇄되고 제 2 스위치 (276) 는 개방된다. 그 결과, 2차 코일 (442) 은 추가 정합 회로 (280) 를 통해 증폭기 출력 단자 (B) 에 신호가 연결되는 구동 스테이지로부터 신호를 제공한다. 스테이지간 임피던스 정합을 향상하기 위해, 이 배열은 1차 코일 (432) 에 연결된 스위칭가능한 커패시터 (434, 436) 및/또는 2차 코일 (442) 에 연결된 커패시터 (444) 를 더 포함할 수도 있다. 구동 스테이지 및 증폭기 스테이지는, 1차 코일이 구동 스테이지의 차동 출력들 사이에 연결되고 2차 코일이 바이패스 모드 동안 차동 신호를 싱글 엔디드 신호로 변환하는 차동 증폭기 스테이지들로서 실현될 수도 있다. | ||||||
| 136 | 캐스코드 회로 | KR1020090031716 | 2009-04-13 | KR101108942B1 | 2012-01-31 | 카나야코; 고토세이키; 와타나베신스케 |
| 밀리파대에 있어서, 안정적으로 동작하는 동시에, 고이득 또는 고출력의 밀리파 디바이스를 실현할 수 있는 캐스코드 회로를 제공함에 목적이 있다. 2개의 트랜지스터가 종속접속된 캐스코드 회로로서, 소스가 접지된 HEMT 1과, 소스가 HEMT 1의 드레인에 접속된 HEMT 2와, HEMT 2의 게이트에 접속되어, 반사 이득을 억제하는 반사 이득 억제 저항(3)과, 반사 이득 억제 저항(3)의 HEMT 2와 반대측에 접속되고, 소정 주파수 근방의 고주파 신호를 단락하는 오픈 스터브(4)를 구비한 것이다. 캐스코드 회로, 밀리파대, 신호 개선회로, 오픈 스터브, 필터회로 | ||||||
| 137 | 선로간 간섭을 제거하는 임피던스 정합 회로 및 이를 갖는 전력 증폭기 | KR1020090122191 | 2009-12-10 | KR101089961B1 | 2011-12-05 | 김윤석; 이이; 배효근; 김상희; 김기중 |
| 본 발명은 인접한 선로 간에 흐르는 전류의 방향을 일치시켜 선로간의 간섭을 제거하는 임피던스 정합 회로 및 이를 갖는 전력 증폭기에 관한 것으로, 신호를 입력받는 도전체가 제1 루프를 형성하는 제1 입력 선로 및 신호를 출력하는 도전체가 상기 제1 입력 선로의 제1 루프 내에 제2 루프를 형성하여 입력된 신호 경로의 임피던스를 매칭하는 제1 출력 선로를 갖는 제1 트랜스포머와, 신호를 입력받는 도전체가 제3 루프를 형성하는 제2 입력 선로 및 신호를 출력하는 도전체가 상기 제2 입력 선로의 제3 루프 내에 제4 루프를 형성하여 임피던스를 매칭하는 제2 출력 선로를 갖되, 상기 제1 트랜스포머의 제1 입력 선로의 전류 방향과 상기 제2 입력 선로의 전류 방향은 서로 반대로 형성되어 제1 트랜스포머의 제1 입력 선로의 일부 선로와 인접한 상기 제2 입력 선로의 일부 선로는 동일한 전류 방향을 갖는 제2 트랜스포머를 갖는 임피던스 정합 회로 및 이를 갖는 전력 증폭기를 제공한다. 임피던스 정합(Impeadance Matching), 전력 증폭기(Power Amplifier), 자기장(Magnetic Filed) | ||||||
| 138 | 전력 증폭기, 방법 및 인덕터 | KR1020037005100 | 2001-10-09 | KR100852315B1 | 2008-08-14 | 아오끼,이찌로; 하지미리,세예드-알리; 러틀레드제,데이비드 |
| 본 발명은 증폭될 RF 신호의 전력 출력을 효율적으로, 경제적으로 향상시키는 분산형 전력 증폭기 토폴로지 및 장치를 개시한다. 전력 증폭기는 동일 크기와 반대 위상의 입력 신호로 구동되는 인접한 증폭 장치들의 신호 입력을 구비한 액티브 트랜스포머의 1차 권선으로 바람직하게 기능하는 신규한 환형 구조로 상호접속된 복수의 푸시-풀 증폭기를 포함한다. 토폴로지는 또한 1차 권선의 구조와 정합하는 2차 권선의 이용, 및 개별 전력 증폭기들의 전력을 효율적으로 결합하는 기능을 하는 전력 증폭기의 변형을 개시한다. 신규한 아키텍쳐는 RF, 마이크로파 및 밀리미터파 주파수에서의 저비용, 완전 집적, 고출력 증폭기의 설계를 가능하게 한다. RF 신호, 분산형 전력 증폭기, 액티브 트랜스포머, 환형 구조, 푸시-풀 증폭기, 1차 권선, 2차 권선 | ||||||
| 139 | 박막트랜지스터로 구성되는 전자장치, 표시장치,인터페이스회로, 차동증폭장치 | KR1020070082635 | 2007-08-17 | KR1020080016493A | 2008-02-21 | 카와치겐시로 |
| An electronic device, a display device, an interface circuit, and a differential amplification device, which are constituted by using thin-film transistors, are provided to amplify directly input current by using at least one lateral bipolar thin film transistor, MOS-bipolar hybrid thin film transistor, and a MOS transistor. An electronic device includes a plurality of semiconductor devices. The semiconductor devices are formed on an insulating substrate(101). The semiconductor devices are formed by using a semiconductor thin film. The semiconductor thin film(105) is formed on a semiconductor thin film crystallized in a predetermined direction. The semiconductor devices include a MOS transistor, and at least either one of a lateral bipolar thin film transistor(100) and a MOS-bipolar hybrid thin film transistor. | ||||||
| 140 | LIGNE D'ADAPTATION, ÉTAGE ET APPAREIL D'AMPLIFICATION ET/OU DE DIVISION ASSOCIÉS | EP16808956.3 | 2016-11-30 | EP3384598A1 | 2018-10-10 | GIRARD, Dimitri; FASSE, Dominique; KASSAB, Quentin; CHAHBAZIAN, Max; LACHATER, Laurent |
| The invention relates to a match line (50) for a cavity radio-frequency combiner, said match line (50) being adapted for an operating frequency of between 10 k Hz and 300 GHz. The match line (50) is intended to connect an amplifier to the cavity combiner and the impedance of said line is equal to, greater than the ratio between the wavelength associated with the operating frequency and the number 8. | ||||||
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