| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 用于高功率放大器的静态电流控制电路 | CN200480025652.5 | 2004-07-27 | CN1846185A | 2006-10-11 | Y·杨; K·舒; B-S·帕克 |
| 本发明公开了用于控制连接到放大器的偏置电路的控制电路。示例性的偏置控制电路包含接收控制电压的装置以及响应于控制电压动态调整偏置晶体管的等效电阻的装置，其中，等效电阻是在第一节点和参考电压之间形成的。在一个实施例中，当控制电压增大时，等效电阻逐渐减小，由偏置控制电路引起的电流逐渐增大，结果，放大晶体管的静态电流逐渐增大。 | ||||||
| 102 | 具有输出混合耦合器的Doherty放大器 | CN200480014264.7 | 2004-03-26 | CN1833358A | 2006-09-13 | 爱德华·文森特·路易斯; 罗伯特·E·迈尔; 库恩·怀伊·洛; 洛伦·弗兰西斯·鲁特 |
| 放大器(20)包括主放大器电路(22)和至少一个辅助放大器电路(24)。要被放大的RF信号(26)的一部分被传送到主(22)放大器和辅助(24)放大器。例如基于RF信号(26)的电平，选择性地操作辅助放大器电路(24)，使其与主放大器电路(22)协同操作。至少一个混合耦合器电路(44)具有与主放大器电路(22)和辅助放大器电路(24)的输出耦合的输入端口。该混合耦合器电路(44)的操作可以在耦合器第一输出端口(29)处合并放大器电路的输出信号。耦合器第二输出端口(28)端接至电短路和电开路之一。 | ||||||
| 103 | 场效应管的偏置电路 | CN200410056160.4 | 2004-08-02 | CN1671042A | 2005-09-21 | 阎跃军 |
| 本发明公开了一种场效应管的偏置电路，其特征是：利用功率消耗极小的晶体管组成的电流变动信息电路和电阻，构成电压变动信息电路，此电压变动信息电路与一个分压网络结合，全体构成一个偏置电路。偏置电路用于控制另一支实际信号动作场效应管的栅极电压，从而使信号动作场效应管的静态漏极电流保持稳定。此偏置电路，可使信号动作场效应管高效率工作同时，具备信号动作场效应管电路的静态漏极电流特性的温度补偿的作用，此外还可以减小整枚晶圆内各个芯片的信号动作场效应管静态漏极电流偏差。整个偏置电路面积和功耗极小，可与信号动作场效应管一起集成在一个IC芯片里。也可以与信号动作场效应管相邻并分别装在同一支管壳内。本电路成本低，面积小，易集成制造。 | ||||||
| 104 | 具有高功率附加效率的射频功率放大器 | CN01812177.2 | 2001-05-02 | CN1201482C | 2005-05-11 | R·A·梅克 |
| 概括地说，本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率(PAE)的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管，即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此，激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识，即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中，不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是，电压(或电流)波形幅值保持不变时，功率传递非但未最大化，功耗反而降低了。本发明的另一个特点是，激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下，级间网络设计与E类输出级设计相似。然而，级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级)，而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中，开关的输入激励应足够高，以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率，从而提高了PAE。 | ||||||
