| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 射频放大器的动态偏置电路 | CN200510125425.6 | 2005-11-14 | CN1929295A | 2007-03-14 | 王志伟 |
| 本发明提供一种射频放大器的动态偏置电路，包括有源元件，具有与二极管相同的电流电压特性，其阴极是偏置电路的输出端且连接至放大晶体管的控制电极；直流电压源，具有两端且其中一端接地；以及耦合元件，控制泄漏信号的大小，泄漏信号与输入信号耦合，且驱动偏置电路；其中耦合元件的一端连接至有源元件的阳极，另一端连接至直流电压源的未接地端。本发明的动态偏置电路当输入功率增加时自动提高直流偏置点，避免了截止区的输出功率饱和。不仅改善了射频放大器的工作特性，同时其内部电路为零功率耗损。而且，它有简单的电路结构，此电路结构具有极少的电路零件和缩小化的芯片面积。因此能够容易地与放大器整合，减少成本。 | ||||||
| 42 | 大功率放大器的温度不敏感型偏压电路 | CN200480021519.2 | 2004-06-04 | CN1830137A | 2006-09-06 | Y·杨; K·乔依; N-C·郑 |
| 示意性的偏压电路被连接到放大器。偏压电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管。第一双极型晶体管具有连接到第一节点的基极，第一节点通过第一电阻连接到参考电压。第二双极型晶体管具有连接到第一节点的基极。第三双极型晶体管具有连接到第一节点的集电极和在第二节点连接到第一双极型晶体管的射极的基极。第二双极型晶体管的射极被连接到与放大器相关的第四双极型晶体管的基极，第二双极型晶体管不具有连接到第二双极型晶体管的射极的电阻。 | ||||||
| 43 | 具有阻抗可控制的偏置提升电路的放大器电路 | CN200380105384.3 | 2003-12-03 | CN1799193A | 2006-07-05 | S·罗 |
| 一种放大器电路(1)包括放大晶体管(QΦ)和用于偏置放大器晶体管(QΦ)来得到至少大约为180°的导通角的阻抗可控制的直流偏置电路(2)。该直流偏置电路(2)包括自偏置提升电路，该自偏置提升电路具有用于独立地控制直流偏置电路(2)的输出阻抗和放大器晶体管(QΦ)的静态电流的分开的电流源(Ibias，Iclass)，并且该直流偏置电路(2)具有与共射－共基电流镜电路(Q2，Q3，Q8)集成在一起的威尔逊电流镜(Q4，Q5，Q6，Q7)以形成具有通过电阻(R1)耦合到放大晶体管(QΦ)控制端的输出的扩展威尔逊电流镜电路(Q2－Q8)，以及具有从扩展威尔逊电流镜电路(Q2－Q8)耦合到公共端(Gnd)的电容(C2)。 | ||||||
| 44 | 在线性功率放大器中用于使能对静态电流的动态控制的可自适应的偏置电路 | CN200380106182.0 | 2003-11-28 | CN1788412A | 2006-06-14 | C·乔利 |
| 一种射频(RF)线性功率放大器，其具有一个输出晶体管并且包括：一个电路装置，用于生成一个偏置信号，从而产生流过输出晶体管的静态电流；一个检测器电路，用于检测输入到所述放大器的RF输入，并根据所述RF输入的功率电平生成一个驱动信号；以及一个自适应电路，用于接收所述驱动信号并自动修改所述偏置信号和通过所述输出晶体管的所述静态电流。在所述输出级处的所述静态电流被减小和优化，以用于在所有功率输出电平上的最小耗散和最优线性。用于所述射频(RF)线性功率放大器的偏置电路包括一个可自适应电路，其通过自动跟踪输入到输出级放大器的RF信号而动态修改用于该放大器的静态电流，所述RF信号在超过一个特定功率输出阈值的功率范围内。 | ||||||
| 45 | 具有高功率附加效率的射频功率放大器 | CN200510055750.X | 2001-05-02 | CN1702959A | 2005-11-30 | R·A·梅克 |
| 概括地说，本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管，即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此，激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识，即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中，不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是，电压(或电流)波形幅值保持不变时，功率传递非但未最大化，功耗反而降低了。本发明的另一个特点是，激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下，级间网络设计与E类输出级设计相似。然而，级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级)，而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中，开关的输入激励应足够高，以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率，从而提高了PAE。 | ||||||
| 46 | 高频放大器、发射装置、接收装置及控制放大器状态的方法 | CN96108491.X | 1996-04-27 | CN1134901C | 2004-01-14 | 阿部雅美; 山浦智也; 大芝克幸 |
