| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 偏压电路及其控制电路 | CN200480021519.2 | 2004-06-04 | CN100481716C | 2009-04-22 | Y·杨; K·乔依; N-C·郑 |
| 示意性的偏压电路被连接到放大器。偏压电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管。第一双极型晶体管具有连接到第一节点的基极，第一节点通过第一电阻连接到参考电压。第二双极型晶体管具有连接到第一节点的基极。第三双极型晶体管具有连接到第一节点的集电极和在第二节点连接到第一双极型晶体管的射极的基极。第二双极型晶体管的射极被连接到与放大器相关的第四双极型晶体管的基极，第二双极型晶体管不具有连接到第二双极型晶体管的射极的电阻。 | ||||||
| 162 | 射频放大器的动态偏置电路 | CN200510125425.6 | 2005-11-14 | CN100466462C | 2009-03-04 | 王志伟 |
| 本发明提供一种射频放大器的动态偏置电路，包括有源元件，具有与二极管相同的电流电压特性，其阴极是偏置电路的输出端且连接至放大晶体管的控制电极；直流电压源，具有两端且其中一端接地；以及耦合元件，控制泄漏信号的大小，泄漏信号与输入信号耦合，且驱动偏置电路；其中耦合元件的一端连接至有源元件的阳极，另一端连接至直流电压源的未接地端。本发明的动态偏置电路当输入功率增加时自动提高直流偏置点，避免了截止区的输出功率饱和。不仅改善了射频放大器的工作特性，同时其内部电路为零功率耗损。而且，它有简单的电路结构，此电路结构具有极少的电路零件和缩小化的芯片面积。因此能够容易地与放大器整合，减少成本。 | ||||||
| 163 | 功率放大器 | CN200810085237.9 | 2008-03-10 | CN101373953A | 2009-02-25 | 山本和也; 宫下美代 |
| 本发明能得到一种无功电流的控制性良好、难以受到元件偏差的影响并具有稳定的温度特性的功率放大器。射极跟随电路(Rb3～Rb6、Trb1～Trb3)将与施加到参考端子(Vref)上的参考电压相对应的电压施加到第2放大元件(Tr2)的输入端子上。在参考端子(Vref)和第1放大元件(Tr1)的输入端子之间串联连接有第1、第2电阻(Ra1、Ra2)。第1晶体管(Tra1)的集电极连接到参考端子(Vref)上，在基极上施加控制电压。在第1晶体管(Tra1)的发射极和接地点之间连接有第3电阻(Ra5)。电流反射镜电路(Tra2、Tra3)将与从第1晶体管(Tra1)的集电极输入的电流成比例的电流，从第1电阻(Ra1)和第2电阻(Ra2)的连接点抽出。 | ||||||
| 164 | 具有厚氧化物输入级晶体管的深亚微米MOS前置放大器 | CN200710185794.3 | 2007-12-17 | CN101287304A | 2008-10-15 | P·F·霍福斯坦; L·J·斯坦博格 |
| 本发明涉及一种电容式话筒装置，包括：电容式话筒换能器，具有被相邻近地放置的振动片和背板部件，在振动片和背板部件之间具有气隙。此外，该装置还具有深亚微米MOS集成电路管芯，包括前置放大器，该前置放大器包括用于接收由电容式话筒换能器所产生的电信号的第一信号输入端。所述第一信号输入端可操作地耦合至前置放大器的输入级，所述输入级包括厚氧化物晶体管。本发明还涉及一种深亚微米MOS集成电路管芯，包括基于厚氧化物晶体管的前置放大器。 | ||||||
| 165 | 级联放大电路、使用级联放大电路的半导体集成电路和信号接收装置 | CN200710091686.X | 2007-03-28 | CN101093979A | 2007-12-26 | 滨口睦 |
| 本发明提供一种级联放大电路，具有2个级联连接的晶体管。该级联放大电路具有用于选择是否使输入端的晶体管的集电极接地的开关元件。由此，能够实现一种通过简易的结构就能确保停止级联放大电路的动作，从而改善隔离的级联放大电路。 | ||||||
| 166 | 射频放大器电路及其操作方法 | CN200610169487.1 | 2006-12-15 | CN1983802A | 2007-06-20 | 罗时峰; 范一平; 李虹宇; 赵介元 |
| 本发明提供一种适用于放大输入信号的射频放大器电路及其操作方法。所述放大器电路包括：具有功率晶体管的放大晶体管电路以及直流偏压电路，其中上述直流偏压电路具有复数个电流镜电路以及放电晶体管，其中上述放电晶体管以及上述功率晶体管是形成用以控制上述功率晶体管中静态电流的组合电流镜电路。本发明的偏压电路可作为串联电流镜、传统电流镜或是上述两者的组合，因此，本发明具有适用于特定设计需求的弹性。 | ||||||
| 167 | 高输出放大器 | CN200480042604.7 | 2004-07-14 | CN1926760A | 2007-03-07 | 森一富; 新庄真太郎; 服部公春; 高桥利成; 关博昭; 太田彰; 末松宪治 |
| 一种高输出放大器，根据放大元件(3)的输出功率，变更连接在最末级的放大元件(3)和输出端子(8)之间的输出匹配电路(5)的匹配条件。由此，无需降低最大输出时的效率，即可大幅度提高低输出时的效率。并且，不需要安装DC－DC转换器，所以能够防止大型化和高成本的产生。 | ||||||