| 105 | 具有共射－共基电流镜自偏置提升电路的功率放大器 | CN02816914.X | 2002-08-02 | CN1550063A | 2004-11-24 | S·罗 |
| 一种功率放大器电路包括放大晶体管和用于偏置所述放大器晶体管以便获得至少大约180°的导通角的dc偏置电路，所述dc偏置电路具有自偏置提升电路，该电路包括具有通过电阻器耦合至放大晶体管的控制端的输出的共射－共基电流镜电路，以及从共射－共基电流镜电路耦合至公共端的电容器。选择电容器的值以获得期望的自偏置提升量。 | ||||||
| 106 | 非线性元件功率发射机 | CN200410007006.8 | 2004-02-20 | CN1527486A | 2004-09-08 | 金汜晚; 梁泳龟; 禹永允; 李载赫; 金圣祐 |
| 提供具有非线性元件(LINC)功率发射机的一个线性放大装置。该LINC功率发射机包括：数字信号处理单元，控制该LINC功率发射机；调频单元，把从数字信号处理单元输出一个数字信号调制或转换成一个射频(RF)信号；信号放大单元，使用一个增益放大器和一个功率放大模块放大从该调频单元输出的RF信号；和直流/直流(DC/DC)转换单元，控制该功率放大模块的偏压。其中，该DC/DC变换单元控制该功率放大模块的一个基极偏置和/或一个集电极偏置，并且该功率放大模块操作在饱和状态。 | ||||||
| 107 | 射频发射机 | CN99812889.9 | 1999-10-27 | CN1331864A | 2002-01-16 | R·O·布里斯托; A·C·威尔逊 |
| 公开一种控制数字通信设备中射频功放(1)。调整放大器的线性(1)是其当设备发送数据期间工作在非线性方式,而在发送数据的前后则工作在线性方式。 | ||||||
| 108 | 一种单端放大器及其噪声消除方法 | CN201410495486.0 | 2014-09-24 | CN104333333B | 2017-09-01 | 南超州; 邓俊雄 |
| 本发明公开了一种单端放大器及其噪声消除方法。单端放大器包括噪声去除电路，连接于电源，用于接收电源信号并去除电源信号中的部分纹波和噪声，产生一初始信号；放大电路用于在放大电路的第一端接收初始信号，并将初始信号放大后在第二端产生第一信号，第一传输电路接收电源信号，在放大电路第二端产生第二信号，第一信号和第二信号矢量叠加后输出以去除电源信号中的大部分纹波和噪声；其中，噪声去除电路包括第一电容和第一扼流圈，第一电容的一端连接电源信号，另一端耦接放大电路的第一端，并通过第一扼流圈接地。通过上述方式，本发明能够大大减少电源信号中的纹波和噪声，并且电路结构简单，不会增加额外的功率损耗，可以应用于不同的电路。 | ||||||
| 109 | 一种功率可调的射频输出电路 | CN201611107675.1 | 2016-12-06 | CN106788488A | 2017-05-31 | 刘学文; 李光健; 袁震宇; 薛年喜; 李卫泽 |
| 本发明公开了一种功率可调的射频输出电路，包括射频频率源变压器，射频频率源变压器的一个输出接口连接功率放大模块的栅极，其特征在于，所述射频频率源变压器的另一个输出接口连接有栅极偏置电压控制电路；所述功率放大模块的源极接地；功率放大模块的栅极连接有接地的电阻，功率放大模块的漏极连接有固定电压直流电源，功率放大模块的漏极与射频滤波网络相连，将射频功率通过这个网络往外输出。 | ||||||
| 110 | 电流输出电路 | CN201610885337.4 | 2016-10-10 | CN106560758A | 2017-04-12 | 岛宗祐介; 田中聪; 筒井孝幸; 中村隼人; 中井一人; 森泽文雅 |
| 本发明提供一种无论电源电压如何变动，均能稳定地输出电流的电流输出电路。本发明的电流输出电路包括：第1FET，对该第1FET的源极提供电源电压，对该第1FET的栅极提供第1电压，并从该第1FET的漏极输出第1电流；第2FET，对该第2FET的源极提供电源电压，对该第2FET的栅极提供第1电压，并从该第2FET的漏极输出输出电流；第1控制电路，该第1控制电路控制第1电压，使得第1电流成为目标电平；以及第2控制电路，该第2控制电路进行使第1FET的漏极电压与第2FET的漏极电压相等的控制。 | ||||||