| 用以放大射频信号的放大器，包括多个有源元件组，每一个都包括一个或多个有源元件来对信号进行放大，所说的一个或多个有源元件的输入端被组合构成单一的输入端，而所说的一个或多个有源文件的输出端被组合构成单一的输出端；通过把高频放大器的FET组的每一个的偏置电压在一个工作电压和一个截止电压之间的单独地切换，其用于控制多个有源元件组的偏置状态的偏置控制装置。 | ||||||
| 47 | 具有高功率附加效率的射频功率放大器 | CN01812177.2 | 2001-05-02 | CN1440589A | 2003-09-03 | R·A·梅克 |
| 概括地说，本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率(PAE)的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管，即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此，激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识，即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中，不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是，电压(或电流)波形幅值保持不变时，功率传递非但未最大化，功耗反而降低了。本发明的另一个特点是，激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下，级间网络设计与E类输出级设计相似。然而，级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级)，而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中，开关的输入激励应足够高，以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率，从而提高了PAE。 | ||||||
| 48 | 放大器电路和多级放大器电路 | CN97103122.3 | 1997-03-13 | CN1090839C | 2002-09-11 | 川合贵久; 冈本逸雄 |
| 放大器电路包括：一个第一增强型FET，有一个栅极，加有输入信号及一个栅偏置电压，和一个漏极，通过它输出放大的输出信号，以及一个第二增强型FET，有一个漏极同漏极电压源相连，一个源极同第一FET的漏极相连，和一个栅极，加有提供给第一FET控制漏极电压的控制信号。 | ||||||
| 49 | 低压晶体管的偏置 | CN98812521.8 | 1998-12-17 | CN1283327A | 2001-02-07 | P·-O·布兰德特 |
| 一种场效应晶体管电路,包括具有连接到各电源(Vss,4)线的漏极(D)和源极(S)端以及接收输入信号的栅极(G)端的场效应晶体管(1),该电路还包括一个二极管(6),它的阳极(B)连接到晶体管(1)的栅极(G)端,它的阴极连接到偏置电压源(7,Vb),其中设置二极管(6)以使电路使用时,场效应晶体管(1)的栅极(G)端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。 | ||||||
| 50 | 放大器电路和多级放大器电路 | CN97103122.3 | 1997-03-13 | CN1170988A | 1998-01-21 | 川合贵久; 冈本逸雄 |
| 放大器电路包括:一个第一增强型FET,有一个栅极,加有输入信号及一个栅偏置电压,和一个漏极,通过它输出放大的输出信号,以及一个第二增强型FET,有一个漏极同漏极电压源相连,一个源极同第一FET的漏极相连,和一个栅极,加有提供给第一FET控制漏极电压的控制信号。 | ||||||
| 51 | 高输出功率放大器 | CN201280061197.9 | 2012-11-09 | CN103999361B | 2017-04-19 | 冈岛利幸 |
| 在使用了耗尽型FET的高输出功率放大器中，为了可靠地防止由过电流引起的FET的损坏，具有：生成施加到耗尽型FET的漏极端子的正电压的漏极电压供给部(120、220、320)；以及生成施加到耗尽型FET的栅极端子的负电压的栅极偏置电压供给部(130、230、330)，漏极电压供给部使用外部商用电源作为电源，栅极偏置电压供给部使用电池作为电源。 | ||||||
| 52 | 多频带功率放大器 | CN201610196053.4 | 2016-03-31 | CN106026949A | 2016-10-12 | 冯景航; S·郑; N·格贝叶休; Y·史; J·P·扬 |
| 与多频带功率放大器相关的系统、装置和方法。在一些实施例中，一种功率放大器模块包括具有输出级并且配置为接收信号的功率放大器。所述功率放大器模块还包括与所述功率放大器的输出级电连通的第一可编程谐波终端电路。所述第一可编程谐波终端电路包括第一多个电容器和第一多个开关，其中所述第一多个电容器中的至少一个与所述第一多个开关中的至少一个电连通。所述功率放大器模块还包括控制器，其配置为至少部分地基于所述信号的二次谐波频率来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。 | ||||||
| 53 | 具有步长增益的放大器电路 | CN201180004897.X | 2011-01-03 | CN102652393B | 2016-09-21 | 小林文; 史蒂文·W·谢尔; 咏含·克丽丝·金; 沛明·丹尼尔·周; 茂聪·弗兰克·张 |