| 168 | 动态偏置放大器 | CN200480041676.X | 2004-02-17 | CN1918784A | 2007-02-21 | H·韦佐维克 |
| 本发明提供包括为处理输入信号提供的至少两个互连晶体管(10，20)的放大器(1)中的晶体管的动态偏置。一旦输入信号被施加到激励晶体管(10)，则检测这个晶体管(10)的输出电极(16)的DC电流信号。这个DC电流检测通过向电阻器(130)提供DC电流信号可实现为电压降的检测。动态偏置信号则根据这个所检测DC电流信号或者与DC电流信号成正比的电压降来产生。偏置信号被施加到最终晶体管(20)的输入电极(22)，用于提供其动态偏置。本发明的偏置减小了最终晶体管(20)和放大器(1)的互调失真。另外，偏置还实现晶体管(20)的工作类的自动改变。 | ||||||
| 169 | 功率晶体管的补偿电路和方法 | CN00816907.1 | 2000-10-03 | CN1258870C | 2006-06-07 | C·布莱尔; H·舒登 |
| 公开了一种用于偏置功率晶体管(2)的电路和方法，，由此来补偿运行特性中的不利变化。该电路包括一个校正晶体管(3)，该校正晶体管(3)具有与功率晶体管(2)大体相同的器件特性。此外，该校正晶体管(3)的至少一维尺寸与功率晶体管(2)的相应尺寸成比例。偏置校正晶体管(3)，使校正晶体管(3)的漏极电流与功率晶体管(2)的漏极电流的比例与尺寸的比例相同。这样，校正晶体管(3)的输出信号是根据功率晶体管(2)的运行特性的不利变化来决定的。校正晶体管(3)的输出信号被放大，并连接到功率晶体管(2)的控制端子上，使得所施加到控制端子的偏置信号补偿功率晶体管(2)的运行特性中的不利变化。 | ||||||
| 170 | 半导体器件 | CN200410032814.X | 2004-04-12 | CN1551350A | 2004-12-01 | 佐藤友祐; 小山贤治; 三浦俊广; 京极敏彦 |
| 一种位于模块板的主表面上的电极，其中，由电源控制电路的开关元件形成的半导体芯片的发射极电极通过多个过孔与模块板的内层中的布线电连接，所述电源控制电路给数字蜂窝式电话的功率模块的放大电路部分提供电源电压。而且，布线CL1电连接到用于提供电源电压的电极，该电极在模块板的背面上提供。由此，提高了半导体器件的输出特性。 | ||||||
| 171 | 功率晶体管的补偿电路和方法 | CN00816907.1 | 2000-10-03 | CN1409893A | 2003-04-09 | C·布莱尔; H·舒登 |
| 公开了一种电路和方法，用于偏置一个功率晶体管，由此来补偿运行特性中的不利变化。该电路包括一个校正晶体管，该校正晶体管具有与功率晶体管大体相同的器件特性。此外，该校正晶体管的至少一维尺寸与功率晶体管的相应尺寸成比例。偏置校正晶体管，使校正晶体管的漏极电流与功率晶体管的漏极电流的比例与尺寸的比例相同。这样，校正晶体管的输出信号是根据功率晶体管的运行特性的不利变化来决定的。校正晶体管的输出信号被放大，并连接到功率晶体管的控制端子上，使得施加到控制端子的变化信号补偿功率晶体管的运行特性中的不利变化。 | ||||||
| 172 | 一种可补偿由环境温度变化所引起的失真的半导体电路 | CN98125135.8 | 1998-11-26 | CN1093335C | 2002-10-23 | 角田雄二; 深泽善亮; 田口雄一 |
| 一种半导体电路，其包括一放大电路并补偿由于环境温度变化引起的失真。如果放大电路为具有接地源极的场效应晶体管放大电路，则将补偿电路连在接地点与FET的源极之间用以补偿由于环境温度引起的从FET输出的信号的失真。将失真最小的温度作为标准温度，在温度下的漏电流为最小从而在环境温度偏离标准温度时漏电流上升，从而抑制了在环境温度变化时失真的增大。 | ||||||
| 173 | 移动无线应用中的电池寿命扩展技术 | CN98804378.5 | 1998-04-08 | CN1252905A | 2000-05-10 | 史蒂文·夏普; 斯图尔特·S·泰勒; 萨米尔·W·哈蒙德; 罗纳德·R·鲁布希 |
| 移动无线收发信机中的发射机的功率放大器上加载的工作电压动态地被控制以改善发射机在所有输出功率电平下的效率。实施例之中,发射机中的偏置电流值可变以优化发射机在所有输出功率电平下的效率。在一优选实施例中,由控制电路控制高效开关调节器以调节发射机中功率放大器的工作电压和/或偏置电流。控制电路具有如同其输入一样的多种信号以反应发射机的实际输出功率电平、所需输出功率、或发射机的输出电压辐度。 | ||||||
| 174 | 一种可补偿由环境温度变化所引起的失真的半导体电路 | CN98125135.8 | 1998-11-26 | CN1219024A | 1999-06-09 | 角田雄二; 深泽善亮; 田口雄一 |
| 一种半导体电路,其包括一放大电路并补偿由于环境温度变化引起的失真。如果放大电路为具有接地源极的场效应晶体管放大电路,则将补偿电路连在接地点与FET的源极之间用以补偿由于环境温度引起的从FET输出的信号的失真。将失真最小的温度作为标准温度,在温度下的漏电流为最小从而在环境温度偏离标准温度时漏电流上升,从而抑制了在环境温度变化时失真的增大。 | ||||||