| 111 | 射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路 | CN201210384218.2 | 2012-10-11 | CN103051328B | 2017-04-12 | 小林友直 |
| 本发明的目的在于提供一种射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路，其能够稳定工作并且快速地下降射频脉冲信号的波形。漏极切换电路（21）具有n型的第一、第二、第三的FET（211）、（212）、（213）。控制脉冲施加至第一、第三的FET的栅极，源极接地。第一FET的漏极连接于第二FET的栅极，驱动电压（Vds）施加于第二FET的漏极。连接第二FET的源极与第三FET的漏极，连接点连接于功率FET（31）的漏极。在第二FET的栅源极间，连接有供应用于补偿第二FET从关断状态向导通状态跃迁时的栅极电压的电荷的电容（215）。 | ||||||
| 112 | 高频电路及高频模块 | CN201210274449.8 | 2012-08-03 | CN102916660B | 2017-04-12 | 门井凉; 林范雄; 清水智; 山本昭夫 |
| 提供了一种高频电路和高频模块，其中通过数字控制补偿改善了补偿操作的准确性。放大器单元的放大器元件的放大增益被偏置控制单元的偏置电流控制。校准电路的工艺监测电路包括第一和第二元件特性检测器和电压比较器。检测器将复制元件的电流转换为第一和第二检测电压。电压比较器比较第一和第二检测电压并且提供比较输出信号到搜索控制单元。响应于比较器的比较输出信号和时钟产生单元的时钟信号，控制器根据预定搜索算法产生多位数字补偿值，第二检测器的偏置控制单元被反馈控制。 | ||||||
| 113 | 功率放大器 | CN201310288232.7 | 2013-07-10 | CN103546108B | 2016-12-07 | 佐佐木善伸 |
| 本发明涉及一种功率放大器，能够降低功耗并且使开关速度变快。晶体管（Trb1）根据导通/截止信号对放大器（Tr1）的基极供给偏压。电容Cb1）连接在放大器（Tr1）的基极与接地点之间。电阻（Rb2）在放大器（Tr1）的基极与接地点之间与电容（Cb1）并联连接。二极管（Db1）与电阻Rb2）串联连接。二极管（Db1）的开启电压比放大器（Tr1）的导通电压低。 | ||||||
| 114 | 用于改善发射机与接收机之间的隔离的系统 | CN201610285599.7 | 2010-12-21 | CN106160674A | 2016-11-23 | 王诚训; 肖恩·帕特里克·斯特普尔顿 |
| 一种用于改善多频带无线通信系统中的发射机与接收机之间的隔离的系统包括：宽带功率放大器，其接收多个输入信号，每个输入信号适于无线传输，并且宽带功率放大器提供放大的输出信号；反馈传感器，其提供表示放大的输出信号的干扰特性的反馈信号；接收机，其接收多个接收信号；多个反馈传感器，其提供表示多个接收信号的干扰特性的多个反馈信号；消除逻辑，其接收反馈信号和多个反馈信号，其中，消除逻辑被配置成生成与多个接收信号的干扰特性相对应的多个反相信号；以及多个合并器，其将多个反相信号与多个接收信号进行合并，以从多个接收信号中去除干扰特性。本发明使得多频带RRU能够使用更少的功率放大器，以减小多频带RRU的尺寸和成本。 | ||||||
| 115 | 功率放大器 | CN201110084367.2 | 2011-03-31 | CN102208899B | 2016-06-22 | 约翰·克里斯多佛·克利夫顿 |
| 本发明公开了一种功率放大器，其包括功率放大器装置的串联堆，功率放大器装置并联连接到用于接收RF输入信号的放大器输入端，并且功率放大器的输出端子串联连接到放大器输出端。中间耦合电容器在功率放大器装置的串联堆中连接在每个相邻功率放大器装置对之间，以用于所述功率放大器装置的DC隔离。这降低了所需的DC电源电压，并且允许响应于DC电源电压中的变化，将单独的功率放大器装置短路。 | ||||||