| 一种步长增益放大器具有一放大器，所述放大器具有输入及输出以及连接到所述输入及偏置节点的偏置电路。仅使用无源元件的无源反馈电路将所述输出连接到所述输入。控制电路在所述偏置节点处连接到所述偏置电路。 | ||||||
| 54 | 功率放大器 | CN201310050094.9 | 2013-02-08 | CN103248325B | 2016-08-31 | 冈村笃司; 松塚隆之 |
| 本发明得到一种能够改善中低输出的失真特性的功率放大器。放大元件（Tr1）具有：被输入输入信号的基极、被施加集电极电压的集电极、以及发射极。偏置电路（Bias1）向放大元件（Tr1）的基极供给偏置电流。偏置电路（Bias1）具有晶体管（Trb1）和电容调整电路（1）。向（Trb1）的基极输入基准电压，向（Trb1）的集电极输入电源电压，（Trb1）的发射极连接于放大元件（Tr1）的基极。电容调整电路（1）当放大元件（Tr1）的集电极电压变低时使（Trb1）的基极和集电极的至少一方与接地点之间的电容值增加。 | ||||||
| 55 | 功率放大装置以及功率放大装置的控制方法 | CN201480070464.8 | 2014-06-19 | CN105850036A | 2016-08-10 | 板垣广务; 大朏俊弥 |
| 实施方式的功率放大装置具有多赫蒂放大器、电压调整部以及中央运算处理部。多赫蒂放大器通过主放大器和峰值放大器分别放大输入信号，输出将放大后的信号进行合成而得到的输出信号。电压调整部对主放大器以及峰值放大器分别供给漏极电压和栅极电压。中央运算处理部根据多赫蒂放大器的饱和输出功率与多赫蒂放大器的平均输出功率之比，控制电压调整部而供给漏极电压和栅极电压。 | ||||||
| 56 | 用于电容性负载减少的装置和方法 | CN201180067504.X | 2011-12-13 | CN103370874B | 2016-07-13 | S.凯斯巴克 |
| 公开了一种用于电容性负载减少的装置和方法。在一个实施例中，功率放大器系统包括多个功率放大器，以及用于生成功率放大器的供电电压的包络跟踪模块。所述功率放大器系统还包括开关和与所述系统的第一功率放大器可操作地相关联的去耦电容器。所述开关被配置为当禁用第一功率放大器时，使去耦电容器的一端电浮置，从而减少包络跟踪器的电容性负载，以及所述开关被配置为当使能功率放大器时作为阻尼电阻器操作，以提高系统的稳定性。 | ||||||
| 57 | 功率放大器 | CN201210502426.8 | 2012-11-30 | CN103312270B | 2016-07-06 | 松塚隆之; 弥政和宏 |
| 本发明得到一种能够提高在低输出时的效率的功率放大器。放大元件（Tr1）对从外部输入的输入信号进行放大。放大元件（Tr2）对放大元件（Tr1）的输出信号进行放大。放大元件（Tr3）对输入信号进行放大。开关（SW1）连接在（Tr1）的输出与（Tr2）的输入之间。开关（SW2）连接在（Tr1）的输出与（Tr3）的输出之间。开关（SW3）连接在（Tr1）的输出与（Tr2）的输出之间。参照电压产生电路（1）产生参照电压。偏置电路（2）将基于参照电压的偏置电流提供给（Tr1、Tr2、Tr3）的输入。控制电路（3）控制（SW1、SW2、SW3）和参照电压产生电路（1）。控制电路（3）在将（SW1）关断、将（SW2、SW3）接通的低输出时，使参照电压产生电路（1）停止。 | ||||||
| 58 | 调制不可知的数字混合模式功率放大器系统及方法 | CN201080064414.0 | 2010-12-21 | CN102948071B | 2016-06-22 | 金万容; 肖恩·帕特里克·斯特普尔顿; 肖英; 曹敬俊 |
| 公开了一种用于在宽带通信系统中实现高效率和高线性度的RF数字混合模式功率放大器系统。本发明基于用于在RF域内线性化功率放大器的自适应数字预失真的方法。本公开内容使功率放大器系统能够现场可重构并支持多调制方案（调制不可知）、多载波和多信道。因此，数字混合模式功率放大器系统特别适合不容易获得基带I-Q信号信息的无线传输系统，诸如基站、中继器和室内信号覆盖系统。 | ||||||
| 59 | 用于偏置功率放大器的设备和方法 | CN201480050212.9 | 2014-08-01 | CN105531924A | 2016-04-27 | L.拉姆 |
| 在这里公开了用于偏置功率放大器的设备和方法。在某些实现方式中，功率放大器系统包括功率放大器和产生用于偏置功率放大器的偏置电压的偏置电路。偏置电路包括放大器、用于产生参考电流的电流源、和参考晶体管，所述参考晶体管具有通过其中的与偏置电压相关地改变的电流。放大器可以基于对应于参考电流和通过参考晶体管的电流之间的差的误差电流控制偏置电压。放大器可被用于控制偏置电压，使得参考电流和通过参考晶体管的电流基本上相等。 | ||||||
| 60 | 一种Doherty功放装置 | CN201110111728.8 | 2011-04-29 | CN102185563B | 2016-03-02 | 陈化璋; 刘建利; 安晋元; 崔晓俊 |
| 本发明提供一种Doherty功放装置，所述装置包括驱动放大电路，功率分配电路，功率合成电路，所述功率分配电路与所述驱动放大电路相连，还包括并联在所述功率分配电路和所述功率合成电路之间的载波放大电路和峰值放大电路；所述载波放大电路包括一条或多条并联的载波放大支路，每条载波放大支路包括多级载波放大装置，所述多级载波放大装置用于实现多级载波放大；所述峰值放大电路包括一条或多条并联的峰值放大支路，每条峰值放大支路包括多级峰值放大装置，所述多级峰值放大装置用于实现多级峰值放大。本发明提供的功放装置，效率高，成本低。 | ||||||
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