| 175 | 高频放大器、发射装置和接收装置 | CN96108491.X | 1996-04-27 | CN1144427A | 1997-03-05 | 阿部雅美; 山浦智也; 大芝克幸 |
| 用以放大射频信号的放大器，包括多个有源元件组，每一个都包括一个或多个有源元件来对信号进行放大，所说的一个或多个有源元件的输入端被组合构成单一的输入端，而所说的一个或多个有源文件的输出端被组合构成单一的输出端；通过把高频放大器的FET组的每一个的偏置电压在一个工作电压和一个截止电压之间的单独地切换，其用于控制多个有源元件组的偏置状态的偏置控制装置。 | ||||||
| 176 | 射频放大器和电子电路 | CN201720457770.8 | 2017-04-27 | CN206977389U | 2018-02-06 | L·福格特 |
| 本实用新型涉及射频放大器和电子电路，例如，射频放大器(1)包括电源和偏置级(4)，该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管，该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31)，并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36)，其中，所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的，其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 177 | 偏置电路 | CN201720379473.6 | 2017-04-12 | CN206775475U | 2017-12-19 | 田中聪; 安达彻朗; 渡边一雄; 沼波雅仁; 山本靖久 |
| 本实用新型提供一种与输入信号的信号电平无关而稳定地提供偏置电流的偏置电路。偏置电路向对无线频率信号进行放大的放大器提供第1偏置电流或电压，其包括：FET，该FET的漏极被提供有电源电压，从源极输出第1偏置电流或电压；第1双极型晶体管，该第1双极型晶体管的集电极与FET的栅极相连接，基极与FET的源极相连接，发射极接地，且集电极被提供有恒定电流；以及第1电容器，该第1电容器的一端与第1双极型晶体管的集电极相连接，并抑制第1双极型晶体管的集电极电压的变动。 | ||||||
| 178 | 一种功放装置及用户设备的接收装置 | CN200920177821.7 | 2009-08-31 | CN201528316U | 2010-07-14 | 汪海 |
| 本实用新型涉及一种功放装置及用户设备的接收装置，其中，功放装置包括：第一级功放管，增益放大所有的输入信号；与所述第一级功放管连接的第一级偏置电路，向所述第一级功放管提供偏置电压；与所述第一级功放管连接的第二级功放管，增益放大所述第一级功放管的输出信号；与所述第二级功放管连接的第二级偏置电路，向所述第二级功放管提供偏置电压；与所述第一级偏置电路、第二级偏置电路连接的参考电压单元；与所述第一级偏置电路、第二级偏置电路连接的控制电压单元，通过所述第一级偏置电路和第二级偏置电路分别控制所述第一级功放管和第二级功放管的导通与关断。通过简化功放装置的结构，降低了生产成本，提高了增益过程的稳定性。 | ||||||
| 179 | 絶縁直流(DC)電圧を外科用器具へ供給するための回路 | JP2018516536 | 2016-09-22 | JP2018531686A | 2018-11-01 | ウィーナー・アイタン・ティー; イェイツ・デビッド・シー; ハイン・ジョン・イー |
| 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するための装置、システム、及び方法が提供され、これは、RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、発生器から、合成されたRF信号及び超音波信号を受信するように構成された回路と、を含む外科用器具を備える。回路は、合成されたRF信号及び超音波信号から直流(DC)電圧を絶縁するように構成することができる。その後、DC電圧を使用して、外科用器具の多様な電気部品に電力を供給することができる一方、外科用途のためのRFエネルギー及び超音波エネルギーを依然提供することができる。 | ||||||
| 180 | 複合発生器用の回路トポロジ | JP2018516503 | 2016-09-22 | JP2018531075A | 2018-10-25 | ウィーナー・アイタン・ティー; イェイツ・デビッド・シー; ハイン・ジョン・イー |
| 発生器によって出力される無線周波数(RF)信号及び超音波信号を管理するための装置、システム及び方法が提供される。RFエネルギー出力部と、超音波エネルギー出力部と、発生器から合成されたRF信号及び超音波信号を受信するように構成された回路と、を含む、外科用器具が含まれ、回路は、合成信号の周波数成分をフィルタ処理するように構成されてもよく、第1のフィルタ処理信号をRFエネルギー出力部に、第2のフィルタ処理信号を超音波エネルギー出力部に提供するように構成されているか、又は、回路は、外科用器具の出力部間で切り替えるように構成されてもよい。 | ||||||
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