序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
181 カスコード増幅器 JP2013259217 2013-12-16 JP6410007B2 2018-10-24 高橋 貴紀; 宮下 美代; 山本 和也
182 検波回路 JP2016138733 2016-07-13 JP2018011181A 2018-01-18 杉本 泰崇; 廣岡 博之
【課題】検波回路の線形性を向上させる。
【解決手段】検波回路120Aは、ベースに交流信号が入され、コレクタから交流信号に応じた第1検波信号を出力する第1トランジスタTr1と、ベースに第1検波信号が入力され、コレクタから第1検波信号に応じた第2検波信号を出力する第2トランジスタTr2と、交流信号を第2トランジスタのベースに供給する交流信号経路200を備える。
【選択図】図2
183 バイアス回路、増幅器 JP2013077906 2013-04-03 JP6246482B2 2017-12-13 川井 秀介; 細谷 昌宏; 王 トウ; 三友 敏也; 三枝 茂人; 板倉 哲朗
184 温度依存型増幅器バイアス JP2016546967 2015-01-08 JP6243048B2 2017-12-06 パク、ジュンドン; ワン、チェン−ハン; キム、ホン・スン; バヒド・ファー、モハンマド・バグヘー
185 増幅器 JP2013170973 2013-08-21 JP6229369B2 2017-11-15 宮下 美代; 高橋 貴紀; 山本 和也
186 カスコード増幅器 JP2013195953 2013-09-20 JP6204772B2 2017-09-27 鬼 塚 浩 平
187 トランジスタパッケージ、それを備えた増幅回路、及び、トランジスタの構成方法 JP2015559622 2014-10-10 JPWO2015114698A1 2017-03-23 一実 椎熊
一実施の形態によれば、トランジスタパッケージは、メイントランジスタ(MT1,MT2)と、メイントランジスタ(MT1,MT2)と同じパッケージ内に設けられ、メイントランジスタ(MT1,MT2)よりもサイズの小さいサブトランジスタ(ST1)と、を備える。それにより、オートバイアス機能が付加されたドハティ増幅回路や、所望の動作特性の拡張型ドハティ増幅回路等、様々な種類のドハティ増幅回路を構成することが可能なより汎用性の高いトランジスタパッケージ、それを備えた増幅回路、及び、トランジスタの構成方法を提供することができる。
188 増幅モジュール JP2015141429 2015-07-15 JP2017028342A 2017-02-02 長谷 昌俊
【課題】温度変化によるゲインの変動を抑制するとともに、回路規模の増大を抑制可能な電増幅モジュールを提供する。
【解決手段】電力増幅モジュールは、無線周波数信号を増幅する第1のバイポーラトランジスタ300と、第1のバイポーラトランジスタ300と熱結合され、無線周波数信号が入力され、第1のバイポーラトランジスタ300の動作を模擬する第2のバイポーラトランジスタ310と、ベースに第1の制御電圧が供給され、エミッタから第1及び第2のバイポーラトランジスタのベースに第1のバイアス電流を出力する第3のバイポーラトランジスタ311と、第2のバイポーラトランジスタ310のコレクタ電流を検出する第1の抵抗器332により生成した第3の制御電圧がベースに供給され、エミッタから第1及び第2のバイポーラトランジスタのベースに第2のバイアス電流を出力する第4のバイポーラトランジスタ312と、を備える。
【選択図】図3
189 増幅モジュール JP2015088468 2015-04-23 JP2016208305A 2016-12-08 荒屋敷 聡; 後藤 聡
【課題】ゲインを変化させることが可能な電増幅モジュールにおいて、ゲイン変化に伴う入力インピーダンスの変化を抑制する
【解決手段】電力増幅モジュール120は、第1のトランジスタT2と、第2のトランジスタT3と、第1のトランジスタT2のベースに第1のバイアス電流を供給する第1の抵抗R12と、第1の抵抗R12の一端と接続され、第2のトランジスタT3のベースに接続される第2の抵抗R13と、第2のトランジスタT3のベースに第2のバイアス電流を供給する第3の抵抗R23と、を備える。高ゲインモード時は、第1のバイアス電流が、それぞれ、第1及び第2のトランジスタT2、T3のベースに供給される。低ゲインモード時は、第2のバイアス電流が、第2のトランジスタT3のベースに供給され、第3、第2及び第1の抵抗R23、R13、R12を介して減少したバイアス電流が第1のトランジスタT2のベースに供給される。
【選択図】図2
190 高電圧広帯域幅の増幅器 JP2016517407 2014-07-23 JP2016532339A 2016-10-13 エー. オルティズ,ジョー
高電圧増幅器(100)並びに高電圧増幅器を組み立てる方法及びその作動方法が記載される。デバイスは、第1のゲート駆動回路(130b)によって駆動される第1の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)(150b)を有する。デバイスは、第2のゲート駆動回路(130a)によって駆動される第2のMOSFET(150a)と、第2のゲート駆動回路へ結合される第1の光カプラ(120)とを更に有する。高電圧増幅器の第1のMOSFET及び第2のMOSFETは、第1の出電圧(Vo)を駆動する。
191 広帯域バイアス回路および方法 JP2016542085 2014-09-11 JP2016530845A 2016-09-29 カバニラス、ジョーズ; プレスティ、カロゲロ・ダビデ