| 116 | 驱动器电路和相关联的功率放大器组装件、无线电基站及方法 | CN201380079257.4 | 2013-08-29 | CN105684303A | 2016-06-15 | Z.吴 |
| 呈现了用于无线电基站的功率放大器的驱动器电路。驱动器电路包括：射频输入；用于连接到功率放大器的输出；连接到射频输入和第一偏置支路的组合器。第一偏置支路包括偏置源输入、第一电容器支路和第二电容器，其中，第一电容器支路连接在组合器与接地之间，并且第二电容器连接在组合器与接地之间。第一电容器支路包括第一开关和第一电容器，第一开关在组合器与第一电容器之间提供，使得在第一状态中，第一电容器连接到组合器，并且在第二状态中，第一电容器与组合器断开。还呈现了对应的功率放大器组装件、无线电基站和方法。 | ||||||
| 117 | 地面广播波接收用天线装置及其构成部件 | CN201280012956.2 | 2012-01-30 | CN103430449B | 2016-04-27 | 柳泽和介; 水野浩年; 堀江凉 |
| 提供一种地面广播波接收用天线装置，其在FM频段以下的频率波段中，即使将天线元件长度缩短到55[mm]左右为止，也具有与传统同等以上的性能。包含放大天线元件10的接收波中的该天线元件10的谐振点以下的频率的接收波的、相对接收频率等价噪声电阻为2Ω以下的化合物半导体HEMT而构成放大器12-A，噪音系数（NF）在FM频段以下的广频率波段范围内大致固定。 | ||||||
| 118 | 光调制器驱动器电路和光发射机 | CN201480026304.3 | 2014-05-09 | CN105229946A | 2016-01-06 | 长谷宗彦; 野坂秀之; 伊藤敏洋; 村田浩一; 福山裕之; 才田隆志; 龟井新; 山崎裕史; 菊池顺裕; 小泉弘; 野河正史; 桂井宏明; 鹈泽宽之; 片冈智由; 藤原直树; 川上广人; 堀越建吾; 伊夫·布维尔; 米山幹夫; 相泽茂树; 铃木昌弘 |
| 光调制器驱动器电路(1)包括放大器(50、Q10、Q11、R10-R13)和能够根据所希望的操作模式调整放大器(50)的电流量的电流量调整电路(51)。电流量调整电路(51)包括能够根据表示所希望的操作模式的二进制控制信号来单独地进行开关控制的至少两个电流源(IS10)。 | ||||||
| 119 | 用于包络跟踪的放大器拓扑 | CN201480010667.8 | 2014-03-20 | CN105075111A | 2015-11-18 | 文森特·克诺皮克 |
| 一种放大器(100)包括用于接收输入信号的输入端口(102)、用于接收表示输入信号的包络的包络信号的包络端口(104)。放大器具有第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)。第一偏置电路(120)连接到包络端口(104)并且布置成产生取决于包络信号的第一偏置电压。加法级(140)连接到用于接收输入信号的输入端口(102)、连接到用于接收第一偏置电压的第一偏置电路(120)、连接到第一晶体管(M1)的栅极(g)。第二偏置电路(130)连接在包络端口(104)和第二晶体管(M2)的栅极(g2)之间，并且布置成产生取决于包络信号的第二偏置电压。 | ||||||
| 120 | 用于晶体管放大器的偏置电路 | CN201510116561.2 | 2015-03-17 | CN104935274A | 2015-09-23 | 蒂莫西·里奇斯; 路易斯·普拉姆斯玛 |
| 一种用于晶体管放大器的偏置电路，所述偏置电路包括低通滤波器模块、基准晶体管、求和节点、基准电流源、以及电流差模块，其中所述低通滤波器模块被配置为感测在所述晶体管放大器的控制端子处的DC偏置电压，并向所述基准晶体管的控制端子提供所述DC偏置电压；所述基准晶体管被配置为响应于所述DC偏置电压输出偏置电流，并向所述求和节点提供所述偏置电流；所述求和节点被配置为从所述基准电流源接收基准电流，并将所述基准电流与来自所述基准晶体管的所述偏置电流组合以提供差电流；以及所述电流差模块被配置为从所述求和模块接收所述差电流，并向所述晶体管放大器的所述控制端子提供所述差电流。 | ||||||
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