本開示は、広帯域のバイアシング(biasing)のための回路および方法を含んでいる。1つの実施形態において、増幅器は、増幅器の入と出力の間のカスコードトランジスタを含んでいる。カスコードトランジスタは、電源と第1のノードの間の抵抗器、第1のノードと基準電圧の間の抵抗器、および電源と第1のノードの間のキャパシタを備えるバイアス回路からバイアスを受ける。電源は、変調された電源である得る、それはカスコードトランジスタの制御端子においてキャパシタンスにバイアス回路を通して結合される。インダクタは、カスコードトランジスタの端子と電源との間に配列される。インダクタは変調された電源信号から出力を分離することができる。
192 増幅回路用バイアス回路とその制御方法、並びに信号増幅装置 JP2015204810 2015-10-16 JP2016105582A 2016-06-09 岡崎 幸夫; 前田 昌克; 中村 重紀; 大毛 明徳
【課題】増幅回路の動作を高速でオン/オフすることができる増幅回路用バイアス回路を提供する。
【解決手段】増幅回路用バイアス回路2は、第1の抵抗R1及びデカップリングキャパシタC1と、第1のトランジスタN1を含む。第1のレプリカ回路3は、スイッチSW11、SW12と、第2の抵抗R11及びキャパシタC11と、第2のトランジスタN11とを含む。第2のレプリカ回路4は、第3のトランジスタN11を含む。比較器5は、擬似バイアス電圧VDUMを基準電圧VREFと比較する。回路コントローラ10とスイッチ制御信号発生器11は、比較結果に基づいてスイッチSW1、SW2を制御して第1のトランジスタを流れる電流の電流量を減少させる。
【選択図】図1
193 高周波増幅回路 JP2014174235 2014-08-28 JP2016051906A 2016-04-11 四辻 哲章
【課題】逆方向に流れる信号の遮断特性を向上させ、電源電圧を低くして省電化が可能な高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】
カスコード接続された2のNMOSトランジスタから構成される第1増幅部とカスコード接続された2のPMOSトランジスタから構成される第2増幅部は、中間電位ラインを介してカスコード接続されている。第1増幅部にバイアス電圧を供給する第1バイアス部と第2増幅部にバイアス電圧を供給する第2バイアス部は、両端に電源電位及び接地電位が供給される別々の電流経路に接続され、夫々バイアス電圧を生成する。電流制御部を構成する演算増幅器は、反転入力端子が中間電位ラインに接続され、非反転入力端子には直流電圧が印加される。電流制御部は、印加された直流電圧と中間電位ラインの電位との差に基づいて、第2バイアス部の動作電流を制御する。
【選択図】図2
194 増幅器 JP2012155841 2012-07-11 JP5857898B2 2016-02-10 佐々木 善伸
195 高周波回路 JP2011171642 2011-08-05 JP5833370B2 2015-12-16 門井 涼; 林 範雄; 清水 智; 山本 昭夫
196 増幅回路 JP2014516816 2013-05-21 JP5828420B2 2015-12-09 伊藤 雅広; 竹中 幹一郎; 田中 聡; 松本 秀俊
197 高周波増幅回路 JP2014554205 2013-10-28 JP5773092B2 2015-09-02 廣岡 博之
198 増幅装置 JP2014011764 2014-01-24 JP2015139207A 2015-07-30 宮澤 直行
【課題】整合回路の数を削減して部品コストや実装工数を抑えることができる増幅装置を提供する。
【解決手段】増幅装置1Aは、一対の縁部10a,10bを有するパッケージ10と、縁部10aに設けられた入端子12と、縁部10bに設けられた出力端子15,16と、ボンディングワイヤ17aによって入力端子12と直接的に接続された入力端を有する第一段FETチップ20と、縁部10aに設けられ、ボンディングワイヤ17bによって第一段FETチップ20の出力端と直接的に接続された第一段間端子13と、縁部10aに設けられた第二段間端子14と、ボンディングワイヤ17cによって出力端子15,16と直接的に接続された出力端を有する第二段FETチップ30と、一方の電極が第二段間端子14及び第二段FETチップ30の入力端と接続されたインピーダンス整合用のキャパシタ素子40とを備える。
【選択図】図1
199 カスコード増幅器 JP2013259217 2013-12-16 JP2015115929A 2015-06-22 高橋 貴紀; 宮下 美代; 山本 和也
【課題】電源電圧制御範囲を大きくしつつ、電付加効率の劣化を抑えることができるカスコード増幅器を得る。
【解決手段】トランジスタ1は、信号が入力されるゲートと、接地されたソースと、ドレインとを有する。トランジスタ3は、ゲートと、トランジスタ1のドレインに接続されたソースと、ドレインとを有する。負荷4がトランジスタ3のドレインに接続されている。DC−DCコンバータ5が、出力電力に応じて可変な電源電圧を負荷4を介してトランジスタ3のドレインに供給する。バイアス回路6が、電源電圧の関数で表現される電圧をトランジスタ3のゲートに供給する。
【選択図】図1
200 電圧電流変換器およびそれを用いた積分回路、フィルタ回路、ならびに電圧電流変換方法 JP2014500091 2013-02-07 JPWO2013121741A1 2015-05-11 正樹 狐塚
線形性に優れ、消費電が小さく、クロック起因の雑音の少ない、変換利得が可変な電圧電流変換器および、時定数が可変な積分回路、周波数特性が可変なフィルタ回路、変換利得が可変な電圧電流変換方法を提供するため、入力された電圧を間欠的に取り込んで出力する電圧取込部と、電圧取込部が出力する電圧を電流に変換して出力する電圧電流変換部とを有し、変換利得が電圧取込部の間欠動作比率で制御される。
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